特許5835977保護ダイオードを備えた半導体装置

発明の名称　保護ダイオードを備えた半導体装置

出願人　ラピスセミコンダクタ株式会社　（識別番号 308033711）

　　　　特許公開件数ランキング 12314 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 10267 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5835977

公報発行日　2015年12月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5835977

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