特許 5661913 コアレスパッケージを使用した機能化キャリア構造の形成

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5661913

(24)【登録日】2014年12月12日

(45)【発行日】2015年1月28日

(54)【発明の名称】コアレスパッケージを使用した機能化キャリア構造の形成

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20150108BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20150108BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/12 501P

   H01L23/12 N

   H01L23/00 C

【請求項の数】13

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-501547(P2013-501547)

(86)(22)【出願日】2011年4月15日

(65)【公表番号】特表2013-524491(P2013-524491A)

(43)【公表日】2013年6月17日

(86)【国際出願番号】US2011032794

(87)【国際公開番号】WO2011130717

(87)【国際公開日】20111020

【審査請求日】2012年9月24日

(31)【優先権主張番号】12/761,782

(32)【優先日】2010年4月16日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】591003943

【氏名又は名称】インテル・コーポレーション

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ナラ、ラヴィ、ケー．

(72)【発明者】

【氏名】アジミ、ハミド、アール．

(72)【発明者】

【氏名】グゼク、ジョン、エス．

(72)【発明者】

【氏名】ゴンザレズ、ハビエル サト

(72)【発明者】

【氏名】デラネイ、ドリュー、ダブリュー．

【審査官】 山本 雄一

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−３２７８５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０５８５７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０９９７５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０３２３７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−０５８５８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２０９６８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１９４３２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１４０３２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０１０７０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０１−２５８４５８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／００

Ｈ０１Ｌ ２３／１２−２３／１５

Ｈ０１Ｌ ２５／１０−２５／１１

Ｈ０１Ｌ ２５／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

エッチング停止層によって分離される上層及び下層を含むキャリア材に、キャビティを形成する段階と、
前記キャビティ内にダイを取り付ける段階と、
前記キャリア材の前記下層上で、前記ダイに隣接して誘電体を形成する段階と、
前記誘電体上に複数の層を形成することにより、コアレス基板を形成する段階と、
前記キャリア材の前記下層から、前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を除去する段階と
を備えるパッケージ構造の製造方法。

【請求項2】

前記キャリア材の前記下層は、前記コアレス基板に付着されている請求項１に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項3】

前記キャリア材の前記下層は、熱拡散体、ＥＭＩシールド構造及び補強材のうちの少なくとも１つを有する請求項１または２に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項4】

前記補強材は、前記ダイの周りに設けられた銅のリングを含む請求項３に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項5】

前記コアレス基板上に前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を配置した状態で、前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を除去する段階を行う請求項１から４の何れか一項に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項6】

前記補強材は、前記基板に接着剤を使用せずに取り付けられる請求項３または４に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項7】

前記キャリア材は、銅を含む請求項１から６の何れか一項に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項8】

前記コアレス基板は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの一部分を含む請求項１から７の何れか一項に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項9】

エッチング停止層によって分離される上層及び下層を含むキャリア材に、キャビティを形成する段階と、
前記キャビティ内にダイを取り付ける段階と、
前記キャリア材の前記下層上で、前記ダイに隣接して誘電体を形成する段階と、
前記ダイが設けられている領域に、ダイパッド接続構造を形成する段階と、
前記ダイが設けられていない領域に、前記キャリア材の前記下層と接続するためのビアを形成する段階と、
前記誘電体上に複数の層を形成することにより、コアレス基板を形成する段階と、
前記キャリア材の前記下層から、前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を除去する段階と
を備えるパッケージ構造の製造方法。

【請求項10】

インダクタ及びＰｏＰランド構造のうちの少なくとも一方を形成するべく、前記キャリア材の前記下層をパターニングする段階を更に備える請求項９に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項11】

前記キャリア材の前記下層は、接着剤を使用せずにコアレスパッケージに取り付けられる請求項９または１０に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項12】

前記コアレス基板は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの一部分を含む請求項９から１１の何れか一項に記載のパッケージ構造の製造方法。

【請求項13】

前記ＰｏＰランド構造の上面は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの上面と同一平面を成す請求項１０に記載のパッケージ構造の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

プロセッサの性能向上のために半導体技術が進歩し、パッケージ構造の進化には、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ（ＢＢＵＬ−Ｃ）パッケージ構造及びその他同様なアセンブリが含まれる。ＢＢＵＬ−Ｃパッケージの現在のプロセスフローは、銅箔で覆われた仮のコア／キャリア上に基板を構築し、パッケージがコアから分離された後に、仮のコア／キャリアがエッチングにより取り除かれる。

【図面の簡単な説明】

【0002】

【図1a】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1b】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1c】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1d】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1e】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1f】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1g】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図1h】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図2a】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図2b】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図2c】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図2d】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図2e】本発明の一実施形態に係る構造を形成する方法を示した図である。

【図3】本発明の一実施形態に係るシステムを示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0003】

本明細書には、本発明の特定の実施形態を指す及び明瞭に特許請求された特許請求の範囲が添付されるが、本発明の利点は、添付の図面及び以下に記す詳細な説明を参照することにより、明らかとなるであろう。

【0004】

以下の詳細な説明は、方法を実行可能な特定の実施形態を例示した添付の図面を参照して行われる。これらの実施形態は、当業者が実施形態を実施可能なように十分詳細に記載されている。様々な実施形態は、その構成が異なってはいても、必ずしも相互に排他的ではないことは理解されるべきである。例えば、一実施形態に関連して記載される特定の特徴、構造又は特性は、実施形態の精神及び範囲から逸脱することなく、その外の実施形態に実装されてもよい。また、開示される実施形態のそれぞれにおいて、個々の要素の位置又は配置は、実施形態の精神及び範囲内において修正可能である。したがって、以下の詳細な説明は、本発明を限定するものとして解釈されるべきではなく、実施形態の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ規定され、特許請求の範囲の均等物の全範囲に沿って適切に解釈される。図面において、同一の又は同様な機能に対しては、複数図面間で同様な参照番号が付与されている。

【0005】

以下、パッケージ構造のようなマイクロ電子構造を形成及び利用する方法及び関連する構造について記載する。方法は、ダイをキャリア材に取り付ける段階を備えてもよく、キャリア材は、エッチング停止層で互いに分離される上層及び下層を含む。方法はまた、ダイに隣接して誘電体を形成する段階と、複数の層を構築することによりコアレス基板を形成する段階と、キャリア材の上層及びエッチング停止層をキャリア材の下層から除去する段階とを備える。実施形態の方法は、キャリア材の機能化を可能として、例えば、ＥＭＩ（電磁干渉）シールド、補強材、熱拡散体、インダクタ、ＰｏＰランド構造のように、機能化されたキャリア構造を形成することができる。

【0006】

図１ａ〜１ｈには、例えば、パッケージ構造のようなマイクロ電子構造を形成する方法の実施形態が示されている。図１ａ〜１ｈには、キャリア材１００、１００'が示されている。一実施形態において、キャリア材１００は、マイクロ電子ダイキャリアのような、キャリアとして機能する多層銅箔を含んでもよい。別の実施形態において、キャリア材は、任意の好適な導電キャリア材１００を含んでもよい。一実施形態において、キャリア材１００は、図に示すように、上層１００及び下層１００'の２層を含んでもよく、別の実施形態では、１層又は３層以上の層を含んでもよい。

【0007】

一実施形態において、キャリア材１００は、これに限定されないが、例えば、銅のような導電材料で形成され、薄いエッチングバリア（停止）層１０２によって分離される２つの層を含んでもよい。一実施形態において、エッチング停止層１０２は、例えば、ニッケルのような材料を含んでもよく、キャリア層間のエッチングを停止させる機能を有するエッチング停止層として機能する任意の材料を含んでもよい。一実施形態において、エッチング停止層１０２は、例えば、エッチングプロセスの間に特に、キャビティ１０４（図１ｂ）の形成を助長してもよい。一実施形態において、キャリア材の下層１００'の厚み１０３は、次の組み立て段階においてキャリア材１００'に埋め込まれるダイの厚み及び埋め込み深さによって決定されてもよい。

【0008】

例えば、キャリア材の下層１００'の一部分を取り除くことにより、キャビティ１０４がキャリア材の１層に形成されてもよい。キャビティ１０４は、当技術分野で周知のエッチング工程のような好適な除去プロセスを利用して形成されてもよい。例えば、マスク材料がキャリア材の下層１００'上に積層されて、キャリア材１００'がパターニングされて、次にダイが配置されるキャビティ１０４が形成されてもよい。キャリア材料層１００、１００'間のエッチング停止層１０２は、キャビティ１０４の形成のためのエッチング停止層として機能してもよく、ダイを配置するための平面を画定してもよい。形成されるキャビティ１０４は、下部１０１、傾斜部１０５及び上部１０７を含んでもよく、上部１０７は、エッチング停止層１０２の一部分を含む。

【0009】

別の実施形態において、キャビティ１０４が形成され、キャリア材１００の下部は、図１ｃに示すようにほぼ平坦のままであってもよい。一実施形態において、マイクロ電子ダイ１０６のようなダイは、例えば、キャビティ１０４内に取り付けられる（図１ｃ）。一実施形態において、ダイ１０６は、厚みの小さいダイ１０６であってもよく、約１５０ミクロン未満の厚みを有してもよい。一実施形態において、ダイ１０６は、キャビティ１０４の上部１０７に取り付けられてもよい。一実施形態において、ダイ１０６は、少なくとも１つの側壁１０８、背面１１１及び能動面１１２を有してもよい。一実施形態において、ダイ１０６の背面１１１は、キャビティ１０４内のエッチング停止層１０２の一部分上に直接配置されてもよい。ある場合には、キャリア材１００'のキャビティ１０４内にダイ１０６を取り付けるのに、接着フィルム（図示せず）及び／又は取り付けプロセスを使用してもよい。一実施形態において、銅のようなキャリア材料の表面を粗面化して、ダイ１０６の取り付けを容易にしてもよい。

【0010】

一実施形態において、ダイ１０６の背面１１１を保護するべく、最終的なパッケージに残る部分として接着フィルムを使用することができ、例えば、マーキングを行うための面を提供する、及び／又は、ダイ１０６内に発生する可能性がある撓みを緩和するのに使用されてもよい。一実施形態において、接着剤として、ダイを配置する前に、ダイ１０６の背面１１１に塗布される背面フィルム（ＤＢＦ）を使用してもよい。ＤＢＦには、例えば、後の工程で接続されるマクロチャネル・ヒートスプレッダのような熱拡散デバイスとの導電性を改善するべく、金属粒子（例えば、銅又は銀）が充填されている。

【0011】

キャリア材１００'上であって、キャリア材１００'のキャビティ１０４内のダイ１０６に隣接して、誘電体１１０が形成されてもよい。一実施形態において、誘電体１１０は、例えば、積層プロセスによって形成されてもよい。誘電体１１０は、ダイ１０６を囲むキャリア材１００'の、キャビティ１０４の下面１０１、キャビティ１０４の傾斜部１０５及びキャビティ１０４の上部１０７の一部に形成されてもよい。誘電体１１０は、次の堆積工程のために、平坦な面を提供してもよい。一実施形態において、堆積を行う前に、誘電体１１０の接着を助長させるべく、キャリア材１００'の粗面化を行ってもよい。

【0012】

一実施形態において、ビア１１３は、ダイ１０６のランディングであるダイ領域における誘電体１１０に形成されてもよく、例えば、銅のダイパッドであるダイパッドが、ダイ１０６の能動側１１２で露出されてもよい。一実施形態において、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）を使用して、ダイ１０６のダイパッド上にダイパッド接続構造１１２を形成し、第１金属層１１４が、ダイ１０６に隣接する誘電体１１０上に形成されてもよい（図１ｆ）。標準的な基板ＳＡＰビルドアップ処理を使用して、次の層が形成されてもよく、例えば、更なる誘電体層１１０'及び金属層１１４'が積層されて、ビルドアッププロセスを利用して、コアレスパッケージ構造１２０のコアレス基板部分１１６が形成されてもよい（図１ｇ）。一実施形態において、コアレスパッケージ構造１２０は、ＢＢＵＬコアレスパッケージ構造１２０を含んでもよく、ダイ１０６は、コアレスパッケージ１２０に完全に埋め込まれていてもよく、ここで、"完全に埋め込まれている"とは、ダイ１０６がキャビティ１０４を使用せずに直接、誘電体層１１０'に取り付けられていることを指す。

【0013】

一実施形態において、ビルドアップが完了すると、上部キャリア材１００及びエッチング停止層１０２が除去されて、コアレスパッケージ構造１２０（図１ｈ）に接合された下部キャリア材１００'が露出されてもよい。場合によっては、キャリア材１００'には、後の酸化を低減させるべく化学的処理が行われてもよい。一実施形態において、下部キャリア材１００'は、少なくとも１つの機能化キャリア構造１００'を形成するべく、パターニングされてもよい。一実施形態において、機能化キャリア構造１００'は、コアレスパッケージ構造１２０の深さ１２２内に配置されてもよい。機能化キャリア材１００'は、様々な機能を提供するべく形成されてもよい。例えば、一実施形態において、コアレスパッケージ１２０上又は内に保持されるキャリア材１００'は、補強材１００'として機能してもよい。コアレス基板部分１１６は、ある場合には、外側から付加されるマクロ的接着剤の供給を行うことなく、補強材／機能化キャリア構造１００'上に直接構築されてもよい。一実施形態において、コアレスパッケージ構造１２０は更に、パッケージ構造１２０に付加されるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）ボールのような接続構造１２５を備えてもよい。

【0014】

一実施形態において、適切な材料の特性を調整することにより、ダイ１０６の周りに存在するキャリア材１００'（ある場合には、銅のリングである）によって、コアレスパッケージ構造１２０の撓みを緩和することができる。ある従来のコアレスＢＢＵＬパッケージ構造では、製品に必要に小さなフォームファクター（〜１２×１２ｍｍ）が採用されている。補強材としてのポストパッケージを製造することは、パッケージの製造に更なるコストがかかることを意味することから、更なるポストパッケージを製造することなく、補強材１００'をＢＢＵＬパッケージ構造１２０に付加する構成は、特に、大きなフォームファクターを有する製品の場合に有益である。このように、本実施形態の補強材は、チップセット及びｌｏｗ−ｚモバイルＣＰＵのような、価格重視のマーケット／アーキテクチャに対する技術の拡張を可能とする。その他の実施形態では、キャリア材１００'は、これに限定されないが、熱拡散材の形成、ＥＭＩ（電磁干渉）シールド等の複数の付加機能を提供するべく機能化／形成されてもよい。一実施形態において、少なくとも１つの機能化キャリア構造１００'の上面１１５は、コアレスバンプレス・ビルドアップパッケージ１２０の上面１１３と同一平面であってもよく、ダイ１０６の背面１１１と同一平面であってもよい。

【0015】

別の実施形態において、セミアディティブプロセスを使用して、ダイ２０６のダイパッド上にダイパッド接続構造２１２を形成してもよく、第１金属層２１４が、ダイ２０６に隣接して誘電体２１０上に形成されてもよい（図２ａ）。下キャリア層２００'との接続を行うべく、ビア２１５がダイ領域の外側（ダイが形成されていない領域）に形成されてもよく、エッチング停止層２０２が下キャリア層２００'上に配置され、上キャリア層２００がエッチング停止層２０２上に配置されてもよい（図２ａ）。

【0016】

次に、パッケージ２２０の残りの部分を形成するべく、標準的な基板ＳＡＰビルドアップ方法を使用して次の層が形成されてもよく、例えば、更なる誘電体層２１０'及び金属層２１４'が積層されて、ビルドアッププロセスを利用して、コアレスパッケージ構造２２０のコアレス基板部分２１６が形成されてもよい（図２ｂ）。一実施形態において、コアレスパッケージ構造２２０は、ＢＢＵＬコアレスパッケージ構造２２０を含んでもよい。一実施形態において、キャリア材２００の上層及びエッチング停止層２０２は、取り除かれてもよい（図２ｃ）。そして、インダクタ構造２０１を形成するべく、下層２００'がパターニングされてもよい。一実施形態において、下キャリア材層２００上にドライフィルムを積層して、インダクタ構造２０１を形成するべく、減法パターニングが実行されてもよい。ある場合には、化学的及び環境的損傷からインダクタ構造２０１を保護するべく、更なる化学処理又はエポキシ材のオーバーモールドを実行してもよい。

【0017】

図２ｄには、ダイ２０６の両側に設けられる螺旋形状のインダクタ構造２０１が描かれており、その開始点と終了点の下にパッケージ２２０との電気的接続を行うべくビアが設けられる（ビアは図示せず）。別の実施形態では、キャリア材２００の上層及びエッチング停止層２０２が除去された後、ダイ２０６に隣接するＰｏＰ（パッケージオンパッケージ）ランド構造２０３を形成するべく、キャリア材下層２００'がパターニングされてもよい（図２ｅ）。一実施形態において、キャリア材２００'の上層にドライフィルムが積層されて、ＰｏＰ構造２０３を形成するべく、減法パターニングが実行されてもよい。

【0018】

ある場合には、ＰｏＰ構造２０３の上面に所望の表面仕上げを形成するべく、更なる処理が実行されてもよい。本実施形態の利点は、ＰｏＰパッド２０３の上面２３１を、ダイ２０６の上面（背面）２３０の高さと同じにする／同一平面にして、Ｚ−高さを改善し、コアレスパッケージ構造２２０に別のパッケージを付加する能力を改善させることができることである。図３には、本発明の一実施形態に係るコンピュータシステムが示されている。システム３００は、プロセッサ３１０、メモリデバイス３２０、メモリコントローラ３３０、グラフィックスコントローラ３４０、入出力（Ｉ／Ｏ）コントローラ３５０、ディスプレイ３５２、キーボード３５４、ポンティングデバイス３５６及び周辺デバイス３５８を備え、ある実施形態では、これらは、バス３６０を介して互いに通信可能に接続されていてもよい。プロセッサ３１０は、汎用プロセッサ又は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）であってもよい。Ｉ／Ｏコントローラ３５０は、有線通信又は無線通信のための通信モジュールを有してもよい。メモリデバイス３２０は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）デバイス、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）デバイス、フラッシュメモリデバイス、又は、これらメモリデバイスの組み合わせであってもよい。したがって、幾つかの実施形態では、システム３００内のメモリデバイス３２０は、ＤＲＡＭデバイスを備えなくてもよい。

【0019】

システム３００に示す１以上の構成要素は、例えば、図１ｈ、図２ｃ及び図２ｅに示した機能化キャリア材を含むパッケージ構造のような、１以上の集積回路パッケージに含まれてもよい、及び／又は、このような１以上の集積回路パッケージを含んでもよい。例えば、プロセッサ３１０又はメモリデバイス３２０、又は、Ｉ／Ｏコントローラ３５０の少なくとも一部、又は、これら構成要素の組み合わせが、上記の様々な実施形態で説明された様々な機能化キャリア材構造のような少なくとも１つの実施形態の構造を備える集積回路パッケージに含まれてもよい。

【0020】

これら構成要素は、当技術分野で周知の従来の機能を実行してもよい。具体的には、メモリデバイス３２０を、本発明の実施形態に係るパッケージ構造を形成する方法の実行可能命令を長期的に格納するのに使用してもよく、別の実施形態では、プロセッサ３１０による実行の間に本発明の実施形態に係るパッケージ構造を形成する方法の実行可能命令を短期的に格納するのに使用してもよい。更に、例えば、コンパクトディスクリードオンリーメモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）及びフロッピー（登録商標）ディスクのようなシステム、搬送波及び／又はその他の搬送信号と通信可能に接続される機械アクセス可能媒体に、命令が格納される又は関連付けられてもよい。一実施形態において、メモリデバイス３２０は、実行のための実行可能命令をプロセッサ３１０に供給してもよい。

【0021】

システム３００は、コンピュータ（例えば、デスクトップ、ラップトップ、ハンドヘルドデバイス、サーバ、ウェブアプライアンス、ルータ等）、無線通信デバイス（例えば、携帯電話、コードレス電話、ページャ、ＰＤＡ等）、コンピュータ関連周辺機器（例えば、プリンタ、スキャナ、モニタ等）、エンターテーメントデバイス（例えば、テレビ、ラジオ、ステレオ、テープ及びコンパクトディスクプレーヤ、ビデオカセットレコーダ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＰ３（Motion Picture Experts Group, Audio Layer 3）プレーヤ、ビデオゲーム、腕時計等）等を含んでもよい。

【0022】

本実施形態の利点により、将来のモバイル／携帯システムオンチップ（ＳｏＣ）プロセッサの設計条件を満足可能な新規のパッケージ構造を、現在のパッケージ構造のコストのほぼ半分で製造することが可能になる。様々な実施形態によれば、ポストパッケージ製造コストを掛けることなく、撓み改善の補強材、ＥＭＩシールド、インダクタ構造、ＰｏＰランド構造及び熱拡散構造を付加することが可能となる。パッケージ内のダイの厚みを考慮してインターポーザを採用する必要なく、様々な実施形態のＰｏＰランド構造を形成することができる。

【0023】

コアレスＢＢＵＬパッケージの従来技術のプロセスフローでは、パッケージがコアから分離された後にエッチングで除去される銅箔で被覆された仮コア／キャリア上に基板を構築していた。本発明の実施形態は、キャリア上のキャリア材／銅箔を機能化する方法を含み、熱拡散構造、撓み改善構造、ＲＦ構成要素の電磁干渉（ＥＭＩ）シールド、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）アプリケーションのパッドの形成等の機能を付与することができ、コスト削減及びスループットの向上を図ることができる。

【0024】

上記の説明では、本発明の方法で使用されてもよい特定の段階及び材料が記載されたが、当業者であれば数多くの変形及び代替が可能であることが理解できる。したがって、そのような変形、代替、置換及び付加についても、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の精神及び範囲内に含まれると考えられる。また、パッケージ構造のような様々なマイクロ電子構造は、当技術分野において周知であることは明らかである。したがって、添付の図面には、本発明の実施に関するマイクロ電子デバイスの一例の一部分しか描かれていない。また、本発明は、本明細書に記載される構造に限定されない。
［項目１］
エッチング停止層によって分離される上層及び下層を含むキャリア材に、キャビティを形成する段階と、
前記キャビティ内にダイを取り付ける段階と、
前記キャリア材の前記下層上で、前記ダイに隣接して誘電体を形成する段階と、
前記誘電体上に複数の層を形成することにより、コアレス基板を形成する段階と、
前記キャリア材の前記下層から、前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を除去する段階とを備える方法。
［項目２］
前記キャリア材の前記下層は、前記コアレス基板に付着されている項目１に記載の方法。
［項目３］
前記キャリア材の前記下層は、熱拡散体、ＥＭＩシールド構造及び補強材のうちの少なくとも１つを有する項目２に記載の方法。
［項目４］
前記補強材は、前記ダイの周りに設けられた銅のリングを含む項目３に記載の方法。
［項目５］
前記コアレス基板上に前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を配置した状態で、前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を除去する段階を行う項目１に記載の方法。
［項目６］
前記補強材は、前記基板に接着剤を使用せずに取り付けられる項目４に記載の方法。
［項目７］
前記キャリア材は、銅を含む項目１に記載の方法。
［項目８］
前記コアレス基板は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの一部分を含む項目１に記載の方法。
［項目９］
エッチング停止層によって分離される上層及び下層を含むキャリア材に、ダイを取り付ける段階と、
前記キャリア材の前記下層上で、前記ダイに隣接して誘電体を形成する段階と、
前記ダイが設けられている領域に、ダイパッド接続構造を形成する段階と、
前記ダイが設けられていない領域に、前記キャリア材の前記下層と接続するためのビアを形成する段階と、
前記誘電体上に複数の層を形成することにより、コアレス基板を形成する段階と、
前記キャリア材の前記下層から、前記キャリア材の前記上層及び前記エッチング停止層を除去する段階と
を備える方法。
［項目１０］
インダクタ及びＰｏＰランド構造のうちの少なくとも一方を形成するべく、前記キャリア材の前記下層をパターニングする段階を更に備える項目９に記載の方法。
［項目１１］
前記キャリア材の前記下層は、接着剤を使用せずに前記コアレスパッケージに取り付けられる項目９に記載の方法。
［項目１２］
前記コアレス基板は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの一部分を含む項目９に記載の方法。
［項目１３］
前記ＰｏＰランド構造の上面は、前記コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの上面と同一平面を成す項目１０に記載の方法。
［項目１４］
コアレス基板に埋め込まれたダイと、
前記ダイに隣接する誘電体と、
前記ダイのダイパッド領域に設けられたダイパッド接続構造と、
前記コアレス基板内に設けられた少なくとも１つの機能化キャリア構造とを備え、
前記少なくとも１つの機能化キャリア構造の上面は、前記コアレス基板の上面と同一平面をなす構造。
［項目１５］
前記少なくとも１つの機能化構造は、銅材を含む項目１４に記載の構造。
［項目１６］
前記コアレス基板は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの一部分を含む項目１４に記載の構造。
［項目１７］
前記少なくとも１つの機能化キャリア構造は、補強材、熱拡散体及びＥＭＩシールドのうちの少なくとも１つを含む項目１４に記載の構造。
［項目１８］
前記機能化キャリア構造は、接着剤を使用せずに前記コアレスパッケージに取り付けられる項目１４に記載の構造。
［項目１９］
前記機能化キャリア構造は、銅を含む項目１８に記載の構造。
［項目２０］
前記ダイは、前記機能化キャリア構造の上面と同一平面をなし、前記コアレス基板に完全に埋め込まれている項目１６に記載の構造。
［項目２１］
コアレス基板に埋め込まれたダイと、
前記ダイに隣接する誘電体と、
前記ダイのダイパッド領域に設けられたダイパッド接続構造と、
前記コアレス基板のダイが設けられていない領域に配置され、機能化キャリア構造に接続されるビアとを備え、
前記機能化キャリア構造は、前記コアレス基板内に設けられ、
前記機能化キャリア構造の上面は、前記コアレス基板の上面と同一平面をなす構造。
［項目２２］
前記機能化キャリア構造は、銅材を含む項目２１に記載の構造。
［項目２３］
前記コアレス基板は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの一部分を含む項目２１に記載の構造。
［項目２４］
前記機能化キャリア構造は、インダクタ及びＰｏＰランド構造のうちの少なくとも一方を含む項目２１に記載の構造。
［項目２５］
前記ＰｏＰランド構造の上面は、コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージの上面と同一平面をなす項目２４に記載の構造。
［項目２６］
前記コアレス・バンプレス・ビルドアップレイヤ・パッケージは、インターポーザを含まない項目２５に記載の構造。
［項目２７］
前記少なくとも１つのインダクタは、前記ダイに隣接する少なくとも１つの螺旋形状インダクタを含み、
前記少なくとも１つの螺旋形状インダクタの上面は、前記ダイの上面と同一平面をなす項目２４に記載の構造。
［項目２８］
前記構造に通信可能に接続されるバスと、前記バスに通信可能に接続されるＤＲＡＭとを有するシステムを更に備える項目２１に記載の構造。
［項目２９］
前記ダイは、前記機能化キャリア構造の上面と同一平面をなし、前記ダイは、前記コアレス基板に完全に埋め込まれている項目２１に記載の構造。
［項目３０］
前記機能化キャリア構造は、接着剤を使用せずに前記コアレスパッケージに取り付けられる項目２１に記載の構造。

【図1a】

【図1b】

【図1c】

【図1d】

【図1e】

【図1f】

【図1g】

【図1h】

【図2a】

【図2b】

【図2c】

【図2d】

【図2e】

【図3】