特許第5829934号(P5829934)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5829934ブール成長された炭化ケイ素ドリフト層を使用してパワー半導体デバイスを形成する方法、およびそれによって形成されるパワー半導体デバイス
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