特開2020-53513(P2020-53513A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2020-53513エピタキシャルウェーハの製造方法、エピタキシャル成長用シリコン系基板及びエピタキシャルウェーハ
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