特許第5665463号(P5665463)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5665463ＩＩＩ族窒化物半導体素子製造用基板およびＩＩＩ族窒化物半導体自立基板またはＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法
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