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特開2020-17626ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法
発明の名称 ＳｉＣウェハ及びＳｉＣウェハの製造方法
出願人 株式会社デンソー （識別番号 4260）
特許公開件数ランキング 18 位（372件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 14 位（445件）（共同出願を含む）
出願人 東洋炭素株式会社 （識別番号 222842）
特許公開件数ランキング 14682 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 12559 位（0件）（共同出願を含む）
出願人 豊田通商株式会社 （識別番号 241485）
特許公開件数ランキング 14682 位（7件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 12559 位（2件）（共同出願を含む）
公報番号 特開-2020-17626
公報発行日 2020年1月30
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2020-17626
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