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特許5684551ＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板、ＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板、ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびＩＩＩ族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法
発明の名称 ＩＩＩ族窒化物半導体成長用基板、ＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板、ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびＩＩＩ族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法
出願人 ＤＯＷＡホールディングス株式会社 （識別番号 224798）
特許公開件数ランキング 1178 位（9件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1447 位（7件）（共同出願を含む）
出願人 ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社 （識別番号 506334182）
特許公開件数ランキング 1178 位（6件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 924 位（9件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-5684551
公報発行日 2015年3月11
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5684551
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