特許 5860216 ウエーハの面取り部除去方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5860216

(24)【登録日】2015年12月25日

(45)【発行日】2016年2月16日

(54)【発明の名称】ウエーハの面取り部除去方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20160202BHJP

   B24B 9/00 20060101ALI20160202BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 601Z

   H01L21/304 622J

   B24B9/00 601H

   B24B9/00 601Z

【請求項の数】4

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2011-45174(P2011-45174)

(22)【出願日】2011年3月2日

(65)【公開番号】特開2012-182366(P2012-182366A)

(43)【公開日】2012年9月20日

【審査請求日】2014年2月18日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100075177

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 尚純

(74)【代理人】

【識別番号】100113217

【弁理士】

【氏名又は名称】奥貫 佐知子

(72)【発明者】

【氏名】関家 一馬

【審査官】 内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１１４３５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１２９８５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−０５９８６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２４５２５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２４５２５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１５８２３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−１７３９６１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ２４Ｂ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に複数のストリートが格子状に形成され該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有するウエーハの面取り部除去方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
回転可能なチャックテーブルの保持面にウエーハの表面に貼着された保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された切削ブレードを回転しつつ外周余剰領域における面取り部の境界部に位置付けて該保護部材に達する切削深さで面取り部を切断する面取り部切断工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された研削砥石を回転しつつ面取り部が切断された外周余剰領域の切断面に接触させないで切断された面取り部に位置付けて該保護部材から切断された面取り部を研削して除去する面取り部研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの面取り部除去方法。

【請求項2】

該面取り部切断工程を実施して面取り部の切断開始位置が該研削砥石に達した時点で該面取り部研削工程を開始する、請求項１記載のウエーハの面取り部除去方法。

【請求項3】

表面に複数のストリートが格子状に形成され該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有するウエーハの面取り部除去方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
回転可能なチャックテーブルの保持面にウエーハの表面に貼着された保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された切削ブレードを回転しつつ外周余剰領域における面取り部の境界部に位置付けて該保護部材に達する切削深さで面取り部を切断する面取り部切断工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された研削砥石を回転しつつ外周余剰領域における面取り部の境界部に位置付けて面取り部を研削して除去する面取り部研削工程と、を含み、
該面取り部切断工程と該面取り部研削工程は、同時に実施する、
ことを特徴とするウエーハの面取り部除去方法。

【請求項4】

該面取り部研削工程の実施により面取り部の研削開始位置が該切削ブレードに達した時点で該チャックテーブルの回転速度を速める、請求項３記載のウエーハの面取り部除去方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成され該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有するウエーハの面取り部除去方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる複数のストリートが格子状に形成され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。

【0003】

半導体デバイスの小型化および軽量化を図るために、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。

【0004】

しかるに、半導体ウエーハは、半導体デバイスを形成するプロセス中に割れや発塵を防止するためにデバイスが形成されたデバイス領域を囲繞する外周余剰領域の外周部には円弧状の面取りが形成されている。このように外周部に円弧状の面取りが形成された厚みが例えば６００μmの半導体ウエーハの裏面を研削して１００μmの厚みに仕上げると、半導体ウエーハの外周に所謂ナイフエッジが形成され、危険であるとともに外周から欠けが発生して半導体ウエーハが損傷するという問題がある。

【0005】

上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する前に、半導体ウエーハの表面側から面取り部を切削ブレードによって切削して除去し、その後半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する技術が下記特許文献１に開示されている。

【0006】

また、上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する前に、半導体ウエーハを保護テープまたはサブストレートで支持し、半導体ウエーハの外周部に形成された面取り部を研削砥石によって研削して除去する方法が下記特許文献２に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００７−１５８２３９号公報

【特許文献2】特開２０００−１７３９６１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

上記特許文献１に記載されたようにウエーハの表面側から面取り部を切削ブレードによって切削して除去すると、ウエーハの表面に切削屑が付着してデバイス面が汚染されるという問題がある。
なお、ウエーハの表面に保護テープを貼着して該保護テープ側を切削装置のチャックテーブルに保持した状態でウエーハの裏面側から面取り部を切削ブレードによって完全切断すると環状の面取り部が保護テープに貼着した状態で残存し、その状態でウエーハの裏面を研削すると環状の切断溝に研削屑が入り込みウエーハの外周を汚染するという問題がある。
また、特許文献２に記載されたようにウエーハの外周部に形成された面取り部を研削砥石によって研削して除去する方法は、研削によって面取り部が除去されたウエーハの外周に欠けを発生させないために、粒径が小さい（例えば２μm程度）砥粒からなる仕上げ用の研削砥石を用いる必要がある。このため、ウエーハの外周部に形成された面取り部を研削砥石によって研削して除去する方法は、上述した切削ブレードによる切断に比して相当の時間を要し、生産性が極めて悪いという問題がある。

【0009】

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハのデバイス面や外周を汚染することなく、外周部に形成された面取り部を効率よく除去することができるウエーハの面取り部除去方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成され該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有するウエーハの面取り部除去方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
回転可能なチャックテーブルの保持面にウエーハの表面に貼着された保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された切削ブレードを回転しつつ外周余剰領域における面取り部の境界部に位置付けて該保護部材に達する切削深さで面取り部を切断する面取り部切断工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された研削砥石を回転しつつ面取り部が切断された外周余剰領域の切断面に接触させないで切断された面取り部に位置付けて該保護部材から切断された面取り部を研削して除去する面取り部研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの面取り部除去方法が提供される。

【0011】

上記面取り部切断工程を実施して面取り部の切断開始位置が研削砥石に達した時点で面取り部研削工程を開始する。

【0012】

また、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成され該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有するウエーハの面取り部除去方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
回転可能なチャックテーブルの保持面にウエーハの表面に貼着された保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された切削ブレードを回転しつつ外周余剰領域における面取り部の境界部に位置付けて該保護部材に達する切削深さで面取り部を切断する面取り部切断工程と、
該チャックテーブルを回転させながら該チャックテーブルの回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドルに装着された研削砥石を回転しつつ外周余剰領域における面取り部の境界部に位置付けて面取り部を研削して除去する面取り部研削工程と、を含み、
該面取り部切断工程と該面取り部研削工程は、同時に実施する、
ことを特徴とするウエーハの面取り部除去方法が提供される。

【0013】

上記面取り部研削工程の実施により面取り部の研削開始位置が該切削ブレードに達した時点でチャックテーブルの回転速度を速めることが望ましい。

【発明の効果】

【0014】

本発明によるウエーハの面取り部除去方法においては、ウエーハの表面に保護部材を貼着し、該保護部材側をチャックテーブル上に保持した状態で、面取り部切断工程および切断された面取り部を研削して除去する面取り部研削工程を実施するので、ウエーハの表面が汚染されることがない。また、ウエーハの外周が切削ブレードの切削によって仕上げられ、研削砥石は切削ブレードの切削によって仕上げられた切断面に接触しない状態で切断された面取り部を研削するので、ウエーハの外周に欠けを生じさせることなく効率よく面取り部を除去することができる。更に、本発明によるウエーハの面取り部除去方法においては、切削ブレードによって切断された面取り部が面取り部研削工程を実施することにより完全に除去されているので、その後に実施するウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程において、ウエーハの外周面が研削屑によって汚染されることはない。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明によるウエーハの面取り部除去方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。

【図2】図１に示す半導体ウエーハを拡大して示す断面図。

【図3】本発明によるウエーハの面取り部除去方法における保護部材貼着工程の説明図。

【図4】本発明によるウエーハの面取り部除去方法における面取り部切断工程および面取り部研削工程を実施するための加工装置の要部斜視図。

【図5】本発明によるウエーハの面取り部除去方法におけるウエーハ保持工程の説明図。

【図6】本発明によるウエーハの面取り部除去方法における面取り部切断工程の説明図。

【図7】本発明によるウエーハの面取り部除去方法における面取り部切断工程および面取り部研削工程の説明図。

【図8】本発明によるウエーハの面取り部除去方法における面取り部切断工程および面取り部研削工程の他の実施形態を示す説明図。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明によるウエーハの面取り部除去方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。

【0017】

図１には、本発明によるウエーハの面取り部除去方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハ２の斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μmの円板形状をしたシリコンウエーハからなり、その表面２ａに複数のストリート２１が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２は、デバイス２２が形成されているデバイス領域２２０と、該デバイス領域２２０を囲繞する外周余剰領域２３０を備えており、該外周余剰領域２３０の外周部には、図２に示すように表面２ａから裏面２bに渡り面対称に形成された円弧状の面取り部２cが形成されている。

【0018】

以下、図１および図２に示す半導体ウエーハ２の外周部に形成された円弧状の面取り部２cを除去するウエーハの面取り部除去方法について説明する。
本発明によるウエーハの面取り部除去方法においては、先ず半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたデバイス２２を保護するために、図３の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに保護テープ等の保護部材Tを貼着する（保護部材貼着工程）。

【0019】

上述した保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の面取り部２cを切断する面取り部切断工程と、切断された面取り部を研削して除去する面取り部研削工程を実施する。この面取り部切断工程および面取り部研削工程は、図４に示す加工装置によって実施する。図４に示す加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を切削する切削手段３２と、該チャックテーブル３１に保持された被加工物を研削する研削手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、チャックテーブル本体３１１と、該チャックテーブル本体３１１の上面に配設され多孔質セラミック材によって形成された吸着チャック３１２とからなっている。このように構成されたチャックテーブル３１は、吸着チャック３１２の上面である保持面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転機構によって回転せしめられるように構成されている。

【0020】

上記切削手段３２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１にチャックテーブル３１の上面である保持面と平行に回転自在に支持されチャックテーブル３１の回転中心と直交する直線上に配設された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２の先端部に装着された切削ブレード３２３を含んでおり、回転スピンドル３２２がスピンドルハウジング３２１内に配設された図示しないサーボモータによって回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード３２３は、図示の実施形態においては粒径が１〜２μｍのダイヤモンド砥粒をニッケル等の金属メッキで結合した厚みが２０〜３０μｍの電鋳ブレードからなっている。

【0021】

上記研削手段３３は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング３３１と、該スピンドルハウジング３３１にチャックテーブル３１の上面である保持面と平行に回転自在に支持されチャックテーブル３１の回転中心と直交する直線上に上記切削手段３２の回転スピンドル３２２と対向して配設された回転スピンドル３３２と、該回転スピンドル３３２の先端部に装着された円盤状の研削砥石３３３を含んでおり、回転スピンドル３３２がスピンドルハウジング３３１内に配設された図示しないサーボモータによって回転せしめられるようになっている。なお、研削砥石３３３は、図示の実施形態においては粒径が３０〜４０μｍのダイヤモンド砥粒をレジンボンド材に混錬し環状に成型して焼成したレジノイド砥石や、砥粒を金属ボンド材に混錬し環状に成型して焼成したメタル砥石からなり、厚みが１ｍｍ程度に設定されている。

【0022】

上述した加工装置３を用いて半導体ウエーハ２の面取り部２cを切断する面取り部切断工程および切断された面取り部を研削して除去する面取り部研削工程を実施するには、図５に示すようにチャックテーブル３１を構成する吸着チャック３１２の上面である保持面上に上記保護部材貼着工程によって表面に保護部材Tが貼着された半導体ウエーハ２の保護部材T側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル３１上に保護部材Tを介して導体ウエーハ２を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。

【0023】

上述したウエーハ保持工程を実施したならば、図６の(a)に示すように切削手段３２の回転スピンドル３２２に装着された切削ブレード３２３を矢印３２３aで示す方向（正面から見て時計回り）に例えば２００００rpmの回転速度で回転しつつチャックテーブル３１上に吸引保持された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの境界部に位置付ける。そして、切削ブレード３２３を図６の(a)において下方に切削送りして切削ブレード３２３の外周縁が保護部材Tに達する所定の切削送り位置に位置付ける。このようにして切削ブレード３２３を所定の切削送り位置に位置付けたならば、チャックテーブル３１を矢印３１aで示す方向（正面から見て時計回り）に例えば２度／秒の回転速度で回転せしめる。この結果、図６の(ｂ)に示すように半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの境界部は切削ブレード３２３により切削された切削溝２４０によって切断される（面取り部切断工程）。なお、面取り部切断工程においては、切削ブレード３２３による切削加工部に純水でよい加工水が供給される。

【0024】

上述した面取り部切断工程を開始し、図６の(b)において矢印２４０aで示す面取り部の切断開始位置が研削手段３３の回転スピンドル３３２に装着された円盤状の研削砥石３３３による研削領域に達したら、図７の(a)に示すように研削砥石３３３を矢印３３３aで示す方向（正面から見て反時計回り）に例えば２００００rpmの回転速度で回転しつつ研削砥石３３３を図７の(a)において下方に研削送りして研削砥石３３３の外周縁が保護部材Tに達する所定の研削送り位置に位置付ける。このとき研削砥石３３３は、チャックテーブル３１の中心側の側面が外周余剰領域２３０の切断面に接触しない状態で位置付けられる。この結果、図７の(ｂ)に示すように上述したように切削ブレード３２３によって切断された面取り部２cが研削砥石３３３の外周面によって研削され、保護部材Tから除去される（面取り部研削工程）。この面取り部研削工程を切削ブレード３２３によって切断された面取り部２cが研削砥石３３３を通過するまで実施することにより、図７の(c)に示すように半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cを完全に除去することができ、保護部材Tの外周部が露出される。なお、面取り部研削工程においては、研削砥石３３３による研削加工部に純水でよい加工水が供給される。

【0025】

以上のように図示の実施形態においては、半導体ウエーハ２の表面に保護部材Tを貼着し、該保護部材T側を加工装置３のチャックテーブル３１上に保持した状態で、上記面取り部切断工程および切断された面取り部を研削して除去する面取り部研削工程を実施するので、半導体ウエーハ２の表面が汚染されることがない。また、図示の実施形態においては、半導体ウエーハ２の外周が粒径が小さく微細な砥粒によって形成された切削ブレード３２３の切削によって仕上げられ、粒径が大きく粗い砥粒によって形成された研削砥石３３３は切削ブレード３２３の切削によって仕上げられた切断面に接触しない状態で切断された面取り部２cを研削するので、半導体ウエーハ２の外周に欠けを生じさせることなく効率よく面取り部を除去することができる。

【0026】

以上のようにして半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cが除去されたならば、半導体ウエーハ２は表面に保護テープTが貼着された状態で裏面を研削する裏面研削装置に搬送される。そして、裏面研削装置に搬送された半導体ウエーハ２は、裏面が研削されて所定の厚みに形成される。この裏面研削工程を実施する際には、上述したように切削ブレード３２３によって切断され分離された面取り部２cが上記面取り部研削工程を実施することにより完全に除去されているので、研削屑によって半導体ウエーハ２の外周面が汚染されることはない。

【0027】

次に、本発明によるウエーハの面取り部除去方法の他の実施形態について、図８を参照して説明する。
図８に示す実施形態においても、上述したウエーハの面取り部除去方法における図３に示す保護部材貼着工程および図５に示すウエーハ保持工程を実施する。図３に示す保護部材貼着工程および図５に示すウエーハ保持工程を実施したならば、図８の(a)に示すように切削手段３２の回転スピンドル３２２に装着された切削ブレード３２３を矢印３２３aで示す方向（正面から見て時計回り）に例えば２００００rpmの回転速度で回転しつつチャックテーブル３１上に吸引保持された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの境界部に位置付ける。そして、切削ブレード３２３を図８の(a)において下方に切削送りして切削ブレード３２３の外周縁が保護部材Tに達する所定の切削送り位置に位置付ける。また、図８の(a)に示すように研削手段３３の回転スピンドル３３２に装着された円盤状の研削砥石３３３を矢印３３３aで示す方向（正面から見て反時計回り）に例えば２００００rpmの回転速度で回転しつつチャックテーブル３１上に吸引保持された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの境界部に位置付ける。そして、研削砥石３３３を図８の(a)において下方に研削送りして研削砥石３３３の外周縁が保護部材Tに達する所定の研削送り位置に位置付ける。このとき、研削砥石３３３は、チャックテーブル３１の中心側の側面が上記切削ブレード３２３による切断溝内に対応する位置となるように位置付ける。

【0028】

このようにして切削ブレード３２３を所定の切削送り位置に位置付けるとともに研削砥石３３３を所定の研削送り位置に位置付けたならば、チャックテーブル３１を矢印３１aで示す方向（正面から見て時計回り）に例えば２度／秒の回転速度で回転せしめる。この結果、図８の(ｂ)に示すように半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの境界部は切削ブレード３２３により切削された切削溝２４０によって切断される（面取り部切断工程）とともに、研削砥石３３３によって半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cが研削され除去される（面取り部研削工程）。なお、面取り部切断工程および面取り部研削工程においては、切削ブレード３２３による切削加工部および研削砥石３３３による研削加工部に純水でよい加工水が供給される。

【0029】

上述したように切削ブレード３２３による面取り部切断工程と、研削砥石３３３による面取り部研削工程を同時に実施すると、半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの一方の半分の領域は切削ブレード３２３による面取り部切断工程が先に実施され、他の半分の領域は研削砥石３３３による面取り部研削工程が先に実施される。従って、半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの一方の半分の領域は、切削ブレード３２３により切削された切削溝２４０によって切断された面取り部２cが研削砥石３３３の外周面によって研削され、保護部材Tから除去される。このとき、研削砥石３３３はチャックテーブル３１の中心側の側面が切削ブレード３２３による切断溝内に対応する位置となるように位置付けられているので、上述した実施形態と同様に切削ブレード３２３による切断と接触することがないため、微細な砥粒によって形成された切削ブレード３２３による切断面が粗い砥粒によって形成された研削砥石３３３によって研削されることはない。従って、半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０の切断面に欠けが生ずることがない。

【0030】

一方、半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cの他方の半分の領域は、研削砥石３３３によって円弧状の面取り部２cが研削され除去された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０の外周面が切削ブレード３２３によって研磨面のように修正される。即ち、粗い砥粒によって形成された研削砥石３３３によって研削された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０の外周面には欠けが発生するが、この外周部は切削ブレード３２３が僅かに作用するように位置付けられているので、微細な砥粒によって形成された切削ブレード３２３の作用によって研磨面のように修正される。以上のように、切削ブレード３２３による面取り部切断工程と研削砥石３３３による面取り部研削工程を同時に実施することにより、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル３１を１回転することにより、図８の(c)に示すように半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０における円弧状の面取り部２cを除去することができるとともに、外周余剰領域２３０の外周面が微細な砥粒によって形成された切削ブレード３２３によって研磨面のように形成された状態となる。

【0031】

なお、上記図８に示す実施形態においては、面取り部研削工程の実施により図８の(ｂ)において矢印２５０aで示す研削開始位置が切削ブレード３２３に達した時点でチャックテーブル３１の回転速度を例えば３度／秒の回転速度に速める。即ち、研削砥石３３３によって研削された半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０の外周面を修正する切削ブレード３２３による切削作業は、切削ブレード３２３を外周余剰領域２３０の外周面に僅かに作用させるだけなので、半導体ウエーハ２を完全に切断する面取り部切断工程のように切削時間をかけなくても微細な砥粒によって形成された切削ブレード３２３の作用により研磨面のように修正することができる。従って、研削開始位置２５０aが切削ブレード３２３に達した時点でチャックテーブル３１の回転速度を例えば３度／秒の回転速度に速めることにより、加工時間を短縮することができる。一方、切削ブレード３２３によって切断された面取り部２cは研削砥石３３３によって研削され保護部材Tから除去されるが、切削ブレード３２３によって切断された面取り部２cは半導体ウエーハ２から完全に分離されているので、チャックテーブル３１の回転速度が速くなって研削精度が粗くなっても、半導体ウエーハ２の外周余剰領域２３０の外周面の加工精度には何らの影響がない。

【符号の説明】

【0032】

２：半導体ウエーハ
２２：デバイス
２２０：デバイス領域
２３０：外周余剰領域
２c：円弧状の面取り部
３：加工装置
３１：チャックテーブル
３２：切削手段
３２３：切削ブレード
３３：研削手段
３３３：研削砥石
T：保護部材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】