特開 2021-162367 センサ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2021-162367(P2021-162367A)

(43)【公開日】2021年10月11日

(54)【発明の名称】センサ装置

(51)【国際特許分類】

   G01J 1/02 20060101AFI20210913BHJP

【ＦＩ】

   G01J1/02 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2020-61619(P2020-61619)

(22)【出願日】2020年3月30日

(71)【出願人】

【識別番号】308033711

【氏名又は名称】ラピスセミコンダクタ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】特許業務法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 岳春

【テーマコード（参考）】

2G065

【Ｆターム（参考）】

2G065AB02

2G065BA11

2G065BA14

2G065CA13

2G065CA27

(57)【要約】

【課題】センサ装置において、感度低下を抑制し、かつ耐衝撃性を向上させることができるようにする。
【解決手段】センサ装置１０は、基板２０と、基板２０及び基板２０に設けられた支持枠３１と各々間隙Ｇ１，Ｇ２を有して配設されるセンサ部３２と、支持枠３１に一端が接合され、センサ部３２に他端が接合されてセンサ部３２を支持する梁部３３Ａ，３３Ｂであって、一般部３３１Ａの梁幅よりも支持枠３１との接合部３３１Ｂの梁幅を大きくした梁部３３Ａ，３３Ｂと、を含む。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
該基板及び該基板に設けられた支持枠と各々間隙を有して配設されるセンサ部と、
前記支持枠に一端が接合され、前記センサ部に他端が接合されて該センサ部を支持する梁部であって、一般部の梁幅よりも前記支持枠との接合部の梁幅を大きくした梁部と、
を含むセンサ装置。

【請求項2】

前記接合部はハンチを有する請求項１に記載のセンサ装置。

【請求項3】

前記接合部は前記ハンチと前記支持枠との間に直線部を有する請求項２に記載のセンサ装置。

【請求項4】

前記支持枠と前記梁部の接合部分の隅部にＲ部を設けた請求項１〜３の何れか１項に記載のセンサ装置。

【請求項5】

前記支持枠は前記基板と別体的に形成されており、
前記間隙は、前記基板がエッチングされることにより形成された間隙である請求項１〜４の何れか１項に記載のセンサ装置。

【請求項6】

前記支持枠は、前記基板に立設されたアンカー構造で形成されており、
前記間隙は、前記アンカー構造によって形成された間隙である請求項１〜４の何れか１項に記載のセンサ装置。

【請求項7】

前記梁部は、前記支持枠から前記センサ部に至るまでに１つの屈曲部を有する請求項１〜６の何れか１項に記載のセンサ装置。

【請求項8】

前記センサ部を介して対向する一対の梁部を備える請求項７に記載のセンサ装置。

【請求項9】

前記一対の梁部のうち一方の梁部の前記センサ部と接合するセンサ部側接合部は、他方の梁部の前記支持枠に接合する前記接合部に最も近接して配設される請求項８に記載のセンサ装置。

【請求項10】

基板と、
該基板の上端面に配設された膜部とからなり、
前記膜部が、
枠を形成する支持枠と、
前記基板及び前記支持枠と各々間隙を有して配設されるセンサ部と、
前記支持枠に一端が接合され、前記センサ部に他端が接合されて該センサ部を支持する梁部であって、一般部の梁幅よりも前記支持枠との接合部の梁幅を大きくした梁部と、
を含むセンサ装置。

【請求項11】

請求項１〜１０の何れか１項に記載のセンサ装置を適用した、赤外線センサ、ガスセンサ、風向きセンサ、及び風速センサのうち何れか１つのセンサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

開示の技術は、センサ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基板の上方でセンサ部を梁部で支持した赤外線センサ等のセンサ装置は、外力が加わった際、センサ部と梁部が振動しやすく、特に梁部の接合部分に応力が集中して、梁部が破損してしまう場合がある。ここで、図１０に示す梁部３３Ａ，３３Ｂの耐衝撃性を上げるために、梁部３３Ａ，３３Ｂの梁幅を広くしたり、厚さを増したりすることがある。また、支持枠３１と梁部３３Ａ，３３Ｂとの接合部に大きな曲線部３４（以下、Ｒ部ともいう）を形成して、耐衝撃性を向上させることもある。

【0003】

特許文献１には、センサ装置の感度低下を抑制し、センサ装置が破壊しないように、梁部の屈曲部に互いに当接するストッパ部を設けた構造が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９−３１１３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、梁部３３Ａ，３３Ｂの梁幅を広くしたり、厚さを増したりすると、梁部３３Ａ，３３Ｂの熱伝導率が大きくなり、センサ部３２で吸収された熱が梁部３３Ａ，３３Ｂへ逃げてしまい、センサ装置の感度が低下する。また、曲線部（Ｒ部）３４の半径を大きくすると、相対的にセンサ部の面積が小さくなり、感度が低下する。

【0006】

本開示の技術は上記の点に鑑みてなされたものであり、感度低下を抑制し、かつ耐衝撃性を向上させることができるセンサ装置を提供できるようにすることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示に係るセンサ装置は、
基板と、
該基板及び該基板に設けられた支持枠と各々間隙を有して配設されるセンサ部と、
前記支持枠に一端が接合され、前記センサ部に他端が接合されて該センサ部を支持する梁部であって、一般部の梁幅よりも前記支持枠との接合部の梁幅を大きくした梁部と、
を含む。

【0008】

本開示の他の態様に係るセンサ装置は、基板と、
該基板の上端面に配設された膜部とからなり、
前記膜部が、
枠を形成する支持枠と、
前記基板及び前記支持枠と各々間隙を有して配設されるセンサ部と、
前記支持枠に一端が接合され、前記センサ部に他端が接合されて該センサ部を支持する梁部であって、一般部の梁幅よりも前記支持枠との接合部の梁幅を大きくした梁部と、
を含む。

【発明の効果】

【0009】

本開示の技術によれば、センサ装置において、感度低下を抑制し、かつ耐衝撃性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本開示の第１実施形態に係る赤外線センサの一例を示す斜視図である。

【図2】本開示の第１実施形態に係る赤外線センサの一例を示す断面図である。

【図3】本開示の第１実施形態に係る赤外線センサの一例を示す上面図である。

【図4】図３の主要部拡大図である。

【図5】直線部とハンチの比と応力との関係を示すグラフである。

【図6】本開示の第１実施形態の変形例である赤外線センサの一例を示す主要部上面図である。

【図7】本開示の第２実施形態に係る赤外線センサの一例を示す断面図である。

【図8】本開示の第２実施形態に係る赤外線センサの一例を示す主要部上面図である。

【図9】本開示の第２実施形態に係る赤外線センサのエッジング処理前の一例を示す断面図

【図10】従来の赤外線センサの一例を示す主要部上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

（第１実施形態）
以下、開示の技術のセンサ装置の一例として、第１実施形態の赤外線センサ１０について、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一又は等価な構成要素及び部分には同一の参照符号を付与している。図１は本開示の第１実施形態に係る赤外線センサ１０の一例を示す斜視図、図２は本開示の第１実施形態に係る赤外線センサ１０の一例を示す断面図、図３は本開示の第１実施形態に係る赤外線センサの一例を示す上面図である。なお、図２における図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる。

【0012】

第１実施形態の赤外線センサ１０は、図１に示されるように、外形は、略直方体であり、シリコン（Ｓｉ）からなる基板２０と、基板２０の上端面に配設された膜部３０とを備えている。基板２０は、図２に示されるように、上方が開放した凹部２１を有しており、凹部２１は、底面２１Ａと、上方に向かうにつれて開口径が大きくなる側面２１Ｂとから形成されている。基板２０は、後述するセンサ部３２との間に間隙Ｇ１を有している。

【0013】

膜部３０は、図２に示されるように、基板２０の上端面に立設された支持枠３１と、支持枠３１と間隙Ｇ２を有して配設されるセンサ部３２と、間隙Ｇ２に位置し、支持枠３１とセンサ部３２とを接続する一対の梁部３３Ａ，３３Ｂとを備えている。梁部３３の上面とセンサ部３２の上面の間には段差が形成されている。また、支持枠３１は、平面視で基板２０と略同形状をなす壁状の外枠であり、センサ部３２との間に間隙Ｇ２を有している。

【0014】

センサ部３２は、赤外線を受光して吸収する赤外線集光膜であり、略正方形状に形成されている。センサ部３２は梁部３３によって支持枠３１に固定されている。

【0015】

梁部３３Ａ，３３Ｂは、図３に示されるように、センサ部３２を介して対向する一対の梁部であり、各梁部３３Ａ，３３Ｂは、支持枠３１に一端が接合され、センサ部３２に他端が接合されてセンサ部３２を支持する。梁部３３Ａ，３３Ｂは、各々、支持枠３１からセンサ部３２に至るまでに１つの屈曲部３３０を有し、屈曲部３３０は、センサ部３２の角部に対応する位置において略直角に折れ曲がることにより形成されている。なお、屈曲部３３０は、内側及び外側の角部が各々面取りされている。梁部３３Ａ，３３Ｂは、支持枠３１から屈曲部３３０まで延びる第１梁３３１と、屈曲部３３０と、屈曲部３３０からセンサ部３２までの延びる第２梁３３２とで構成されている。

【0016】

図４は図３の主要部拡大図である。梁部３３Ａ，３３Ｂの第１梁３３１は、図４に示されるように、一般部３３１Ａの梁幅よりも支持枠３１との接合部３３１Ｂの梁幅が大きく形成されている。第１実施形態においては、接合部３３１Ｂは、梁の両側面が一定の勾配をもって傾斜し、支持枠３１に向かうに従って梁断面が大きくなるハンチＨと、ハンチＨと支持枠３１との間において梁の両側面が直線状に延びる直線部Ｓとを有する。また、支持枠３１と直線部Ｓとの接合部分の隅部にはＲ部３４が設けられている。

【0017】

また、図３に示されるように、一対の梁部３３Ａ，３３Ｂのうち一方の梁部のセンサ部３２と接合するセンサ部側接合部３３２Ｂは、他方の梁部の支持枠３１に接合する接合部３３１Ｂに最も近接して配設されている。すなわち、梁部３３Ａのセンサ部側接合部３３２Ｂは、梁部Ｂの接合部３３１Ｂと対向し、梁部３３Ｂのセンサ部側接合部３３２Ｂは、梁部Ａの接合部３３１Ｂと対向する。

【0018】

（製造方法）
次に上記構成の赤外線センサ１０の製造方法について説明する。基板２０を形成する基板としては、シリコン単結晶基板が用いられる。このシリコン単結晶基板の一表面側に３０ｎｍ程度の窒化膜を成膜し、成膜した窒化膜上に化学気相成長（Chemical Vapor Deposition、以下ＣＶＤと称する）法などにより、ポリシリコン膜を形成する。次にフォトリソグラフィ技術を使用し、フォトレジストをマスクにしてボロンをポリシリコン膜中に選択的に注入し、その後フォトレジストを剥離する。そして、再度フォトレジストをマスクにしてリンをポリシリコン膜中に選択的に注入し、その後フォトレジストを剥離する。

【0019】

次に、フォトリソグラフィ技術を使用し、フォトレジストをマスクにしてポリシリコン膜をドライエッチングし、その後フォトレジストを剥離することによって、サーモパイルを構成する熱電対に相当するポリシリコン（図２の符号３５参照）を残す。そして、ポリシリコン膜上に、５００ｎｍ程度のプラズマ酸化膜を形成し、フォトレジストをマスクにしてプラズマ酸化膜をドライエッチングすることにより、コンタクトを形成し、その後フォトレジストを剥離する。コンタクトを形成した後で、アルミ（ＡＩ）配線を形成する。

【0020】

次に、窒化膜を形成し、フォトレジストをマスクにして窒化膜をドライエッチングすることにより、ボンディングパッドを形成し、その後フォトレジストを剥離する。さらに、フォトレジストをマスクにして、センサ部３２の下方に位置するシリコン単結晶基板をエッチングするためのエッチングホールを形成する。そのため、窒化膜、酸化膜、窒化膜の順で積層された積層膜を形成してドライエッチングし、その後、フォトレジストを剥離する。

【0021】

次に、保護酸化膜を形成し、フォトレジストをマスクにしてエッチングホールを形成するために保護酸化膜をドライエッチングする。そして、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Tetramethylammonium hydroxide）を主体とするエッチング液に浸漬することにより、センサ部３２の下方に間隙Ｇ１を形成する。そして、洗浄後に、保護酸化膜を剥離して乾燥させる。以上により、赤外線センサ１０が製造される。

【0022】

なお、第１実施形態においては、上記のようにして赤外線センサ１０を形成したが、本開示の技術はこれに限られず、ＣＶＤ法、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術等の公知の技術を使用して製造することができる。

【0023】

（実施例）
第１実施形態の赤外線センサ１０において、Ｒ部３４の半径Ｒを２μｍ、直線部Ｓの長さＤ１を２μｍ、ハンチＨの長さＤ２を６μｍ、直線部Ｓの梁幅を５．４μｍ、一般部３３１Ａの梁幅を３．８μｍとした赤外線センサ１０を製造した。この赤外線センサ１０では、図９に示される一般部３３１ＡとＲ部３４のみを設けただけの構造、すなわち直線部ＳとハンチＨが設けられていない構造よりも約７０％耐衝撃性が向上することが分かった。また、図９に示される構造、すなわち直線部ＳとハンチＨが設けられていない構造において、Ｒ部３４の半径Ｒを６μｍとした場合には、第１実施形態の上記赤外線センサ１０よりも耐衝撃性が下がることが分かった。これにより、梁部３３Ａ，３３Ｂの接合部３３１Ｂに、直線部ＳとハンチＨを設ける構造は、耐衝撃性向上に有効な手段であるといえる。一方、第１実施形態の上記赤外線センサ１０と直線部ＳとハンチＨが設けられていない構造の赤外線センサとでは、基板２０とセンサ部３２との間の温度変化量を比較すると、どちらもほぼ同じであった。これにより、どちらも感度は同じであるといえる。

【0024】

次に、直線部Ｓの長さＤ１とハンチＨの長さＤ２との組み合わせについて検証した。図５は直線部ＳとハンチＨの長さの比（以下、直線部：ハンチ比という）と応力との関係を示すグラフである。横軸が示す直線部：ハンチ比はハンチＨの長さＤ２に対する直線部Ｓの長さＤ１の割合を示す値であり、直線部：ハンチ比が大きくなるにつれて、直線部Ｓの長さＤ１がハンチＨの長さＤ２よりもより長くなることを示す。また、縦軸が示す標準化応力（ａ．ｕ．：Arbitraty Unit）は、支持枠３１と梁部３３Ａ，３３Ｂとの接合部分に及ぼされる応力であり、任意単位で示される。また、縦軸が示す温度変化率は、直線部：ハンチ比２．５０を基準とした場合の、基板２０とセンサ部３２との間の温度変化量の変化率を示す。なお、図５中、実線は標準化応力の推移を表し、点線は温度変化率の推移を表す。

【0025】

図５に示されるように、直線部：ハンチ比が大きくなるにつれて、すなわち直線部Ｓの長さＤ１がハンチＨの長さＤ２よりも長くなるにつれて、支持枠３１と梁部３３Ａ，３３Ｂとの接合部分に及ぼされる応力が大きくなることがわかる。また、直線部Ｓの長さＤ１がハンチＨの長さＤ２よりも長くなるにつれて、温度変化が小さくなるので、センサ部３２から熱が逃げ易い、すなわち梁部３３Ａ，３３Ｂの熱伝導率が大きいことを表している。図５においては、直線部：ハンチ比が１．００程度である場合に、基板２０とセンサ部３２との間の温度変化量を十分に保ちつつ耐衝撃性の向上を図れる効果が得られた。ただし、実際は、赤外線センサ１０の全体の構造に合わせて直線部：ハンチ比を決定することが望ましい。

【0026】

（作用効果）
一般的に赤外線センサでは、外力等の衝撃により梁部とセンサ部が振動し易く、支持枠３１に近い梁部３３Ａ，３３Ｂすなわち接合部３３１Ｂに応力が集中する。第１実施形態の赤外線センサ１０の構成によれば、梁部３３Ａ，３３Ｂは一般部３３１Ａの梁幅よりも支持枠３１との接合部３３１Ｂの梁幅の方が大きく形成されているので、応力が集中する箇所のみが補強される。そのため、梁部３３Ａ，３３Ｂの梁幅を全て大きくした場合と比較して、梁部３３Ａ，３３Ｂの梁幅の増加を抑えることができるので、熱伝導率が大きくなるのを防止でき、センサ部３２で得た熱が逃げてしまうのを抑制することができる。これにより熱伝導による感度の低下を抑止することができる。また、従来と比較して曲線部すなわちＲ部３４の曲げ半径を大きくしていないので、センサ部３２の面積を減らす必要がない。従ってセンサ部３２の面積減少による感度の低下を防止することができる。以上により、上記構成によれば、赤外線センサ１０において感度の低下を抑制しつつ、耐衝撃性を向上させることができる。

【0027】

また、第１実施形態の赤外線センサ１０の接合部３３１ＢはハンチＨを有している。このようにハンチＨを設けることで応力の流れがスムーズとなる。

【0028】

また、第１実施形態の赤外線センサ１０は、支持枠３１と梁部３３Ａ，３３Ｂの接合部分の隅部にＲ部３４が設けられている。これにより、隅部にＲ部３４を設けない態様よりも、隅部における応力を分散させることができる。

【0029】

また、第１実施形態の赤外線センサ１０は、支持枠３１からセンサ部３２に至るまでに１つの屈曲部３３０を有する。このように、センサ部３２を支持する梁部３３Ａ，３３Ｂの一部に１つの屈曲部３３０を設けることにより、例えば特許文献１に記載された複数の屈曲部を設けた場合のように梁部が２重にならない。そのため、センサ部３２の面積が小さくなるのを防止することができる。

【0030】

また、第１実施形態の赤外線センサ１０は、センサ部３２を介して対向する一対の梁部３３Ａ，３３Ｂを備える。これにより、梁部３３Ａ，３３Ｂはセンサ部３２を両側から支持することになるので、一対の梁部３３Ａ，３３Ｂによってセンサ部３２を安定して支持することができる。

【0031】

また、第１実施形態の赤外線センサ１０は、一対の梁部３３Ａ，３３Ｂのうち一方の梁部のセンサ部３２と接合するセンサ部側接合部３３２Ｂは、他方の梁部の支持枠３１に接合する接合部３３１Ｂに最も近接して配設されている。これにより、梁部３３Ａ，３３Ｂをより長く形成することができるので、熱抵抗をより大きくすることができ、熱伝導率が大きくなるのを防止することができる。

【0032】

（第１実施形態の変形例）
次に上記第１実施形態の赤外線センサ１０の変形例について説明する。図６は本開示の第１実施形態の変形例である赤外線センサ１０Ａの一例を示す主要部上面図である。なお、図６において図４と同一の箇所は同符号で示して説明は省略し、異なる箇所についてのみ詳細に説明する。また、製造方法はマスクのパターン形状を変更したのみで、上記第１実施形態の赤外線センサ１０と同じであるため、ここでの説明は省略する。

【0033】

図６で示される赤外線センサ１０Ａは、接合部３３１ＢがハンチＨのみを有している。すなわち、接合部３３１Ｂが直線部Ｓを有しておらず、この点において図４の赤外線センサ１０とは異なっている。

【0034】

（変形例の実施例）
上述した変形例の赤外線センサ１０Ａにおいて、Ｒ部３４の半径Ｒを２μｍ、ハンチＨの長さＤ２を８μｍ、ハンチＨの一番広い梁幅を５．４μｍ、一般部３３１Ａの梁幅を３．８μｍとした赤外線センサ１０Ａを製造した。この赤外線センサ１０Ａでは、第１実施形態の赤外線センサ１０と同様に、図９に示される直線部ＳとハンチＨが設けられていない構造よりも、約７０％耐衝撃性が向上することが分かった。また、基板２０とセンサ部３２との間の温度変化量を比較すると、図６に示される変形例の赤外線センサ１０Ａの方が、図４に示される第１実施形態の赤外線センサ１０よりも僅かに大きくなった。

【0035】

（変形例の作用効果）
変形例の赤外線センサ１０Ａにおいては、図４に示される第１実施形態の赤外線センサ１０と比較して直線部Ｓがない分だけ、梁幅が狭くなる。梁幅が狭くなると、熱伝導率が小さくなるので、センサ部３２で吸収された熱が梁部３３Ａ，３３Ｂに逃げ難くなる。そのため、本変形例の赤外線センサ１０Ａの方が、第１実施形態の赤外線センサ１０よりも温度変化量が大きくなる。温度変化量により得られた電気信号を後で増幅率の非常に大きな回路で増幅させることを考えると、僅かな差であっても温度変化量が大きい本変形例の赤外線センサ１０Ａの方が、赤外線センサ１０の量産性に大きく貢献することが考えられる。このことから、本変形例においては、耐衝撃性の向上を図りながら十分な温度変化量を得ることができる。

【0036】

なお、上述した実施形態において、センサ部３２は上面が略正方形の直方体で形成されているが、本開示の技術はこれに限られない。例えば、上面が略長方形、略円形、略楕円形、及び多角形等であってもよい。この場合、支持枠３１の形状は、センサ部３２の形状に合わせた形状とすることが好ましい。

【0037】

また、上述した実施形態において、基板２０を形成するシリコン単結晶基板に窒化膜を成膜したが、本開示の技術はこれに限られず、例えば酸化膜等を成膜してもよい。

【0038】

また、上記実施形態において、一対の梁部３３Ａ，３３Ｂのうち一方の梁部のセンサ部３２と接合するセンサ部側接合部３３２Ｂは、他方の梁部の支持枠３１に接合する接合部３３１Ｂに最も近接して配設されているが、本開示の技術はこれに限られない。例えばセンサ部側接合部３３２Ｂが、センサ部３２の一辺の中央に設けられていてもよいし、中央よりも接合部３３１Ｂから離れる側に設けられていてもよい。ただし、梁部３３Ａ，３３Ｂの熱抵抗をより大きくするためには、梁部３３Ａ，３３Ｂをより長く形成することが好ましい。

【0039】

（第２実施形態）
次に第２実施形態の赤外線センサ１０Ｂについて説明する。上述した第１実施形態、及び第１実施形態の変形例の赤外線センサ１０，１０Ａにおいては、基板２０にエッチングを施すことにより、基板２０とセンサ部３２との間の間隙Ｇ１を形成したが、本開示の技術はこれに限られない。例えばアンカー構造を採用することにより、基板２０とセンサ部３２との間の間隙Ｇ１を形成することができる。図７は本開示の第２実施形態に係る赤外線センサ１０Ｂの一例を示す断面図、図８は本開示の第２実施形態に係る赤外線センサ１０Ｂの一例を示す主要部上面図である。なお、図８の点線は、図７の断面に相当する箇所を示している。また、図７における図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる。

【0040】

第２実施形態の赤外線センサ１０Ｂは、図７及び図８に示されるように、基板２０の上面には、２つの四角柱状のアンカー構造４０Ａがセンサ部３２を挟んで対角に対向して立設されており、各アンカー構造４０Ａには、支持枠４１が固定されている。第２実施形態において、支持枠４１は、枠の一部が取り除かれて、センサ部３２を挟んで対角に対向して位置する一対の直方体状の支持体４１Ａ，４１Ｂで構成されている。

【0041】

（第２実施形態の製造方法）
次に上記構成の赤外線センサ１０Ｂの製造方法について説明する。図９は本開示の第２実施形態に係る赤外線センサ１０Ｂのエッジング処理前の一例を示す断面図である。基板２０を形成する基板としては、シリコン単結晶基板が用いられる。このシリコン単結晶基板の一表面側に酸化膜等の絶縁膜４０を形成し、その上に金属を堆積させることにより犠牲層４０Ｂを形成する（図９参照）。次に、犠牲層４０Ｂの上に３０ｎｍ程度の窒化膜を成膜し、第１実施形態と同様の方法により、支持枠４１すなわち支持体４１Ａ，４１Ｂ、センサ部３２、及び梁部３３Ａ，３３Ｂを形成する。また、犠牲層４０Ｂをエッチングすることによって、アンカー構造４０Ａを形成する。これによりアンカー構造４０Ａによって、センサ部３２と絶縁膜４０との間に間隙Ｇ１が形成される。

【0042】

（第２実施形態の作用効果）
第２実施形態の赤外線センサ１０Ｂの構成によれば、第１実施形態の赤外線センサ１０と同様に、梁部３３Ａ，３３Ｂは一般部３３１Ａの梁幅よりも支持枠３１との接合部３３１Ｂの梁幅の方が大きく形成されている。従って、第２実施形態の赤外線センサ１０Ｂは、第１実施形態の赤外線センサ１０と同様の効果を得ることができる。

【0043】

なお、第２実施形態においては、支持枠４１は一対の支持体４１Ａ，４１Ｂで構成されているが、本開示の技術はこれに限られず、例えば第１実施形態の支持枠３１と同様に梁部３３Ａ，３３Ｂを囲む枠で形成してもよい。

【0044】

また、第２実施形態の赤外線センサ１０Ｂにおいても、第１実施形態の赤外線センサ１０と同様に、梁部３３Ａ，３３Ｂの接合部３３１Ｂを、直線部Ｓを除いたハンチＨのみで形成した変形例を適用することができる。

【0045】

なお、上述した実施形態において、センサ装置として赤外線センサ１０を一例として説明したが、本開示のセンサ装置は赤外線センサ１０に限られない。センサ部が梁部によって支持枠に支持される構造を有するセンサであれば、ガスセンサ、風向センサ、及び風速センサ等に適用することができる。

【0046】

以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、本発明の実施形態は、上記に限定されるものでなく、一実施形態及び各種の変形例を適宜組み合わせて用いても良いし、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施し得ることは勿論である。

【符号の説明】

【0047】

１０ 赤外線センサ（センサ装置）
２０ 基板
２１ 凹部
３０ 膜部
３１ 支持枠
３２ センサ部
３３ 梁部
３３Ａ 梁部
３３Ｂ 梁部
３３０ 屈曲部
３３１Ａ 一般部
３３１Ｂ 接合部
３３２Ｂ センサ部側接合部
３４ Ｒ部（曲線部）
４０Ａ アンカー構造
４１ 支持枠
４１Ａ 支持体
４１Ｂ 支持体
Ｇ１ 間隙
Ｇ２ 間隙
Ｈ ハンチ
Ｓ 直線部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】