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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7755533 | 回収装置、回収方法、および、コンピュータプログラム | 2025年10月16日 | |
特許 7751782 | SiC種結晶及びその製造方法、当該SiC種結晶を成長させたSiCインゴット及びその製造方法、並びに、当該SiCインゴットより製造されるSiCウェハ、エピタキシャル膜付きSiCウェハ及びこれらの製造方法 | 2025年10月 9日 | |
特許 7748604 | 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、レーザー加工により窒化アルミニウム基板に導入された歪層を除去する方法 | 2025年10月 3日 | |
特許 7742754 | 学習装置、画像判別装置、学習方法、およびコンピュータプログラム | 2025年 9月22日 | |
特許 7733281 | SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶ウェハ | 2025年 9月 3日 | |
特許 7733599 | 金属精製方法および金属精製装置 | 2025年 9月 3日 | |
特許 7723235 | SiC基板の製造方法 | 2025年 8月14日 | |
特許 7713325 | Mg除去剤およびアルミニウム合金の製造方法 | 2025年 7月25日 | |
特許 7713432 | アルミニウム基材の製造方法 | 2025年 7月25日 | |
特許 7705016 | SiC基板の製造方法 | 2025年 7月 9日 | |
特許 7689540 | Cu回収方法 | 2025年 6月 6日 | |
特許 7678246 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置 | 2025年 5月16日 | |
特許 7678247 | SiC基板、SiC基板の製造方法、SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 | 2025年 5月16日 | |
特許 7672845 | 教師データ生成装置、教師データ生成方法、およびコンピュータプログラム | 2025年 5月 8日 | |
特許 7651786 | 半導体基板の製造方法、その製造装置、及び、エピタキシャル成長方法 | 2025年 3月27日 |
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7755533 7751782 7748604 7742754 7733281 7733599 7723235 7713325 7713432 7705016 7689540 7678246 7678247 7672845 7651786
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