特開2018-35062(P2018-35062A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2018-35062GaNベース半導体結晶成長用多結晶窒化アルミニウム基材およびそれを用いたGaNベース半導体の製造方法
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