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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第716位 29件
(
2025年:第745位 34件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第823位 20件
(
2025年:第625位 37件)
(ランキング更新日:2026年10月13日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7923348 | ソフトな回復のボディ・ダイオードを有するパワー・トランジスタ | 2026年 9月17日 | |
| 特許 7914800 | ウェル注入中に形成されたトレンチ・シールド・パターンを有するゲート・トレンチ・パワー半導体デバイス及び関連する方法 | 2026年 9月 2日 | |
| 特許 7912620 | オンチップのゲート抵抗を有する半導体デバイス | 2026年 8月28日 | |
| 特許 7910047 | III族窒化物高電子移動度トランジスタおよびそれを作成するためのプロセス | 2026年 8月24日 | |
| 特許 7896089 | 改善された破壊性能を有するゲート・トレンチ・パワー半導体デバイス及びそのようなデバイスを形成する方法 | 2026年 7月28日 | |
| 特許 7894944 | 浅い伝導領域を備えるパワー半導体デバイス | 2026年 7月24日 | |
| 特許 7894480 | 少なくとも部分的に埋め込まれたフィールド・プレートを有する電界効果トランジスタ | 2026年 7月23日 | |
| 特許 7887507 | 多数段差付きフィールド・プレートを有する電界効果トランジスタ | 2026年 7月 9日 | |
| 特許 7879272 | 湿気バリアを有するパワー半導体デバイス | 2026年 6月23日 | |
| 特許 7867980 | チャンネル形成ダイアタッチ材料を用いたパッケージトランジスタおよびその実装プロセス | 2026年 6月 1日 | |
| 特許 7858785 | パワー半導体デバイスのためのエッジ終端及び関連する製造方法 | 2026年 5月14日 | |
| 特許 7855036 | 結晶材料をレーザ・ダメージ領域に沿って切り分けるための担体アシスト法 | 2026年 5月 7日 | |
| 特許 7840993 | シリコンカーバイド結晶性材料のための光吸収の低減 | 2026年 4月 6日 | |
| 特許 7840402 | オーミックコンタクトを備えるトランジスタ | 2026年 4月 3日 | |
| 特許 7839129 | 緩和された正の湾曲を有する炭化ケイ素ウェーハを処理するための方法 | 2026年 4月 1日 |
20 件中 1-15 件を表示
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7923348 7914800 7912620 7910047 7896089 7894944 7894480 7887507 7879272 7867980 7858785 7855036 7840993 7840402 7839129
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