特許 5761921 フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5761921

(24)【登録日】2015年6月19日

(45)【発行日】2015年8月12日

(54)【発明の名称】フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C01G 49/00 20060101AFI20150723BHJP

   G03G 9/107 20060101ALI20150723BHJP

   G03G 9/113 20060101ALI20150723BHJP

【ＦＩ】

   C01G49/00 A

   G03G9/10 321

   G03G9/10 351

【請求項の数】5

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2010-76582(P2010-76582)

(22)【出願日】2010年3月30日

(65)【公開番号】特開2011-207656(P2011-207656A)

(43)【公開日】2011年10月20日

【審査請求日】2013年2月2日

(73)【特許権者】

【識別番号】506334182

【氏名又は名称】ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000224802

【氏名又は名称】ＤＯＷＡ ＩＰクリエイション株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100111811

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】小川 翔

(72)【発明者】

【氏名】北村 利哉

【審査官】 延平 修一

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−２４４７９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２４１７４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−００２５１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０８６３３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 Simsa, Zdenek and Brabers, Victor A. M.，Low temperature electrical properties of magnetite and manganese ferrites，IEEE Transactions on Magnetics ，１９８８年，vol.24 No.2，pp.1910-1914

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０１Ｇ ４９／００−４９／０８

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

組成式：Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ（但し、０＜ｘ＜０．８）で表わされるフェライト粒子であって、
フェライト相におけるスピネル格子中の酸素過剰量δが、０.０１≦δ≦０．１８であることを特徴とするフェライト粒子。

【請求項2】

平均粒子径が１０μｍ〜１００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載のフェライト粒子。

【請求項3】

請求項１又は２記載のフェライト粒子の表面を樹脂で被覆したことを特徴とする電子写真現像用キャリア。

【請求項4】

請求項３記載のキャリアとトナーとを含む電子写真用現像剤。

【請求項5】

Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４（但し、０≦ｘ＜０．８）で表わされる組成のフェライト粒子が生成するように成分調整されたＦｅ原料及びＭｇ原料を媒体液中で混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有し、
前記焼成工程における酸素濃度を０．０３％〜２０．６％の範囲とすると共に、冷却過程を下記式（１）を満たす条件で行い、
Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ（但し、０.０１≦δ≦０．１８）で表わされるフェライト粒子を生成させることを特徴とするフェライト粒子の製造方法。
−５０００≦Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２≦０ ・・・・・・（１）
（式中、Ｔ：温度（℃），Ｐ_Ｏ２＝酸素圧力／全体圧力）

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フェライト粒子及びそれを用いた電子写真現像用キャリア、電子写真用現像剤並びにフェライト粒子の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

電子写真方式を用いたファクシミリやプリンタ、複写機などの画像形成装置では、現像剤である粉体のトナーを感光体上の静電潜像に付着させ、当該付着したトナー像を所定の用紙等へ転写した後、加熱・加圧して用紙等へ溶融定着させている。ここで、現像剤としては、トナーのみを含む一成分系現像剤を用いる一成分系現像法と、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤を用いる二成分系現像法とに大別される。そして、近年は、ほとんどの場合、トナーの荷電制御が容易で安定した高画質を得ることができ、高速現像が可能であることから二成分系現像法が用いられている。

【0003】

二成分系現像法では、キャリアは現像スリーブ上でトナーを抱合した磁気ブラシを形成し、当該磁気ブラシを介して、感光体へトナーを移動させる働きをする。ここで、現像スリーブ上でキャリアが磁気ブラシを形成するにあたって、キャリアの磁力が重要となる。キャリアの磁力が低すぎると、キャリア‐現像スリーブ間、キャリア‐キャリア間の結合力が弱くなる。当該結合力が弱いと、磁気ブラシを形成するキャリアが、回転する現像スリーブの遠心力に耐え切れず、キャリアまでがトナーと一緒に感光体に飛散するために、感光体にキャリアが付着する現象（キャリア付着）が起き、画像異常となる。

【0004】

他方、キャリアの磁力が高すぎると、キャリア同士の結合力が強くなり磁気ブラシが硬くなりすぎる。すると、当該磁気ブラシから感光体へトナーが移動する際に、一部に集中して移動するため、バラつきが多くなり、画質が悪くなるという現象が起きる。また、現像トルクが高いため、現像剤の劣化が早く、耐久性が悪くなる。

【0005】

そこで、例えば特許文献１では、マグネシウム（以下「Ｍｇ」と記すことがある）フェライト粒子の表面を樹脂被覆したキャリアにおいて、Ｍｇの含有量を所定範囲とし、窒素雰囲気、または窒素＋酸素共存下で焼成することで所定の磁気特性を備えた電子写真用キャリアが提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００１−１５４４１６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

近年、画像形成装置における画像形成速度の高速化及び高画質化の市場要求に対応するため、キャリアとして使用するフェライト粒子の高電気抵抗化、高帯電化が求められている。

【0008】

ところが、前記提案された電子写真用キャリアでは、飽和磁化は所定範囲に維持されると考えられるが、電気抵抗に関する検討がなされていないため、電気抵抗が低く、電荷のリークが生じ、画質劣化を引き起こすおそれがある。

【0009】

本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、所望の飽和磁化を有するとともに、高電気抵抗を有するフェライト粒子及びその製造方法を提供することにある。

【0010】

また、本発明の目的は、高速化及び高画質化を満足する電子写真現像用キャリア及び電子写真用現像剤を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明者らは、所望の飽和磁化と高い電気抵抗と有するフェライト粒子を得るべく、鋭意検討を重ねた結果、組成としてはＭｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４で表されるフェライト粒子が適していること、そしてフェライト粒子が酸素を過剰に取り込むと、鉄の価数が変化し、飽和磁化を含む磁力及び電気抵抗が変化することを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明に係るフェライト粒子は、組成式：Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ（但し、０＜ｘ＜０．８）で表わされ、フェライト相におけるスピネル格子中の酸素過剰量δが、０.０１≦δ≦０．１８であることを特徴とする。

【0012】

また、本発明者等は、フェライト粒子における酸素の取り込み量は、焼成過程における酸素化学ポテンシャルμ_Ｏ２（以下「μ_Ｏ２」と記載する場合がある）で制御できること、また冷却過程におけるμ_Ｏ２を調整することで、フェライト粒子の内部まで均一に酸素過剰にできることを見出した。ここで、μ_Ｏ２はμ_Ｏ２＝ＲＴｌｎＰ_Ｏ２の式で表すことができ、温度と酸素濃度によって変化させることができる。そこで、本発明に係るフェライト粒子の製造方法は、Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４（但し、０≦ｘ＜０．８）で表わされる組成のフェライト粒子が生成するように成分調整されたＦｅ原料及びＭｇ原料を媒体液中で混合してスラリーを得る工程と、前記スラリーを噴霧乾燥させて造粒物を得る工程と、前記造粒物を焼成して焼成物を得る工程とを有し、前記焼成工程における酸素濃度を０．０３％〜２０．６％の範囲とすると共に、冷却過程を下記式（１）を満たす条件で行い、Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ（但し、０.０１≦δ≦０．１８）で表わされるフェライト粒子を生成させることを特徴とする。
−５０００≦Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２≦０ ・・・・・・（１）
（式中、Ｔ：温度（℃），Ｐ_Ｏ２＝酸素圧力／全体圧力）

【0013】

ここで、フェライト粒子の平均粒子径としては、１０μｍ〜１００μｍの範囲が好ましい。

【0014】

また、本発明によれば、前記記載のフェライト粒子の表面を樹脂で被覆したことを特徴とする電子写真現像用キャリアが提供される。

【0015】

さらに、本発明によれば、前記記載のキャリアとトナーとを含む電子写真用現像剤が提供される。

【発明の効果】

【0016】

本発明のフェライト粒子は、フェライト相におけるスピネル格子中に酸素を所定量過剰に有するので、所望の飽和磁化を有すると同時に高電気抵抗を有する。

【0017】

また、本発明の電子写真現像用キャリア及び電子写真用現像剤は、前記フェライト粒子を用いているので、画像形成の高速化及び高画質化に対応できる。

【0018】

そしてまた、本発明の製造方法では、式（１）を満たす条件で焼成を行うので、フェライト粒子に取り込まれる過剰酸素量を制御できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】参考例１〜６のフェライト粒子についてＸ線回折パターン。

【図2】酸素化学ポテンシャルμ_Ｏ２と格子定数との関係を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0020】

まず、本発明に係るフェライト粒子について説明する。本発明に係るフェライト粒子の大きな特徴は、組成式：Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ（但し、０＜ｘ＜０．８）で表され、フェライト中のスピネル構造における酸素過剰量δが、０.０１≦δ≦０．１８の範囲であることにある。これにより、例えば、所定の飽和磁化σ_ｓを維持しながら、電気抵抗も高く維持できるようになる。ｘとしては０.２〜０．６の範囲が好ましく、より好ましくは０.４〜０．６の範囲である。これは、ｘが上記好適範囲であると、フェライト粒子が酸素を過剰に取り込む型となるからである。また、酸素過剰量δが０．０１未満であると、本発明の効果を得ることができず、酸素過剰量δが０．１８を超えると、酸素を取り込みすぎて単相のフェライトを得ることができず、本発明の効果を得ることができなくなる。酸素過剰量δのより好ましい範囲は、０．０５〜０．１２である。

【0021】

本発明に係るフェライト粒子の平均粒子径としては１０μｍ〜１００μｍの範囲が好ましい。平均粒子径が１０μｍ以上あることで、粒子のそれぞれに必要な磁力が確実に付与され、例えば、フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いた場合に、感光体へのキャリア付着が抑制されるようになる。一方、平均粒子径が１００μｍ以下であることで、画像特性を良好に保つことができるようになる。フェライト粒子の平均粒子径を上記範囲とするには、フェライト粒子の製造工程中または製造工程後に篩等を用いて分級処理を行えばよい。

【0022】

本発明に係るフェライト粒子の好ましい飽和磁化σ_ｓは、２０〜９０ｅｍｕ／ｇの範囲である。飽和磁化σ_ｓが２０ｅｍｕ／ｇ未満であると、例えば、フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いた場合に、感光体へのキャリア付着が頻繁に起きるおそれがある。一方、飽和磁化σ_ｓが９０ｅｍｕ／ｇを超えると、磁気ブラシの穂が硬くなり、電子写真現像における画質低下を招くおそれがある。フェライト粒子の、より好ましい飽和磁化σ_ｓは３０〜８０ｅｍｕ／ｇの範囲であり、さらに好ましくは４０〜７０ｅｍｕ／ｇの範囲である。

【0023】

本発明に係るフェライト粒子の好ましい電気抵抗は、印加電圧１０Ｖにおいて１×１０^７〜１×１０^１２Ωｃｍの範囲である。電気抵抗が１×１０^７Ωｃｍ未満であると、電荷のリークが起きるおそれがある一方、電気抵抗が１×１０^１２Ωｃｍを超えると、エッジ効果が大きくなり画像濃度の低下を招くおそれがある。フェライト粒子の、より好ましい電気抵抗は１×１０^８〜１×１０^１１Ωｃｍの範囲であり、さらに好ましくは１×１０^９〜１×１０^１０Ωｃｍの範囲である。

【0024】

本発明のフェライト粒子は各種用途に用いることができ、例えば、電子写真現像用キャリアや電磁波吸収材、電磁波シールド材用材料粉末、ゴム、プラスチック用充填材・補強材、ペンキ、絵具・接着剤用艶消材、充填材、補強材等として用いることができる。これらの中でも特に電子写真現像用キャリアとして好適に用いられる。

【0025】

本発明のフェライト粒子の製造方法に特に限定はないが、以下に説明する製造方法が好適である。

【0026】

まず、Ｆｅ原料とＭｇ原料とを秤量して分散媒中に投入し混合してスラリーを作製する。Ｆｅ原料としては、Ｆｅ_２Ｏ_３粉、Ｆｅ酸化物、Ｆｅ水酸化物等が使用でき、Ｍｇ原料としては、ＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉、Ｍｇ酸化物、Ｍｇ水酸化物等が好適に使用できる。スラリーの固形分濃度は５０〜９０ｗｔ％の範囲が望ましい。原料であるＦｅ原料、Ｍｇ原料を分散媒に投入する前に、必要により、粉砕混合処理しておいてもよい。

【0027】

本発明で使用する分散媒としては水が好適である。分散媒には、前記Ｆｅ原料、Ｍｇ原料の他、必要によりバインダー、分散剤等を配合してもよい。バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコールが好適に使用できる。バインダーの配合量としてはスラリー中の濃度が０．５〜２ｗｔ％程度とするのが好ましい。また、分散剤としては、例えば、ポリカルボン酸アンモニウム等が好適に使用できる。分散剤の配合量としてはスラリー中の濃度が０．５〜２ｗｔ％程度とするのが好ましい。その他、潤滑剤や焼結促進剤等を配合してもよい。

【0028】

次に、以上のようにして作製されたスラリーを必要により湿式粉砕する。例えば、ボールミルや振動ミルを用いて所定時間湿式粉砕する。粉砕後の原材料の平均粒径は５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。振動ミルやボールミルには、所定粒径のメディアを内在させるのがよい。メディアの材質としては、鉄系のクロム鋼や酸化物系のジルコニア、チタニア、アルミナなどが挙げられる。粉砕工程の形態としては連続式及び回分式のいずれであってもよい。粉砕物の粒径は、粉砕時間や回転速度、使用するメディアの材質・粒径などによって調整される。

【0029】

そして、粉砕されたスラリーを噴霧乾燥させて造粒する。具体的には、スプレードライヤーなどの噴霧乾燥機にスラリーを導入し、雰囲気中へ噴霧することによって球状に造粒する。噴霧乾燥時の雰囲気温度は１００〜３００℃の範囲が好ましい。これにより、粒径１０〜２００μｍの球状の造粒物が得られる。なお、得られた造粒物は、振動ふるい等を用いて、粗大粒子や微粉を除去し粒度分布をシャープなものとするのが望ましい。

【0030】

次に、得られた造粒物を加熱した炉に投入して焼成し、磁性相を有する焼成物を得る。焼成温度は、目的となる磁性相が生成する温度範囲に設定すればよいが、本発明に係るフェライト粒子を製造する場合には、１０００〜１４００℃の温度範囲で焼成することが好ましい。より好ましくは、１１００℃〜１３５０℃の温度範囲である。

【0031】

ここで重要なことは、前記式（１）を満たす条件で焼成工程における冷却を行うことである。これにより、フェライト粒子中のスピネル構造における酸素過剰量δを０.０１≦δ≦０．１８の範囲とすることができ、その結果、適切な飽和磁化と高い電気抵抗を有するフェライト粒子が得られる。具体的には、例えば、炉内の酸素濃度を０．０３％〜２０．６％の範囲とし、μ_Ｏ２が１２００℃において−１００ＫＪ／ｍоｌ以上、−１９ＫＪ／ｍоｌ以下、８００℃において−７４ＫＪ／ｍоｌ以上、−１４ＫＪ／ｍоｌ以下、４００℃において−４５ＫＪ／ｍоｌ以上、−８ＫＪ／ｍоｌ以下の冷却過程を経るようにする。このような範囲となるように炉内の温度Ｔ及び酸素圧力Ｐ_Ｏ２を制御することによって、粒子内部まで酸素過剰なフェライト粒子が得られる。また、焼成工程における冷却段階において、所望の飽和磁化、電気抵抗になるように制御したμ_Ｏ２のところで、炉内の焼成物を液体窒素や水などの冷却溶媒の中に浸漬させて焼成物を得るようにしてもよい。これにより温度降下中の反応が抑えられ、目的とするμ_Ｏ２での飽和磁化、電気抵抗が得られるようになる。後述の実施例では、冷却段階において急冷するこの方法で所定の酸素過剰量のフェライト粒子を作製した。なお、炉内の酸素圧力の制御は、大気または大気と窒素の混合ガスを炉内にフローさせることにより行えばよい。

【0032】

次に、得られた焼成物を解砕する。具体的には、例えば、ハンマーミル等によって焼成物を解砕する。解砕工程の形態としては連続式及び回分式のいずれであってもよい。そして、必要により、粒径を所定範囲に揃えるため分級を行ってもよい。分級方法としては、風力分級や篩分級など従来公知の方法を用いることができる。また、風力分級機で１次分級した後、振動篩や超音波篩で粒径を所定範囲に揃えるようにしてもよい。さらに、分級工程後に、磁場選鉱機によって非磁性粒子を除去するようにしてもよい。

【0033】

以上のようにして作製した本発明のフェライト粒子を、電子写真現像用キャリアとして用いる場合、フェライト粒子をそのまま電子写真現像用キャリアとして用いることもできるが、帯電性等の観点からは、フェライト粒子の表面を樹脂で被覆して用いるのが好ましい。

【0034】

フェライト粒子の表面を被覆する樹脂としては、従来公知のものが使用でき、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ−４−メチルペンテン−１、ポリ塩化ビニリデン、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂、ポリスチレン、（メタ）アクリル系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、並びにポリ塩化ビニル系やポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エストラマー、フッ素シリコーン系樹脂などが挙げられる。

【0035】

フェライト粒子の表面を樹脂で被覆するには、樹脂の溶液又は分散液をフェライト粒子に施せばよい。塗布溶液用の溶媒としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類溶媒；エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒；エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒などの１種又は２種以上を用いることができる。塗布溶液中の樹脂成分濃度は、一般に０．００１〜３０ｗｔ％、特に０．００１〜２ｗｔ％の範囲内にあるのがよい。

【0036】

フェライト粒子への樹脂の被覆方法としては、例えばスプレードライ法や流動床法あるいは流動床を用いたスプレードライ法、浸漬法等を用いることができる。これらの中でも、少ない樹脂量で効率的に塗布できる点で流動床法が特に好ましい。樹脂被覆量は、例えば流動床法の場合には吹き付ける樹脂溶液量や吹き付け時間によって調整することができる。

【0037】

本発明に係る電子写真用現像剤は、以上のようにして作製したキャリアとトナーとを混合してなる。キャリアとトナーとの混合比に特に限定はなく、使用する現像装置の現像条件などから適宜決定すればよい。一般に現像剤中のトナー濃度は１〜２０ｗｔ％の範囲が好ましい。トナー濃度が１ｗｔ％未満の場合、画像濃度が薄くなりすぎ、他方トナー濃度が２０ｗｔ％を超える場合、現像装置内でトナー飛散が発生し機内汚れや転写紙などの背景部分にトナーが付着する不具合が生じるおそれがあるからである。より好ましいトナー濃度は３〜１５ｗｔ％の範囲である。

【0038】

キャリアとトナーとの混合は、従来公知の混合装置を用いることができる。例えばヘンシェルミキサー、Ｖ型混合機、タンブラーミキサー、ハイブリタイザー等を用いることができる。

【実施例】

【0039】

（実施例１）
Ｆｅ_２Ｏ_３とＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉を準備し、Ｆｅ_２Ｏ_３：ＭｇＦｅ_２Ｏ_４＝１：１（モル比）となるように秤量した。原料の配合比は、組成式Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δにおいて、ｘ＝０．６に相当するものである。分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムを、媒体液中濃度が１％となるように添加した純水中に、秤量したＦｅ_２Ｏ_３とＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉を分散させ混合物とした。この混合物を湿式ボールミル（メディア径２ｍｍ）で粉砕処理し、スラリーを得た。

【0040】

得られたスラリーをスプレードライヤーにて約１５０℃の熱風中に噴霧し、粒径１０〜１００μｍの乾燥造粒物を得た。そして、篩を用いて粒径が１００μｍを超える造粒物を除去した。得られた乾燥造粒物を、電気炉に投入して、酸素濃度１％の雰囲気下にて、１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：１．０×１０^−２、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２４００）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。なお、フェライト粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置（日機装株式会社製マイクロトラック、Ｍｏｄｅｌ ９３２０−Ｘ１００）を用いて測定したものである。

【0041】

得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を下記方法で測定した。また、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0042】

（酸素過剰量δの測定方法）
Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δにおいて、Ｍｇは２価（＋２）、Ｏは２価（−２）であるから、Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ格子中に酸素過剰がない（δ＝０）場合、Ｆｅの理論価数は下記式から算出される。
Ｆｅの理論価数＝{（８−２ｘ）/（３−ｘ）}
一方、格子中に酸素過剰が存在する場合、Ｆｅの平均価数は下記式から算出される。
Ｆｅの平均価数＝｛（４＋δ）×２−２ｘ｝/（３−ｘ）
＝（８−２ｘ＋２δ）/（３−ｘ）
＝（８−２ｘ）/（３−ｘ）＋２δ/（３−ｘ）
＝Ｆｅの理論価数＋２δ/（３−ｘ）
したがって、Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δ格子中の酸素過剰量δは下記式から求められる。
δ＝(３−ｘ)/２（Ｆｅの平均価数−Ｆｅの理論価数）

【0043】

なお、Ｆｅの平均価数は次のようにして求める。まず、フェライト粒子を、炭酸ガスのバブリング中で還元性の酸である塩酸（ＨＣｌ）水に溶解させ溶液とする。その後、当該溶液中のＦｅ^２＋イオンの量を過マンガン酸カリウム溶液で電位差滴定することにより定量分析し、当該滴定量からＦｅ^２＋の定量値（α）を求める。
次に、フェライト粒子を上記と同量秤量し、塩酸と硝酸の混酸水に溶解させ溶液とする。次いで、当該溶液を蒸発乾固させた後、乾固物に硫酸水を添加して再溶解させて溶液とし、過剰な塩酸と硝酸を揮発させる。当該溶液へ固体Ａｌを添加して、溶液中のＦｅ^３＋をＦｅ^２＋に還元する。続いて、この還元された溶液のＦｅ^２＋イオンの量を、過マンガン酸カリウム溶液で電位差滴定することにより定量分析し、当該滴定量から総Ｆｅの定量値（β）を求める。
次いで、総Ｆｅの定量量（β）からＦｅ^２＋の定量値（α）を引いて、フェライト粒子のＦｅ^３＋量とする。そして、以下式からＦｅの平均価数を算出する。
Ｆｅ平均価数＝｛３×（β−α）＋２×α｝／β

【0044】

（飽和磁化測定）
フェライトの磁気特性は、ＶＳＭ（東英工業株式会社製、ＶＳＭ−Ｐ７）を用いて磁化率の測定を行い、印加磁場１０ｋＯｅにおける飽和磁化σ_ｓ（ｅｍｕ／ｇ）を測定した。

【0045】

（電気抵抗測定）
表面を電解研磨した厚さ２ｍｍの電極としての真鍮板２枚を、距離２ｍｍ離して対向するように配置した。電極間にフェライト粒子２００ｍｇを装入した後、それぞれの電極の背後に、断面積２４０ｍｍ^２の磁石（表面磁束密度が１５００ガウスのフェライト磁石）を配置して、電極間にフェライト粒子のブリッジを形成させた。そして、１０Ｖから１０００Ｖまでの直流電圧を電極間に印加し、フェライト粒子に流れる電流値を測定し、フェライト粒子の電気抵抗を算出した。

【0046】

（画像評価）
シリコーン系樹脂（信越化学製、ＫＲ２５１）をトルエンに溶解させて被覆樹脂溶液を作製した。そして、フェライト粒子と被覆樹脂溶液とを重量比で９：１の割合にて撹拌機に投入し、フェライト粒子を樹脂溶液に浸漬しながら１５０〜２５０℃で３時間加熱撹拌した。この樹脂被覆されたフェライト粒子を、熱風循環式加熱装置にて２５０℃で５時間加熱し樹脂被覆層を硬化させてキャリアを得た。
得られたキャリア９２重量％と、フルカラー複写機のトナー（シアン）８重量％をＶ型混合機で混合して電子写真現像剤とした。この電子写真現像剤を、現像バイアス電圧として交流バイアス電圧を印加する、デジタル反転現像方式の２０枚／分の画像形成装置をベースにした評価機に投入して、初期、５０Ｋ枚、１００Ｋ枚、１５０Ｋ枚時にグレー画像を出力させた。そして、キャリア付着に起因するホワイトスポットの有無に着目して下記基準により画像評価を行った。
「◎」は非常に良好
「○」は良好
「△」は使用可能なレベル
「×」は使用不可

【0047】

（実施例２）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが１０００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−２、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２０００のところで急冷した以外は、実施例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0048】

（実施例３）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが８００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−２、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１６００のところで急冷した以外は、実施例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0049】

（実施例４）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが６００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−２、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１２００のところで急冷した以外は、実施例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0050】

（実施例５）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが４００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−２、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−８００のところで急冷した以外は、実施例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0051】

（実施例６）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが２５℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−２、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−５０のところで焼成物を得たこと以外は実施例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0052】

（実施例７）
ｘ＝０．４となるように、Ｆｅ_２Ｏ_３とＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉とを９：４（モル比）で配合した以外は、実施例１と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度０．１％の雰囲気下で造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：１．０×１０^−３、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−３６００）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0053】

（実施例８）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが１０００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−３、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−３０００のところで急冷した以外は、実施例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0054】

（実施例９）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが８００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−３、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２４００のところで急冷した以外は、実施例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0055】

（実施例１０）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが６００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−３、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１８００のところで急冷した以外は、実施例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0056】

（実施例１１）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが４００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−３、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１２００のところで急冷した以外は、実施例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0057】

（実施例１２）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが２５℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が１．０×１０^−３、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−７５のところで焼成物を得たこと以外は実施例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0058】

（実施例１３）
ｘ＝０．２となるように、Ｆｅ_２Ｏ_３とＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉とを６：１（モル比）で配合し、さらに還元剤としてのカーボンブラックをＦｅ２Ｏ３とＭｇＦｅ２Ｏ４仮焼粉の総量に対して０．７５ｗｔ％配合したこと以外は、実施例１と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度０．０３％の雰囲気下で造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−４４３９）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0059】

（実施例１４）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが１０００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−３６９９のところで急冷した以外は、実施例１３と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0060】

（実施例１５）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが８００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２９５９のところで急冷した以外は、実施例１３と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0061】

（実施例１６）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが６００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２２１９のところで急冷した以外は、実施例１３と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0062】

（実施例１７）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが４００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１４８０のところで急冷した以外は、実施例１３と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0063】

（実施例１８）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが２５℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−９２のところで焼成物を得たこと以外は実施例１３と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0064】

（比較例１）
ｘ＝０．７となるように、ＭｇＯとＦｅ_２Ｏ_３とを７：３（モル比）で配合した以外は、実施例１と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、窒素雰囲気下で造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−９２）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0065】

（比較例２）
ｘ＝０．４５となるように、ＭｇＯとＦｅ_２Ｏ_３とを８：２３（モル比）で配合した以外は、実施例１と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、窒素雰囲気下で造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−９２）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0066】

（参考例１）
Ｆｅ_２Ｏ_３とＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉を準備し、Ｆｅ_２Ｏ_３：ＭｇＦｅ_２Ｏ_４＝３：８（モル比）となるように秤量した。原料の配合比は、組成式Ｍｇ_ｘＦｅ_３−ｘＯ_４＋δにおいて、ｘ＝０．８に相当するものである。分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムを、媒体液中濃度が１％となるように添加した純水中に、秤量したＦｅ_２Ｏ_３とＭｇＦｅ_２Ｏ_４仮焼粉を分散させ混合物とした。この混合物を湿式ボールミル（メディア径２ｍｍ）で粉砕処理し、スラリーを得た。

【0067】

得られたスラリーをスプレードライヤーにて約１５０℃の熱風中に噴霧し、粒径１０〜１００μｍの乾燥造粒物を得た。そして、篩を用いて粒径が１００μｍを超える造粒物を除去した。得られた乾燥造粒物を、電気炉に投入して、大気フロー雰囲気下にて、１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：２．１×１０^−１、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−８１３）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0068】

（参考例２）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが１０００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．１×１０^−１、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−６７８のところで急冷した以外は、参考例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0069】

（参考例３）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが８００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．１×１０^−１、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−５４２のところで急冷した以外は、参考例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0070】

（参考例４）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが６００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．１×１０^−１、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−４０７のところで急冷した以外は、参考例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0071】

（参考例５）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが４００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．１×１０^−１、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２７１のところで急冷した以外は、参考例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0072】

（参考例６）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが２５℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．１×１０^−１、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１７のところで焼成物を得たこと以外は参考例１と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのＭｇフェライト粒子を得た。
得られたＭｇフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、Ｍｇフェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0073】

（参考例７）
Ｆｅ_２Ｏ_３のみを準備し秤量したこと、さらに還元剤としてのカーボンブラックをＦｅ_２Ｏ_３の総量に対して１ｗｔ％配合したこと以外は、実施例１と同様にして造粒物を得た。そして、焼成工程において、酸素濃度０．０３％の雰囲気下で造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、直ちに急冷して焼成物を得た（温度Ｔ：１２００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）：２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−４４３９）。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0074】

（参考例８）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが１０００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−３６９９のところで急冷した以外は、参考例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0075】

（参考例９）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが８００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２９５９のところで急冷した以外は、参考例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0076】

（参考例１０）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが６００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−２２１９のところで急冷した以外は、参考例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0077】

（参考例１１）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが４００℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−１４８０のところで急冷した以外は、参考例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0078】

（参考例１２）
焼成工程において、造粒物を１２００℃で３時間焼成した後、冷却段階において温度Ｔが２５℃、酸素分圧Ｐ_Ｏ２（酸素圧力／全体圧力）が２．０×１０^−４、Ｔ×ｌｏｇＰ_Ｏ２＝−９２のところで焼成物を得たこと以外は、参考例７と同様にして焼成物を得た。得られた焼成物を粉砕処理した後、篩を用いて粗粒及び微粒を除去し、平均粒子径４５μｍのフェライト粒子を得た。
得られたフェライト粒子の酸素過剰量δ、飽和磁化σｓ、電気抵抗を実施例１と同様にして測定すると共に、フェライト粒子を樹脂被覆してキャリアとし評価機に投入し、画像評価を行った。結果を表１にまとめて示す。

【0079】

【表1】

【0080】

実施例１〜１８のフェライト粒子は、酸素過剰量δが０．０２９〜０．１７３であり、所望の飽和磁化及び高い電気抵抗を有していた。また、これらのフェライト粒子を用いたキャリアでは、１５０Ｋの耐刷試験後でも、実使用上支障来すようなホワイトスポットは発生しなかった。これに対して、比較例１及び比較例２のＭｇフェライト粒子は、還元雰囲気で焼成したため、酸素過剰量δがゼロとなり、所望の飽和磁化及び電気抵抗が得られなかった。このため、比較例１及び比較例２のＭｇフェライト粒子を用いたキャリアでは、実使用上支障を来すようなホワイトスポットが発生した。

【0081】

前記実施例で作製した各フェライト粒子の結晶構造を確認するため、参考例１〜６のフェライト粒子についてＸ線回折（「ＸＲＤ」X-ray diffraction）分析を行った。図１にＸＲＤ分析の結果を示す。この図から明らかなように、参考例１〜６のフェライト粒子は、Ｆｅ_２Ｏ_３相を若干含むものの、ほぼ単相のＭｇＦｅ_２Ｏ_４で構成されていることがわかる。

【0082】

また、前記実施例で作製した各粒子が、フェライトと酸素との連続固溶体であることを確認するため、参考例１〜６の粒子について、酸素化学ポテンシャルμ_Ｏ２及びＸＲＤパターンから求めた格子定数を求め、それらの関係を調べた。図２に、酸素化学ポテンシャルμ_Ｏ２と格子定数との関係を示す。この図から明らかなように、酸素化学ポテンシャルμ_Ｏ２が大きくなると共に、格子定数も増えている。したがって、参考例１〜６で作製した各粒子は、フェライトと酸素との連続固溶体であることがわかる。

【産業上の利用可能性】

【0083】

本発明のフェライト粒子は、フェライト相におけるスピネル格子中に酸素を所定量過剰に有するので、所望の飽和磁化を有すると同時に高電気抵抗を有する。これにより、例えば、本発明のフェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いると、画像形成の高速化及び高画質化に対応できるようになる。

【図1】

【図2】