特許5673106窒化珪素基板の製造方法、窒化珪素基板、窒化珪素回路基板および半導体モジュール

発明の名称　窒化珪素基板の製造方法、窒化珪素基板、窒化珪素回路基板および半導体モジュール

出願人　日立金属株式会社　（識別番号 5083）

　　　　特許公開件数ランキング 107 位（275件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 139 位（196件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5673106

公報発行日　2015年2月18

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5673106

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