特許5742810プラズマドーピング装置、プラズマドーピング方法、および半導体素子の製造方法

発明の名称　プラズマドーピング装置、プラズマドーピング方法、および半導体素子の製造方法

出願人　東京エレクトロン株式会社　（識別番号 219967）

　　　　特許公開件数ランキング 35 位（579件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 20 位（769件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5742810

公報発行日　2015年7月1

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5742810

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