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クリー　インコーポレイテッド

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　■　2024年出願公開件数ランキング　　　第635位　39件（2023年：第512位　61件）

　■　2024年特許取得件数ランキング　　　第758位　28件（2023年：第1002位　22件）

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クリー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7587591	炭化ケイ素結晶材料の転位分布	2024年11月20日
特許 7585455	改善された耐久性を有する縦型ＳＩＣ半導体デバイス	2024年11月18日
特許 7584630	短絡耐量を向上させたパワー炭化ケイ素ベースの半導体デバイス及びそのようなデバイスを作製する方法	2024年11月15日
特許 7578731	エッチ停止／電界制御層を含む多層ゲート誘電体層を有するパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法	2024年11月 6日
特許 7578816	トレンチ付きゲートを含むパワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法	2024年11月 6日
特許 7565365	配線用に構成されたデバイスキャリア、配線を有するデバイスキャリアを実装するパッケージ、およびその製作方法	2024年10月10日
特許 7555436	無線周波数トランジスタ増幅器パッケージ	2024年 9月24日
特許 7550946	結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法	2024年 9月13日
特許 7550239	セグメント化されたトレンチとシールドとを伴うトレンチ型パワー・デバイス	2024年 9月12日
特許 7547446	シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ－型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ	2024年 9月 9日
特許 7543452	埋込みｐ型層を有する第ＩＩＩ族窒化物高電子移動度トランジスタおよびその作製プロセス	2024年 9月 2日
特許 7538275	バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力ＭＭＩＣデバイス	2024年 8月21日
特許 7530522	電力モジュール	2024年 8月 7日
特許 7523577	改善された絶縁破壊特性を有するゲート誘電体層を有する半導体パワー・デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法	2024年 7月26日
特許 7520154	ダイの前面でのピラー接続及び裏面での受動デバイス集積のための方法	2024年 7月22日

28 件中 1-15 件を表示

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7587591 7585455 7584630 7578731 7578816 7565365 7555436 7550946 7550239 7547446 7543452 7538275 7530522 7523577 7520154

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