特開2019-29482(P2019-29482A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 出光興産株式会社の特許一覧 ▶ 国立大学法人 千葉大学の特許一覧

特開2019-29482酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置
<>
  • 特開2019029482-酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置 図000003
  • 特開2019029482-酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置 図000004
  • 特開2019029482-酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置 図000005
  • 特開2019029482-酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置 図000006
  • 特開2019029482-酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置 図000007
  • 特開2019029482-酸化物半導体膜のギャップ内準位における電子状態密度の測定方法および測定装置 図000008
< >