特開 2020-200304 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2020-200304(P2020-200304A)

(43)【公開日】2020年12月17日

(54)【発明の名称】塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C07C 69/76 20060101AFI20201120BHJP

   G03F 7/004 20060101ALI20201120BHJP

   G03F 7/039 20060101ALI20201120BHJP

   G03F 7/038 20060101ALI20201120BHJP

   C07C 309/17 20060101ALI20201120BHJP

   C09K 3/00 20060101ALI20201120BHJP

   C07D 307/00 20060101ALI20201120BHJP

   C07D 321/10 20060101ALI20201120BHJP

   C08F 20/10 20060101ALI20201120BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20201120BHJP

【ＦＩ】

   C07C69/76 ZCSP

   G03F7/004 503A

   G03F7/004 501

   G03F7/039 601

   G03F7/038 601

   C07C309/17

   C09K3/00 K

   C07D307/00

   C07D321/10

   C08F20/10

   G03F7/20 501

   G03F7/20 521

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】141

(21)【出願番号】特願2020-72414(P2020-72414)

(22)【出願日】2020年4月14日

(31)【優先権主張番号】特願2019-79255(P2019-79255)

(32)【優先日】2019年4月18日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2019-107276(P2019-107276)

(32)【優先日】2019年6月7日

(33)【優先権主張国】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000002093

【氏名又は名称】住友化学株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000202

【氏名又は名称】新樹グローバル・アイピー特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】増山 達郎

(72)【発明者】

【氏名】市川 幸司

【テーマコード（参考）】

2H197

2H225

4C037

4H006

4J100

【Ｆターム（参考）】

2H197AA12

2H197AA24

2H197CA01

2H197CA06

2H197CA08

2H197CA09

2H197CE01

2H197GA01

2H197HA03

2H197JA22

2H225AF11P

2H225AF16P

2H225AF43P

2H225AF53P

2H225AF54P

2H225AF67P

2H225AF71P

2H225AF91P

2H225AF92P

2H225AF99P

2H225AH17

2H225AH19

2H225AJ13

2H225AJ55

2H225AJ58

2H225AM23P

2H225AM27P

2H225AN38P

2H225AN39P

2H225AN45P

2H225AN54P

2H225BA02P

2H225BA26P

2H225CA12

2H225CB10

2H225CC01

2H225CC15

2H225CD05

4C037AA02

4H006AA01

4H006AA03

4H006AB81

4H006BJ10

4H006BJ20

4H006BJ30

4H006BJ50

4H006BM30

4H006BM74

4H006BN20

4H006BR70

4J100AL08P

4J100AL08Q

4J100AL08R

4J100AL08S

4J100BA03S

4J100BA11Q

4J100BA15Q

4J100BB18Q

4J100BC03R

4J100BC09P

4J100BC09S

4J100BC53Q

4J100CA04

4J100CA06

4J100DA01

4J100DA36

4J100DA39

4J100DA40

4J100FA03

4J100FA28

4J100FA30

4J100JA37

4J100JA38

4J100JA46

(57)【要約】      （修正有）

【課題】良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。

[この文献は図面を表示できません]

［式中、Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａは、それぞれ、Ｈ又はＦを有してもよい炭化水素基か、Ｒ^１ａとＲ^２ａとが互いに結合し、Ｆ又はアルキル基を有してもよい環を形成する；Ｒ^３ａは、Ｈ又は、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａとが互いに結合し、Ｆ又はアルキル基を有してもよい環を形成する；Ｒ^４及びＲ^５は、ハロゲン原子、フッ化アルキル基等；ｍ４は０〜４の整数；ｍ５は０〜５の整数；Ｑ^１及びＱ^２は、Ｆ又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、飽和炭化水素基；Ｙ^１は、置換基を有していてもよいメチル基又は脂環式炭化水素基］
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

式（Ｉ）で表される塩。

[この文献は図面を表示できません]

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１ａ及びＲ^２ａは、それぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を表すか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
Ｒ^３ａは、水素原子を表すか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
Ｒ^４は、ハロゲン原子、炭素数１〜６のフッ化アルキル基又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、該フッ化アルキル基及び該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ^５は、ハロゲン原子、炭素数１〜６のフッ化アルキル基、炭素数１〜１２のアルキル基又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１ｂＲ^２ｂＲ^３ｂを表し、該フッ化アルキル基及び該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂは、それぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を表すか、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
Ｒ^３ｂは、水素原子を表すか、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
ｍ４は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ^４は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ５は、０〜５のいずれかの整数を表し、ｍ５が２以上のとき、複数のＲ^５は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^１は、炭素数１〜２４の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙ^１は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］

【請求項2】

請求項１記載の塩を含有する酸発生剤。

【請求項3】

請求項２記載の酸発生剤と酸不安定基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。

【請求項4】

酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む樹脂である請求項３記載のレジスト組成物。

[この文献は図面を表示できません]

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｍ１は、０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。］

【請求項5】

酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する請求項３又は４記載のレジスト組成物。

【請求項6】

さらに、フッ素原子を有する構造単位を含む樹脂を含有する請求項３〜５のいずれかに記載のレジスト組成物。

【請求項7】

（１）請求項３〜６のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、下記式で表される塩がそれぞれ記載されている。

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非特許文献１には、下記式で表される塩が記載されている。

[この文献は図面を表示できません]

特許文献２には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。

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【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２−２５０９６４号公報

【特許文献2】特開２０１４−０２６２６０号公報

【非特許文献】

【0004】

【非特許文献1】Tetrahedron Volume 73, Issue 4, 26 January 2017, Pages 395-402

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、上記の塩を含むレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる塩を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩。

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［式（Ｉ）中、
Ｒ^１ａ及びＲ^２ａは、それぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を表すか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
Ｒ^３ａは、水素原子を表すか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
Ｒ^４は、ハロゲン原子、炭素数１〜６のフッ化アルキル基又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、該フッ化アルキル基及び該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ^５は、ハロゲン原子、炭素数１〜６のフッ化アルキル基、炭素数１〜１２のアルキル基又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１ｂＲ^２ｂＲ^３ｂを表し、該フッ化アルキル基及び該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂは、それぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子を有してもよい炭素数１〜２４の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を表すか、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
Ｒ^３ｂは、水素原子を表すか、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成する。
ｍ４は、０〜４のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ^４は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ５は、０〜５のいずれかの整数を表し、ｍ５が２以上のとき、複数のＲ^５は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^１は、炭素数１〜２４の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙ^１は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］
［２］［１］記載の塩を含有する酸発生剤。
［３］［２］記載の酸発生剤と酸不安定基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。
［４］酸不安定基を有する樹脂が、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む樹脂である［３］記載のレジスト組成物。

[この文献は図面を表示できません]

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。
ｍ１は、０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。］
［５］酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する［３］又は［４］記載のレジスト組成物。
［６］さらに、フッ素原子を有する構造単位を含む樹脂を含有する［３］〜［５］のいずれかに記載のレジスト組成物。
［７］（１）［３］〜［６］のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。

【発明の効果】

【0007】

本発明の塩を使用したレジスト組成物を用いることにより、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」の構造を有するモノマー及び「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーからなる群より選ばれる少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートからなる群より選ばれる少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも１種」を意味する。「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」を有する構造単位が例示されている場合には、双方の基を有する構造単位が同様に例示されているものとする。また、本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により−Ｃ−Ｃ−基となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

【0009】

＜式（Ｉ）で表される塩＞
本発明は、式（Ｉ）で表される塩（以下「塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。

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［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］

【0010】

Ｒ^１ａ、Ｒ^１ｂ、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂの炭化水素基としては、アルキル基等の鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜９であり、さらに好ましくは１〜６であり、より一層好ましくは１〜４であり、さらに一層好ましくは１〜２である。
脂環式炭化水素基は、単環式、多環式及びスピロ環のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基等の単環式シクロアルキル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環式シクロアルキル基が挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１８であり、より好ましくは３〜１６であり、さらに好ましくは３〜１２である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６〜１８であり、より好ましくは６〜１４であり、さらに好ましくは６〜１０である。
これらを組み合わせることにより形成される基としては、例えば、シクロペンチルメチル基、アダマンチルメチル基等の、脂環式炭化水素基と鎖式炭化水素基を組み合わせた基、ベンジル基、フェネチル基等の、芳香族炭化水素基と鎖式炭化水素基を組み合わせた基等が挙げられる。
組み合わせることにより形成される基の場合、上記の基において価数の異なる基等（２価又は３価の基（鎖式炭化水素基、脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基）等）が含まれていてもよい。
Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂで表される炭化水素基、Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂ、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂが互いに結合して形成された環に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該炭化水素基又は該環の総炭素数とする。また、Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合して形成された環がアルキル基を有する場合、該アルキル基の炭素数を除いた炭素数を該環の総炭素数とする。
Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^１ｂ又はＲ^２ｂが炭化水素基である場合、該炭化水素基の炭素数は、それぞれ独立に、１〜１８であることが好ましく、１〜１４であることがより好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂ、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂが互いに結合して環を形成する場合、該環の炭素数は、それぞれ独立に、３〜２４であることが好ましく、３〜１８であることがより好ましく、３〜１６であることがさらに好ましい。
Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合して環を形成する場合に有していてもよいアルキル基としては、上記と同様の基が挙げられる。

【0011】

アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数１〜１１のアルコキシ基（炭素数２〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−に置き換わった基）、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基（炭素数３〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数２〜１２のアルキルカルボニル基（炭素数２〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数２〜１１のアルキルカルボニルオキシ基（炭素数３〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基及びアルキルカルボニルオキシ基は、上述したアルキル基又はアルコキシ基にカルボニル基又はカルボニルオキシ基が結合した基を表す。
アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられ、アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられ、アルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。

【0012】

Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合して環を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^１ａ）（Ｒ^２ａ）（Ｒ^３ａ）又は−Ｃ（Ｒ^１ｂ）（Ｒ^２ｂ）（Ｒ^３ｂ）としては、下記の基が挙げられる。＊は−Ｏ−との結合部位を表す。

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Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂは、それぞれ独立に、水素原子であるか、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１８の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）であるか、Ｒ^1aとＲ^２a、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜３６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することが好ましく、
それぞれ独立に、水素原子であるか、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１８の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）であるか、Ｒ^1aとＲ^２a、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜２４の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することがより好ましく、
それぞれ独立に、水素原子であるか、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１４の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）であるか、Ｒ^1aとＲ^２a、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜２４の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することがさらに好ましく、
それぞれ独立に、水素原子であるか、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１２の炭化水素基（該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）であるか、Ｒ^１ａとＲ^２ａ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することがより一層好ましく、
それぞれ独立に、水素原子であるか、フッ素原子を有してもよいアダマンチル基（該アダマンチル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）又はフッ素原子を有してもよいアダマンチル基を含むスピロ環（該アダマンチル基及び該スピロ環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）であるか、Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^１ｂとＲ^２ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアダマンチル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アダマンチル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）、フッ素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアダマンチル基を含むスピロ環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アダマンチル基及び該スピロ環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することがさらに一層好ましい。

【0013】

Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは、それぞれ独立に、水素原子であるか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を有してもよい炭素数３〜２４の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することが好ましく、
水素原子であるか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよい炭素数３〜１６の環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することがより好ましく、
水素原子であるか、Ｒ^１ａとＲ^２ａとＲ^３ａ又はＲ^１ｂとＲ^２ｂとＲ^３ｂとが互いに結合し、フッ素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアダマンチル基（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アダマンチル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）、フッ素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアダマンチル基を含むスピロ環（該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アダマンチル基及び該スピロ環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−又は−ＳＯ_２−に置き換わっていてもよい。）を形成することがさらに好ましい。

【0014】

Ｒ^４及びＲ^５のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ^４及びＲ^５の炭素数１〜６のフッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。フッ化アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。
Ｒ^４及びＲ^５の炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜６であり、さらに好ましくは１〜４である。
Ｒ^４及びＲ^５で表されるフッ化アルキル基及びアルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該フッ化アルキル基及び該アルキル基の総炭素数とする。
Ｒ^４及びＲ^５で表されるアルキル基に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、ヒドロキシ基（メチル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−に置き換わった基）、カルボキシ基（エチル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数１〜１１のアルコキシ基（炭素数２〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−に置き換わった基）、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基（炭素数３〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数２〜１２のアルキルカルボニル基（炭素数２〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数２〜１１のアルキルカルボニルオキシ基（炭素数３〜１２のアルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）等が挙げられる。
Ｒ^４及びＲ^５で表されるフッ化アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、炭素数１〜５のフッ化アルコキシ基（炭素数２〜６のフッ化アルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−Ｏ−に置き換わった基）、炭素数２〜５のフッ化アルコキシカルボニル基（炭素数３〜６のフッ化アルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−Ｏ−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数２〜６のフッ化アルキルカルボニル基（炭素数２〜６のフッ化アルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−が、−ＣＯ−に置き換わった基）、炭素数２〜５のフッ化アルキルカルボニルオキシ基（炭素数３〜６のフッ化アルキル基中に含まれる−ＣＨ₂−ＣＨ₂−が、−ＣＯ−Ｏ−に置き換わった基）等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基及びアルキルカルボニルオキシ基としては、上記と同様の基が挙げられる。
フッ化アルコキシ基、フッ化アルコキシカルボニル基、フッ化アルキルカルボニル基及びフッ化アルキルカルボニルオキシ基としては、上記に例示した基の１以上の水素原子をフッ素原子に置き換えればよい。
Ｒ^４及びＲ^５は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１ａ）（Ｒ^２ａ）（Ｒ^３ａ）と同じ基であっても異なる基であってもよいが、Ｒ^５は、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１ａ）（Ｒ^２ａ）（Ｒ^３ａ）と同じ基であることが好ましい。
ｍ４及びｍ５は、それぞれ独立に、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
Ｒ^４は、フッ素原子、炭素数１〜３のフッ化アルキル基又は炭素数１〜６のアルキル基（該フッ化アルキル基及び該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい）であることが好ましい。
Ｒ^５は、フッ素原子、炭素数１〜３のフッ化アルキル基、炭素数１〜６のアルキル基（該フッ化アルキル基及び該アルキル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい）又は−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１ｂ）（Ｒ^２ｂ）（Ｒ^３ｂ）であることがより好ましい。

【0015】

−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１ａ）（Ｒ^２ａ）（Ｒ^３ａ）は、ヨウ素原子に対してо位、ｍ位、ｐ位のいずれでもよいが、ｐ位が好ましい。
Ｒ^４及びＲ^５の結合位置は、ヨウ素原子に対してо位、ｍ位、ｐ位のいずれでもよい。特に、Ｒ^５は、ヨウ素原子に対して、−ＣＯ−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１ａ）（Ｒ^２ａ）（Ｒ^３ａ）と同じ位置に結合していることが好ましい。

【0016】

カチオン（Ｉ）としては、例えば、以下のカチオンが挙げられる。

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【0017】

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【0018】

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【0019】

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【0020】

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【0021】

アニオン（Ｉ）は、式（Ｉ−Ａ）で表されるアニオンである。

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［式（Ｉ−Ａ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^１は、炭素数１〜２４の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙ^１は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］

【0022】

式（Ｉ−Ａ）において、飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。また、脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−ＳＯ_２−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該脂環式炭化水素基の炭素数とする。

【0023】

Ｑ^１及びＱ^２の炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。

【0024】

Ｌ^１における２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組合せることにより形成される基でもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基及びヘプタデカン−１，１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

【0025】

Ｌ^１で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）で表される基及びそれらの具体例である式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−１１）で表される基において、＊及び＊＊は結合部位を表し、＊は−Ｙ^１との結合部位を表す。

【0026】

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［式（ｂ１−１）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b2とＬ^b3との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−２）中、
Ｌ^b4は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b5は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b4とＬ^b5との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−３）中、
Ｌ^b6は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌ^b7は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^b6とＬ^b7との炭素数合計は、２３以下である。］

【0027】

２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ¹の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。

【0028】

Ｌ^b2は、好ましくは単結合である。
Ｌ^b3は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b4は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基であり、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b5は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b6は、好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b7は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。

【0029】

Ｌ^１で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で表される基が好ましい。

【0030】

式（ｂ１−１）で表される基としては、式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−８）でそれぞれ表される基が挙げられる。

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［式（ｂ１−４）中、
Ｌ^b8は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１−５）中、
Ｌ^b9は、炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌ^b10は、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b9及びＬ^b10の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１−６）中、
Ｌ^b11は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b12は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b11及びＬ^b12の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−７）中、
Ｌ^b13は、炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b14は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌ^b15は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b13〜Ｌ^b15の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１−８）中、
Ｌ^b16は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｌ^b17は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b18は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b16〜Ｌ^b18の合計炭素数は１９以下である。］

【0031】

Ｌ^b8は、好ましくは炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b9は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b10は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b11は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b12は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b13は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b14は、好ましくは単結合又は炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b15は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b16は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b17は、好ましくは炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^b18は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基である。

【0032】

式（ｂ１−３）で表される基としては、式（ｂ１−９）〜式（ｂ１−１１）でそれぞれ表される基が挙げられる。

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式（ｂ１−９）中、
Ｌ^b19は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b20は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b19及びＬ^b20の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１−１０）中、
Ｌ^b21は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b22は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b23は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b21、Ｌ^b22及びＬ^b23の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−１１）中、
Ｌ^b24は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^b25は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b26は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基に置換されていてもよい。該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該アルキルカルボニルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^b24、Ｌ^b25及びＬ^b26の合計炭素数は２１以下である。

【0033】

なお、式（ｂ１−９）で表される基から式（ｂ１−１１）で表される基においては、飽和炭化水素基に含まれる水素原子がアルキルカルボニルオキシ基に置換されている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。

【0034】

アルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

【0035】

式（ｂ１−４）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0036】

式（ｂ１−５）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0037】

式（ｂ１−６）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0038】

式（ｂ１−７）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0039】

式（ｂ１−８）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0040】

式（ｂ１−２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0041】

式（ｂ１−９）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0042】

式（ｂ１−１０）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0043】

式（ｂ１−１１）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

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【0044】

Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基としては、式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）、式（Ｙ３６）〜式（Ｙ３８）で表される基が挙げられる。
Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）_２−又は−ＣＯ−で置き換わる場合、その数は１つでもよいし、２以上でもよい。そのような基としては、式（Ｙ１２）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４１）で表される基が挙げられる。＊はＬ^１との結合部位を表す。

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【0045】

Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基としては、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４１）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ１６）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）又は式（Ｙ４０）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ２６）、式（Ｙ２７）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）、式（Ｙ３９）又は式（Ｙ４０）で表される基である。
Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基が式（Ｙ２８）〜式（Ｙ３５）、式（Ｙ３９）〜式（Ｙ４０）等の酸素原子を含むスピロ環である場合には、２つの酸素原子間のアルカンジイル基は、１以上のフッ素原子を有することが好ましい。また、ケタール構造に含まれるアルカンジイル基のうち、酸素原子に隣接するメチレン基には、フッ素原子が置換されていないのが好ましい。

【0046】

Ｙ^１で表されるメチル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシ基、−（ＣＨ_２）_ja−ＣＯ−Ｏ−Ｒ^b1基又は−（ＣＨ_２）_ja−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1基（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。ｊａは、０〜４のいずれかの整数を表す。該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）_２−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよく、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又はフッ素原子に置き換わっていてもよい。）等が挙げられる。
Ｙ^１で表される脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、グリシジルオキシ基、−（ＣＨ_２）_ja−ＣＯ−Ｏ−Ｒ^b1基又は−（ＣＨ_２）_ja−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1基（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。ｊａは、０〜４のいずれかの整数を表す。該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）_２−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよく、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又はフッ素原子に置き換わっていてもよい。）等が挙げられる。

【0047】

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。脂環式炭化水素基は鎖式炭化水素基を有していてもよく、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等のアリール基等が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有していてもよく、炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）等が挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
ヒドロキシ基で置換されているアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。

【0048】

Ｙ^１としては、以下のものが挙げられる。

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【0049】

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【0050】

Ｙ^１は、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましく置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、該脂環式炭化水素基又はアダマンチル基を構成する−ＣＨ_２−は−ＣＯ−、−Ｓ（Ｏ）_２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。Ｙ^１は、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基、オキソアダマンチル基又は下記で表される基である。

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【0051】

式（Ｉ−Ａ）で表されるアニオンとしては、式（Ｉ−Ａ−１）〜式（Ｉ−Ａ−５５）で表されるアニオン〔以下、式番号に応じて「アニオン（Ｉ−Ａ−１）」等という場合がある。〕が好ましく、式（Ｉ−Ａ−１）〜式（Ｉ−Ａ−４）、式（Ｉ−Ａ−９）、式（Ｉ−Ａ−１０）、式（Ｉ−Ａ−２４）〜式（Ｉ−Ａ−３３）、式（Ｉ−Ａ−３６）〜式（Ｉ−Ａ−４０）、式（Ｉ−Ａ−４７）〜式（Ｉ−Ａ−５５）のいずれかで表されるアニオンがより好ましい。

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【0052】

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【0053】

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【0054】

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【0055】

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【0056】

ここでＲⁱ²〜Ｒⁱ⁷は、それぞれ独立に、例えば、炭素数１〜４のアルキル基、好ましくはメチル基又はエチル基である。Ｒⁱ⁸は、例えば、炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。Ｌ^A41は、単結合又は炭素数１〜４のアルカンジイル基である。Ｑ^１及びＱ^２は、上記と同じ意味を表す。
式（Ｉ−Ａ）で表されるアニオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

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【0057】

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【0058】

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【0059】

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【0060】

なかでも、式（Ｉ−ａ−１）〜式（Ｉ−ａ−３）及び式（Ｉ−ａ−７）〜式（Ｉ−ａ−１９）、式（Ｉ−ａ−２２）〜式（Ｉ−ａ−３４）のいずれかで表されるアニオンが好ましい。

【0061】

塩（Ｉ）の具体例として、上記したカチオンとアニオンとを任意に組み合わせた塩が挙げられる。塩（Ｉ）の具体例を下記表に示す。
下記表において、各符号は、上述のアニオンやカチオンを表す構造に付した符号を表す。たとえば、塩（Ｉ−１）は、式（Ｉ−ａ−１）で示されるアニオンと式（Ｉ−ｃ−１）で示されるカチオンとからなる塩であり、以下に示す塩である。

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【表1】

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【0062】

中でも、塩（Ｉ）は、塩（Ｉ−１）〜塩（Ｉ−５）、塩（Ｉ−１３）〜塩（Ｉ−２５）、塩（Ｉ−３０）〜塩（Ｉ−３４）、塩（Ｉ−４２）〜塩（Ｉ−５４）、塩（Ｉ−５９）〜塩（Ｉ−６３）、塩（Ｉ−７１）〜塩（Ｉ−８３）、塩（Ｉ−８８）〜塩（Ｉ−９２）、塩（Ｉ−１００）〜塩（Ｉ−１１２）、塩（Ｉ−１１７）〜塩（Ｉ−１２１）、塩（Ｉ−１２９）〜塩（Ｉ−１４１）、塩（Ｉ−１４６）〜塩（Ｉ−１５０）、塩（Ｉ−１５８）〜塩（Ｉ−１７０）、塩（Ｉ−１７５）〜塩（Ｉ−１７９）、塩（Ｉ−１８７）〜塩（Ｉ−１９９）、塩（Ｉ−２０４）〜塩（Ｉ−２０８）、塩（Ｉ−２１６）〜塩（Ｉ−２２８）、塩（Ｉ−２３３）〜塩（Ｉ−２３７）、塩（Ｉ−２４５）〜塩（Ｉ−２５７）、塩（Ｉ−２６２）〜塩（Ｉ−２６６）、塩（Ｉ−２７４）〜塩（Ｉ−２８６）、塩（Ｉ−２９１）〜塩（Ｉ−２９５）、塩（Ｉ−３０３）〜塩（Ｉ−３１５）、塩（Ｉ−３２０）〜塩（Ｉ−３２４）、塩（Ｉ−３３２）〜塩（Ｉ−３４４）、塩（Ｉ−３４９）〜塩（Ｉ−３５３）、塩（Ｉ−３６１）〜塩（Ｉ−３７３）、塩（Ｉ−３７８）〜塩（Ｉ−３８２）、塩（Ｉ−３９０）〜塩（Ｉ−４０２）、塩（Ｉ−４０７）〜塩（Ｉ−４１１）、塩（Ｉ−４１９）〜塩（Ｉ−４３１）、塩（Ｉ−４３６）〜塩（Ｉ−４４０）、塩（Ｉ−４４８）〜塩（Ｉ−４６０）、塩（Ｉ−４６５）〜塩（Ｉ−４６９）、塩（Ｉ−４７７）〜塩（Ｉ−４８９）、塩（Ｉ−４９４）〜塩（Ｉ−４９８）、塩（Ｉ−５０６）〜塩（Ｉ−５１８）、塩（Ｉ−５２３）〜塩（Ｉ−５２７）、塩（Ｉ−５３５）〜塩（Ｉ−５４７）、塩（Ｉ−５５２）〜塩（Ｉ−５５６）、塩（Ｉ−５６４）〜塩（Ｉ−５７６）、塩（Ｉ−５８１）〜塩（Ｉ−５８５）、塩（Ｉ−５９３）〜塩（Ｉ−６０５）、塩（Ｉ−６１０）〜塩（Ｉ−６１４）、塩（Ｉ−６２２）〜塩（Ｉ−６３４）、塩（Ｉ−６３９）〜塩（Ｉ−６４３）、塩（Ｉ−６５１）〜塩（Ｉ−６６３）、塩（Ｉ−６６８）〜塩（Ｉ−６７２）、塩（Ｉ−６８０）〜塩（Ｉ−６９２）、塩（Ｉ−６９７）〜塩（Ｉ−７０１）、塩（Ｉ−７０９）〜塩（Ｉ−７２１）、塩（Ｉ−７２６）〜塩（Ｉ−７３０）、塩（Ｉ−７３８）〜塩（Ｉ−７５０）、塩（Ｉ−７５５）〜塩（Ｉ−７５９）、塩（Ｉ−７６７）〜塩（Ｉ−７７９）、塩（Ｉ−７８４）〜塩（Ｉ−７８８）、塩（Ｉ−７９６）〜塩（Ｉ−８０８）、塩（Ｉ−８１３）〜塩（Ｉ−８１７）、塩（Ｉ−８２５）〜塩（Ｉ−８３７）、塩（Ｉ−８４２）〜塩（Ｉ−８４６）、塩（Ｉ−８５４）〜塩（Ｉ−８６６）、塩（Ｉ−８７１）〜塩（Ｉ−８７５）、塩（Ｉ−８８３）〜塩（Ｉ−８９５）、塩（Ｉ−９００）〜塩（Ｉ−９０４）、塩（Ｉ−９１２）〜塩（Ｉ−９２４）、塩（Ｉ−９２９）〜塩（Ｉ−９３３）、塩（Ｉ−９４１）〜塩（Ｉ−９５３）、塩（Ｉ−９５８）〜塩（Ｉ−９６２）、塩（Ｉ−９７０）〜塩（Ｉ−９８２）、塩（Ｉ−９８７）〜塩（Ｉ−９９１）、塩（Ｉ−９９９）〜塩（Ｉ−１０１１）、塩（Ｉ−１０１６）〜塩（Ｉ−１０２０）、塩（Ｉ−１０２８）〜塩（Ｉ−１０４０）、塩（Ｉ−１０４５）〜塩（Ｉ−１０４９）、塩（Ｉ−１０５７）〜塩（Ｉ−１０６９）、塩（Ｉ−１０７４）〜塩（Ｉ−１０７８）、塩（Ｉ−１０８６）〜塩（Ｉ−１０９８）、塩（Ｉ−１１０３）〜塩（Ｉ−１１０７）、塩（Ｉ−１１１５）〜塩（Ｉ−１１２７）、塩（Ｉ−１１３２）〜塩（Ｉ−１１３６）、塩（Ｉ−１１４４）〜塩（Ｉ−１１５６）、塩（Ｉ−１１６１）〜塩（Ｉ−１１６５）、塩（Ｉ−１１７３）〜塩（Ｉ−１１８５）、塩（Ｉ−１１９０）〜塩（Ｉ−１１９４）、塩（Ｉ−１２０２）〜塩（Ｉ−１２１４）、塩（Ｉ−１２１９）〜塩（Ｉ−１２２３）、塩（Ｉ−１２３１）〜塩（Ｉ−１２４３）、塩（Ｉ−１２４８）〜塩（Ｉ−１２５２）、塩（Ｉ−１２６０）〜塩（Ｉ−１２７２）、塩（Ｉ−１２７７）〜塩（Ｉ−１２８１）、塩（Ｉ−１２８９）〜塩（Ｉ−１３０１）、塩（Ｉ−１３０６）〜塩（Ｉ−１３１０）、塩（Ｉ−１３１８）〜塩（Ｉ−１３３０）、塩（Ｉ−１３３５）〜塩（Ｉ−１３３９）、塩（Ｉ−１３４７）〜塩（Ｉ−１３５９）、塩（Ｉ−１３６４）〜塩（Ｉ−１３６８）、塩（Ｉ−１３７６）〜塩（Ｉ−１３８８）、塩（Ｉ−１３９３）〜塩（Ｉ−１３９７）、塩（Ｉ−１４０５）〜塩（Ｉ−１４１７）、塩（Ｉ−１４２２）〜塩（Ｉ−１４２６）、塩（Ｉ−１４３４）〜塩（Ｉ−１４４６）、塩（Ｉ−１４５１）〜塩（Ｉ−１４５５）、塩（Ｉ−１４６３）〜塩（Ｉ−１４７５）であることが好ましい。

【0063】

＜塩（Ｉ）の製造方法＞
塩（Ｉ）は、式（Ｉ−ａ）で表される塩と、式（Ｉ−ｂ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

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［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。
Ｘは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。
Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cは、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表すが、又は、Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cが一緒になって芳香環を形成してもよい。Ｒ^Dは、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。］
この反応における溶剤としては、クロロホルム、アセトニトリル、イオン交換水等が挙げられる。
反応温度は通常０℃〜８０℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。

【0064】

式（Ｉ−ｂ）で表される塩は、例えば、以下で表される塩などが挙げられ、市場から容易に入手でき、また、公知の製法により容易に合成することができる。

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【0065】

式（Ｉ−ａ）で表される塩は、式（Ｉ−ｃ）で表される化合物と、式（Ｉ−ｄ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

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［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
触媒としては、ペルオキシ一硫酸カリウム（オキソン（登録商標））、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
溶剤としては、クロロホルム、モノクロロベンゼン、アセトニトリル等が挙げられる。
反応温度は、通常０℃〜８０℃であり、反応時間は、通常０．５〜２４時間である。

【0066】

式（Ｉ−ｃ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場より容易に入手することができ、また、公知の製法により、容易に製造することができる。

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【0067】

式（Ｉ−ｄ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場より容易に入手することができる。

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【0068】

塩（Ｉ）は、式（Ｉ−ｆ）で表される塩とメタンスルホン酸とを溶剤中で反応させ、その後、式（Ｉ−ｇ）で表される化合物と反応させた後、さらに、式（Ｉ−ｂ）で表される塩とを反応させることにより製造することもできる。

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［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
この反応における溶剤としては、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。
反応温度は通常２０℃〜１００℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。

【0069】

式（Ｉ−ｆ）で表される塩は、例えば、以下で表される塩などが挙げられ、市場から容易に入手できる。

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【0070】

式（Ｉ−ｇ）で表される化合物は、例えば、以下で表される塩などが挙げられ、市場から容易に入手でき、また、公知の製法により容易に合成することができる。

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【0071】

下記式（Ｉ−ａ１）で表される塩は、式（Ｉ−ｅ）で表される化合物と、ヨウ素酸カリウムとを、硫酸の存在下、溶剤中で反応させた後、臭化ナトリウムを加えることにより製造することができる。

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［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
溶剤としては、酢酸、無水酢酸、クロロホルム、モノクロロベンゼン、アセトニトリル等が挙げられる。
反応温度は、通常０℃〜８０℃であり、反応時間は、通常０．５〜２４時間である。

【0072】

式（Ｉ−ｅ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場より容易に入手することができ、また、公知の製法により、容易に製造することができる。

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【0073】

Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ及びＲ^3ａが水素原子である塩（Ｉ１）は、式（Ｉ−ｆ）で表される塩とジメチル硫酸とを溶剤中で反応させた後、さらに、式（Ｉ−ｂ）で表される塩とを反応させることにより製造することもできる。

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［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。
Ｘは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。
Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cは、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表すが、又は、Ｒ^A、Ｒ^B及びＲ^Cが一緒になって芳香環を形成してもよい。Ｒ^Dは、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。］
この反応における溶剤としては、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル等が挙げられる。
反応温度は通常２０℃〜１００℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。

【0074】

〔酸発生剤〕
本発明の酸発生剤は、塩（Ｉ）を含有する酸発生剤である。塩（Ｉ）を１種含んでいてもよいし、塩（Ｉ）を２種以上含んでいてもよい。
本発明の酸発生剤は、塩（Ｉ）に加えて、レジスト分野で公知の酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）を含有していてもよい。酸発生剤（Ｂ）は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【0075】

酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系又はイオン系のいずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン ４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

【0076】

酸発生剤（Ｂ）としては、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。酸発生剤（Ｂ）は、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【0077】

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）で表される塩（以下「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある。）である。

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［式（Ｂ１）中、
Ｑ^b1及びＱ^b2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^b1は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ（Ｏ）_２−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］

【0078】

式（Ｂ１）におけるＱ^b1、Ｑ^b2、Ｌ^b1及びＹは、それぞれ上述した式（Ｉ）におけるＱ^１、Ｑ^２、Ｌ^１及びＹ^１と、同様のものが挙げられる。
式（Ｂ１）におけるスルホン酸アニオンとしては、式（Ｉ）で表されるアニオンと同様のものが挙げられる。

【0079】

Ｚ１^＋の有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。具体的には、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオン（以下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２−１）」等という場合がある。）等が挙げられる。

【0080】

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式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^b4〜Ｒ^b6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の鎖式炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、該鎖式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b4とＲ^b5とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５のいずれかの整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲ^b7は同一でも異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複数のＲ^b8は同一でも異なってもよい。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の鎖式炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^b9とＲ^b10とは、互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜３６の鎖式炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b12は、炭素数１〜１２の鎖式炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該鎖式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b11とＲ^b12とは、互いに結合してそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−を含めて環を形成していてもよく、該環に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わってもよい。
Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b31は、硫黄原子又は酸素原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４のいずれかの整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^b13は同一又は相異なり、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^b14は同一又は相異なり、ｑ２が２以上のとき、複数のＲ^b15は同一又は相異なり、ｒ２が２以上のとき、複数のＲ^b16は同一又は相異なり、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^b17は同一又は相異なり、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^b18は同一又は相異なる。

【0081】

脂肪族炭化水素基とは、鎖式炭化水素基及び脂環式炭化水素基を表す。
鎖式炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基のアルキル基等が挙げられる。
特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b12の鎖式炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

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特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b12の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２である。

【0082】

水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−メチルアダマンタン−２−イル基、２−エチルアダマンタン−２−イル基、２−イソプロピルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基においては、脂環式炭化水素基と脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好ましくは２０以下である。

【0083】

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。芳香族炭化水素基は、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有していてもよく、鎖式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）及び脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）等が挙げられる。なお、芳香族炭化水素基が、鎖式炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有する場合は、炭素数１〜１８の鎖式炭化水素基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、ｐ−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された鎖式炭化水素基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等のアラルキル基等が挙げられる。

【0084】

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

【0085】

Ｒ^b4とＲ^b5とが互いに結合してそれらが結合する硫黄原子と一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、炭素数３〜１８の環が挙げられ、好ましくは炭素数４〜１８の環である。また、硫黄原子を含む環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環であり、例えば下記の環等が挙げられる。＊は結合部位を表す。

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【0086】

Ｒ^b9とＲ^b10とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環は、３員環〜１２員環が挙げられ、好ましくは３員環〜７員環である。オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。

【0087】

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくは、カチオン（ｂ２−１）である。
カチオン（ｂ２−１）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

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【0088】

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【0089】

カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

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【0090】

カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

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【0091】

カチオン（ｂ２−４）としては、以下のカチオン等が挙げられる。

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【0092】

酸発生剤（Ｂ）は、上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組合せることができる。酸発生剤（Ｂ）としては、好ましくは式（Ｂ１ａ−１）〜式（Ｂ１ａ−３）、式（Ｂ１ａ−７）〜式（Ｂ１ａ−１６）、式（Ｂ１ａ−１８）、式（Ｂ１ａ−１９）、式（Ｂ１ａ−２２）〜式（Ｂ１ａ−３４）のいずれかで表されるアニオンと、カチオン（ｂ２−１）又はカチオン（ｂ２−３）との組合せが挙げられる。

【0093】

酸発生剤（Ｂ）としては、好ましくは式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−４８）でそれぞれ表されるものが挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−５）〜式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）〜式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−２０）〜式（Ｂ１−２６）、式（Ｂ１−２９）、式（Ｂ１−３１）〜式（Ｂ１−４８）で表されるものがとりわけ好ましい。

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【0094】

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【0095】

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【0096】

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【0097】

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【0098】

酸発生剤として塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂ）を含有する場合、塩（Ｉ）と酸生剤（Ｂ）との含有量の比（質量比；塩（Ｉ）：酸発生剤（Ｂ））は、通常、１：９９〜９９：１であり、好ましくは２：９８〜９８：２であり、より好ましくは５：９５〜９５：５であり、さらに好ましくは１０：９０〜９０：１０であり、特に好ましくは１５：８５〜８５：１５である。

【0099】

＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物は、塩（Ｉ）を含む酸発生剤と、酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）とを含有する。ここで、「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、構成単位が親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を有する構成単位に変換する基を意味する。
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩等のクエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）を含有することが好ましく、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。

【0100】

＜酸発生剤＞
本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤の含有率は、後述の樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上４０質量部以下、より好ましくは３質量部以上３５質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以上３５質量部以下である。

【0101】

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を有する。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含むことが好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）、構造単位（ａ１）及び構造単位（ｓ）以外の構造単位（例えば、後述するハロゲン原子を有する構造単位（以下「構造単位（ａ４）」という場合がある）、後述する非脱離炭化水素基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）及びその他の当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。

【0102】

〈構造単位（ａ１）〉
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
樹脂（Ａ）に含まれる酸不安定基は、式（１）で表される基（以下、基（１）とも記す）及び／又は式（２）で表される基（以下、基（２）とも記す）が好ましい。

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［式（１）中、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及びＲ^ａ３は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の非芳香族炭化水素環を形成する。
ｍａ及びｎａは、それぞれ独立して、０又は１を表し、ｍａ及びｎａの少なくとも一方は１を表す。
＊は結合部位を表す。］

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［式（２）中、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３〜２０の複素環を形成し、該炭化水素基及び該複素環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｎａ’は、０又は１を表す。
＊は結合部位を表す。］

【0103】

Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及びＲ^ａ３におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及びＲ^ａ３における脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及びＲ^ａ３の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。

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アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。
好ましくは、ｍａは０であり、ｎａは１である。
Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２が互いに結合して非芳香族炭化水素環を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、下記の環が挙げられる。非芳香族炭化水素環は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合部位を表す。

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【0104】

Ｒ^ａ１’、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及びＲ^ａ３で挙げた基と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えばシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロアルキル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに複素環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^a1’）（Ｒ^a2’）−Ｘ−Ｒ^a3’としては、下記の環が挙げられる。＊は、結合部位を表す。

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Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
ｎａ’は、好ましくは０である。

【0105】

基（１）としては、以下の基が挙げられる。
式（１）においてＲ^ａ１、Ｒ^ａ２及びＲ^ａ３がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。当該基としては、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が好ましい。
式（１）において、Ｒ^a1、Ｒ^a2が、これらが結合する炭素原子と一緒になってアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
式（１）において、Ｒ^a1及びＲ^a2がそれぞれ独立してアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基であり、ｍａ＝０であり、ｎａ＝１である基。
基（１）としては、具体的には以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。

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【0106】

基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合部位を表す。

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【0107】

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

【0108】

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

【0109】

基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、式（ａ１−０）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−０）という場合がある。）、式（ａ１−１）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−１）という場合がある。）又は式（ａ１−２）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−２）という場合がある。）が挙げられる。好ましくは、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位である。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

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［式（ａ１−０）、式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a01、Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒ^a01、Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０〜３のいずれかの整数を表す。］

【0110】

Ｒ^a01、Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｌ^a01、Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_k01−ＣＯ−Ｏ−であり（但し、ｋ０１は、好ましくは１〜４のいずれかの整数、より好ましくは１である。）、より好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03、Ｒ^a04、Ｒ^a6及びＲ^a7におけるアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、基（１）のＲ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^a02、Ｒ^a03、及びＲ^a04におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7におけるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基又はイソプロピル基であり、さらに好ましくはエチル基又はイソプロピル基である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03、Ｒ^a04、Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは５〜１２であり、より好ましくは５〜１０である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
Ｒ^a02及びＲ^a03は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a04は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基又はイソプロピル基であり、さらに好ましくはエチル基又はイソプロピル基である。
ｍ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

【0111】

構造単位（ａ１−０）としては、例えば、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１２）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１−０）におけるＲ^a01に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１０）のいずれかで表される構造単位が好ましい。

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【0112】

構造単位（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。中でも、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１−１）におけるＲ^a４に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

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【0113】

構造単位（ａ１−２）としては、式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−６）のいずれかで表される構造単位及び構造単位（ａ１−２）におけるＲ^a５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１−２−２）、式（ａ１−２−５）及び式（ａ１−２−６）のいずれかで表される構造単位が好ましい。

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【0114】

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−０）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜６０モル％であり、好ましくは５〜５０モル％であり、より好ましくは１０〜４０モル％である。
樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜８０モル％であり、好ましくは１５〜７５モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％であり、さらに好ましくは２５〜７５モル％であり、さらにより好ましくは３０〜７０モル％である。

【0115】

構造単位（ａ１）において基（２）を有する構造単位としては、式（ａ１−４）で表される構造単位（以下、「構造単位（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。

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［式（ａ１−４）中、
Ｒ^a32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｌａは０〜４のいずれかの整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^a33は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^a34及びＲ^a35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^a36は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a35及びＲ^a36は互いに結合してそれらが結合する−Ｃ−Ｏ−とともに炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］

【0116】

Ｒ^a32及びＲ^a33におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられる。該アルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a32及びＲ^a33におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
アルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^a34、Ｒ^a35及びＲ^a36における炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等が挙げられる。

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芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、フェナントリル基等のアリール基が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基（例えばシクロアルキルアルキル基）、ベンジル基等のアラルキル基、アルキル基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等）、脂環式炭化水素基を有する芳香族炭化水素基（ｐ−シクロヘキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基等）、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロアルキル基等が挙げられる。特に、Ｒ^a36としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。

【0117】

式（ａ１−４）において、Ｒ^a32としては、水素原子が好ましい。
Ｒ^a33としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
ｌａとしては、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ^a34は、好ましくは、水素原子である。
Ｒ^a35は、好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基又は脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a36の炭化水素基は、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基であり、より好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数７〜１８のアラルキル基である。Ｒ^a36におけるアルキル基及び脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。Ｒ^a36における芳香族炭化水素基は、炭素数６〜１０のアリールオキシ基を有する芳香環が好ましい。
構造単位（ａ１−４）における−ＯＣ（Ｒ^a34）（Ｒ^a35）−Ｏ−Ｒ^a36は、酸（例えばｐ−トルエンスルホン酸）と接触して脱離し、ヒドロキシ基を形成する。

【0118】

構造単位（ａ１−４）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー由来の構造単位が挙げられる。好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−１２）でそれぞれ表される構造単位及び構造単位（ａ１−４）におけるＲ^a32に相当する水素原子がメチル基に置き換わった構造単位が挙げられ、より好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）、式（ａ１−４−１０）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。

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【0119】

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−４）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、１５〜９０モル％であることがより好ましく、２０〜８５モル％であることがさらに好ましく、２０〜７０モル％であることがさらにより好ましく、２０〜６０モル％であることが特に好ましい。

【0120】

基（２）を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある）も挙げられる。

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式（ａ１−５）中、
Ｒ^a8は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−（ＣＨ₂）_h3−ＣＯ−Ｌ⁵⁴−を表し、ｈ３は１〜４のいずれかの整数を表し、＊は、Ｌ⁵¹との結合部位を表す。
Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³及びＬ⁵⁴は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。

【0121】

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１−５）においては、Ｒ^a8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ⁵¹は、酸素原子が好ましい。
Ｌ⁵²及びＬ⁵³のうち、一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２のいずれかの整数が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

【0122】

構造単位（ａ１−５）としては、例えば、特開２０１０−６１１１７号公報に記載されたモノマー由来の構造単位が挙げられる。中でも、式（ａ１−５−１）〜式（ａ１−５−４）でそれぞれ表される構造単位が好ましく、式（ａ１−５−１）又は式（ａ１−５−２）で表される構造単位がより好ましい。

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【0123】

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−５）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、３〜４５モル％がより好ましく、５〜４０モル％がさらに好ましく、５〜３０モル％がさらにより好ましい。

【0124】

また、構造単位（ａ１）としては、以下の構造単位も挙げられる。

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【0125】

樹脂（Ａ）が上記、（ａ１−３−１）〜（ａ１−３−７）のような構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましく、２０〜７０モル％がさらにより好ましく、２０〜６０モル％が特に好ましい。

【0126】

〈構造単位（ｓ）〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマーは、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するのが好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を有する樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。

【0127】

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、後述する構造単位（ａ２−Ａ）を用いることがより好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、後述する構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。

【0128】

構造単位（ａ２）においてフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位としては式（ａ２−Ａ）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−Ａ）」という場合がある）が挙げられる。

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［式（ａ２−Ａ）中、
Ｒ^a50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアルキルカルボニル基、炭素数２〜４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ^a50は、単結合又は＊−Ｘ^a51−（Ａ^a52−Ｘ^a52）_nb−を表し、＊は−Ｒ^a50が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ａ^a52は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘ^a51及びＸ^a52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上のいずれかの整数である場合、複数のＲ^a51は互いに同一でも異なっていてもよい。］

【0129】

Ｒ^a50におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
Ｒ^a50におけるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^a50は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a51におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^a51におけるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
Ｒ^a51におけるアルキルカルボニル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
Ｒ^a51におけるアルキルカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。
Ｒ^a51は、メチル基が好ましい。

【0130】

＊−Ｘ^a51−（Ａ^a52−Ｘ^a52）_nb−としては、＊−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ａ^a52−Ｏ−、＊−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ａ^a52−Ｏ−ＣＯ−、が挙げられる。なかでも、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

【0131】

アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^a52は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。

【0132】

Ａ^a50は、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−であることがより好ましく、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましい。

【0133】

ｍｂは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。
ヒドロキシ基は、ベンゼン環のｏ−位又はｐ−位に結合することが好ましく、ｐ−位に結合することがより好ましい。

【0134】

構造単位（ａ２−Ａ）としては、特開２０１０−２０４６３４号公報、特開２０１２−１２５７７号公報に記載されているモノマー由来の構造単位が挙げられる。

【0135】

構造単位（ａ２−Ａ）としては、式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−６）で表される構造単位及び、式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−６）で表される構造単位において構造単位（ａ２−Ａ）におけるＲ^a50に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。構造単位（ａ２−Ａ）は、式（ａ２−２−１）で表される構造単位、式（ａ２−２−３）で表される構造単位、式（ａ２−２−６）で表される構造単位及び式（ａ２−２−１）で表される構造単位、式（ａ２−２−３）で表される構造単位又は式（ａ２−２−６）で表される構造単位において、構造単位（ａ２−Ａ）におけるＲ^a50に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位であることが好ましい。

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【0136】

樹脂（Ａ）中に構造単位（ａ２−Ａ）が含まれる場合の構造単位（ａ２−Ａ）の含有率は、全構造単位に対して、好ましくは５〜８０モル％であり、より好ましくは１０〜７０モル％であり、さらに好ましくは１５〜６５モル％であり、さらにより好ましくは２０〜６５モル％である。
構造単位（ａ２−Ａ）は、例えば構造単位（ａ１−４）を用いて重合した後、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸で処理することにより、樹脂（Ａ）に含ませることができる。また、アセトキシスチレン等を用いて重合した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリで処理することにより、構造単位（ａ２−Ａ）を樹脂（Ａ）に含ませることができる。

【0137】

構造単位（ａ２）においてアルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−１）」という場合がある。）が挙げられる。

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式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７のいずれかの整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合部位を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。

【0138】

式（ａ２−１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４のいずれかの整数を表す）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。

【0139】

構造単位（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表される構造単位がさらに好ましい。

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【0140】

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ２−１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは１〜２０モル％であり、さらにより好ましくは１〜１０モル％である。

【0141】

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環（例えば下式（ａ３−２）で表される構造単位）が挙げられる。

【0142】

構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）又は式（ａ３−４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有していてもよい。

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［式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）及び式（ａ３−４）中、
Ｌ^ａ４、Ｌ^ａ５及びＬ^ａ６は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。）で表される基を表す。
Ｌ^ａ７は、−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^ａ９−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−Ｏ−ＣＯ−Ｌ^ａ９−Ｏ−を表す。
Ｌ^ａ８及びＬ^ａ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。
Ｒ^ａ１８、Ｒ^ａ１９及びＲ^ａ２０は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ２４は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｘ^ａ３は、−ＣＨ_２−又は酸素原子を表す。
Ｒ^ａ２１は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒ^ａ２２、Ｒ^ａ２３及びＲ^ａ２５は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｒ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｗ１は、０〜８のいずれかの整数を表す。
ｐ１、ｑ１、ｒ１及び／又はｗ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２１、Ｒ^ａ２２、Ｒ^ａ２３及び／又はＲ^ａ２５は互いに同一でも異なっていてもよい。］

【0143】

Ｒ^ａ２１、Ｒ^ａ２２、Ｒ^ａ２３及びＲ^ａ２５における脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^ａ２４におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^ａ２４におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基又はエチル基が挙げられる。
Ｒ^ａ２４におけるハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。

【0144】

Ｌ^ａ８及びＬ^ａ９におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。

【0145】

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌ^ａ４〜Ｌ^ａ６は、それぞれ独立に、好ましくは−Ｏ−又は、＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−において、ｋ３が１〜４のいずれかの整数である基、より好ましくは−Ｏ−及び、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^ａ１８〜Ｒ^ａ２１は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ２２及びＲ^ａ２３は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。

【0146】

式（ａ３−４）において、Ｒ^ａ２４は、好ましくは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは水素原子又はメチル基である。
Ｒ^ａ２５は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
Ｌ^ａ７は、好ましくは−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_４−ＣＯ−Ｏ−である。
ｗ１は、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。
特に、式（ａ３−４）は、式（ａ３−４）’が好ましい。

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（式中、Ｒ^ａ２４、Ｌ^ａ７は、上記と同じ意味を表す。）

【0147】

構造単位（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー、特開２０００−１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２−４１２７４号公報に記載されたモノマーに由来の構造単位が挙げられる。構造単位（ａ３）としては、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−１）、式（ａ３−２−２）、式（ａ３−３−１）、式（ａ３−３−２）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）のいずれかで表される構造単位及び、前記構造単位において、式（ａ３−１）〜式（ａ３−４）におけるＲ^ａ１８、Ｒ^ａ１９、Ｒ^ａ２０及びＲ^ａ２４に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましい。

【0148】

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【0149】

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）、構造単位（ａ３−３）又は構造単位（ａ３−４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜６０モル％が好ましく、５〜５０モル％がより好ましく、１０〜５０モル％がさらに好ましい。

【0150】

〈構造単位（ａ４）〉
構造単位（ａ４）としては、以下の構造単位が挙げられる。

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［式（ａ４）中、
Ｒ⁴¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ⁴²は、炭素数１〜２４のハロゲン原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］
Ｒ⁴²で表される飽和炭化水素基は、鎖式飽和炭化水素基及び単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。

【0151】

鎖式飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基が挙げられる。
単環又は多環の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。

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組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジイル基と、１以上の脂環式飽和炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げられ、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基、−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基等が挙げられる。

【0152】

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−０）で表される構造単位、式（ａ４−１）で表される構造単位、及び式（ａ４−４）で表される構造単位が挙げられる。

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［式（ａ４−０）中、
Ｒ⁵⁴は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ^4ａは、単結合又は炭素数１〜４のアルカンジイル基を表す。
Ｌ^3ａは、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３〜１２のペルフルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ⁶⁴は、水素原子又はフッ素原子を表す。］

【0153】

Ｌ^4ａにおけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

【0154】

Ｌ^3ａにおけるペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロエチルフルオロメチレン基、ペルフルオロプロパン−１，３−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，２−ジイル基、ペルフルオロプロパン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，４−ジイル基、ペルフルオロブタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−１，５−ジイル基、ペルフルオロペンタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−１，６−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−１，７−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−３，４−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−４，４−ジイル基、ペルフルオロオクタン−１，８−ジイル基、ペルフルオロオクタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロオクタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロオクタン−４，４−ジイル基等が挙げられる。
Ｌ^3ａにおけるペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

【0155】

Ｌ^4ａは、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは、単結合、メチレン基である。
Ｌ^3ａは、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基である。

【0156】

構造単位（ａ４−０）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の構造単位（ａ４−０）におけるＲ⁵⁴に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

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【0157】

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［式（ａ４−１）中、
Ｒ^a41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a42は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ａ^a41は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）で表される基を表す。ただし、Ａ^a41及びＲ^a42のうち少なくとも１つは、置換基としてハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有する。

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〔式（ａ−ｇ１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ａ^a42及びＡ^a44は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ａ^a43は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^a41及びＸ^a42は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ただし、Ａ^a42、Ａ^a43、Ａ^a44、Ｘ^a41及びＸ^a42の炭素数の合計は７以下である。〕
＊は結合部位であり、右側の＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^a42との結合部位である。］

【0158】

Ｒ^a42における飽和炭化水素基としては、鎖式炭化水素基及び単環又は多環の飽和脂環式炭化水素基、並びに、これらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。

【0159】

鎖式炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等が挙げられる。
単環又は多環の飽和脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

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組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジイル基と、１以上の脂環式飽和炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げられ、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基、−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基、−アルカンジイル基−脂環式飽和炭化水素基−アルキル基等が挙げられる。

【0160】

Ｒ^a42が有する置換基としては、ハロゲン原子及び式（ａ−ｇ３）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

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［式（ａ−ｇ３）中、
Ｘ^a43は、酸素原子、カルボニル基、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す。
Ａ^a45は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表す。
＊はＲ^a42との結合部位を表す。］
ただし、Ｒ^a42−Ｘ^a43−Ａ^a45において、Ｒ^a42がハロゲン原子を有しない場合は、Ａ^a45は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表す。

【0161】

Ａ^a45における飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の単環式の脂環式炭化水素基；並びにデカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合部位を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

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組み合わせにより形成される基としては、１以上のアルキル基又は１以上のアルカンジイル基と、１以上の脂環式炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基が挙げられ、−アルカンジイル基−脂環式炭化水素基、−脂環式炭化水素基−アルキル基、−アルカンジイル基−脂環式炭化水素基−アルキル基等が挙げられる。

【0162】

Ｒ^a42は、ハロゲン原子を有していてもよい飽和炭化水素基が好ましく、ハロゲン原子を有するアルキル基及び／又は式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基がより好ましい。
Ｒ^a42がハロゲン原子を有する飽和炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^a42が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、Ｒ^a42の総炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個が好ましい。

【0163】

Ｒ^a42が式（ａ−ｇ３）で表される基を有する飽和炭化水素基である場合、Ｒ^a42は、さらに好ましくは式（ａ−ｇ２）で表される基である。

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［式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^a46は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^a44は、＊＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊＊はＡ^a46との結合部位を表す。）。
Ａ^a47は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^a46、Ａ^a47及びＸ^a44の炭素数の合計は１８以下であり、Ａ^a46及びＡ^a47のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合部位を表す。］

【0164】

Ａ^a46の飽和炭化水素基の炭素数は１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。
Ａ^a47の飽和炭化水素基の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましく、Ａ^a47は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基がさらに好ましい。

【0165】

式（ａ−ｇ２）で表される基の好ましい構造は、以下の構造である（＊はカルボニル基との結合部位である）。

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【0166】

Ａ^a41におけるアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ａ^a41の表すアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａ^a41は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。

【0167】

式（ａ−ｇ１）で表される基におけるＡ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の表す２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルカンジイル基及び単環の２価の脂環式飽和炭化水素基、並びに、アルカンジイル基及び２価の脂環式飽和炭化水素基を組合せることにより形成される２価の飽和炭化水素基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の表す２価の飽和炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０であることが好ましい。

【0168】

式（ａ−ｇ１）で表される基において、Ｘ^a42が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−である基としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合部位を表わし、＊＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^a42との結合部位である。

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【0169】

式（ａ４−１）で表される構造単位としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の式（ａ４−１）で表される構造単位におけるＲ^a41に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

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【0170】

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【0171】

式（ａ４−１）で表される構造単位としては、式（ａ４−２）で表される構造単位及び式（ａ４−３）で表される構造単位が挙げられる。

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［式（ａ４−２）中、
Ｒ^f5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁴⁴は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｒ^f6は、炭素数１〜２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ⁴⁴及びＲ^f6の合計炭素数の上限は２１である。］

【0172】

Ｌ⁴⁴の炭素数１〜６のアルカンジイル基は、Ａ^a41で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｒ^f6の飽和炭化水素基は、Ｒ⁴²で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｌ⁴⁴におけるアルカンジイル基としては、炭素数２〜４のアルカンジイル基が好ましく、エチレン基がより好ましい。

【0173】

式（ａ４−２）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４−１−１）〜式（ａ４−１−１１）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。構造単位（ａ４−２）におけるＲ^f５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も式（ａ４−２）で表される構造単位として挙げられる。

【0174】

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［式（ａ４−３）中、
Ｒ^f7は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁵は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^f13は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^f12は、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊はＡ^f13との結合部位を表す。）。
Ａ^f14は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表す。
但し、Ａ^f13及びＡ^f14の少なくとも１つは、フッ素原子を有し、Ｌ⁵、Ａ^f13及びＡ^f14の合計炭素数の上限は２０である。］

【0175】

Ｌ⁵におけるアルカンジイル基としては、Ａ^a41のアルカンジイル基で例示したものと同様の基が挙げられる。

【0176】

Ａ^f13におけるフッ素原子を有していてもよい２価の飽和炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい２価の鎖式飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の鎖式飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

【0177】

Ａ^f14の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で例示したものと同様の基が挙げられる。なかでも、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペルフルオロオクチル基等のフッ化アルキル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が好ましい。

【0178】

式（ａ４−３）において、Ｌ⁵は、エチレン基が好ましい。
Ａ^f13の２価の飽和炭化水素基は、炭素数１〜６の２価の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１２の２価の脂環式飽和炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数２〜３の２価の鎖式飽和炭化水素基がさらに好ましい。
Ａ^f14の飽和炭化水素基は、炭素数３〜１２の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数３〜１０の鎖式飽和炭化水素基及び炭素数３〜１０の脂環式飽和炭化水素基を含む基がさらに好ましい。なかでも、Ａ^f14は、好ましくは炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基を含む基であり、より好ましくは、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。

【0179】

式（ａ４−３）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４−１’−１）〜式（ａ４−１’−１１）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。構造単位（ａ４−３）におけるＲ^f７に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も式（ａ４−３）で表される構造単位として挙げられる。

【0180】

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−４）で表される構造単位も挙げられる。

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［式（ａ４−４）中、
Ｒ^f21は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^f21は、−（ＣＨ₂）_j1−、−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−（ＣＨ₂）_j3−又は−（ＣＨ₂）_j4−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_j5−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、それぞれ独立に、１〜６のいずれかの整数を表す。
Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。］

【0181】

Ｒ^f22の飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で表される飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数１〜１０の脂環式飽和炭化水素基が好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基がさらに好ましい。

【0182】

式（ａ４−４）においては、Ａ^f21としては、−（ＣＨ₂）_ｊ1−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

【0183】

式（ａ４−４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び以下の式で表される構造単位において、構造単位（ａ４−４）におけるＲ^f21に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

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【0184】

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜２０モル％が好ましく、２〜１５モル％がより好ましく、３〜１０モル％がさらに好ましい。

【0185】

〈構造単位（ａ５）〉
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基を有する基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を有する基が好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。

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［式（ａ５−１）中、
Ｒ⁵¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ⁵²は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｌ⁵⁵は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。］

【0186】

Ｒ⁵²における脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有する脂環式炭化水素基としては、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ⁵²は、好ましくは、無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

【0187】

Ｌ⁵⁵における２価の飽和炭化水素基としては、２価の鎖式飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の鎖式飽和炭化水素基である。
２価の鎖式飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

【0188】

Ｌ⁵⁵の表す２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、例えば、式（Ｌ１−１）〜式（Ｌ１−４）で表される基が挙げられる。下記式中、＊及び＊＊は各々結合部位を表し、＊は酸素原子との結合部位を表す。

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式（Ｌ１−１）中、
Ｘ^x1は、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す（＊はＬ^x1との結合部位を表す。）。
Ｌ^x1は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x1及びＬ^x2の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌ^x3は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x4は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x3及びＬ^x4の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌ^x5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x6及びＬ^x7は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x5、Ｌ^x6及びＬ^x7の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌ^x8及びＬ^x9は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗ^x1は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x8、Ｌ^x9及びＷ^x1の合計炭素数は、１５以下である。

【0189】

Ｌ^x1は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x2は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合である。
Ｌ^x3は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x4は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x5は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x6は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x7は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x8は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｌ^x9は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗ^x1は、好ましくは、炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基、より好ましくは、シクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

【0190】

式（Ｌ１−１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

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【0191】

式（Ｌ１−２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

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【0192】

式（Ｌ１−３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

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【0193】

式（Ｌ１−４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

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【0194】

Ｌ⁵⁵は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１−１）で表される基である。

【0195】

構造単位（ａ５−１）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中の構造単位（ａ５−１）におけるＲ⁵¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

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樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜３０モル％が好ましく、２〜２０モル％がより好ましく、３〜１５モル％がさらに好ましい。

【0196】

＜構造単位（ＩＩ）＞
樹脂（Ａ）は、さらに、露光により分解して酸を発生する構造単位（以下、「構造単位（ＩＩ）」という場合がある）を含有していてもよい。構造単位（ＩＩ）としては、具体的には特開２０１６−７９２３５号公報に記載の構造単位が挙げられ、側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位又は側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位であることが好ましい。

【0197】

側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位であることが好ましい。

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［式（ＩＩ−２−Ａ’）中、
Ｘ^III3は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はヒドロキシ基で置き換わっていてもよい。
Ａ^x1は、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。
ＲＡ⁻は、スルホナート基又はカルボキシレート基を表す。
Ｒ^III3は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ＺＡ^＋は、有機カチオンを表す。］

【0198】

Ｒ^III3で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ^III3で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ^a8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
Ａ^x1で表される炭素数１〜８のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^x1に置換されていてもよい炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｘ^III3で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環飽和炭化水素基が挙げられ、これらの組み合わせであってもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わったものとしては、例えば式（Ｘ１）〜式（Ｘ５３）で表される２価の基が挙げられる。ただし、飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わる前の炭素数はそれぞれ１７以下である。下記式において、＊及び＊＊は結合部位を表し、＊はＡ^X1との結合部位を表す。

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【0199】

Ｘ³は、炭素数１〜１６の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁴は、炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁵は、炭素数１〜１３の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁶は、炭素数１〜１４の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁷は、炭素数１〜１４の３価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁸は、炭素数１〜１３の２価の飽和炭化水素基を表す。

【0200】

ＺＡ⁺で表される有機カチオンは、酸発生剤（Ｂ１）におけるカチオンＺ１^＋と同様のものが挙げられる。

【0201】

式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位であることが好ましい。

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［式（ＩＩ−２−Ａ）中、
Ｒ^III3、Ｘ^III3及びＺＡ^＋は、上記と同じ意味を表す。
ｚ２Ａは、０〜６のいずれかの整数を表す。
Ｒ^III2及びＲ^III4は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ^III2及びＲ^III4は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｑ^ａ及びＱ^ｂは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］
Ｒ^III2、Ｒ^III４、Ｑ^ａ及びＱ^ｂで表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、前述のＱ^b1で表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基と同じものが挙げられる。

【0202】

式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ−１）で表される構造単位であることが好ましい。

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［式（ＩＩ−２−Ａ−１）中、
Ｒ^III2、Ｒ^III3、Ｒ^III4、Ｑ^a、Ｑ^b及びＺＡ^＋は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^III5は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
ｚ２Ａ１は、０〜６のいずれかの整数を表す。
Ｘ^I2は、炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。］
Ｒ^III5で表される炭素数１〜１２の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。
Ｘ^I2で表される２価の飽和炭化水素基としては、Ｘ^III3で表される２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。

【0203】

式（ＩＩ−２−Ａ−１）で表される構造単位としては、式（ＩＩ−２−Ａ−２）で表される構造単位が好ましい。

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［式（ＩＩ−２−Ａ−２）中、
Ｒ^ＩＩＩ３、Ｒ^ＩＩＩ５及びＺＡ^＋は、上記と同じ意味を表す。
ｍ及びｎは、それぞれ独立に、１又は２を表す。］

【0204】

式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位、Ｒ^III3のメチル基に相当する基が水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子）又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基（例えば、トリフルオロメチル基等）に置き換わった構造単位及び国際公開第２０１２／０５００１５号記載の構造単位が挙げられる。ＺＡ^＋は、有機カチオンを表す。

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【0205】

側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位は、式（ＩＩ−１−１）で表される構造単位であることが好ましい。

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［式（ＩＩ−１−１）中、
Ａ^II1は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ^II1は、炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^II2及びＲ^II3は、それぞれ独立して、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、Ｒ^II2及びＲ^II3は互いに結合してそれらが結合する硫黄原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^II4は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ａ⁻は、有機アニオンを表す。］
Ｒ^II1で表される炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基及びナフチレン基等が挙げられる。
Ｒ^II2及びＲ^II3で表される炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。具体的には、Ｒ^a1’、Ｒ^a2’及びＲ^a3’における炭化水素基と同じものが挙げられる。
Ｒ^II4で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ^II4で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ^a8で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
Ａ^II1で表される２価の連結基としては、例えば、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基が挙げられ、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。具体的には、Ｘ^III3で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。

【0206】

式（ＩＩ−１−１）中のカチオンを含む構造単位としては、以下で表される構造単位及びＲ^II4のメチル基に相当する基が、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基等に置き換わった構造単位などが挙げられる。

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【0207】

Ａ⁻で表される有機アニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオン等が挙げられる。Ａ⁻で表される有機アニオンは、スルホン酸アニオンが好ましく、スルホン酸アニオン、前述する式（Ｉ−Ａ）で表されるアニオンと同様のものが挙げられる。
ＡＩ⁻で表されるスルホニルイミドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。

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【0208】

スルホニルメチドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。

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【0209】

カルボン酸アニオンとしては、以下のものが挙げられる。

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【0210】

式（ＩＩ−１−１）で表される構造単位としては、以下で表される構造単位などが挙げられる。

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【0211】

樹脂（Ａ）中に、構造単位（ＩＩ）を含有する場合の構造単位（ＩＩ）の含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、好ましくは１〜２０モル％であり、より好ましくは２〜１５モル％であり、さらに好ましくは３〜１０モル％である。

【0212】

樹脂（Ａ）は、上述の構造単位以外の構造単位を有していてもよく、このような構造単位としては、当技術分野で周知の構造単位が挙げられる。

【0213】

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、すなわち、モノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合体である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、及びシクロペンチル基を有する該構造単位）からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、より好ましくは少なくとも二種であり、さらに好ましくは、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）からなる群から選ばれる少なくとも二種である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）からなる群から選ばれる少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−１）で表される構造単位又は式（ａ２−Ａ）で表される構造単位である。構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される構造単位、式（ａ３−２）で表される構造単位及び式（ａ３−４）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも一種である。

【0214】

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を導くモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。本明細書では、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで実施例に記載の条件により求めた値である。

【0215】

＜樹脂（Ａ）以外の樹脂＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含んでいることが好ましい。
樹脂（Ａ）以外の樹脂としては、例えば、構造単位（ａ４）又は構造単位（ａ５）を含有する樹脂（以下、樹脂（Ｘ）という場合がある）等が挙げられる。

【0216】

樹脂（Ｘ）としては、なかでも、構造単位（ａ４）を含む樹脂が好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位の合計に対して、３０モル％以上であることが好ましく、４０モル％以上であることがより好ましく、４５モル％以上であることがさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。中でも、樹脂（Ｘ）は、構造単位（ａ４）及び構造単位（ａ５）からなる樹脂、構造単位（ａ４）及び／又は構造単位（ａ５）のみからなる樹脂であることが好ましい。

【0217】

樹脂（Ｘ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組合せて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ｘ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは６，０００以上（より好ましくは７，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは１〜５０質量部であり、さらに好ましくは１〜４０質量部であり、特に好ましくは１〜３０質量部であり、特に好ましくは１〜８質量部である。

【0218】

レジスト組成物における樹脂（Ａ）の含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下がより好ましい。また、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含む場合は、樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下がより好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

【0219】

＜溶剤（Ｅ）＞
溶剤（Ｅ）の含有率は、レジスト組成物中、通常９０質量％以上９９．９質量％以下であり、好ましくは９２質量％以上９９質量％以下であり、より好ましくは９４質量％以上９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）の１種を単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。

【0220】

＜クエンチャー（Ｃ）＞
クエンチャー（Ｃ）としては、塩基性の含窒素有機化合物、及び酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩が挙げられる。レジスト組成物がクエンチャー（Ｃ）を含有する場合、クエンチャー（Ｃ）の含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、０．０１〜１５質量％程度であることが好ましく、０．１〜１０質量％程度であることがより好ましい。
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、２，２’−メチレンビスアニリン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリン等の芳香族アミンが挙げられ、より好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

【0221】

酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は、酸解離定数（ｐＫａ）で示される。酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常−３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは−１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。
酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、特開２０１５−１４７９２６号公報記載の式（Ｄ）で表される塩（以下、「弱酸分子内塩（Ｄ）」という場合がある。）、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩として、好ましくは、酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱いカルボン酸を発生する塩（カルボン酸アニオンを有する塩）であり、より好ましくは、弱酸分子内塩（Ｄ）である。

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【0222】

弱酸分子内塩（Ｄ）としては、以下の塩が挙げられる。

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【0223】

〈その他の成分〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

【0224】

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、塩（Ｉ）及び樹脂（Ａ）、並びに、必要に応じて、酸発生剤（Ｂ）、樹脂（Ａ）以外の樹脂、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

【0225】

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよく、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。
塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、５０〜２００℃であることが好ましく、加熱時間は、１０〜１８０秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０⁵Ｐａ程度であることが好ましい。
得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。
露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間であることが好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

【0226】

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特にＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。

【実施例】

【0227】

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子イオンピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子イオンピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

【0228】

実施例１：式（Ｉ−９２）で表される塩の合成

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式（Ｉ−９２−ａ）で表される化合物４．７６部及びオキソン（登録商標）６．４０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、硫酸２３．５６部を添加した後、５℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、式（Ｉ−９２−ｂ）で表される化合物４．１５部及びクロロホルム２０．７４部の混合溶液を添加し、５℃で３０分間攪拌後、さらに、２３℃で２時間攪拌した。得られた混合溶液を、メタノール１２０部に加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。回収されたろ液を濃縮した後、濃縮残渣に、クロロホルム１２５部及びアセトニトリル２５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌後、５％塩酸５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水４０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、濃縮混合物にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌後、ろ過することにより、式（Ｉ−９２−ｃ）で表される塩３．１６部を得た。

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式（Ｉ−９２−ｄ）で表される塩５．３４部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−９２−ｃ）で表される塩３．１３部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−９２）で表される塩３．９９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１７．１

【0229】

実施例２：式（Ｉ−１７９）で表される塩の合成

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ヨウ素酸カリウム９部、式（Ｉ−１７９−ａ）で表される化合物１４．３９部、酢酸２７部及び無水酢酸１３．５部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、硫酸９部を１０分かけて添加し、５℃で３時間攪拌した後、更に、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合液に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２７部及びイオン交換水２７部を添加し、２３℃で２時間攪拌した後、ろ過し、回収されたろ液を分液して有機層を取り出した。得られた有機層に、臭化ナトリウム４．５部及びイオン交換水１３．５部の混合溶液を添加し、２３℃で２時間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−１７９−ｂ）で表される塩２．１１部を得た。

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式（Ｉ−９２−ｄ）で表される塩３．３９部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液２７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７９−ｂ）で表される塩１．８７部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−１７９）で表される塩３．０９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９７．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１７．１

【0230】

実施例３：式（Ｉ−１７７）で表される塩の合成

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式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩２．２５部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液２７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７９−ｂ）で表される塩１．８７部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−１７７）で表される塩２．２９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９７．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0231】

実施例４：式（Ｉ−２３５）で表される塩の合成

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ヨウ素酸カリウム９部、式（Ｉ−２３５−ａ）で表される化合物２８．５部、酢酸３０部及び無水酢酸１５部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、硫酸９部を１０分かけて添加し、５℃で３時間攪拌した後、更に、２３℃で１２時間攪拌した。得られた混合液に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２７部及びイオン交換水２７部を添加し、２３℃で２時間攪拌した後、ろ過し、回収されたろ液を分液して有機層を取り出した。得られた有機層に、臭化ナトリウム４．５部及びイオン交換水１３．５部の混合溶液を添加し、２３℃で２時間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−２３５−ｂ）で表される塩２．９８部を得た。

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式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩２．２５部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液２７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−２３５−ｂ）で表される塩２．９２部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−２３５）で表される塩２．１１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ６６５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0232】

実施例５：式（Ｉ−３）で表される塩の合成

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式（Ｉ−３−ａ）で表される化合物４．７６部及びオキソン（登録商標）６．４０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、硫酸２３．５６部を添加した後、５℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、式（Ｉ−３−ｂ）で表される化合物２．４２部及びクロロホルム２０部の混合溶液を添加し、５℃で３０分間攪拌後、さらに、２３℃で２時間攪拌した。得られた混合溶液を、メタノール１２０部に加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過した。回収されたろ液を濃縮した後、濃縮残渣に、クロロホルム１２５部及びアセトニトリル２５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌後、５％塩酸５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水４０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、濃縮混合物にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を添加し、２３℃で３０分間攪拌後、ろ過することにより、式（Ｉ−３−ｃ）で表される塩２．８８部を得た。

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式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩３．５５部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−３−ｃ）で表される塩２．７２部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル４０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−３）で表される塩３．２１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３３９．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0233】

実施例６：式（Ｉ−４３８）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、ジメチル硫酸０．５５部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で３時間攪拌し、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩１．１０部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−４３８）で表される塩１．４８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３３９．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0234】

実施例７：式（Ｉ−７８６）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、メタンスルホン酸０．３３部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で１時間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−７８６−ｂ）で表される化合物０．８０部を添加し、７０℃で１時間攪拌した後、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩１．１０部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−７８６）で表される塩０．２３部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ４８９．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0235】

実施例８：式（Ｉ−４４０）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、ジメチル硫酸０．５５部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で３時間攪拌し、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−９２−ｄ）で表される塩１．６６部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−４４０）で表される塩１．６４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３３９．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１７．１

【0236】

実施例９：式（Ｉ−４４８）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、ジメチル硫酸０．５５部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で３時間攪拌し、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−４４８−ｃ）で表される塩１．４８部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−４４８）で表される塩１．３８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３３９．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

【0237】

実施例１０：式（Ｉ−８９）で表される塩の合成

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式（Ｉ−８９−ｄ）で表される塩１．８４部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−９２−ｃ）で表される塩１．７１部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−８９）で表される塩１．６６部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

【0238】

実施例１１：式（Ｉ−９０）で表される塩の合成

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式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩１．７７部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−９２−ｃ）で表される塩１．７１部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−９０）で表される塩１．８４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0239】

実施例１２：式（Ｉ−１００）で表される塩の合成

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式（Ｉ−１００−ｄ）で表される塩２．３７部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液１０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−９２−ｃ）で表される塩１．７１部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−１００）で表される塩１．９８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

【0240】

実施例１３：式（Ｉ−１８７）で表される塩の合成

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式（Ｉ−１００−ｄ）で表される塩３．０１部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液２７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７９−ｂ）で表される塩１．８７部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−１８７）で表される塩３．０１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９７．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

【0241】

実施例１４：式（Ｉ−１７６）で表される塩の合成

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式（Ｉ−８９−ｄ）で表される塩２．３３部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液２７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７９−ｂ）で表される塩１．８７部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−１７６）で表される塩２．１２部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３９７．０
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

【0242】

実施例１５：式（Ｉ−２３４）で表される塩の合成

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式（Ｉ−８９−ｄ）で表される塩２．３３部、クロロホルム３０部及び５％シュウ酸水溶液２７部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−２３５−ｂ）で表される塩２．９２部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−２３４）で表される塩１．７８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ６６５．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

【0243】

実施例１６：式（Ｉ−４１９）で表される塩の合成

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【0244】

式（Ｉ−２３５）で表される塩２．８０部及びクロロホルム３０部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−４１９−ａ）で表される化合物２．７７部及びｐ−トルエンスルホン酸０．１５部を添加し、１００℃で３時間還流攪拌した。得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム７０部及び８．７％炭酸水素ナトリウム水溶液１８部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。得られた有機層を濃縮した後、濃縮残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて、２３℃で３０分間攪拌した後、上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−４１９）で表される塩１．４２部を得た。

【0245】

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ９５３．２
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

【0246】

実施例１７：式（Ｉ−４９６）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、メタンスルホン酸０．３３部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で１時間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−４９６−ｂ）で表される化合物０．７３部を添加し、７０℃で１時間攪拌した後、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−１７７−ｄ）で表される塩１．１０部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、濃縮マスをカラム（シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００−２１０μｍ；関東化学（株）製、展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１／１）分取することにより、式（Ｉ−４９６）で表される塩０．１５部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ４７３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

【0247】

実施例１８：式（Ｉ−７８８）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、メタンスルホン酸０．３３部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で１時間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−７８６−ｂ）で表される化合物０．８０部を添加し、７０℃で１時間攪拌した後、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−９２−ｄ）で表される塩１．６６部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、濃縮マスをカラム（シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００−２１０μｍ；関東化学（株）製、展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１／１）分取することにより、式（Ｉ−７８８）で表される塩０．２５部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ４８９．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５１７．１

【0248】

実施例１９：式（Ｉ−７９６）で表される塩の合成

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式（Ｉ−４３８−ａ）で表される塩１．００部、メタンスルホン酸０．３３部及びジメチルホルムアミド３部を混合し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、７０℃で１時間攪拌した。得られた混合液に、式（Ｉ−７８６−ｂ）で表される化合物０．８０部を添加し、７０℃で１時間攪拌した後、２３℃まで冷却した。得られた混合液に、式（Ｉ−１００−ｄ）で表される塩１．４７部を添加し、２３℃で１時間攪拌した後、クロロホルム３０部、５％シュウ酸水溶液２部及びイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、分液して有機層を取り出した。得られた有機層にイオン交換水１０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。得られた有機層を濃縮し、濃縮マスをカラム（シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００−２１０μｍ；関東化学（株）製、展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１／１）分取することにより、式（Ｉ−７９６）で表される塩０．１８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ４８９．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

【0249】

樹脂の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−３）」等という。

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【0250】

合成例１：樹脂Ａ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−５）、モノマー（ａ２−１−３）及びモノマー（ａ３−４−２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−５）：モノマー（ａ２−１−３）：モノマー（ａ３−４−２）〕が４５：１４：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．６×１０^３の樹脂Ａ１を収率６８％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。

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【0251】

合成例２：樹脂Ｘ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ５−１−１）及びモノマー（ａ４−０−１２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ５−１−１）：モノマー（ａ４−０−１２）〕が５０：５０となるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して３ｍｏｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．０×１０^４の樹脂Ｘ１を収率９１％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。

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【0252】

＜レジスト組成物の調製＞
表２に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。

【表2】

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【0253】

＜樹脂＞
Ａ１、Ｘ１：樹脂Ａ１、樹脂Ｘ１
＜塩（Ｉ）＞
Ｉ−３：式（Ｉ−３）で表される塩
Ｉ−８９：式（Ｉ−８９）で表される塩
Ｉ−９０：式（Ｉ−９０）で表される塩
Ｉ−９２：式（Ｉ−９２）で表される塩
Ｉ−１００：式（Ｉ−１００）で表される塩
Ｉ−１７６：式（Ｉ−１７６）で表される塩
Ｉ−１７７：式（Ｉ−１７７）で表される塩
Ｉ−１７９：式（Ｉ−１７９）で表される塩
Ｉ−１８７：式（Ｉ−１８７）で表される塩
Ｉ−２３４：式（Ｉ−２３４）で表される塩
Ｉ−２３５：式（Ｉ−２３５）で表される塩
Ｉ−４１９：式（Ｉ−４１９）で表される塩
Ｉ−４３８：式（Ｉ−４３８）で表される塩
Ｉ−４４０：式（Ｉ−４４０）で表される塩
Ｉ−４４８：式（Ｉ−４４８）で表される塩
Ｉ−４９６：式（Ｉ−４９６）で表される塩
Ｉ−７８６：式（Ｉ−７８６）で表される塩
Ｉ−７８８：式（Ｉ−７８８）で表される塩
Ｉ−７９６：式（Ｉ−７９６）で表される塩
＜酸発生剤＞
ＩＸ−１：

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ＩＸ−２：

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ＩＸ−３：

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ＩＸ−４：

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＜クエンチャー（Ｃ）＞
Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

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＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０部
２−ヘプタノン ２０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

【0254】

＜レジストパターンの製造及びその評価＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎｍ／ホール径５０ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

【0255】

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が４５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

【0256】

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価＞
実効感度において、ホール径５０ｎｍのマスクで形成したパターンのホール径を、一つのホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ内の、ホール径５０ｎｍのマスクで形成したパターンの平均ホール径を４００箇所測定したものを母集団として標準偏差を求めた。
その結果を表３に示す。表内の数値は標準偏差（ｎｍ）を示す。

【表3】

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比較組成物１〜４と比較して、組成物１〜２２での標準偏差が小さく、ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価が良好であった。

【産業上の利用可能性】

【0257】

本発明の塩、該塩を含むレジスト組成物は、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを得られるため、半導体の微細加工に好適であり、産業上極めて有用である。