発明の名称 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
出願人 国立大学法人広島大学 (識別番号 504136568)
特許公開件数ランキング 516 位(82件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 586 位(63件)(共同出願を含む)
出願人 フェニテックセミコンダクター株式会社 (識別番号 399071029)
特許公開件数ランキング 31134 位(0件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 25269 位(0件)(共同出願を含む)
公報番号 特開-2021-132134
公報発行日 2021年9月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-132134
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