特許 5844571 リソグラフィ装置及びアライメント方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5844571

(24)【登録日】2015年11月27日

(45)【発行日】2016年1月20日

(54)【発明の名称】リソグラフィ装置及びアライメント方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20151224BHJP

【ＦＩ】

   G03F7/20 503

   G03F7/20 501

   G03F7/20 521

【請求項の数】14

【外国語出願】

【全頁数】32

(21)【出願番号】特願2011-173064(P2011-173064)

(22)【出願日】2011年8月8日

(65)【公開番号】特開2012-44170(P2012-44170A)

(43)【公開日】2012年3月1日

【審査請求日】2014年8月7日

(31)【優先権主張番号】61/372,703

(32)【優先日】2010年8月11日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(72)【発明者】

【氏名】クラッセン，ミシェル，フランソイス，ユーベル

(72)【発明者】

【氏名】クレウウェル，ハーマヌス，ヨハネス，マリア

【審査官】 植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−３５４０６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１２３９４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１０／００７９４５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特表２００６−５０１６６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０６７９１１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

リソグラフィ装置であって、
放射源からの放射を収集するコレクタを含むソースコレクタモジュールと、
前記コレクタによって収集された前記放射を調節して放射ビームを提供するイルミネータと、
検出器アレンジメントであって、
曲面状のリフレクタを備えるリフレクタアレンジメントであって、前記イルミネータに対して固定位置関係に配置され、前記ソースコレクタモジュールからの放射を反射するように配置されたリフレクタアレンジメントを備える検出器アレンジメントと、を備え、
前記曲面状のリフレクタの曲率半径Ｒは、

【数1】

によって付与され、ａは、前記コレクタによって収集された前記放射の中間焦点と前記曲面状のリフレクタの中心との間の距離であり、ｂは、前記曲面状のリフレクタの前記中心とセンサアレンジメントとの距離であり、
前記センサアレンジメントが、前記リフレクタアレンジメントに対して固定位置関係に配置され、前記曲面状のリフレクタによって反射された放射の少なくとも１つの特性を測定し、
前記検出器アレンジメントが、前記曲面状のリフレクタによって反射されて前記センサアレンジメントによって測定される放射の少なくとも１つの特性の関数としての前記放射の遠視野位置の場所を決定する、リソグラフィ装置。

【請求項2】

前記遠視野位置が、前記遠視野の幾何学的中心又は前記遠視野のパワー分布の平均中心である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。

【請求項3】

前記センサアレンジメントが一次元センサを備える、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。

【請求項4】

前記一次元センサがエッジ検出センサである、請求項３に記載のリソグラフィ装置。

【請求項5】

前記リフレクタアレンジメントが、全体に平面状のリフレクタを備える、請求項１から４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。

【請求項6】

前記リフレクタアレンジメントが、隔離されたリフレクタ領域をさらに備える、請求項５に記載のリソグラフィ装置。

【請求項7】

前記リフレクタアレンジメントが、実質的に非反射の領域と反射領域とをさらに備え、前記実質的に非反射の領域が、前記反射領域と前記隔離されたリフレクタ領域との間にある、請求項６に記載のリソグラフィ装置。

【請求項8】

前記実質的に非反射の領域、反射領域及び隔離されたリフレクタ領域が、ワンピース型コンポーネント又は一体型コンポーネントとして形成される、請求項７に記載のリソグラフィ装置。

【請求項9】

リソグラフィ装置であって、
放射源からの放射を収集するコレクタを含むソースコレクタモジュールと、
前記コレクタによって収集された前記放射を調節して放射ビームを提供するイルミネータと、
検出器アレンジメントであって、
曲面状のリフレクタを備えるリフレクタアレンジメントであって、前記イルミネータに対して固定位置関係に配置され、前記ソースコレクタモジュールからの放射を反射するように配置されたリフレクタアレンジメントと、
前記リフレクタアレンジメントに対して固定位置関係に配置され、前記曲面状のリフレクタによって反射された放射の少なくとも１つの特性を測定するセンサアレンジメントと、を備える検出器アレンジメントと、を備え、
前記検出器アレンジメントが、前記曲面状のリフレクタによって反射されて前記センサアレンジメントによって測定される放射の少なくとも１つの特性の関数としての前記放射の遠視野位置の場所を決定し、
前記曲面状のリフレクタの曲率が、前記ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの距離の相対的並進移動による検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の変化が前記ソースコレクタモジュールと前記イルミネータとの間の中間焦点周りの１／ａ ｍｒａｄの相対的傾斜による前記検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の変化と同じであり、ａは、前記コレクタによって収集された放射の中間焦点と前記曲面状のリフレクタの中心との間の距離である、リソグラフィ装置。

【請求項10】

少なくともその一部が前記コレクタに装着されるか又は前記コレクタの一部を形成する隔離された反射フィーチャをさらに備え、前記隔離された反射フィーチャが、前記コレクタの半径より小さい半径方向の距離に前記コレクタとの固定した位置関係にあるリフレクタ部分を備え、前記リフレクタ部分が比較的非反射の部分によって囲まれる、請求項１から９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。

【請求項11】

前記センサアレンジメントが二次元センサを備える、請求項１から１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。

【請求項12】

前記二次元センサが、位置検知デバイス（ＰＳＤ）又は電荷結合素子（ＣＣＤ）である、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。

【請求項13】

前記検出器アレンジメントが、複数の同様なリフレクタアレンジメントと、それに対応する同様のセンサアレンジメントと、を備える、請求項１から１２のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。

【請求項14】

リソグラフィ装置のソースコレクタモジュールとイルミネータとを整列させる方法であって、
前記ソースコレクタモジュールが、放射放出プラズマからの放射を収集するコレクタを含み、
前記イルミネータが、前記コレクタによって収集された放射を調節して放射ビームを提供し、
前記リソグラフィ装置が、
アクチュエータと、
検出器アレンジメントであって、
曲面状のリフレクタを備えるリフレクタアレンジメントであって、前記イルミネータに対して固定位置関係に配置されたリフレクタアレンジメントを備える検出器アレンジメントと、をさらに備え、
前記曲面状のリフレクタの曲率半径Ｒは、

【数2】

によって付与され、ａは、前記コレクタによって収集された前記放射の中間焦点と前記曲面状のリフレクタの中心との間の距離であり、ｂは、前記曲面状のリフレクタの前記中心とセンサアレンジメントとの距離であり、
前記センサアレンジメントが、前記リフレクタアレンジメントに対して固定位置関係に配置され、
前記方法が、
前記センサアレンジメントが、前記曲面状のリフレクタによって反射された放射の少なくとも１つの特性を測定するステップと、
前記検出器アレンジメントが、前記曲面状のリフレクタによって反射されて前記センサアレンジメントによって測定される前記放射の少なくとも１つの特性の関数としての前記放射の遠視野位置の場所を決定するステップと、
前記検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の場所をターゲット遠視野位置と比較するステップと、
前記アクチュエータが、前記ソースコレクタモジュールの少なくとも一部と前記イルミネータの少なくとも一部との間の相対的な移動を生起させて遠視野位置の場所を前記ターゲット遠視野位置の方へ移動させるステップと、を含む方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の一部を整列させる方法に関する。

【背景技術】

【0002】

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

【0003】

[0003] リソグラフィは、ＩＣ並びにその他のデバイス及び／又は構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを用いて作成されるフィーチャの寸法が微小化するにつれて、リソグラフィは微小ＩＣあるいはその他のデバイス及び／又は構造を製造するためのより決定的な要因になりつつある。

【0004】

[0004] パターン印刷の限界の理論的予想は、式（１）に示す解像度のレイリー基準によって与えられる。

【数1】

上式で、λは使用する放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するための投影システムの開口数、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれる工程依存の調整係数、ＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの低減が３つの方法で、すなわち、露光波長λを短縮することで、開口数ＮＡを増加させることで、又はｋ_１の値を低減することで得られることが分かる。

【0005】

[0005] 露光波長を短縮し、したがって、最小印刷可能サイズを低減するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、又は例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内であってもよい。可能な放射源は、例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子保存リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源を含む。

【0006】

[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成できる。ＥＵＶ放射を生成するように構成された放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するように構成されたレーザ、及びプラズマを含むように構成されたソースコレクタモジュールを含んでいてもよい。プラズマは、例えば、レーザビームを好適な材料（例えば、スズ）の微粒子又はＸｅガスもしくはＬｉ蒸気などの好適なガス又は蒸気のストリームなどの燃料へ誘導することで生成できる。その結果として得られるプラズマは、放射コレクタを用いて収集可能なＥＵＶ放射などの出力放射を発する。放射コレクタは、放射を受け、放射をビームに集束させるミラー付き垂直入射放射コレクタである。ソースコレクタモジュールは、プラズマを支持する真空環境を提供するように構成された包囲構造又はチャンバを含んでいてもよい。そのような放射システムは通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ばれる。

【0007】

[0007] コレクタの向き及び／又は位置は、放射がコレクタから誘導される（例えば、コレクタから反射する）方向を決定する。コレクタによって収集された放射が正確にリソグラフィ装置の各部へ誘導されることが望ましく、したがって、コレクタは放射を特定の方向へ誘導することが望ましい。特定の方向へ誘導された放射は、放射ビームと呼ぶことができる。イルミネータ（「イルミネータシステム」又は「イルミネータ構成」と呼ばれることもある）は、コレクタから放射ビームを受けるリソグラフィ装置の一部である。イルミネータは、放射ビームを調節してパターニングデバイスへ誘導できる。

【0008】

[0008] 特定の平面への放射ビームの投影は遠視野とも呼ばれる。本明細書で言う遠視野とは、照明システムに入射する放射ビームの経路にある特定の平面への投影と理解することができる。したがって、遠視野とはコレクタによって特定の平面へ誘導された放射ビームの像（特定平面上の）である。任意の平面へ誘導された放射ビームの投影は遠視野と呼ばれる。放射ビームが投影できる（したがって、遠視野を形成する）平面の一例は、イルミネータの第１の光学面である。イルミネータの第１の光学面は、リフレクタの光学面であってもよい。リフレクタは、放射ビームがイルミネータを横切る際に入射する最初のリフレクタであってもよい。遠視野位置は、遠視野の場所を記述するために使用できる基準位置である。遠視野位置は、遠視野の場所を記述する任意の適当な位置であってもよい。例えば、遠視野位置は、遠視野平面上に形成された像の中心（すなわち、投影の中心）であってもよい。像の中心は、像の幾何学的中心であってもよく、又は場合によっては像の中心は、像のパワー分布の平均中心位置であってもよい。

【0009】

[0009] 遠視野（及び遠視野位置）は、イルミネータの動作性能（したがって、リソグラフィ装置の結像性能及び／又はスループット）を向上させるために一定の境界内にあるのが好ましい。例えば、遠視野が投影ビームがイルミネータを横切る際に入射する第１のリフレクタの表面への放射ビームの投影である場合、遠視野は第１のリフレクタの表面の範囲を実質的に超えない程度であることが望ましい。代替的に又は追加的に、遠視野（この例では、投影の幾何学的中心によって画定される）が第１のリフレクタの表面の幾何学的中心に実質的に位置することが望ましい。例えば、リフレクタの表面が実質的に円形でリフレクタの表面に投影された遠視野も実質的に円形の場合、遠視野の半径はリフレクタの表面の半径に実質的に等しくてもよく、遠視野の位置はリフレクタの実質的に幾何学的中心にあってもよい。

【0010】

[00010] 遠視野の場所（したがって、遠視野の位置）は、コレクタの向きと位置によって変化する。リソグラフィ装置が初めて構成され使用される時には、コレクタがそのような特定の方向に放射を確実に誘導することが可能かもしれない。しかし、時間と共に放射ビームをこの特定の方向に確実に誘導することは困難になる。例えば、リソグラフィ装置の構成部品（例えば、放射源の構成部品）の動きによって放射方向が変わる場合がある。追加的に又は代替的に、リソグラフィ装置の構成部品を交換した（例えば、保守のために）場合、交換構成部品のアライメント不良によって放射方向が変わる場合がある。

【発明の概要】

【0011】

[00011] したがって、放射源のコレクタと、放射ビームの経路に沿って遠方に位置するリソグラフィ装置の部品とを整列又は再整列させることが望ましい。イルミネータは、コレクタによって誘導された放射を受けるリソグラフィ装置の構成部品であるため、遠視野（したがって、遠視野位置）が特定の境界内にあるようにコレクタと、イルミネータとを整列又は再整列させることが望ましい。

【0012】

[00012] 本発明の第１の態様によれば、リソグラフィ装置であって、放射源からの放射を収集するように構成されたコレクタを含むソースコレクタモジュールと、
コレクタによって収集された放射を調節して放射ビームを提供するイルミネータと、検出器アレンジメントであって、イルミネータに対して固定位置関係に配置され、ソースコレクタモジュールからの放射を反射するように配置されたリフレクタアレンジメントと、リフレクタアレンジメントに対して固定位置関係に配置され、リフレクタによって反射された放射の少なくとも１つの特性を測定するように構成されたセンサアレンジメントとを備える検出器アレンジメントとを備え、検出器アレンジメントが、リフレクタによって反射され、センサアレンジメントによって測定される放射の少なくとも１つの特性の関数としての放射の遠視野位置の場所を決定するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。

【0013】

[00013] 遠視野位置は、遠視野の幾何学的中心又は遠視野のパワー分布の平均中心であってもよい。

【0014】

[00014] センサアレンジメントは一次元センサを備えてもよい。

【0015】

[00015] リフレクタアレンジメントは、全体に平面状のリフレクタを備えてもよい。

【0016】

[00016] リフレクタアレンジメントは、隔離されたリフレクタ領域をさらに含んでもよい。

【0017】

[00017] リフレクタアレンジメントは、実質的に非反射の領域と、反射領域とをさらに含んでいてもよく、実質的に非反射の領域は、隔離されたリフレクタ領域と反射領域との間にあってもよい。

【0018】

[00018] 実質的に非反射の領域、反射領域及び隔離されたリフレクタ領域は、ワンピース型コンポーネント又は一体型コンポーネントとして形成されてもよい。

【0019】

[00019] リフレクタアレンジメントは、曲面状のリフレクタを備えてもよい。

【0020】

[00020] リフレクタの曲率半径（Ｒ）は、以下の式によって与えられ、

【数2】

上式で、ａは、コレクタによって収集された放射の中間焦点と曲面状のリフレクタの中心との間の距離、ｂは、曲面状のリフレクタの中心とセンサアレンジメントとの間の距離である。

【0021】

[00021] リフレクタの曲率は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの距離の相対的な並進移動による検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の変化が、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の中間焦点周りの1/a mradの相対的な傾斜による検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の変化と同じである（但し、ａはコレクタによって収集された放射の中間焦点と曲面状のリフレクタの中心との間の距離）ように構成されてもよい。

【0022】

[00022] リフレクタの曲率は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの距離の相対的な並進移動による検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の変化が、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の中間焦点周りの1/a mrad（ａは、コレクタによって収集された放射の中間焦点と曲面状のリフレクタの中心との間の距離）の相対的な傾斜による検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の変化と同じであるように構成されてもよい。リソグラフィ装置は、少なくともその一部がコレクタに装着されるか、又はコレクタの一部を形成する隔離された反射フィーチャをさらに含んでもよく、隔離された反射フィーチャはコレクタの半径より小さい半径方向の距離にコレクタとの固定した位置関係にあるリフレクタ部分を含み、上記リフレクタ部分は比較的非反射の部分によって囲まれていてもよい。

【0023】

[00023] 本発明のリソグラフィ装置は、遠視野位置が、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの距離の相対的な並進移動又はソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の中間焦点周りの１／ａ ｍｒａｄの相対的な傾斜によって移動する時に、リフレクタアレンジメントによって反射された放射によってセンサアレンジメント上に形成された像が第１の位置から第２の位置へ移動し、第１と第２の位置の間の距離がb/2a mmである（但し、ｂは、曲面状のリフレクタの中心とセンサアレンジメントとの間の距離）であるように構成されてもよい。

【0024】

[00024] センサアレンジメントは、二次元センサを備えてもよい。

【0025】

[00025] 二次元センサは、位置検知デバイス（ＰＳＤ）又は電荷結合素子（ＣＣＤ）であってもよい。

【0026】

[00026] 一次元センサは、エッジ検出センサであってもよい。

【0027】

[00027] 検出器アレンジメントは、複数の同様なリフレクタアレンジメントとそれに対応する同様のセンサアレンジメントを含んでもよい。

【0028】

[00028] 本発明の第２の態様によれば、リソグラフィ装置のソースモジュールとイルミネータとを整列させる方法であって、ソースモジュールが、放射放出プラズマからの放射を収集するように構成されたコレクタを含み、イルミネータが、コレクタによって収集された放射を調節して放射ビームを提供し、リソグラフィ装置が、アクチュエータと、検出器アレンジメントであって、イルミネータに対して固定位置関係に配置されたリフレクタアレンジメントと、リフレクタアレンジメントに対して固定位置関係に配置されたセンサアレンジメントとを備える検出器アレンジメントとをさらに備え、上記方法が、センサアレンジメントがリフレクタによって反射された放射の少なくとも１つの特性を測定するステップと、検出器アレンジメントがリフレクタによって反射され、センサアレンジメントによって測定される放射の少なくとも１つの特性の関数としての放射の遠視野位置の場所を決定するステップと、検出器アレンジメントによって測定された遠視野位置の場所をターゲット遠視野位置と比較するステップと、アクチュエータがソースコレクタモジュールの少なくとも一部とイルミネータの少なくとも一部との間の相対的な移動を生起させて遠視野位置の場所をターゲット遠視野位置の方へ移動させるステップとを含む方法。

【図面の簡単な説明】

【0029】

[00029] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

【図1】本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。

【図2】ＤＰＰソースコレクタモジュールＳＯを含む図１のリソグラフィ装置の一部の詳細図である。

【図3】ＬＰＰソースコレクタモジュールである代替のＤＰＰソースコレクタモジュールＳＯを含む図１のリソグラフィ装置を示す図である。

【図4】周知のリソグラフィ装置のイルミネータの一部を形成できる周知のリフレクタの前面概略図である。

【図5】中間焦点に関連して示す図１のリソグラフィ装置の一部を形成する第１の検出器アレンジメントの概略図である。

【図6】リフレクタに装着され、図５に示す複数の検出器アレンジメントを備える第２の検出器アレンジメントの概略図である。

【図7】遠視野位置の並進移動が図５に示す検出器アレンジメントに与える影響を示す概略図である。

【図8】遠視野位置の傾斜が図５に示す検出器アレンジメントに与える影響を示す概略図である。

【図9】第３の検出器アレンジメントの一部を形成するリフレクタアレンジメントの概略図である。

【図10】図９に示すリフレクタアレンジメントを有する第３の検出器アレンジメントの概略図である。

【図11】第４の検出器アレンジメントを備えるリソグラフィ装置の一部の概略図である。

【図12】第５の検出器アレンジメントを備えるリソグラフィ装置の一部の概略図である。

【図13】図１２に示すリソグラフィ装置のコレクタの概略図である。

【図14】図１２に示す検出器アレンジメントの一部を形成できる２つの二次元センサの概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

[00030] 図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示したものである。この装置は、
− 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影システム）ＰＳとを含む。

【0031】

[00031] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。

【0032】

[00032] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。

【0033】

[00033] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

【0034】

[00034] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。

【0035】

[00035] 照明システムなどの投影システムは、使用されている露光放射に、又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含んでいてもよい。他のガスは放射を吸収しすぎるので、ＥＵＶ放射には真空環境を用いることが望ましい。したがって、真空壁と真空ポンプの助けによりビーム経路全体に真空環境を提供することができる。

【0036】

[00036] 本明細書に示すように、本装置は反射型（例えば、反射マスクを使用する）である。

【0037】

[00037] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。

【0038】

[00038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲内の１つ又は複数の輝線で材料を少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、又はスズを有するプラズマ状態に変換することが挙げられるが、これらに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような方法で、必要な線発光素子を有する材料の液滴、流れ、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを供給するための図１に図示していないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、上記出力放射は、ソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて収集される。例えば、ＣＯ_２レーザを使用して燃料を励起するレーザビームを供給する場合、レーザ及びソースコレクタモジュールは、別個のエンティティであってもよい。

【0039】

[00039] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、好適な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えるビームデリバリシステムの助けにより渡される。他の場合では、例えば、放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである時には、放射源はソースコレクタモジュールの一体部分であってもよい。

【0040】

[00040] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するように構成されたアジャスタを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整できる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調節し、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布を付与できる。

【0041】

[00041] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いてパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って整列させてもよい。

【0042】

[00042] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

【0043】

[00043] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

【0044】

[00044] 図２は、ソースコレクタモジュールＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムＰＳとを含む装置１００の詳細図を示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、真空環境をソースコレクタモジュールＳＯの包囲構造２２０内に維持できるように構築され配置される。超高温のプラズマ２１０を放出するＥＵＶ放射が放電生成プラズマ源によって形成できる。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気によって生成でき、その内部に超高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。超高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを発生させる放電によって生成される。例えば、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又はその他の好適なガス又は蒸気の１０Ｐａの分圧が、放射を効率よく発生させるために必要になることがある。ある実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマを提供してＥＵＶ放射が生成される。

【0045】

[00045] 超高温プラズマ２１０が発する放射は、放射源チャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに配置される任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ送られる。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含んでいてもよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組合せを含んでいてもよい。本明細書に示す汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、当技術分野で周知のように、チャネル構造を少なくとも含む。

【0046】

[00046] コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタであってもよい放射コレクタＣＯを含んでいてもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と、下流放射コレクタ側２５２とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦できる。仮想放射源点ＩＦは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが包囲構造２２０の開口２２１に、又はその付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。放射の円錐５０は、中間焦点ＩＦから照明システムＩＬ内へ延在する。

【0047】

[00047] その後、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角度分布及びパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでいてもよい。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡに放射ビーム２１が反射すると、パターン付ビーム２６が形成され、パターン付ビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射素子２８、３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。

【0048】

[00048] 一般に、図示された素子よりも多数の素子が照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳに存在してもよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプによって任意選択として存在してもよい。さらに、図示されたミラーより多数のミラーが存在してもよい。例えば、図２に示すものと比較して、投影システムＰＳ内に追加の１個〜６個の反射素子があってもよい。

【0049】

[00049] 照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス２２及びセンサアレンジメント５４に装着されたリフレクタアレンジメント５２を備える。リフレクタアレンジメント５２は、放射の円錐５０をセンサアレンジメント５４へ向けて誘導する。

【0050】

[00050] 図２に示すコレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有するネスト状コレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏ周りに軸対象に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、好ましくは、多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられる。

【0051】

[00051] あるいは、放射源コレクタモジュールＳＯは、図３に示すようにＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料内にレーザエネルギーを堆積し、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ２１０を生成するように構成されている。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成されるエネルギー放射がプラズマから放出され、略垂直入射コレクタ光学系ＣＯによって収集され、包囲構造２２０の開口２２１上に合焦される。

【0052】

[00052] 図４は、周知のリソグラフィ装置に入射する放射が遭遇する第１のリフレクタを形成してもよい周知のリフレクタのフェイスオン図を示す。例えば、リフレクタ１０は、図２に示すものと同様のリソグラフィ装置内のファセットフィールドミラーデバイス２２を形成できる。図４を再度参照すると、リフレクタ１０は、ソースコレクタモジュールからそれらに入射した放射を反射する２つの反射部分１２ａ、１２ｂを備える。反射部分１２ａ、１２ｂは、それらが一緒にほぼ円形の形状を形成するように配置されている。反射部分は各々、複数のリフレクタ素子（図示せず）を含む。イルミネータ内には支持フレーム１４が装着され、反射部分１２ａ、１２ｂに対して固定位置関係を保った位置にある。例えば、支持フレーム１４は、反射部分１２ａ、１２ｂに隣接していてもよい。支持フレーム１４は、使用時にイルミネータを通過する放射に対して反射部分１２ａ、１２ｂの上流側であるような位置にあってもよい。支持フレームは一般に、リフレクタ１０に入射した放射を反射部分１２ａ、１２ｂよりも反射しない堅牢で稠密な材料から形成される。支持フレーム１４は、例えば金属から構成されてもよい。３つの同様のセンサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃが支持フレーム１４に装着されている。センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、リフレクタ１０の周囲にほぼ等角度に間隔を空けて配置されている。センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、一次元センサであってもよい。センサは、全長にわたって異なる位置に入射する放射の量を検出する。そのようなセンサをエッジ検出センサと呼ぶことができる。円１８がソースコレクタモジュールからリフレクタ１０に入射した放射の外縁の位置を示す。放射のエッジ１８は、センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃの各々を通過することが分かる。各々のセンサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、放射のエッジの位置を検出できる。

【0053】

[00053] センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃの出力を用いてリフレクタ１０に入射した放射の円錐のサイズと、リフレクタに入射した放射の円錐の投影の形状と、リフレクタ１０に入射した放射の円錐の投影の位置とを決定できる。したがって、センサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃの出力を用いて遠視野のサイズ、形状及び位置を決定できる。この情報を用いて遠視野位置を決定できる。例えば、遠視野位置は、遠視野の幾何学的中心であってもよい。遠視野は放射ビームの投影でるため、放射ビームの光源（例えば、ソースコレクタモジュールＳＯ）が遠視野が投影される平面（例えば、イルミネータＩＬのファセットフィールドミラー２２）に対して移動すると、遠視野の場所（したがって、遠視野位置）が変化する。例えば、ファセットフィールドミラー上の遠視野の場所が変化する。したがって、遠視野のサイズ、形状及び位置に関連するセンサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃの出力は、ソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間のアライメントの関数である。遠視野（及び遠視野位置）に関連するセンサ１６ａ、１６ｂ、１６ｃの出力を用いて、遠視野（及び遠視野位置）が一定の境界内に位置することを確認することで確実にソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間のアライメントが正確であるようにすることができる。確実にソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間のアライメントが正確であるようにすることで、イルミネータの動作性能（したがって、リソグラフィ装置の結像性能及び／又はスループット）を向上させることができる。

【0054】

[00054] 上述したように、リソグラフィ装置のソースコレクタモジュールは、イルミネータへ誘導される放射の円錐を生成する。イルミネータが協働してパターニングデバイスへ放射を誘導する複数のリフレクタ（例えば、ファセットフィールドミラーを含む）を含むことは一般的である。そのようなリソグラフィ装置では、ソースコレクタモジュールとイルミネータ、したがって、遠視野位置とのアライメントが正確であることが重要である。この２つの理由を以下に述べる。第１に、遠視野位置（したがって、放射がイルミネータに入射する方向）が不正確であると、イルミネータ内の複数のリフレクタのアライメントが放射の一部をパターニングデバイスへ誘導する能力を持たない。第２に、遠視野位置が不正確だと、パターニングデバイス（したがって、基板）に入射する放射の強度分布が不正確になることがある。リソグラフィ装置によっては、ソースコレクタモジュールによって生成された放射の円錐がイルミネータ内のあらゆるリフレクタの中心に（したがってパターニングデバイス及び基板の中心に）入射することが望ましい。これは、反射部分１２ａ、１２ｂが各々複数のリフレクタ素子を含むケースで、リフレクタ素子間の相互作用がリフレクタ１０の実質的に中心の位置する遠視野位置（このケースでは、リフレクタ１０に入射する放射ビームの像の中心の位置）に関して最適化されているからである。また一部のリソグラフィ装置では、ソースコレクタモジュールとリソグラフィ装置とが整列して、遠視野位置がソースコレクタモジュールによって生成された放射の円錐の縁部が一般にイルミネータのリフレクタの縁部に整列するような位置であることが有利である。これが有利である理由としては、放射の円錐の縁部が一般にイルミネータのリフレクタの縁部に確実に整列するようにすることで、ソースコレクタモジュールによって生成された放射がリフレクタを外れることが実質的に防止されるという点が挙げられる。放射がリフレクタを外れることを実質的に防止することで、これは放射ビームがイルミネータからパターニングデバイスを通過する際に失われる放射の量を最小限にする。放射ビームがイルミネータからパターニングデバイスを通過する際に失われる放射の量を最小限にすることで、基板上に像を生成するために使用可能な放射の量は最大限にされ、それによってリソグラフィ装置の結像性能及び／又はスループットを向上させることができる。

【0055】

[00055] 一部のリソグラフィ装置は、照明システム内にかなりのサイズのリフレクタ（ファセットフィールドミラーデバイスなどの）を備えていてもよい。そのような大型のリフレクタを使用することは、支持フレームの使用を不利にする可能性がある。これは、リフレクタが大型になれば、大型の支持フレームが必要になるからである。これは、支持フレームに装着されたセンサがリフレクタの外縁に対応する位置になければならないからである。支持フレームが一般に稠密な材料から製造されるという事実から、大型の支持フレームの使用は支持フレームが扱いにくくて重いということを意味する。支持フレームの製造に用いる材料を増やすことは、そのような支持フレームのコストの増加になる。したがって、大型のリフレクタの場合、支持フレームを装備しない方が有利であろう。リフレクタが支持フレームを有しない状況では、支持フレーム上のリフレクタの周囲にエッジ検出センサを配置することはできない。

【0056】

[00056] 本発明は、支持フレーム上のイルミネータ内のリフレクタ（例えば、ファセットフィールドミラーデバイス）に隣接するエッジ検出センサを使用せずに遠視野位置を決定する代替方法を提供することを目的とする。支持フレーム上のセンサを使用しないことで支持フレームをなくすことができ、リソグラフィ装置のイルミネータを軽量化でき、製造コストを低減できる。

【0057】

[00057] 図５は、本発明のある実施形態の一部を形成する構成の概略図を示す。リソグラフィ装置のソースコレクタモジュールによって生成され、中間焦点ＩＦの下流側にある放射の円錐は５０で示されている。放射円錐５０の縁部５１は、リフレクタアレンジメント５２に入射する。この例では、リフレクタアレンジメントは平面ミラー５３を含む。平面ミラー５３は、イルミネータのファセットフィールドミラーデバイス上に装着されている。幾つかの実施形態では、イルミネータ内で放射が入射する第１のリフレクタは、支持構造に装着された複数のファセットフィールドミラーデバイスを備えてもよい。これらの実施形態では、支持構造に平面ミラー５３を装着してもよい。別の実施形態では、平面ミラー５３（したがって、リフレクタアレンジメント５２）をイルミネータの任意の好適な部分（例えば、イルミネータ内の別のリフレクタ）に装着してリフレクタアレンジメントがイルミネータに対して固定位置関係に配置されるようにできることを理解されたい。リフレクタアレンジメントは、イルミネータの一部（例えば、ファセットフィールドミラー）に対して固定位置関係にあるという事実によって、イルミネータ（特にリフレクタアレンジメントが固定位置に配置されたイルミネータの部分）のいかなる移動もリフレクタアレンジメントの同じ移動を引き起こす。このために、リフレクタアレンジメントの移動の測定は、イルミネータ（特にリフレクタアレンジメントが固定位置に配置されたイルミネータの部分）の移動の測定と等価である。

【0058】

[00058] リフレクタアレンジメント５２は、リフレクタアレンジメント５２によって反射された放射をセンサアレンジメント５４へ誘導する。この例では、センサアレンジメント５４は、一次元エッジ検出センサ５５を含む。リフレクタアレンジメント５２はイルミネータの少なくとも一部と固定位置関係にあるため、リフレクタアレンジメントによって反射された放射のセンサアレンジメント５４による測定はイルミネータの位置を示す。さらに、センサアレンジメント５４は、リフレクタアレンジメントに対して固定位置関係にある。これによってセンサアレンジメントによって測定される放射が、リフレクタアレンジメントとセンサアレンジメントとの相対位置の変化ではなく、遠視野の場所（したがって、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの相対位置決め）の関数であることが確実にされる。

【0059】

[00059] 遠視野の場所（したがって、遠視野位置）が変化すると、放射円錐５０の縁部５１の位置が変化する。その結果、リフレクタアレンジメント５２によって反射され、センサアレンジメント５４に入射する放射の縁部の位置も変化する。これによって、検出器アレンジメント（リフレクタアレンジメント５２と、センサアレンジメント５４とを含む）が遠視野の場所を測定し遠視野位置を決定することができる。

【0060】

[00060] 図６は、３つの同様のリフレクタアレンジメント５２を含む検出器アレンジメントの一例を示す。リフレクタアレンジメント５２は、リフレクタ２２ａの平面内の方位角０度、１２０度、２４０度の位置でリフレクタ２２ａに装着されている。本発明の検出器アレンジメントの一部として任意の数のリフレクタアレンジメントを使用できることを理解されたい。同様に、特定の又は各リフレクタアレンジメントは、リフレクタ２２ａの周囲の適当な位置（又は相対位置）を有していてもよい。

【0061】

[00061] リフレクタアレンジメントが装着されるリフレクタへ遠い側のセンサアレンジメントへ遠視野に関する情報を結合するリフレクタアレンジメントの使用は、センサアレンジメントを任意の適当な位置に置くことができるということを意味する。これは、リフレクタアレンジメントが反射する放射を任意の適当な場所へ誘導するようにリフレクタアレンジメントを配置し傾斜させることができるということを意味する。例えば、センサアレンジメントとリフレクタアレンジメントとの間に固定位置関係がある限り、センサアレンジメントはイルミネータの内側又はイルミネータの外側でよい。センサアレンジメントはリフレクタ（例えば、ファセットフィールドミラーデバイス）から遠い位置に配置できるという事実によって、センサアレンジメントを支持するリフレクタと同様のサイズの支持フレームはリフレクタ近辺に必要ない。イルミネータから支持フレームを省略できるということは、イルミネータをより小さくなるように構成できるということを意味する。さらに、支持フレームを有しないイルミネータは、支持フレームの高価で稠密な性質のためにより安くかつ重量減となる。支持フレームがリフレクタと一体構成のケースでは、支持フレームの省略によってそのようなリフレクタはサイズが小さく、軽量で、製造コストが安くなる。例えば、支持フレームがなく、一体型の支持フレームを有するリフレクタと同じ反射面積を有するリフレクタは、一体型の支持フレームを有するリフレクタと比べてより小さい空間に装着可能である。

【0062】

[00062] 上述したように、平面ミラー５３と一次元センサ５５は、ソースコレクタモジュールによって生成された放射の円錐の縁部の位置を測定し、それによって遠視野位置の場所（したがって、遠視野位置）を決定できる。しかし、リフレクタアレンジメント５２とセンサアレンジメント５４とのこの組合せは、本発明の幾つかの適用例で不利な特性を有する。これらの特性を以下に説明する。

【0063】

[00063] 図７及び図８は、ソースコレクタモジュール（図示せず）とイルミネータとの間の様々な相対移動が遠視野に与える影響の概略図を示す。これらの図は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の様々な相対移動がリフレクタアレンジメント５２（図５に示す）が反射した放射、したがって、センサアレンジメント５４によって測定された放射の縁部の位置に与える影響も示す。図７は、遠視野の直線的並進移動（例えば、リソグラフィ装置のソースコレクタモジュールをイルミネータに対して並進移動させることによる）を示す。図８は、放射ビーム源と遠視野が投影される平面との間の傾斜による遠視野の別の移動（例えば、中間焦点ＩＦ周りのイルミネータに対してソースコレクタモジュールを傾斜させることによる）を示す。図７と図８の両方で、イルミネータは、リフレクタアレンジメント５２と、センサアレンジメント５４とを含む。

【0064】

[00064] 詳細に言えば、図７は、ソースコレクタモジュールのイルミネータに対する並進移動によって放射の円錐５０と中間焦点ＩＦとが初期の位置（破線で示す）から並進移動位置（実線で示す）へ移動する様子を示す。中間焦点と放射の円錐５０の並進移動は、Ｔ_１で示されている。中間焦点ＩＦと放射の円錐５０の並進移動Ｔ_１によって、平面ミラー５３に入射する放射円錐の縁部５１は並進移動する。この結果、センサ５５によって検出される縁部の位置も並進移動する。センサ５５によって検出される縁部の位置の並進移動は、Ｔ_２によって示されている。並進移動Ｔ_１はミラー５３の平面に平行なため、センサ５５によって検出される縁部の位置の並進移動Ｔ_２の長さは並進移動Ｔ_１の長さに等しい。例えば、イルミネータに対するソースコレクタモジュールの１ｍｍの並進移動Ｔ_１は、センサ５５における１ｍｍの並進移動Ｔ_２を引き起こす。

【0065】

[00065] 図８は、中間焦点ＩＦ周りのソースコレクタモジュールとイルミネータとの傾斜を示す。傾斜前にソースコレクタモジュールによって生成された放射円錐は点線で示されている。中間焦点周りのイルミネータに対するソースコレクタモジュールの傾斜はＲ_１で示され、実線で示す位置への放射の円錐５０の移動を引き起こす。中間焦点ＩＦ周りのソースコレクタモジュールとイルミネータとの相対的な傾斜によって、遠視野の場所（したがって、遠視野位置）が移動する。遠視野の場所の移動は、平面ミラー５３に入射する放射の円錐５０の縁部５１の移動によって示されている。その結果、平面ミラー５３によって反射され、センサ５５に入射する放射の円錐の縁部は並進移動する。この並進移動はＴ_３で示されている。中間焦点ＩＦ周りのソースコレクタモジュールとイルミネータと間に１／ａ ｍｒａｄの相対的傾斜がある場合、センサ５５では、１＋（ｂ／ａ）ｍｍの並進移動Ｔ_３が発生する。上式で、ａは、中間焦点ＩＦと平面ミラー５３に入射する放射の円錐５０の縁部５１との間の距離、ｂは、平面ミラー５３に入射する放射の円錐５０の縁部５１とミラー５３によって反射された縁部５１がセンサ５５に入射する地点との間の距離である。図を見やすくするために、図７及び図８は、並進移動（図７）と傾斜（図８）の前の距離ａ及びｂだけを示している。

【0066】

[00066] 図７及び図８に示すように、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と相対的な傾斜の両方の結果、遠視野が移動し、センサ５５によって検出された放射の円錐の反射した縁部が並進移動する。このため、（この実施形態のリフレクタアレンジメント５２及びセンサアレンジメント５４を用いて）ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野（したがって、遠視野位置）の移動と、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野の移動とを区別できなくなる可能性がある。例えば、センサアレンジメント５４が遠視野位置がターゲット位置から２ｍｍ離れているという出力を提供する場合、これは、ソースコレクタモジュールとイルミネータとのターゲットアライメントからソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の並進移動が２ｍｍ離れていることによる可能性がある。あるいは、遠視野位置がターゲット位置から２ｍｍ離れているというセンサアレンジメント５４の出力は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間のターゲットアライメントから中間焦点ＩＦ周りのソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｒａｄの相対的傾斜（ａ＝ｂ＝１ｍの場合）による可能性がある。あるいは、ターゲット位置からの遠視野位置の測定された偏差は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動とソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜との組合せによる可能性がある。

【0067】

[00067] 一部のリソグラフィ装置では、センサアレンジメント５４の出力に応じて遠視野位置を移動させる（例えば、アライメントのために）ことが望ましい。これは、例えば、ソースコレクタモジュールをイルミネータに対して並進移動させることで達成できる。この実施形態のリフレクタアレンジメント５２及びセンサアレンジメント５４を使用する時には、ターゲットアライメントから遠ざかるソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野位置の偏差と、ターゲットアライメントから遠ざかるソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野位置の偏差とを区別できなくなる可能性がある。このために、センサアレンジメント５４を用いてソースコレクタモジュールとイルミネータがターゲットアライメントから遠ざかるように互いに並進移動及び／又は傾斜したか否か（またその程度）、したがって、ターゲット位置からの遠視野位置の偏差を補償するためにソースコレクタモジュールとイルミネータとの間のどのような相対的並進移動及び／又は傾斜が必要であるかを決定できなくなる可能性がある。

【0068】

[00068] 一部のリソグラフィ装置では、イルミネータに対してソースコレクタモジュールを並進移動することでターゲット位置からの遠視野位置の偏差を補償することは望ましくないことに留意されたい。例えば、リソグラフィ装置内の別個のアライメントシステムは、中間焦点の位置を固定することができる（例えば、イルミネータの入口開口に）。この場合、中間焦点の位置は固定されているため、ソースコレクタモジュールをイルミネータに対して並進移動することはできない可能性がある。その代わりに、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と相対的な傾斜の両方による遠視野位置の偏差は、中間焦点周りにイルミネータに対してソースコレクタモジュールを傾斜させることで補償できる。したがって、中間焦点ＩＦの位置は一定のままである。

【0069】

[00069] 図９及び図１０はそれぞれ、本発明の別の実施形態の一部を形成できるリフレクタアレンジメントと検出器アレンジメントとを示す。

【0070】

[00070] 図９及び図１０に示すリフレクタアレンジメント５２は、反射領域５６と比較的非反射の領域５７とを有する平面ミラーを備える。比較的非反射の領域５７は、使用時に入射するリソグラフィ装置のソースコレクタモジュールからの放射を実質的に反射しない。比較的非反射の領域５７は、入射放射の吸収度及び／又は透過度が比較的高いために入射放射を実質的に反射しない。幾つかの実施形態では、比較的非反射の領域５７は、実質的に黒色の材料のコーティングを含んでいてもよい。図の中で比較的非反射の領域５７が平面ミラーの下側部分を覆い、比較的非反射の領域５７が平面ミラーの基部にある隔離されたリフレクタ領域５８を画定することがわかる。この例では、隔離されたリフレクタ領域５８は、平面ミラーの基部の一部を黒色の材料でコーティングしないことで作成できる一般に小さい円形ミラー部分である（図では四角形で示しているが）。反射領域５６は、比較的非反射の領域５７と比べて入射する放射のより多くの割合を反射する。反射領域５６、比較的非反射の領域５７及び隔離されたリフレクタ領域５８は単一のリフレクタの一部を形成するように記載されているが、これはそうでなくてもよい。反射領域５６、比較的非反射の領域５７及び隔離されたリフレクタ領域５８は、別々に形成されてもよい。例えば、反射領域５６及び隔離されたリフレクタ領域５８は、比較的非反射の領域５７によって分離された別々のリフレクタから形成されてもよい。例えば、比較的非反射の領域は、ある量の空気又はある量の真空によって形成されてもよい。

【0071】

[00071] 図１０は、図９に示すリフレクタアレンジメント５２とセンサアレンジメント５４との両方を有する検出器アレンジメントを示す。センサアレンジメント５４は、一次元エッジ検出センサ５９を含む。使用時に、ソースコレクタモジュールによって生成された放射の円錐５０がリフレクタアレンジメント５２に入射して放射の円錐５０の縁部５１が平面ミラーの反射領域に当たる。放射の円錐５０の縁部５１は反射領域５６によって反射され、一次元エッジ検出センサ５９に入射する。エッジ検出センサ５９は、図５に示す実施形態のエッジ検出センサと同様に動作する。センサ５９は、全長にわたって異なる位置に入射する放射の量を検出し、放射の円錐５０の縁部の位置を決定する。

【0072】

[00072] 放射の円錐５０の一部が平面ミラーの隔離されたリフレクタ領域５８に入射する。隔離されたリフレクタ領域５８は、入射放射を二次元センサ６０上に反射する。二次元（２ｄ）センサ６０及び一次元（１ｄ）センサ５９の両方は、センサアレンジメント５４の一部を形成する。二次元センサ６０は、例えば、二次元位置検知デバイス（二次元ＰＳＤ）又は二次元電荷結合素子（二次元ＣＣＤ）である。二次元ＰＳＤの出力は、それに入射する放射のパワー分布の平均中心を表す。隔離されたリフレクタ領域５８で、隔離されたリフレクタ領域５８によって反射され、二次元ＰＳＤ上に結像された放射がその平均中心が隔離されたリフレクタ領域５８の幾何学的中心に対応する光強度を有する場合、二次元ＰＳＤの出力は、デバイスの各々の個別のピクセルに入射する放射の光強度の表示を提供する。二次元ＰＳＤの出力をそれに入射する放射のパワー分布を分析して二次元ＣＣＤに入射する隔離されたリフレクタ領域の像の中心を決定するプロセッサに供給してもよい。この例では、二次元ＣＣＤ上に結像した放射のパワー分布は、二次元ＣＣＤに入射する隔離されたリフレクタ領域の像の幾何学的中心に対応する必要はない。

【0073】

[00073] センサアレンジメント５４の１ｄセンサ５９は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動及び／又は傾斜による遠視野（したがって、遠視野位置）の移動に上記の図５の一次元センサの応答と同様の方法で応答する。したがって、例えば、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの相対的並進移動がある場合、一次元センサ５９は、リフレクタアレンジメント５２に入射しそれによって反射される放射の縁部の位置の１ｍｍの並進移動を測定する。さらに、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の中間焦点周りの１／ａ ｍｒａｄの相対的傾斜ごとに、一次元センサ５９はリフレクタアレンジメント５２に入射し、それによって反射される放射の縁部の位置の１＋（ｂ／ａ）ｍｍの移動を測定する。

【0074】

[00074] 平面ミラーの隔離されたリフレクタ領域５８によって反射された放射は、遠視野の場所がソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜（例えば、中間焦点ＩＦ周りの）によって移動してもセンサアレンジメント５４の二次元センサ６０に入射する位置を変えることはない。その代わりに、二次元センサ６０に入射し隔離されたリフレクタ領域５８によって反射された放射の位置は、遠視野の場所がソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動によって移動した場合には変化する。

【0075】

[00075] 一次元センサ５９は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と相対的な傾斜による遠視野の場所の移動の関数である出力を有する。二次元センサ６０の出力は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動（相対的な傾斜ではなく）による遠視野位置の場所の移動の関数である。一次元センサと二次元センサの出力の上述した性質のために、両方の出力を比較してソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動とソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野（したがって、遠視野位置）の測定された移動を決定し分離することができる。これは以下のように達成できる。

【0076】

[00076] 二次元センサ６０を用いてソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野（したがって、遠視野位置）の移動を測定できる。一次元センサ５９は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と相対的な傾斜の両方による遠視野（したがって、遠視野位置）の移動の関数である出力を提供する。一次元センサ５９の出力の処理を実行してソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動（二次元センサ６０の出力によって決定される）による一次元センサ５９の出力へのいかなる寄与も除去できる。したがって、一次元センサ５９の出力の残りの成分は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野位置の場所の移動を表すだけである。

【0077】

[00077] ターゲット位置からの遠視野位置の偏差への個別の並進移動と傾斜の寄与を決定することで、遠視野位置の上記偏差を修正するのに必要なソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な移動を決定できる。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な移動は、ソースコレクタモジュールの少なくとも一部及び／又はイルミネータの少なくとも一部を移動させることで、すなわち、１つ又は複数のアクチュエータによって達成できる。上述したように、中間焦点の位置を固定する必要があるため、イルミネータに対してソースコレクタモジュール（したがって、中間焦点）の位置を並進移動できない可能性がある。その代わりに、ターゲット位置からの遠視野位置のいかなる偏差も（例えば、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動及び／又は傾斜の結果としての）イルミネータに対して中間焦点周りにソースコレクタモジュールを傾斜させる（又はその逆を行う）ことで補償できる。

【0078】

[00078] 図１０に示す検出器アレンジメントの動作の一例について以下に説明する。

【0079】

[00079] この例では、長さａ（中間焦点ＩＦとリフレクタアレンジメント５２との間の）と長さｂ（リフレクタアレンジメント５２と一次元センサ５９との間の）は共に互いに等しく、例えば、両者は共に１ｍである。一次元センサ５９は、センサ５９上に反射した放射の円錐の縁部の像の６ｍｍのずれを測定し、二次元センサ６０は、センサ６０上に反射した隔離されたリフレクタ部分の像の位置の２ｍｍのずれを測定する。二次元センサ６０によって測定されたずれに基づいて、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間に１ｍｍの相対的な並進移動があった（ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの相対的な並進移動ごとに二次元センサがｂ／ａ ｍｍ；この例では１ｍｍ）のずれを測定するという事実から）ことが分かる。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間に２ｍｍの相対的な並進移動があった（二次元センサが決定するように）ことが分かる。また、一次元センサ５９がソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの相対的な並進移動ごとに１ｍｍのずれを測定することも分かる。したがって、一次元センサ５９によって測定された６ｍｍのずれのうち、２ｍｍはソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動によるもので、したがって、４ｍｍのずれはソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜によるものであることが分かる。一次元センサ５９は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１／ａ ｍｒａｄの相対的な傾斜ごとに１＋（ｂ／ａ）ｍｍのずれを経験する。したがって、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間には、２ｍｒａｄの相対的な傾斜が存在した。遠視野位置をターゲット位置に整列させるには（遠視野位置の移動を補償するには）、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の２ｍｒａｄの相対的な傾斜を補償し、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の２ｍｍの相対的な並進移動を補償しなければならない。中間焦点ＩＦ周りに（すなわち、イルミネータに対してソースコレクタモジュール（したがって、中間焦点ＩＦ）を並進移動することなく）ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜によってソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と傾斜とを補償することだけが可能な場合、これは以下のように達成できる。遠視野位置の移動の２ｍｒａｄの傾斜成分はソースコレクタモジュールとイルミネータとの間に（中間焦点ＩＦ周りの）−２ｍｒａｄの相対的な傾斜を等しく加えることで補償できる。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間に加えられる相対的な傾斜の方向は、二次元センサ６０によって測定される遠視野位置のずれを引き起こした相対的な傾斜の方向と逆である。遠視野位置の移動の２ｍｍの並進移動成分を補償するには、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の−２ｍｒａｄの相対的な傾斜（中間焦点ＩＦ周りの）が必要である。次に、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間に加えられる相対的な傾斜の方向は、センサアレンジメントによって測定される遠視野位置の移動の並進移動成分とは逆の遠視野位置の移動を引き起こすような方向である。こうして、−２ｍｒａｄの傾斜は遠視野位置の−２ｍｍのずれを生み、−２ｍｍのずれはセンサアレンジメントによって測定される２ｍｍの並進移動を打ち消す。したがって、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の２ｍｍの相対的な並進移動とソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の２ｍｒａｄの相対的な傾斜とを補償するには、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間に総計−４ｍｒａｄの相対的な傾斜（中間焦点ＩＦ周りの）が必要である。

【0080】

[00080] 図１０に示すような複数のリフレクタアレンジメント５２とそれに対応するセンサアレンジメント５４がイルミネータ内のリフレクタに装着されている場合、検出器アレンジメント（複数の複数のリフレクタアレンジメントとそれに対応するセンサアレンジメントとを含む）を用いて遠視野位置（上記のように）だけでなく中間焦点ＩＦの位置も測定することができる。

【0081】

[00081] 図１０に示すような３つの対応するリフレクタアレンジメントとセンサアレンジメントが図６に示すのと同様な方法でイルミネータのリフレクタ（例えば、ファセットフィールドミラー）の周囲に配置された場合、検出器アレンジメントは、光学システムに関する追加の情報を決定できる。例えば、検出器アレンジメントは、コレクタに対する放射放出プラズマの位置を決定できる。

【0082】

[00082] 同じ平面ミラーを用いて１つの別々のセンサ（すなわち、一次元センサ５９と二次元センサ６０）の入力を提供することで、２つの別々のミラー／リフレクタを使用する場合と比較してコスト面の恩恵が得られることが理解されよう。しかし、別々のミラー／リフレクタを用いて放射を各センサへ誘導することは本発明の範囲内である。単一のミラー／リフレクタを用いて放射を一次元センサ５９と二次元センサ６０へ誘導することは、両方のセンサの較正を同時に実行できるという利点がある。センサの較正が実行され、それによってリフレクタアレンジメントの位置と向き（リフレクタアレンジメントが装着されたリフレクタに対する）及びセンサアレンジメントの各センサの位置と向きが調整され、遠視野がターゲット位置に達した時にセンサアレンジメントの各センサの出力が所望の出力になる。単一のリフレクタ（すなわち、反射領域と隔離されたリフレクタ領域とを有する）を使用して放射を一次元センサ５９と二次元センサの両方へ誘導する場合、一次元センサ５９と二次元センサ６０とが互いに正確に整列しているとして、一次元センサがリフレクタアレンジメント５２で較正されると、二次元センサ６０もリフレクタアレンジメント５２に関して構成される（又はその逆も成り立つ）。

【0083】

[00083] 図１１は、本発明の別の実施形態による検出器アレンジメントを有するリソグラフィ装置の一部の概略図を示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、放射放出プラズマ（図示せず）からの放射を収集して収集された放射をイルミネータＩＬへ誘導するように構成されたコレクタＣＯを備える。コレクタＣＯによってイルミネータＩＬへ誘導された放射は、中間焦点ＩＦを通過し、イルミネータ内に放射の円錐５０を形成する。放射の円錐５０は、イルミネータ内のリフレクタに向けられる。この例では、リフレクタはファセットフィールドミラー２２である。リフレクタアレンジメント５２ａがファセットフィールドミラー２２上に装着されている。放射の円錐５０の縁部がリフレクタアレンジメント５２に入射し、リフレクタアレンジメント５２ａがそれに入射した放射をセンサアレンジメント５４ａの方へ反射する。センサアレンジメント５４ａは一次元センサ６１を備える。

【0084】

[00084] リフレクタアレンジメント５２は、曲面状のリフレクタ６２を備える。曲面状のリフレクタは曲面ミラーであってもよい。本発明のこの実施形態の検出器アレンジメントは、図５に示すセンサアレンジメントと同等の方法で動作する。リフレクタアレンジメント５２は、一次元センサ６１上へ放射の円錐５０の縁部を反射する。一次元センサ６１は、反射した縁部の位置（全長に沿った）を決定する。一次元センサ６１によって検出される一次元センサに沿った放射の円錐の反射した縁部の位置は遠視野位置の関数である。

【0085】

[00085] 図５に示す検出器アレンジメントの実施形態とは異なり、上記のように、リフレクタアレンジメント５２は曲面ミラー６２を含む。曲面ミラー６２は、ソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の中間焦点ＩＦ周りの１／ａ ｍｒａｄの傾斜によって、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの相対的な並進移動で一次元センサによって検出される縁部位置のずれと同じ、一次元センサ６１によって検出される縁部位置のずれが引き起こされる。検出器アレンジメントのこの特性は以下のように有利である。

【0086】

[00086] 上述したように、一部のリソグラフィ装置では、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と傾斜の両方による遠視野位置の移動をソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間に中間焦点ＩＦ周りの相対的な傾斜を加えることで補償できる。このために、ソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータとの間にどの程度の相対的な傾斜を加えるかの決定に関与する工程は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜及び／又は相対的な並進移動によるターゲット位置から遠ざかる遠視野位置の移動の程度を第１に決定するステップを伴う。次に、遠視野位置の移動の傾斜及び並進移動成分の各々を補償するのに必要なソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な傾斜を決定できる。次に、遠視野位置の移動の傾斜及び並進移動成分の各々を補償するのに必要なソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜は組み合わされ、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の必要な補償傾斜を実行するために信号をアクチュエータへ供給できる。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野位置の移動を補償するのに必要なソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な傾斜を決定するステップは比較的簡単である。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野位置の移動を補償するのに必要なソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な傾斜は、検出器アレンジメントによって測定されたソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜に等しいが、方向が逆である。この工程は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動の結果として発生する遠視野位置の移動を補償しなければならないため、幾分複雑である。この例では、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動の量を先に決定し、次に計算を実行して、遠視野位置の移動を引き起こしたソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の並進移動を補償できるソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な傾斜を決定しなければならない。図１１に示す実施形態では、この計算の必要は除去されている。これは、曲面ミラー６２の曲率のために、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野位置の移動が、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野位置の移動を補償するために必要なソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な傾斜の大きさと同じで方向が逆のソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の「等価傾斜」による遠視野位置の移動として一次元センサ６１によって検出されるからである。したがって、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野位置の移動を補償するには、ソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとを中間焦点周りに一次元センサによって検出されたソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の「等価傾斜」と同じ大きさの量だけ逆の相対方向に互いにタイリングする。検出器アレンジメントの特性、特に「等価傾斜」の測定を可能にする曲面ミラーの曲率について以下に説明する。

【0087】

[00087] 曲面ミラー６２は、地点Ｐを一次元センサ６１に結像する。地点Ｐは、中間焦点ＩＦ内の曲面ミラー６２の位置の反射である。したがって、曲面ミラー６２（リフレクタアレンジメント５２の）は、反射した遠視野位置を一次元センサ６１（センサアレンジメント５４の）に結像する。

【0088】

[00088] 曲面ミラー６２の曲率半径は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの相対的な並進移動による遠視野の場所の移動の結果、一次元センサ６１によって測定される縁部の位置がｂ／２ａ ｍｍだけずれ、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１／ａの相対的な傾斜による遠視野の場所の移動の結果、同様に一次元センサ６１によって測定される縁部の位置がｂ／２ａ ｍｍだけずれる。上述したように、一次元センサ６１によって測定される縁部の位置が１ｍｍずれる遠視野の場所の移動（ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と相対的な傾斜のいずれかにかかわらず）は、ソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の１／ａ ｍｒａｄの相対的な傾斜（中間焦点ＩＦ周りの）によって補償できる。

【0089】

[00089] 曲面状のリフレクタ６２の曲率半径Ｒは、以下の式を用いて決定できる。

【数3】

上式で、ａは、コレクタによって収集された放射の中間焦点と曲面状のリフレクタの中心との間の距離、ｂは、曲面状のリフレクタの中心とセンサアレンジメントとの間の距離である。したがって、ａは、中間焦点ＩＦと曲面状のリフレクタ６２の曲率中心との間の距離、ｂは、曲面状のリフレクタ６２の曲率中心と放射の円錐の縁部が反射するセンサアレンジメント５４の一次元センサ６１上の位置との間の距離である。例えば、距離がａ＝ｂ＝１である例では、曲面状のリフレクタ６２の曲率半径は約１．３３メートルである。

【0090】

[00090] 上述したように、上記の実施形態は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野の場所（したがって、遠視野位置）の移動をソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜によるそれと区別して考慮する必要性がない点で有利である。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動による遠視野の移動は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の「等価傾斜」として測定される。この「等価傾斜」は、ソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の中間焦点ＩＦ周りの相対的な傾斜によって補償できる。これによって、このタイプの検出器アレンジメントは、中間焦点ＩＦの並進移動が不可能であるリソグラフィ装置に特に適したものになっている（例えば、中間焦点の位置を固定しなければならないために）。

【0091】

[00091] 曲面状のリフレクタ６２はリフレクタレンズであるため、曲面状のリフレクタ６２は反射した遠視野、したがって、反射した遠視野位置（この例では地点Ｐ）をセンサアレンジメント５４ａに結像する。これによってさらに利点が得られる。ソースコレクタモジュールＳＯは、放射放出プラズマ（図１１に示さず）によって放出された放射を収集し誘導することで放射を生成する。放射放出プラズマによって放出される放射は、コレクタＣＯによって収集され誘導される。コレクタＣＯに対する放射放出プラズマの移動によって、遠視野位置は移動する場合がある。放射放出プラズマとコレクタＣＯとの間の相対的な移動が測定された遠視野位置に影響する程度は、リフレクタによってセンサアレンジメント５４ａ上に結像される遠視野とコレクタＣＯとの間の距離に依存する。図５に示す実施形態の例では、リフレクタ５３によってセンサアレンジメント５４上に結像される遠視野は実際の遠視野である。この例では、実際の遠視野は、リフレクタ５３に入射する放射の円錐５０である。図１１に示す実施形態では、リフレクタ６２によってセンサアレンジメント５４ａ上に結像される遠視野は反射した遠視野である。この例では、反射した遠視野は、中間焦点ＩＦ内のリフレクタ２２の反射である平面上への放射ビームの投影である。センサアレンジメント５４ａ上に結像される反射した遠視野の部分はＰで示される。反射した遠視野（中間焦点内の実際の遠視野の反射）とコレクタＣＯとの間の距離は、実際の遠視野とコレクタＣＯとの間の距離よりも小さいため、実際の遠視野に結像されるコレクタＣＯに対する放射放出プラズマのいかなる移動の倍率係数も反射した遠視野での結像倍率係数よりも大きい。これは、レンズからの距離と共に倍率係数が増加するためである。この例のレンズは、コレクタＣＯ（中間焦点に光を合焦させる）である。したがって、コレクタＣＯに対する放射放出プラズマのいかなる移動も反射した遠視野の測定時には倍率が小さくなるため、図１１に示す実施形態は図５に示す実施形態よりも放射放出プラズマの移動（コレクタに対する）感度が落ちる。これは、図１１に示す実施形態の検出器アレンジメントの出力がソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとを整列させる際に図５に示す検出器アレンジメントよりも高精度であるということを意味する。

【0092】

[00092] 図１２は、本発明の別の可能な実施形態の概略図を示す。上記実施形態は、遠視野位置を決定するためにコレクタＣＯによって生成される放射の円錐の縁部をすべてセンサアレンジメントに結像した。これは、適用例によっては望ましくないことがある。コレクタによって生成される放射の円錐の縁部は、場合によって完全なステップ関数ではない強度プロファイルを有する。すなわち、縁部内の放射の円錐は、半径方向の外側に移動する際に縁部で瞬間的にゼロに低下する均一な強度を有さないことがある。その代わりに、放射強度は縁部内の半径方向の場所では一般に均一であるが、半径方向の外側に移動する際に縁部で有限の距離にわたってゼロまで低下することがある。半径の関数としての放射の円錐の縁部の強度の正確なプロファイルは十分に分かっていない。したがって、幾つかの実施形態では、縁部以外の放射の円錐の部分を用いて遠視野位置を検出することが望ましい。

【0093】

[00093] 図１２は、放射放出プラズマ２１０と、放射放出プラズマによって放出された放射を収集し、イルミネータＩＬへ誘導するコレクタＣＯとを示す。コレクタＣＯによってイルミネータＩＬへ誘導される放射は、中間焦点ＩＦを介してイルミネータＩＬのファセットフィールドミラー２２上に入射する。リフレクタアレンジメント５２ｂは、ファセットフィールドミラー２２に装着された曲面ミラー６２（上記実施形態の曲面ミラーと同等の）を含む。曲面ミラー６２は、反射した遠視野（反射平面ＲＰ上にある）の一部をイルミネータの一部を形成しリフレクタアレンジメント５２ｂのリフレクタ（曲面ミラー）６２に対して固定位置関係にある検出器アレンジメント５４ｂに結像する。上記と同様に、反射平面ＲＰ（反射した遠視野が存在する）は、中間焦点ＩＦ内のファセットフィールドミラー２２の反射である。

【0094】

[00094] コレクタは、隔離された反射フィーチャ６３を含む。隔離された反射フィーチャ６３は、コレクタ縁部の半径方向の内側にある。図１３は、コレクタＣＯの直径上の反対位置に装着された２つの隔離された反射フィーチャ６３を示す。隔離された反射フィーチャ６３は各々、リフレクタ部分６５と、リフレクタ部分６５を取り囲む比較的非反射の部分６４とを含む。比較的非反射の部分６４は、使用時にそれに入射するリソグラフィ装置の放射放出プラズマからの放射を実質的に反射しなくてもよい。比較的非反射の部分６４は、入射放射の吸収度及び／又は透過度が比較的高いために入射放射を実質的に反射しなくてもよい。幾つかの実施形態では、比較的非反射の部分６４は、実質的に黒色の材料のコーティングを含んでいてもよい。比較的非反射の部分６４は、リフレクタ領域６５を画定する。この例では、リフレクタ部分６５は、隔離された反射フィーチャ６３の一部を実質的に黒色の材料でコーティングしないことで作成できる一般に小さい円形ミラー部分である。リフレクタ部分６５は、比較的非反射の部分６４と比べて入射する放射のより多くの割合を反射する。幾つかの実施形態では、リフレクタ部分６５と比較的非反射の部分６４は一体構造を有していてもよい。しかし、これはそうでなくてもよい。例えば、比較的非反射の部分６４は、リフレクタ部分６５とは別個であってもよい。幾つかの実施形態では、比較的非反射の部分６４は、ある量の空気又はある量の真空によって形成されていてもよく、リフレクタ部分６５は、別のリフレクタから形成される。幾つかの実施形態では、比較的非反射の部分６４は放射放出プラズマによって生成された放射を反射してもよいが、リフレクタ部分６５の反射の程度を超えてはならない。図１３に示すリフレクタ部分６５は、コレクタＣＯの縁部の半径より小さい半径方向の距離ｒに位置する。

【0095】

[00095] 隔離された反射フィーチャ６３のリフレクタ部分６５はコレクタＣＯの縁部から変位している事実から、隔離された反射フィーチャ６３によって反射された放射は、コレクタＣＯの縁部から反射された放射の不均一な強度プロファイルによって影響されることが少ない。例えば、各々の隔離された反射フィーチャ６３のリフレクタ部分６５は、均一な強度分布を有する放射を反射してもよい。

【0096】

[00096] この実施形態のセンサアレンジメント５４ｂは、ＰＳＤ又はＣＣＤなどの二次元センサを含む。上記実施形態と同様に、リフレクタ６２の曲率は、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍ相対的な並進移動又はソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１／ａ ｍｒａｄの相対的な傾斜による遠視野の場所（したがって、遠視野位置）の移動が二次元センサによって測定されるリフレクタ部分６５の像の位置のｂ／２ａ ｍｍのずれを引き起こすように選択される。リフレクタ部分６５の像の位置のずれを測定することで、遠視野の場所（したがって、遠視野位置）の移動を決定することができる。例えば、遠視野の場所の移動は、リフレクタ部分６５の像の位置のずれに等しくてもよい。したがって、リフレクタ部分６５の位置のずれは遠視野位置の移動に等しくてもよい。

【0097】

[00097] リフレクタアレンジメントのリフレクタ６２は、ファセットフィールドミラー２２に装着されている。センサアレンジメント５４ｂに結像された反射部分６５の像の強度は像領域全体にわたって実質的に均一であるが、これは、反射部分６５によって反射された放射がコレクタＣＯの縁部によって反射された放射から変位するからである。この理由から、コレクタの縁部効果による反射放射内の不均一性が実質的に回避される。センサアレンジメント５４ｂに結像される反射部分６５の像の強度は像領域全体にわたって実質的に均一であるため、結像されたリフレクタ部分６５の位置（したがって、結像されたリフレクタ部分の位置のずれ）の決定は、実質的に不均一な像強度を有するリフレクタ部分６５の像の使用と比較してより高精度である。これは、センサがＰＳＤである例に特にあてはまる。これは、ＰＳＤがＰＳＤに入射する放射の光強度の平均中心を計算することで結像されたリフレクタ部分の中心位置を計算するためである。均一な強度分布を有しないＰＳＤ上に像が入射する場合、ＰＳＤは、像の幾何学的中心に対応しないＰＳＤ上に入射する放射の光強度の平均中心の測定値を提供する。

【0098】

[00098] 遠視野位置を測定するための隔離された１対の反射フィーチャ６３（及び対応する１対の二次元センサ）の使用によって（遠視野位置を決定するために放射の円錐の縁部位置を測定する１対の検出器を含む検出器アレンジメントの使用と比較して）、光学システムの特性のさらなる測定が可能になる。上述したのと同様に、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の１ｍｍの相対的な並進移動による遠視野位置の場所の移動の結果、センサアレンジメント５４ｂ上に結像されたリフレクタ部分６５の位置がａ／２ｂｍｍだけ移動する。さらに、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の中間焦点ＩＦ周りの１／ａ ｍｒａｄの相対的な傾斜による遠視野位置の場所の移動によって、センサアレンジメント５４ｂによって測定される結像された反射ピンホール部分の位置がａ／２ｂｍｍだけ移動する。

【0099】

[00099] 検出器アレンジメントを用いてイルミネータＩＬに対するシステムの光軸Ｏ周りのソースコレクタモジュールＳＯの回転を測定できる。図１４は、センサアレンジメントの二次元センサ上に入射する図１３に示す隔離された反射フィーチャ６３の像の概略図を示す。各々の像６６は、隔離された反射フィーチャ６３のリフレクタ部分６５の１つに対応し、センサアレンジメントの一部を形成する二次元センサ６７ａ、６７ｂ上に結像される。例えば、二次元センサ６７ａは、図１３のコレクタＣＯの左上の隔離された反射フィーチャ６３に関連付けられていてもよい。二次元センサ６７ｂは、図１３に示すコレクタＣＯの右下の隔離された反射フィーチャ６３に関連付けられていてもよい。

【0100】

[000100] ソースコレクタモジュールＳＯがイルミネータＩＬに対して光軸Ｏ周りに回転する場合、二次元センサ６７ａ上の像６６は、二次元センサ６７ｂ上の像６６とは逆の方向に移動する。ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対回転はＲ_ｚと呼ばれることがある。この例での像６６の逆の移動は、図１４に示すｘ軸に平行である。イルミネータモジュールに対するソースコレクタモジュールの光軸Ｏ周りの１ｍｒａｄの回転ごとに各々のセンサ６７ａ、６７ｂ上の像６６は、次の式で与えられる距離Ｐ_ｘだけ移動する。

【数4】

上式で、ａは、中間焦点と曲面ミラー６２の中心との間の距離、ｂは、曲面ミラー６２の中心と曲面ミラー６２によって反射された放射が入射するセンサアレンジメント５４上の地点との間の距離、Ｐ_ｈは、反射ピンホール部分６５（したがって、隔離された反射フィーチャ６３）間の距離である。この計算では、リフレクタフィーチャ６５がコレクタの周囲に対称に配置されている（すなわち、システムの光軸に対して直径方向に対向し、光軸から等距離にある）ことを前提とする。

【0101】

[000101] この実施形態による検出器アレンジメントは、光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な並進移動も測定できる。この例では、光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な並進移動の結果、像６６が図１４に示すｙ軸に平行に逆方向に等距離だけ移動する。光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の１ｍｍの相対的な並進移動ごとに像６６の各々はセンサ６７ａ及び６７ｂを通って（図１４に示すｙ方向に平行なａ方向に）次の式で与えられる距離Ｐ_ｙだけ移動する。

【数5】

この計算も、反射ピンホール部分６５がコレクタＣＯの周囲に対称に配置されている（すなわち、システムの光軸に対して直径方向に対向し、光軸から等距離にある）ことを前提とする。

【0102】

[000102] 好ましくは、隔離された反射フィーチャ６３は、可能な限りコレクタＣＯの縁部の近くにある。これによって、光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールＳＯとイルミネータＩＬとの間の相対的な並進移動の最も高精度の測定が可能になる。これは、隔離された反射フィーチャ６３間の離間距離が大きくなるほど（したがって、各々の隔離された反射フィーチャ６３の光軸からの距離が大きくなるほど）、各々のセンサアレンジメントに形成された隔離された反射フィーチャ６３の像が光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の単位距離の相対的な並進移動ごとに移動する距離が大きくなるという事実による。各々のセンサアレンジメントに形成された隔離された反射フィーチャ６３の像が光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の単位距離の相対的な並進移動ごとに移動する距離が大きくなるほど、光軸Ｏに沿ったソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動に対するセンサアレンジメントの感度は高くなる。すなわち、隔離された反射フィーチャ６３は、可能な限り大きい距離だけ離間することが好ましい（すなわち、光軸Ｏからの半径方向の距離が可能な限り大きくなるように）。幾つかの実施形態では、これは、隔離された反射フィーチャ６３が可能な限りコレクタＣＯの縁部に近いということを意味する。例えば、隔離された反射フィーチャ６３は、コレクタの半径よりもわずかに小さい半径方向の距離だけ光軸ＯＡから離れた位置にあってもよい（すなわち、隔離された反射フィーチャ６３がコレクタＣＯの縁部の半径方向のすぐ内側にあるように）。

【0103】

[000103] 図１２に示す実施形態は、幾つかの理由で有利である。第１に、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動／傾斜による遠視野位置の移動は、縁部の所定位置の移動ではなく隔離された反射フィーチャの像の位置の移動を測定することで決定される。これによって、放射の縁部の不均一な強度プロファイルによって、例えば、放射の縁部がステップ関数でない強度プロファイルを有する場合に発生する縁部測定工程の不正確さが回避される。さらに、上述したように、曲面状のリフレクタを含むリフレクタアレンジメントを有する上記実施形態と同様に、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動と相対的な傾斜による遠視野の場所の移動を別に考慮する必要がない。さらに、反射された遠視野（図１２に示す反射された平面ＲＰ内にある）が実際の遠視野ではなくセンサアレンジメント５４ｂに結像されるという事実によって、コレクタの収差とプラズマのアライメント不良の影響は最小限にされる。最後に、複数の隔離された反射フィーチャが対応するリフレクタアレンジメント及びセンサアレンジメントと組み合わせて使用される場合、イルミネータに対するソースコレクタモジュールのそれぞれ光軸周りと光軸に沿った回転と並進移動の両方を測定することができる。

【0104】

[000104] 図１２〜図１４に示す実施形態による検出器アセンブリを設計する際には、センサアレンジメント５４ｂの一部を形成する二次元センサがソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動及び／又は相対的な傾斜による遠視野の予想移動範囲を測定できると有益である。このために、センサが２ＣＭで与えられる直径を有することが望ましい（Ｃは、ｍｒａｄ単位で捕捉することが望ましいソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の最大の相対的な傾斜（例えば、±５〜±１０ｍｒａｄ）、Ｍは、コレクタからセンサへの倍率係数である）。コレクタからセンサへの倍率係数はｂ／（ａ＋Ｌ）で与えられ、Ｌは中間焦点とコレクタとの間の距離である。

【0105】

[000105] 考慮できるシステムの設計の別の態様は、隔離された反射フィーチャのリフレクタ部分のサイズである。幾つかの実施形態では、リフレクタ部分がセンサでの結像時にセンサの幅の４分の１から半分の範囲内にあることが有利である。このサイズの結像された直径を有するリフレクタ部分を使用することでリフレクタ部分の全体像をセンサによって確実に捕捉できる。その結果、一定の回転範囲にわたる直線的な応答を有する検出器アレンジメントが得られる。例えば、反射部分は、約５ｍｍ未満の直径を有していてもよい。

【0106】

[000106] 図１２〜図１４に示す本発明のある実施形態を設計する際の別の考慮事項は、放射がコレクタＣＯの任意の部分（隔離された反射フィーチャ以外の）から反射するため、センサアレンジメントに入射するということである。隔離された反射フィーチャによって反射された以外のセンサアレンジメントに入射する放射によってセンサアレンジメントは隔離された反射フィーチャ６３の位置を不正確に決定し、遠視野位置を不正確に決定することがあるため、これは望ましくない。これを防止するために、隔離された反射フィーチャの比較的非反射の部分に最小範囲を持たせて所望の相対的な傾斜の捕捉範囲Ｃに収まるソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜による遠視野の場所の移動によって隔離された反射フィーチャの外部からの放射がセンサアレンジメントに入射しないようにすることができる。隔離された反射フィーチャの比較的非反射の部分の範囲は、コレクタの隔離された反射フィーチャによって上記部分が移動できる距離の約２倍になるように選択してもよい。検出器アレンジメントの望ましい捕捉範囲がソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の傾斜による±Ｃ ｍｒａｄの範囲内の場合、コレクタレベルの隔離された反射フィーチャの移動は、２ＣＬ ｍｍである（但し、Ｌは中間焦点とコレクタとの間の距離である）。隔離された反射フィーチャの非反射部分の最小範囲は、約４ＣＬ ｍｍである。上述したように、検出器アレンジメントの捕捉範囲は、Ｃが２０ｍｒａｄ未満の値、好ましくは５〜１０ｍｒａｄの値を有するように選択される。

【0107】

[000107] 最後に、リフレクタアレンジメントの一部を形成する曲面ミラーの直径は、好ましくは、曲面ミラーがそれを横切る隔離された反射フィーチャの像の移動を収容できる大きさであり、所望の捕捉範囲±Ｃ ｍｒａｄ内であるソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜によって遠視野が移動する程度である。この例では、曲面ミラーの最小直径は２Ｃａ ｍｍで与えられる（但し、ａは、中間焦点と曲面状のリフレクタとの間の距離である）。

【0108】

[000108] 上述のすべての実施形態の検出器アレンジメントは、検出器アレンジメントによって測定される遠視野位置をターゲットの遠視野位置と比較するプロセッサを備えてもよい。検出器アレンジメントは、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な移動を生成できる少なくとも１つのアクチュエータに指令信号を提供できる。検出器アレンジメントが遠視野位置を測定する場合、また測定される遠視野位置がターゲットの遠視野位置でない場合、検出器アレンジメントは、少なくとも１つのアクチュエータへ指令信号を提供してアクチュエータを作動させてソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な移動を生起させてターゲット位置へ向けて遠視野位置を少なくとも部分的に移動させることができる。

【0109】

[000109] 隔離された反射フィーチャはその形状が一般に円形であるリフレクタ部分を有するが、リフレクタ部分の形状は任意の適当な形状であってもよいことを理解されたい。そのような形状は、好ましくは回転対称であってもよい。その結果、二次元センサ上に形成される隔離された反射フィーチャの像は回転対称になる。二次元ＰＳＤが使用される例では、これによってセンサ（したがって、センサ出力）に入射する放射の光強度の平均中心は、確実に像の幾何学的中心に対応する。

【0110】

[000110] さらに、平面ミラーを有する実施形態の隔離されたリフレクタ領域は、一般に円形として説明している（図では一般に四角形の形状を有するように示しているが）。これはそうでなくてもよい。リフレクタアレンジメントの離散的な反射部分の形状は、任意の適当な形状を有していてもよい。そのような形状は、好ましくは回転対称であってもよい。その結果、二次元センサ上に形成される隔離された反射フィーチャの像は回転対称になる。二次元ＰＳＤが使用される例では、これによってセンサ（したがって、センサ出力）に入射する放射の光強度の平均中心は、確実に像の幾何学的中心に対応する。

【0111】

[000111] 上記実施形態のリフレクタアレンジメントは、イルミネータのリフレクタ（例えば、ファセットフィールドミラー）上に装着されている。本発明の幾つかの実施形態では、リフレクタアレンジメントは、イルミネータのリフレクタと一体構造であってもよい。同様に、隔離された反射フィーチャは、コレクタに装着されるように説明されている。幾つかの実施形態では、隔離された反射フィーチャは、コレクタと一体構造であってもよい。例えば、隔離された反射フィーチャのリフレクタ部分をコレクタの一部で形成でき、比較的非反射の部分は、中間の放射放出プラズマである実質的に非反射のマスクと、コレクタとを含んでいてもよい。マスクは、コレクタに装着してもよい。

【0112】

[000112] 幾つかの実施形態に関連して説明したリフレクタアレンジメントの曲面ミラーは、上述の曲率半径を有する限り任意の適当な形状を有してもよい。例えば、曲面ミラーは、球形又は楕円形であってもよい。

【0113】

[000113] 幾つかの実施形態に関連して説明したリフレクタアレンジメントの平面ミラーは、正確に平面状でなくてもよい。例えば、ミラーは、非平面であってもよいが全体として平面状の部分を有する。任意の適当な形状のミラーを使用できる。

【0114】

[000114] 上記のある実施形態では、センサアレンジメントは、入射する放射の円錐の縁部の像の位置を測定する一次元センサと、入射する隔離されたリフレクタ領域の像の位置を測定する二次元センサとを備える。あるいは、センサアレンジメントは、放射の円錐の縁部と隔離されたリフレクタ領域の両方が結像される二次元センサを含んでいてもよい。例えば、そのような二次元センサは、二次元ＣＣＤであってもよい。この例では、検出器アレンジメントは、二次元センサの出力を処理し放射の円錐の縁部の像の二次元ＣＣＤ上の位置と隔離されたリフレクタ領域の像の位置とを決定できるプロセッサを備えていてもよい。

【0115】

[000115] 上記実施形態は遠視野位置を決定するために放射の強度を測定する放射強度センサを含む検出器アレンジメントを有するが、これはそうでなくてもよいことを理解されたい。リフレクタアレンジメントによって反射された放射の適当な特性を測定する任意の適当なセンサを使用できる。例えば、ある材料又はデバイスを用いてソースコレクタモジュールからイルミネータへ誘導される放射の部分の別の特性（例えば、波長又は位相）を変更してもよい。放射のその部分の特性は、放射の実質的に残りの部分の上記特性と異なっていてもよい。上記材料又は、デバイスによって変更された特性を有する放射の部分は、コレクタの特定の部分によって反射された放射の部分であってもよい。センサを用いてその特性が変更された（上記材料又はデバイスによって）放射の部分と放射の残りの部分の特性の差を検出することができる。特性変化を受けた放射の部分に対応するコレクタの部分の場所が分かっており、センサが特性変化を受けた放射が入射するセンサ上の位置を測定できる場合、コレクタの縁部と放射の強度を測定するセンサとを用いるのと同等の方法で遠視野位置を決定することができる。コレクタの縁部は、コレクタによって反射される放射の特性を変化させるフィーチャを構成することを理解されたい。これは、コレクタの縁部を超えると、放射はコレクタによって反射されないからである。

【0116】

[000116] 本明細書では、ソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な並進移動、及びソースコレクタモジュールとイルミネータとの間の相対的な傾斜という用語を使用した。これらの用語はソースコレクタモジュール全体とイルミネータ全体だけでなく、ソースコレクタモジュールの一部とイルミネータの一部との間の相対的な並進移動又は相対的な傾斜も指すことができることを理解されたい。

【0117】

[000117] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

【0118】

[000118] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

【0119】

[000119] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。

【0120】

[000120] 「ＥＵＶ放射」という用語は、５〜２０ｎｍの範囲、例えば、１３〜１４ｎｍの範囲、又は５〜１０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍもしくは６．８ｎｍなどの波長を有する電磁放射を包含すると考えることができる。

【0121】

[000121] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図12】

【図13】

【図14】

【図9】

【図10】

【図11】