【図1】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＹ−Ｙ’断面図である。

【図2】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＸ−Ｘ’断面図である。

【図3】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。

【図4】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＡ部拡大図である。

【図5】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の図３のＹ−Ｙ’断面における電流の流れを示す図である。

【図6】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その１）。

【図7】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その２）。

【図8】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その３）。

【図9】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その４）。

【図10】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である（その５）。

【図11】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置のゲートパッド部の構成を示す断面図である。

【図12】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置のゲートパッド部の他の構成を示す断面図である。

【図13】従来のＳＢＤ内臓トレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。