特開2020-101460(P2020-101460A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2020-101460埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
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  • 特開2020101460-埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 図000003
  • 特開2020101460-埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 図000004
  • 特開2020101460-埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 図000005
  • 特開2020101460-埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 図000006
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