発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

炭化珪素半導体装置の実際の製造工程では、ＳｉＣにイオン注入しただけでは不純物は活性化されないため、不純物のイオン注入後、不純物をドーパント（ドナーまたはアクセプタ）として活性化させるための高温度の活性化アニール（熱処理）を行う。従来よりＳｉＣ中の不純物はほぼ移動しないと言われているが、特定の条件（不純物種、結晶面方位、ドーピング量）では、活性化アニール時にＳｉＣ中の不純物の移動量が従来知られているよりも大きくなることが発明者の鋭意研究により判明した。 この問題は、ＳｉＣにイオン注入される不純物の総ドーズ量が少なくなるほど、不純物のイオン注入を行うエピタキシャル層のドーパント濃度が低いほど、また、イオン注入する不純物がアルミニウムである場合や、イオン注入面がＳｉＣの（０００１）面、いわゆるＳｉ面である場合に、顕著にあらわれることが確認されている。具体的には、これらＳｉＣ中の不純物の移動量が大きくなる条件で形成される構造として、例えば、炭化珪素半導体装置のエッジ終端領域に配置される接合終端拡張（ＪＴＥ：Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）構造が挙げられる。 また、ＳｉＣ中の不純物の移動量が大きくなることで、活性化アニール後にＳｉＣ中に残る不純物のドーズ量がイオン注入した不純物のドーズ量よりも少なくなることが判明した。この現象がＪＴＥ構造で起きた場合は、設計通りの耐圧が得られない。また、ＪＴＥを構成するｐ型領域中の不純物のドーズ量の減少による耐圧低下分を見越して、設計上の耐圧が所望の耐圧以上となるように、ＳｉＣ基板（半導体チップ）の面積に対するエッジ終端領域の占有面積を広くした場合、１枚の半導体ウエハから得られるチップ数が減少するため、１チップあたりの作製（製造）コストが上昇する。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、活性化アニール前後での不純物のドーズ量の減少を抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置によれば、イオン注入後に行う活性化アニール時に第２導電型領域中の第２導電型ドーパントが半導体基板から外部へ拡散されることを抑制することができるため、活性化アニール前後での第２導電型領域中の不純物のドーズ量の減少を抑制することができるという効果を奏する。