半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及び該酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれヒドロキシ基又は酸不安定基を有する基；Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ水素原子又は式（ＩＡ）で表される基、但し、Ｒ^３及びＲ^４の少なくとも一方は式（ＩＡ）で表される基；Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれハロゲン原子、フッ化アルキル基等；ｍ５及びｍ６は、それぞれ０〜５の整数；Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は飽和炭化水素基；Ｙ^１は置換基を有していてもよいメチル基又は脂環式炭化水素基を表す］
【選択図】なし

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