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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第613位 32件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第812位 21件 (2023年:第1002位 22件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7550946 | 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 | 2024年 9月13日 | |
特許 7550239 | セグメント化されたトレンチとシールドとを伴うトレンチ型パワー・デバイス | 2024年 9月12日 | |
特許 7547446 | シリコンカーバイド基板に深く注入されたP-型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ | 2024年 9月 9日 | |
特許 7543452 | 埋込みp型層を有する第III族窒化物高電子移動度トランジスタおよびその作製プロセス | 2024年 9月 2日 | |
特許 7538275 | バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力MMICデバイス | 2024年 8月21日 | |
特許 7530522 | 電力モジュール | 2024年 8月 7日 | |
特許 7523577 | 改善された絶縁破壊特性を有するゲート誘電体層を有する半導体パワー・デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2024年 7月26日 | |
特許 7520154 | ダイの前面でのピラー接続及び裏面での受動デバイス集積のための方法 | 2024年 7月22日 | |
特許 7507214 | 高電圧電力モジュール | 2024年 6月27日 | |
特許 7505037 | シールドされた伝送線路構造を有するRF増幅器 | 2024年 6月24日 | |
特許 7492602 | 高電力用途のための電力モジュール | 2024年 5月29日 | |
特許 7474782 | 内側供給フィンガを有する高出力トランジスタ | 2024年 4月25日 | |
特許 7474349 | RF増幅器パッケージ | 2024年 4月24日 | |
特許 7473638 | 伝導チャネルに近接した階段状フィールド・プレート及び関連する製造方法 | 2024年 4月23日 | |
特許 7465288 | 半導体ウェハをダイシングする方法およびこの方法によって作製された半導体装置 | 2024年 4月10日 |
21 件中 1-15 件を表示
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7550946 7550239 7547446 7543452 7538275 7530522 7523577 7520154 7507214 7505037 7492602 7474782 7474349 7473638 7465288
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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9月26日(木) -
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