【図1(a)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の一例を示す平面図である。

【図1(b)】図1(a)のA-A断面図である。

【図1(c)】図1(a)のB-B断面図である。

【図1(d)】図1(a)のC-C断面図である。

【図2】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置により発生する磁場の、ターゲット表面における磁束密度垂直成分がゼロとなる部分を示す模式図である。

【図3】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部の他の一例を示す平面図である。

【図4】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部のさらに他の一例を示す平面図である。

【図5】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部のさらに他の一例を示す平面図である。

【図6(a)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部に設けたシャント用磁性体の一例を示す模式断面図である。

【図6(b)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部に設けたシャント用磁性体の他の一例を示す模式断面図である。

【図6(c)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部に設けたシャント用磁性体のさらに他の一例を示す模式断面図である。

【図6(d)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部に設けたシャント用磁性体のさらに他の一例を示す模式断面図である。

【図6(e)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部に設けたシャント用磁性体のさらに他の一例を示す模式断面図である。

【図6(f)】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部に設けたシャント用磁性体のさらに他の一例を示す模式断面図である。

【図7】シャント用磁性体を挿入するための孔を設けた本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部の一例を示す斜視図である。

【図8(a)】シャント用部材を挿入するための孔を設けた本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のコーナー部の他の一例を示す斜視図である。

【図8(b)】図8(a)の磁場発生装置のコーナー部に使用するシャント用部材を示す斜視図である。

【図9】本発明の第一のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の他の一例を示す部分平面図である。

【図10(a)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の一例を示す平面図である。

【図10(b)】図10(a)のD-D断面図である。

【図11(a)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置における中央磁極部材の端部及び外周磁極部材のコーナー部の形状の一例を示す平面図である。

【図11(b)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置における中央磁極部材の端部及び外周磁極部材のコーナー部の形状の他の一例を示す平面図である。

【図11(c)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置における中央磁極部材の端部及び外周磁極部材のコーナー部の形状のさらに他の一例を示す平面図である。

【図11(d)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置における中央磁極部材の端部及び外周磁極部材のコーナー部の形状のさらに他の一例を示す平面図である。

【図12】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置により発生する磁力線の様子を示す模式断面図である。

【図13】従来のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置により発生する磁力線の様子を示す模式断面図である。

【図14】図12及び図13に示す磁場発生装置によってターゲット表面に発生する磁場の磁束密度水平成分をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。

【図15(a)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体の構成例を模式的に示す断面図である。

【図15(b)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体の他の構成例を模式的に示す断面図である。

【図15(c)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の構成例を模式的に示す断面図である。

【図15(d)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の構成例を模式的に示す断面図である。

【図15(e)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の構成例を模式的に示す断面図である。

【図15(f)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の構成例を模式的に示す断面図である。

【図16(a)】シャント用磁性体を挿入するための孔を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の一例を模式的に示す斜視図である。

【図16(b)】シャント用磁性体を挿入するための孔を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の他の一例を模式的に示す斜視図である。

【図17(a)】シャント用磁性体を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図17(b)】シャント用磁性体を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図18】シャント用磁性体を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のさらに他の一例を示す、ベース側から見た模式図である。

【図19(a)】シャント用磁性体を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のさらに他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図19(b)】シャント用磁性体を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のさらに他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図19(c)】シャント用磁性体を設けた本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のさらに他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図20(a)】磁性体部分と非磁性のスペーサとを積層してなるシャント板の一例を模式的に示す部分断面図である。

【図20(b)】磁性体部分と非磁性のスペーサとを積層してなるシャント板の他の一例を模式的に示す部分断面図である。

【図20(c)】磁性体部分と非磁性のスペーサとを積層してなるシャント板のさらに他の一例を模式的に示す部分断面図である。

【図20(d)】磁性体部分と非磁性のスペーサとを積層してなるシャント板のさらに他の一例を模式的に示す部分断面図である。

【図21(a)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図21(b)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図21(c)】本発明の第二のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置のシャント用磁性体のさらに他の一例を模式的に示す一部断面斜視図である。

【図22(a)】本発明の第三のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の一例を示す平面図である。

【図22(b)】図22(a)のE-E断面図である。

【図23(a)】比較例1の磁場発生装置を示す平面図である。

【図23(b)】図23(a)のF-F断面図である。

【図24】比較例1の磁場発生装置により発生する磁束密度分布を示すグラフである。

【図25(a)】実施例1の磁場発生装置を示す平面図である。

【図25(b)】図25(a)のG-G断面図である。

【図25(c)】図25(a)のH-H断面図である。

【図26】実施例1の磁場発生装置により発生する磁束密度分布を示すグラフである。

【図27】実施例6の磁場発生装置により発生する磁場のターゲット表面における磁束密度の垂直成分がゼロとなる点を示す模式図である。

【図28】実施例7の磁場発生装置により発生する磁場のターゲット表面における磁束密度の垂直成分がゼロとなる点を示す模式図である。

【図29】従来のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の一例を示す斜視図である。

【図30】従来のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置により発生する磁場のターゲット表面における磁束密度垂直成分がゼロとなる部分を示す模式図である。

【図31(a)】従来のマグネトロンスパッタリング用磁場発生装置の他の一例を示す平面図である。

【図31(b)】図31(a)のI-I断面図である。