特許第5665627号(P5665627)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5665627シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びに成膜装置及び半導体装置の製造方法
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  • 特許5665627-シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びに成膜装置及び半導体装置の製造方法 図000009
  • 特許5665627-シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びに成膜装置及び半導体装置の製造方法 図000010
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