特開2020-202391(P2020-202391A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2020-202391異なる歪み状態を有するフィン構造を含む半導体構造を作製するための方法及び関連する半導体構造
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  • 特開2020202391-異なる歪み状態を有するフィン構造を含む半導体構造を作製するための方法及び関連する半導体構造 図000014
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