技術分野
カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物。
[式中、R
1 及びR
2 は、−O−L
1 −CO−O−R
10 等、L
1 はアルカンジイル基を表す。R
4 、R
5 、R
7 及びR
8 は、ハロゲン原子、フッ化アルキル基又は炭化水素基を表す。R
10 は脂環式炭化水素基を表し、該基中の−CH
2 −の一つは、−CO−又は式(R
10 −1)で表される基に置き換わっている。X
1 及びX
2 は、O又はSを表す。m1は1〜5、m2及びm8は0〜5、m4、m5及びm7は0〜4の整数を表す。但し、1≦m1+m7≦5、0≦m2+m8≦5である。X
0 は、炭化水素基を表す。]
【選択図】なし
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、の塩を含むレジスト組成物によって形成されたレジストパターンよりも、CD均一性(CDU)が良好なレジストパターンを形成するカルボン酸塩を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I)で表されるカルボン酸塩。
[式(I)中、
R1及びR2は、それぞれ独立に、−O−R10、−O−CO−R10、−O−CO−O−R10、−O−L1−CO−O−R10を表す。
L1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。
R4、R5、R7及びR8は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1〜6のフッ化アルキル基又は炭素数1〜18の炭・・・ 続きを
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【発明の効果】
本発明のカルボン酸塩を使用したレジスト組成物を用いることにより、良好なラインエッジラフネス(LER)でレジストパターンを製造することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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