特開2021-158291窒化物半導体素子の製造方法

発明の名称　窒化物半導体素子の製造方法

出願人　日亜化学工業株式会社　（識別番号 226057）

　　　　特許公開件数ランキング 118 位（269件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 158 位（193件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2021-158291

公報発行日　2021年10月7

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-158291

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