特開 2019-183209 スパッタ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2019-183209(P2019-183209A)

(43)【公開日】2019年10月24日

(54)【発明の名称】スパッタ装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20190927BHJP

   C23C 14/08 20060101ALI20190927BHJP

   C23C 14/56 20060101ALI20190927BHJP

   C23C 14/00 20060101ALI20190927BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20190927BHJP

【ＦＩ】

   C23C14/34 L

   C23C14/08 D

   C23C14/56 G

   C23C14/00 B

   H01B13/00 503B

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2018-73270(P2018-73270)

(22)【出願日】2018年4月5日

(71)【出願人】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】松崎 淳介

【テーマコード（参考）】

4K029

5G323

【Ｆターム（参考）】

4K029AA06

4K029AA24

4K029BA45

4K029BC09

4K029CA05

4K029DA09

4K029DC05

4K029JA01

4K029KA02

4K029KA09

5G323BA02

5G323BB05

(57)【要約】

【課題】トレイに対する水の吸着を抑えることを可能としたスパッタ装置を提供する。
【解決手段】大気に開放された大気領域１１と、大気圧に対して減圧され、トレイＴに取り付けられた成膜対象Ｓに対して酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を形成するスパッタ室１２と、スパッタ室１２に接続され、大気に開放された状態と大気圧に対して減圧された状態とを有し、成膜前の成膜対象Ｓが取り付けられたトレイＴをスパッタ室１２に搬送し、成膜後の成膜対象Ｓが取り付けられたトレイＴをスパッタ室１２から搬出する搬出入室１３とを備える。大気領域１１および搬出入室１３のなかで、搬出入室１３が、トレイＴを搬送するトレイ搬送室を構成し、トレイ搬送室が、トレイＴを加熱する加熱部を備え、加熱部は、スパッタ室の外部においてトレイＴの温度が６０℃以上の温度に維持されるように、トレイＴを加熱する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

大気に開放された大気領域と、
大気圧に対して減圧され、トレイに取り付けられた成膜対象に対して酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を形成するスパッタ室と、
前記スパッタ室に接続され、大気に開放された状態と大気圧に対して減圧された状態とを有し、成膜前の前記成膜対象が取り付けられた前記トレイを前記スパッタ室に搬送し、成膜後の前記成膜対象が取り付けられた前記トレイを前記スパッタ室から搬出する搬出入室と、を備え、
前記大気領域および前記搬出入室のなかで、少なくとも前記搬出入室が、前記スパッタ室の外部において前記トレイを搬送するトレイ搬送室を構成し、
前記トレイ搬送室が、前記トレイを加熱するために用いられる加熱部を備え、
前記加熱部は、前記スパッタ室の外部において前記トレイの温度が６０℃以上の温度に維持されるように、前記トレイを加熱する
スパッタ装置。

【請求項2】

前記成膜対象は、非晶質状の薄膜を含み、
前記加熱部は、前記スパッタ室の外部において、前記トレイの温度が２００℃以下に維持されるように、前記トレイを加熱する
請求項１に記載のスパッタ装置。

【請求項3】

前記加熱部は、放射によって前記トレイを加熱する
請求項１または２に記載のスパッタ装置。

【請求項4】

前記加熱部は、ランプヒーターおよびシーズヒーターの少なくとも一方を含む
請求項３に記載のスパッタ装置。

【請求項5】

前記加熱部は前記ランプヒーターを含み、
前記トレイ搬送室は、前記成膜対象と前記ランプヒーターとの間に位置し、前記成膜対象を覆うマスクであって、前記ランプヒーターから放出される光の少なくとも一部を反射するマスクをさらに備える
請求項４に記載のスパッタ装置。

【請求項6】

前記トレイは金属製であり、前記トレイに電圧を印加するための２つの端子を備え、
前記加熱部は前記トレイの前記端子間に電圧を印加するための直流電源を備える
請求項１に記載のスパッタ装置。

【請求項7】

前記加熱部は、誘導加熱によって前記トレイを加熱する
請求項１に記載のスパッタ装置。

【請求項8】

前記トレイは、前記トレイの内部に位置する配線と、前記配線に電流を供給するための２つの端子と、を含み、
前記加熱部は、前記配線に電流を供給するための交流電源を含む
請求項７に記載のスパッタ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、スパッタ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

スパッタ装置には、搬入室、成膜室、および、搬出室が、１つの方向に沿って連結されたインライン型のスパッタ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。インライン型のスパッタ装置では、大気に開放された領域である移載領域においてトレイに取り付けられた成膜対象が、搬入室を介して減圧された成膜室に搬入される。そして、成膜室において、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜が成膜対象に形成される。成膜後の成膜対象およびトレイは、搬出室を介して移載領域に搬出され、成膜対象がトレイから取り外される。成膜対象が取り外されたトレイには、成膜前の成膜対象が再び取り付けられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００−１２９４３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、成膜対象に対して透明導電膜が形成されるときには、成膜対象に加えてトレイにも酸化インジウムを主成分とするスパッタ粒子が付着する。トレイの付着物は、トレイが大気に開放されると、大気中の水を吸着する。水を吸着した付着物がトレイとともに減圧された成膜室に搬入されると、トレイが配置された環境での水の飽和蒸気圧が変わることによって、付着物に吸着された水が、成膜室内に放出される。これにより、成膜室内の水の圧力が、付着物から放出された水によって左右され、結果として、成膜室の状態にばらつきが生じる。こうしたばらつきは、成膜対象に形成される透明導電膜の特性がばらつく一因であるため、トレイに対する水の吸着を抑えることが求められている。

【0005】

本発明は、トレイに対する水の吸着を抑えることを可能としたスパッタ装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するためのスパッタ装置は、大気に開放された大気領域と、大気圧に対して減圧され、トレイに取り付けられた成膜対象に対して酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を形成するスパッタ室と、前記スパッタ室に接続され、大気に開放された状態と大気圧に対して減圧された状態とを有し、成膜前の前記成膜対象が取り付けられた前記トレイを前記スパッタ室に搬送し、成膜後の前記成膜対象が取り付けられた前記トレイを前記スパッタ室から搬出する搬出入室と、を備える。前記大気領域および前記搬出入室のなかで、少なくとも前記搬出入室が、前記スパッタ室の外部において前記トレイを搬送するトレイ搬送室を構成し、前記トレイ搬送室が、前記トレイを加熱するために用いられる加熱部を備え、前記加熱部は、前記スパッタ室の外部において前記トレイの温度が６０℃以上の温度に維持されるように、前記トレイを加熱する。

【0007】

上記構成によれば、トレイが大気に暴露されるスパッタ室の外部において、トレイが６０℃以上の温度に維持されるため、トレイの加熱が行われない場合と比べて、トレイに水が吸着することが抑えられる。

【0008】

上記スパッタ装置において、前記成膜対象は、非晶質状の薄膜を含み、前記加熱部は、前記スパッタ室の外部において、前記トレイの温度が２００℃以下に維持されるように、前記トレイを加熱してもよい。上記構成によれば、成膜対象に含まれる非晶質の薄膜が変性することを抑えつつ、トレイに対する水の吸着を抑えることができる。

【0009】

上記スパッタ装置において、前記加熱部は、放射によって前記トレイを加熱してもよい。
上記スパッタ装置において、前記加熱部は、ランプヒーターおよびシーズヒーターの少なくとも一方を含んでもよい。上記構成によるように、放射によってトレイを加熱する加熱部は、ランプヒーターおよびシーズヒーターの少なくとも一方を含むことができる。

【0010】

上記スパッタ装置において、前記加熱部は前記ランプヒーターを含み、前記トレイ搬送室は、前記成膜対象と前記ランプヒーターとの間に位置し、前記成膜対象を覆うマスクであって、前記ランプヒーターから放出される光の少なくとも一部を反射するマスクをさらに備えてもよい。

【0011】

上記構成によれば、トレイはランプヒーターによって加熱される一方で、成膜対象への入熱はマスクによって抑えられるため、トレイに対する水の吸着を抑えつつ、成膜対象が入熱によって変性することを抑えることができる。

【0012】

上記スパッタ装置において、前記トレイは金属製であり、前記トレイに電圧を印加するための２つの端子を備え、前記加熱部は前記トレイの前記端子間に電圧を印加するための直流電源を備えてもよい。上記構成によれば、電圧の印加によってトレイそのものが発熱するため、トレイの加熱が可能である。

【0013】

上記スパッタ装置において、前記加熱部は、誘導加熱によって前記トレイを加熱してもよい。
上記スパッタ装置において、前記トレイは、前記トレイの内部に位置する配線と、前記配線に電流を供給するための２つの端子と、を含み、前記加熱部は、前記配線に電流を供給するための交流電源を含んでもよい。

【0014】

上記構成によるように、誘導加熱によってトレイを加熱する加熱部は、トレイ内に位置する配線に対して交流電源を供給する交流電源を含むことができる。配線に交流電流が供給されることによってトレイに渦電流が生じる。これによって、トレイそのものが発熱し、トレイを加熱することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】一実施形態におけるスパッタ装置の概略的な構成を成膜対象とともに示すブロック図。

【図2】トレイにおける構造の一例を示す平面図。

【図3】加熱部の第１例における概略的な構成を示す断面図。

【図4】加熱部の第２例における概略的な構成を示す断面図。

【図5】加熱部の第３例における概略的な構成を示す端面図。

【図6】加熱部の第４例における概略的な構成を示す平面図。

【図7】加熱部の第５例における概略的な構成を示す断面図。

【図8】試験例におけるトレイの温度とスパッタ室内における水の分圧との関係を示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0016】

図１から図８を参照して、スパッタ装置の一実施形態を説明する。以下では、スパッタ装置の構成、トレイの構成、加熱部の構成、および、試験例を順に説明する。

【0017】

［スパッタ装置の構成］
図１を参照してスパッタ装置の構成を説明する。
図１が示すように、スパッタ装置１０は、大気領域１１、スパッタ室１２、および、搬出入室１３を備えている。大気領域１１は、大気に開放されている。スパッタ室１２は、大気圧に対して減圧され、トレイＴに取り付けられた成膜対象Ｓに対して酸化インジウムを主成分とする薄膜を形成する。搬出入室１３は、スパッタ室１２に接続され、大気に開放された状態と大気圧に対して減圧された状態とを有する。搬出入室１３は、成膜前の成膜対象Ｓが取り付けられたトレイＴをスパッタ室１２に搬送する。また、搬出入室１３は、成膜後の成膜対象Ｓが取り付けられたトレイＴをスパッタ室１２から搬出する。

【0018】

大気領域１１および搬出入室１３のなかで、少なくとも搬出入室１３が、スパッタ室１２の外部においてトレイＴを搬送するトレイ搬送室を構成する。トレイ搬送室が、トレイＴを加熱するために用いられる加熱部を備えている。加熱部は、スパッタ室１２の外部においてトレイＴの温度が６０℃以上の温度に維持されるように、トレイＴを加熱する。これにより、トレイＴが大気に暴露されるスパッタ室１２の外部において、トレイＴが６０℃以上の温度に維持されるため、トレイＴの加熱が行われない場合と比べて、トレイＴに水が吸着することが抑えられる。

【0019】

本実施形態では、大気領域１１は、成膜前の成膜対象Ｓを収納するストッカーを備えている。大気領域１１は、ストッカーが配置される空間を区画する区画部を備え、区画部の内部が、大気に開放されている。また、大気領域１１は、ストッカーに収納された成膜対象Ｓを搬出入室１３に搬送し、かつ、搬出入室１３に配置されたトレイＴに成膜前の成膜対象Ｓを取り付ける搬送ロボットを備えている。なお、搬送ロボットは、成膜後の成膜対象ＳをトレイＴから受け取り、大気領域１１に搬送する動作も行う。

【0020】

搬出入室１３は、搬送ロボットとの協働によって、成膜前の成膜対象ＳをトレイＴに取り付けること、および、成膜後の成膜対象ＳをトレイＴから取り外すことが可能に構成されている。すなわち、本実施形態では、大気領域１１および搬出入室１３のなかで、搬出入室１３が、スパッタ室１２の外部においてトレイＴを搬送するトレイ搬送室を構成する。

【0021】

スパッタ装置１０は、大気領域１１と搬出入室１３との間、および、搬出入室１３とスパッタ室１２との間に、ゲートバルブ１４を１つずつ備えている。各ゲートバルブ１４が開くことによって、ゲートバルブ１４を介して接続された２つの処理室が互いに連通する。一方で、各ゲートバルブ１４が閉じることによって、ゲートバルブ１４を介して接続された２つの処理室が互いから遮断される。

【0022】

スパッタ室１２および搬出入室１３には、各処理室を所定の圧力に減圧する排気部１５が接続されている。各排気部１５は、例えば各種のポンプおよび各種のバルブを備えている。各排気部１５が駆動されることによって、各処理室の内部は、大気圧よりも減圧された状態、言い換えれば真空の状態にされる。

【0023】

搬出入室１３は、成膜前の成膜対象ＳをトレイＴに取り付けるとき、および、成膜後の成膜対象ＳをトレイＴから取り外すときに、大気に開放される。このとき、大気領域１１と搬出入室１３との間のゲートバルブ１４は開けられる。これに対して、搬出入室１３とスパッタ室１２との間のゲートバルブ１４は閉じられる。搬出入室１３は、成膜前の成膜対象ＳをトレイＴとともにスパッタ室１２に搬入するとき、および、成膜後の成膜対象ＳをトレイＴとともにスパッタ室１２から搬出するときに、真空に減圧される。このとき、大気領域１１と搬出入室１３との間のゲートバルブ１４は閉じられる。これに対して、搬出入室１３とスパッタ室１２との間のゲートバルブ１４は開けられる。

【0024】

スパッタ室１２は、カソード１２Ｃと、搬送レーン１２Ｌとを備えている。カソード１２Ｃは、酸化インジウムを主成分とするターゲットを備えている。酸化インジウムを主成分とするターゲットには、例えば、ＩＴＯターゲット、ＩＧＺＯターゲット、ＩＧＯターゲット、および、ＩＺＯターゲットなどを挙げることができる。本実施形態において、ターゲットの主成分はＩＴＯである。

【0025】

搬送レーン１２Ｌは、スパッタ室１２内において所定の搬送速度でトレイＴを搬送する。スパッタ室１２では、搬送レーン１２ＬがトレイＴを搬送している間に、成膜対象Ｓに対してＩＴＯ膜が形成される。ＩＴＯ膜は、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の一例である。なお、搬送レーン１２Ｌは、搬出入室１３から搬入したトレイＴをスパッタ室１２の所定の位置まで搬送し、かつ、スパッタ室１２内における所定の位置においてトレイＴの位置を固定してもよい。スパッタ室１２では、搬送レーン１２ＬがトレイＴの位置を固定している間に、成膜対象Ｓに対してＩＴＯ膜が形成されてもよい。

【0026】

また、スパッタ室１２では、成膜対象Ｓにおいて対向する一方の面のみにＩＴＯ膜が形成されてもよいし、成膜対象Ｓにおいて対向する両面にＩＴＯ膜が形成されてもよい。成膜対象Ｓにおいて対向する両面にＩＴＯ膜が形成される場合には、スパッタ室１２は、トレイＴを回転させることによって、カソード１２Ｃと対向する面を変更する機構を備えていればよい。

【0027】

また、成膜対象Ｓにおいて対向する両面にＩＴＯ膜が形成される場合には、スパッタ室１２は、搬送レーン１２Ｌが延びる方向と直交する方向において、搬送レーン１２Ｌに対する一方側と他方側とにカソード１２Ｃを備えてもよい。これにより、一方側に位置するカソード１２Ｃを用いて、成膜対象Ｓにおける一方の面にＩＴＯ膜を形成し、かつ、他方側に位置するカソード１２Ｃを用いて成膜対象Ｓにおける他方の面にＩＴＯ膜を形成することができる。

【0028】

また、スパッタ装置１０は、第１スパッタ室と第２スパッタ室とを備えてもよい。この場合には、搬送レーンは第１スパッタ室および第２スパッタ室の両方に敷設されている。第１スパッタ室は、搬送レーンが延びる方向と直交する方向において、搬送レーンに対する一方側に位置するカソードを備えている。これに対して、第２スパッタ室は、搬送レーンが延びる方向と直交する方向において、搬送レーンに対する他方側に位置するカソードを備えている。スパッタ装置１０は、成膜対象Ｓを第１スパッタ室内において搬送レーンによって搬送する間に、成膜対象Ｓにおける一方の面にＩＴＯ膜を形成する。また、スパッタ装置１０は、成膜対象Ｓを第２スパッタ室内において搬送レーンによって搬送する間に、成膜対象Ｓにおける他方の面にＩＴＯ膜を形成する。

【0029】

本実施形態では、成膜対象Ｓは、非晶質状の薄膜を含んでいる。加熱部は、スパッタ室１２の外部において、トレイＴの温度が２００℃以下に維持されるように、トレイＴを加熱する。これにより、成膜対象Ｓに含まれる非晶質の薄膜が変性することを抑えつつ、トレイＴに対する水の吸着を抑えることができる。非晶質状の薄膜には、例えば非晶質状のシリコン膜を挙げることができる。

【0030】

スパッタ装置１０は、スパッタ装置１０の駆動を制御する制御部１０Ｃをさらに備えている。制御部１０Ｃは、例えば、各ゲートバルブ１４、各排気部１５、および、搬送レーン１２Ｌに電気的に接続し、各部に制御信号を出力することによって、各部の駆動を制御する。制御部１０Ｃは、搬出入室１３が備える加熱部にも電気的に接続し、加熱部に制御信号を出力することによって、加熱部の駆動を制御する。

【0031】

こうしたスパッタ装置１０では、大気に開放された搬出入室１３内にトレイＴが位置し、トレイＴに対して成膜前の成膜対象Ｓが取り付けられる。次いで、搬出入室１３内が減圧され、搬出入室１３とスパッタ室１２とが連通される。そして、トレイＴが搬出入室１３からスパッタ室１２に搬入された後、搬出入室１３とスパッタ室１２との連通が遮断され、スパッタ室１２にスパッタガスが供給される。その後、ターゲットに電力が供給されることによってスパッタ室１２内にプラズマが生成され、プラズマ中のイオンによってターゲットがスパッタされる。これにより、成膜対象Ｓの表面に、ＩＴＯ膜が形成される。成膜後の成膜対象Ｓは、搬出入室１３を介して大気領域１１に搬出される。

【0032】

［トレイの構成］
図２を参照してトレイＴの構成における一例を説明する。
図２が示すように、トレイＴは格子状を有し、トレイＴが区画する各格子には、１つの成膜対象Ｓが取り付けられる。トレイＴにおいて、２つの成膜対象Ｓによって挟まれる部分が第１部分Ｔ１であり、トレイＴの縁を含み、かつ、第１部分Ｔ１よりも外側に位置する部分が第２部分Ｔ２である。

【0033】

第２部分Ｔ２は矩形枠状を有し、第２部分Ｔ２を構成する各辺が延びる方向と直交する方向の長さが、第２部分Ｔ２の幅である。第１部分Ｔ１において、第１部分Ｔ１が延びる方向と直交する方向の長さが、第１部分Ｔ１の幅である。第２部分Ｔ２の幅は、第１部分Ｔ１の幅よりも大きい。

【0034】

トレイＴが枠状を有することによって、成膜対象Ｓにおいて対向する２つの面のうち、一方の面のみにＩＴＯ膜を形成することも可能であるし、また、２つの面にＩＴＯ膜を形成することも可能である。なお、成膜対象Ｓにおける１つの面のみにＩＴＯ膜を形成する場合には、トレイＴが複数の凹部を有し、各凹部内に成膜対象Ｓが取り付けられる構成でもよい。

【0035】

トレイＴを形成するための材料は、金属である。金属には、例えば、ステンレス鋼を用いることができる。

【0036】

［加熱部の構成］
図３から図７を参照して、加熱部の構成を説明する。以下では、加熱部の構成として５つの例を説明する。また、本実施形態では、上述したように、搬出入室がトレイ搬送室を構成し、かつ、加熱部を備えている。なお、図３から図７では、図示の便宜上、トレイＴが２つの成膜対象Ｓを支持し、かつ、トレイＴの１つの面上に成膜対象Ｓが位置するようにトレイＴおよび成膜対象Ｓが図示されている。

【0037】

［第１例］
加熱部は、放射によってトレイＴを加熱するように構成することができる。放射によってトレイＴを加熱する加熱部は、ランプヒーターを挙げることができる。

【0038】

図３が示すように、搬出入室１３は、ランプヒーター２１を備えている。搬出入室１３は、成膜対象Ｓとランプヒーター２１との間に位置し、成膜対象Ｓを覆うマスク２２をさらに備えている。マスク２２は、ランプヒーター２１から放出される光の少なくとも一部を反射する。これにより、トレイＴはランプヒーター２１によって加熱される一方で、成膜対象Ｓへの入熱はマスク２２によって抑えられる。そのため、トレイＴに対する水の吸着を抑えつつ、成膜対象Ｓが入熱によって変性することを抑えることができる。

【0039】

ランプヒーター２１は、赤外線を放出する。言い換えれば、ランプヒーター２１は、０．８μｍ以上１ｍｍ以下の範囲に含まれる波長の光を放出する。マスク２２は、ランプヒーター２１から放出される光のうち、一部の波長の光のみを反射することが可能な構成でもよいし、ランプヒーター２１から放出される光の全てを反射することが可能な構成でもよい。

【0040】

［第２例］
放射によってトレイＴを加熱する加熱部には、シーズヒーターを挙げることもできる。
図４が示すように、搬出入室１３は、シーズヒーター３１を備えている。シーズヒーター３１は、トレイＴとシーズヒーター３１とが重なる方向から見て枠状を有している。シーズヒーター３１は、トレイＴとシーズヒーター３１とが重なる方向から見て、成膜対象Ｓと重なる位置に貫通孔３１ａを有している。そのため、シーズヒーター３１は、成膜対象Ｓと重なる部分には位置してない。これにより、トレイＴはシーズヒーター３１によって加熱される一方で、成膜対象Ｓはシーズヒーター３１によって加熱されにくい。

【0041】

［第３例］
図５が示すように、金属製のトレイＴは、トレイＴに電圧を印加するための２つの端子Ｔａを備えている。加熱部はトレイＴの端子Ｔａ間に電圧を印加するための直流電源４１である。こうした構成では、トレイＴが抵抗として機能するため、トレイＴに電圧が印加されることによって、トレイＴが加熱される。言い換えれば、電圧の印加によってトレイＴそのものが発熱するため、トレイＴの加熱が可能である。

【0042】

上述したように、成膜対象Ｓは非晶質状の薄膜を含んでよく、非晶質状の薄膜には、非晶質状のシリコン膜を挙げることができる。この場合、成膜対象Ｓの抵抗値は、トレイＴの抵抗値よりも高い。そのため、トレイＴに電圧を印加したときに、成膜対象ＳはトレイＴよりも温度が上がりにくい。結果として、トレイＴに対する水の吸着を抑えつつ、成膜対象Ｓの加熱によって成膜対象Ｓが変性することも抑えられる。

【0043】

［第４例］
図６が示すように、加熱部は、誘導加熱によってトレイＴを加熱するように構成することができる。誘導加熱によってトレイＴを加熱する場合には、トレイＴは、トレイＴの内部に位置する配線Ｔｂと、配線Ｔｂに電流を供給するための２つの端子Ｔｃとを含んでいる。加熱部は、配線Ｔｂに電流を印加するための交流電源５１である。交流電源５１が配線Ｔｂに交流電流を供給すると、配線Ｔｂの周りに位置するトレイＴに渦電流が生じる。これにより、トレイＴが発熱し、トレイＴが６０℃以上２００℃以下の温度に加熱される。

【0044】

トレイＴの表面と対向する平面視において、配線Ｔｂは、トレイＴの第１部分Ｔ１および第２部分Ｔ２の両方に位置するように敷設されている。配線Ｔｂは、トレイＴの第２部分Ｔ２に位置する一方で、第１部分Ｔ１に位置していなくてもよい。上述したように、第２部分Ｔ２の幅は第１部分Ｔ１の幅よりも大きいため、トレイＴの第２部分Ｔ２に配線を敷設することが容易である。配線Ｔｂのなかで、トレイＴの外部に露出する２つの端部に端子Ｔｃが、１つずつ位置している。配線Ｔｂは、例えば、導線と、導線の周りを覆う絶縁層とから構成されている。

【0045】

［第５例］
図７が示すように、誘導加熱によってトレイＴを加熱する加熱部には、トレイＴの外部に位置するコイル６１と、コイル６１に電流を供給する交流電源６２とを備える加熱部を挙げることができる。交流電源６２がコイル６１に交流電流を供給すると、第５例と同様、コイル６１の近傍に位置するトレイＴに渦電流が生じる。これにより、トレイＴが発熱し、トレイＴが６０℃以上２００℃以下の温度に加熱される。

【0046】

第１例から第５例の加熱部のなかで、第１例および第２例の加熱部は、それぞれスパッタ装置１０の稼働中にわたって、搬出入室１３内を６０℃以上２００℃以下の範囲に含まれる所定の温度に加熱することが好ましい。これにより、搬出入室１３に搬入された成膜対象Ｓの温度が、スパッタ室１２の外部において、６０℃以上２００℃以下に維持されやすい。

【0047】

これに対して、第３例から第５例の加熱部は、それぞれ成膜後の成膜対象Ｓが取り付けられたトレイＴが、スパッタ室１２から搬出入室１３に搬入され、かつ、各電源に接続された時点から、トレイＴの加熱を開始することが好ましい。一方で、各加熱部は、成膜前の成膜対象Ｓが取り付けられたトレイＴが、搬出入室１３からスパッタ室１２に搬出されるために各電源に対する接続が解除された時点で、トレイＴの加熱を終了することが好ましい。

【0048】

上述した第１例から第５例では、複数の加熱部を適宜組み合わせることができる。

【0049】

［試験例］
図８を参照して試験例を説明する。
トレイを６０秒間大気に暴露した後に、減圧されたスパッタ室内にトレイを搬入した。そして、トレイを搬入してから６０秒後におけるスパッタ室内の水の分圧を測定した。なお、トレイを搬入する前において、スパッタ室内の水の分圧を３．４×１０^−４Ｐａに設定した。また、トレイを大気に暴露している間において、トレイの温度を２５℃から１００℃の間における複数の値に変更した。スパッタ室内の水の分圧を測定した結果は、図８に示す通りであった。

【0050】

図８が示すように、トレイの温度が６０℃以上であれば、スパッタ室内の水の分圧が、７．０×１０^−３Ｐａ以下となり安定であることが認められた。言い換えれば、トレイの温度が６０℃以上であれば、大気に暴露されたトレイがスパッタ室に搬入されても、トレイが搬入される前後において、スパッタ室内の水の分圧がほぼ変わらないことが認められた。こうした水の分圧であれば、水の分圧における変化が、スパッタ室内にて形成されたＩＴＯ膜の特性に対して影響することが抑えられる。

【0051】

以上説明したように、スパッタ装置の一実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
（１）トレイＴが大気に暴露されるスパッタ室１２の外部において、トレイＴが６０℃以上の温度に維持されるため、トレイＴの加熱が行われない場合と比べて、トレイＴに水が吸着することが抑えられる。

【0052】

（２）成膜対象Ｓに含まれる非晶質の薄膜が変性することを抑えつつ、トレイＴに対する水の吸着を抑えることができる。

【0053】

（３）トレイＴはランプヒーター２１によって加熱される一方で、成膜対象Ｓへの入熱はマスク２２によって抑えられる。そのため、トレイＴに対する水の吸着を抑えつつ、成膜対象Ｓが入熱によって変性することを抑えることができる。

【0054】

（４）電圧の印加によってトレイＴそのものが発熱するため、トレイＴの加熱が可能である。

【0055】

（５）配線Ｔｂに交流電流が供給されることによってトレイＴに渦電流が生じる。これによって、トレイＴそのものが発熱し、トレイＴを加熱することができる。

【0056】

なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
［トレイ搬送室］
・トレイ搬送室は、大気領域１１と搬出入室１３とによって構成されてもよい。この場合には、大気領域１１および搬出入室１３が、スパッタ室１２の外部であって、かつ、トレイＴが大気に暴露された状態で、トレイＴの搬送を行う。大気領域１１は、成膜前の成膜対象ＳをトレイＴに取り付け、かつ、成膜後の成膜対象ＳをトレイＴから取り外すことが可能に構成される。

【0057】

また、大気領域１１および搬出入室１３の少なくとも一方が、加熱部を備えていればよい。大気領域１１および搬出入室１３の両方が加熱部を備える場合には、大気領域１１が備える加熱部の構成と、搬出入室１３が備える加熱部の構成とが、互いに異なってもよい。

【0058】

トレイ搬送室が、大気領域１１と搬出入室１３とによって構成される場合にも、加熱部が、スパッタ室１２の外部において、すなわち、大気領域１１および搬出入室１３にトレイＴが位置する場合において、トレイＴの温度を６０℃以上に維持すればよい。これにより、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

【0059】

［制御部］
・制御部１０Ｃは、特定の期間のみにおいて加熱部がトレイＴを加熱するように加熱部の駆動を制御してもよい。例えば、搬出入室１３内に加熱部が位置する場合には、制御部１０Ｃは、搬出入室１３内が大気圧であるときに限り、加熱部がトレイＴを加熱するように、加熱部の駆動を制御してもよい。また、大気領域１１内に加熱部が位置する場合には、制御部１０Ｃは、大気領域１１にトレイＴが位置するときに限り、加熱部がトレイＴを加熱するように、加熱部の駆動を制御してもよい。また、大気領域１１内および搬出入室１３内の両方に加熱部が位置する場合には、制御部１０Ｃは、大気領域１１内に位置する加熱部と、搬出入室１３に位置する加熱部とが互いに異なるタイミングでトレイＴを加熱するように、各加熱部の駆動を制御してもよい。

【0060】

［スパッタ装置］
・スパッタ装置１０は、搬出入室１３とスパッタ室１２との間に、成膜前の成膜対象Ｓおよび成膜後の成膜対象Ｓの少なくとも一方に対して所定の処理を行う処理室をさらに備えてもよい。

【符号の説明】

【0061】

１０…スパッタ装置、１０Ｃ…制御部、１１…大気領域、１２…スパッタ室、１２Ｃ…カソード、１２Ｌ…搬送レーン、１３…搬出入室、１４…ゲートバルブ、１５…排気部、２１…ランプヒーター、２２…マスク、３１…シーズヒーター、４１…直流電源、５１，６２…交流電源、６１…コイル、Ｓ…成膜対象、Ｔ…トレイ、Ｔ１…第１部分、Ｔ２…第２部分、Ｔａ，Ｔｃ…端子、Ｔｂ…配線。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】