特許第5749411号(P5749411)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5749411酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス
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