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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第856位 7件
(2024年:第668位 40件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第492位 13件
(2024年:第703位 35件)
(ランキング更新日:2025年4月4日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7657307 | 熱伝導性接着層を備えた基板を有するパッケージ化された電子デバイス | 2025年 4月 4日 | |
特許 7655891 | 低インダクタンスおよび高速スイッチングを有する、パワーデバイスを並列化するための高電力多層モジュール | 2025年 4月 2日 | |
特許 7652840 | パワーエレクトロニクス用のパッケージ | 2025年 3月27日 | |
特許 7649377 | 傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス | 2025年 3月19日 | |
特許 7646843 | スタックボンドを組み込むデバイス及びそれをボンディングする方法 | 2025年 3月17日 | |
特許 7645380 | ソフトな回復のボディ・ダイオードを有するパワー・トランジスタ | 2025年 3月13日 | |
特許 7636435 | 電気接点領域用のバリア層 | 2025年 2月26日 | |
特許 7634603 | リフローされた金属間誘電体層を有するパワー半導体デバイス | 2025年 2月21日 | |
特許 7634658 | 統合信号ボードを備えたエレベーテッドパワープレーンを有するパワーモジュール及びその実装プロセス | 2025年 2月21日 | |
特許 7633281 | 入力ベースバンド増強回路を実装する無線周波数増幅器および該無線周波数増幅器を実装するプロセス | 2025年 2月19日 | |
特許 7621431 | イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法 | 2025年 1月24日 | |
特許 7611944 | ハイブリッド・ゲート構造を有するパワー・デバイス | 2025年 1月10日 | |
特許 7612013 | 半導体デバイスのためのパッシベーション構造 | 2025年 1月10日 |
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7657307 7655891 7652840 7649377 7646843 7645380 7636435 7634603 7634658 7633281 7621431 7611944 7612013
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4月9日(水) -
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4月11日(金) -
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