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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5874230
(24)【登録日】2016年1月29日
(45)【発行日】2016年3月2日
(54)【発明の名称】封止膜材料、封止膜及び用途
(51)【国際特許分類】
C23C 16/42 20060101AFI20160218BHJP
H01L 21/312 20060101ALI20160218BHJP
H01L 21/318 20060101ALI20160218BHJP
【ＦＩ】
C23C16/42
H01L21/312 C
H01L21/318 B
【請求項の数】14
【全頁数】24
(21)【出願番号】特願2011-164235(P2011-164235)
(22)【出願日】2011年7月27日
(65)【公開番号】特開2012-67383(P2012-67383A)
(43)【公開日】2012年4月5日
【審査請求日】2014年6月26日
(31)【優先権主張番号】特願2010-190725(P2010-190725)
(32)【優先日】2010年8月27日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003300
【氏名又は名称】東ソー株式会社
(72)【発明者】
【氏名】原 大治
(72)【発明者】
【氏名】清水 真郷
【審査官】
伊藤 光貴
(56)【参考文献】
【文献】
特開２００５−１６６４００（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１０−１０３４８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２００９／１５０９９２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２００４−１２８１９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２００５／０１６３９２７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】
特表２００４−５０７１０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２００３／０１６２４１２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】
特開２０１１−０６３８５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２０１１／００６４９３２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】
特開２００４−１２８３７５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
米国特許出願公開第２０１０／０１４３６０９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】
米国特許出願公開第２００９／０１４２９３５（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｃ２３Ｃ １６／００−１６／５６
Ｈ０１Ｌ ２１／３１２
Ｈ０１Ｌ ２１／３１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
有機窒化ケイ素化合物が、下記一般式（３）
（式中、Ｒ６は水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、ｙは３乃至６の整数を表す。）
で示される環状化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる膜から成ることを特徴とする封止膜。
【化1】
で示される環状化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる膜から成ることを特徴とする封止膜。
【請求項2】
一般式（３）におけるｙが３，４である請求項１に記載の封止膜。
【請求項3】
一般式（３）におけるｙが４である請求項１又は２に記載の封止膜。
【請求項4】
化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、請求項１乃至３のいずれかに記載の封止膜。
【請求項5】
化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止膜。
【請求項6】
請求項１〜５のいずれかに記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理することを特徴とする封止膜の製造方法。
【請求項7】
請求項１〜５のいずれかに記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。
【請求項8】
請求項１〜５のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。
【請求項9】
請求項１〜５のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項10】
下記一般式（３）
（式中、Ｒ６は水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、ｙは３乃至６の整数を表す。）
で示される環状化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の封止膜材料。
【化2】
で示される環状化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の封止膜材料。
【請求項11】
一般式（３）におけるｙが３，４である請求項１０に記載の封止膜材料。
【請求項12】
一般式（３）におけるｙが４である請求項１０又は１１に記載の封止膜材料。
【請求項13】
ケイ素、炭素および窒素を含有し、表面の組成が原子比でケイ素１．０に対し、窒素含有量が０．２以上１．３３以下、炭素含有量が０以上１．０以下であり、かつ赤外吸収スペクトルの１２００〜１３００ｃｍ−１及び２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収が実質的に検出限界以下である、請求項１〜５いずれかに記載の封止膜。
【請求項14】
水透過性が５．０×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である、請求項１〜５、１３いずれかに記載の封止膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機窒化ケイ素化合物から形成された封止膜及びその用途に関するものである。殊にプラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）により成膜して得られた封止膜に関するものである。
【背景技術】
【0002】
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤ）では、その表示パネルの基材としてガラス基板が用いられるが、薄膜化、軽量化、耐衝撃性向上、フレキシブル化、更には、ロールツーロールプロセスへの適応の観点から、透明プラスチック基板への代替要求が高まっている。また、プラスチック基板に有機半導体を用いて有機トランジスタを形成したり、ＬＳＩ、Ｓｉ薄膜太陽電池、有機色素増感太陽電池、有機半導体太陽電池を形成する試みがなされている。
【0003】
通常市販されているプラスチック基板に上記素子を形成した場合、液晶素子、有機ＥＬ素子、ＴＦＴ素子、半導体素子、太陽電池等、形成された素子、デバイスが水、酸素に弱い為、ディスプレイの表示にダークスポットやドット抜けが発生したり、半導体素子、太陽電池が機能しなくなり、実用に耐えない。従って、プラスチック基板に水蒸気、酸素ガスに対するガスバリア性能を付与したガスバリアプラスチック基板が必要となる。一方、ガスバリア性能を付与した透明プラスチックフィルムは、食料品、医薬品、電子材料、電子部品の包装材料用途として、今後、不透明なアルミ箔ラミネートフィルムに変わって益々使用が拡大する方向にある。
【0004】
透明プラスチック基板や透明プラスチックフィルムに透明ガスバリア性能を付与する方法としては、物理的成膜法と化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法）がある。
【0005】
窒化炭素膜を利用した提案として特許文献１があり、メタンガスと窒素ガスを用いて窒化炭素膜をＰＥＣＶＤ成膜し、ガラス基板と樹脂フィルムの密着層としている。また、トリメチルアミン等のアミン化合物を用いた窒化炭素膜のＰＥＣＶＤ成膜については、特許文献２で開示されている。半導体分野においては、特許文献３でエチレンやアセチレン等の不飽和炭素化合物と窒素又はアンモニアを用いて窒化炭素薄膜を薄膜トランジスタの層間絶縁膜やゲート絶縁膜として用いることを提案している。更に特許文献４では、電界効果トランジスタのゲート絶縁膜としてＣＶＤ法で形成した窒化炭素膜を用いることを提案している。
【0006】
しかしながら、これらの窒化炭素膜の成膜方法は、原料が二成分系であり、できた膜の組成が一定にならない。特に窒素含有量が安定しなかったり、窒素含有量が少ないという問題点を有してした。更には、ガスバリア膜として使用するには、膜が十分に緻密でない為に水蒸気や酸素に対するガスバリア性能が不十分であったり、半導体用絶縁膜として使用する為には、絶縁特性が不十分である等の課題を抱えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２００４−６６６６４号公報
【特許文献2】特開平９−２５５３１４号公報
【特許文献3】特開２００４−２７７８８２号公報
【特許文献4】特開２００２−２７０８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＣＶＤ装置に適した化合物を原料として、ガスバリア及び半導体用のバリア膜、エッチストップ膜、ハードマスク膜等として使用できる有機窒化ケイ素含有膜を形成し、それらの膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、特定の有機窒化ケイ素化合物を原料として用い、ＣＶＤ法により封止膜を形成する方法が、ガスバリア用及び半導体デバイス用の緻密な膜を成膜するに好適な方法であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】
すなわち本発明は、以下のものである。［１］少なくとも一つの水素原子がケイ素原子に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる膜から成ることを特徴とする封止膜。
［２］上記有機窒化ケイ素化合物が、下記一般式（１）
【0011】
【化1】
で示される鎖状または環状構造を有する化合物である、上述の［１］に記載の封止膜。
［３］上記有機窒化ケイ素化合物が、下記一般式（２）
【0012】
【化2】
で示される鎖状化合物である、上述の［１］または［２］に記載の封止膜。
［４］上記有機窒化ケイ素化合物が、下記一般式（３）
【0013】
【化3】
で示される環状化合物である、上述の［１］または［２］に記載の封止膜。
［５］化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、上述の［１］乃至［４］のいずれかに記載の封止膜。
［６］化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、上述の［１］乃至［４］のいずれかに記載の封止膜。
［７］上述の［１］〜［６］のいずれかに記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜。
［８］上述の［１］〜［７］のいずれかに記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。
［９］上述の［１］〜［７］のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。
［１０］上述の［１］〜［７］のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。
［１１］一般式（１）で示される鎖状または環状構造を有する化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の封止膜材料。
［１２］一般式(１)で示される鎖状または環状構造を有する化合物が、一般式（２）で示される鎖状化合物である上述の［１１］に記載の封止膜材料。
［１３］一般式(１)で示される鎖状または環状構造を有する化合物が、一般式（３）で示される環状化合物である上述の［１１］に記載の封止膜材料。
［１４］ケイ素、炭素および窒素を含有し、表面の組成が原子比でケイ素１．０に対し、窒素含有量が０．２以上１．３３以下、炭素含有量が０以上１．０以下であり、かつ赤外吸収スペクトルの１２００〜１３００ｃｍ−１及び２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収が実質的に検出限界以下である、上述の［１］〜［７］いずれかに記載の封止膜。
［１５］水透過性が５．０×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である、上述の［１］〜［７］、［１４］いずれかに記載の封止膜。
【0014】
以下、本発明の詳細について説明する。
【0015】
本発明において、ＣＶＤ法の原料として使用できる少なくとも一つの水素原子がケイ素に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物は特に限定されるものではないが、前述の一般式（１）で示される鎖状または環状構造を有する化合物が好ましい。
【0016】
上記一般式（１）おいて、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基であり、このうち炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよく、また直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してよい。また、Ｒ１どうしが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。
【0017】
Ｒ１としては、ＣＶＤ法装置での安定的使用を考慮した場合、有機窒化ケイ素化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、好ましくは水素または炭素数１〜１０の飽和または不飽和炭化水素基であり、例えば、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルケニルアリール基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アルキニルアリール基を挙げることができる。Ｒ１どうしは同一であっても異なっても良い。
【0018】
Ｒ１の具体的な例としては、水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、シクロブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、１−アダマンチル等のアルキル基、フェニル、ジフェニル、ナフチル等のアリール基、ベンジル、メチルベンジル等のアリールアルキル基、
ｏ−トルイル、ｍ−トルイル、ｐ−トルイル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、ｏ−エチルフェニル、ｍ−エチルフェニル、ｐ−エチルフェニル等のアルキルアリール基、
ビニル、アリル、１−プロペニル、１−ブテニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、シクロブテニル、１−シクロペンテニル、２−シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、１−ヘキセニル、シクロヘキセニル、シクロオクテニル、シクロオクタジエニル、２，４−シクロヘキサジエニル、２，５−シクロヘキサジエニル、２，４，６−シクロヘプタトリエニル、５−ノルボルネン−２−イル等のアルケニル基、
２−フェニル−１−エテニル等のアリールアルケニル基、
ｏ−スチリル，ｍ−スチリル，ｐ−スチリル等のアルケニルアリール基、
エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル，２−ブチニル，３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、３−ヘキシニル、５−ヘキシニル等のアルキニル基、
２−フェニル−１−エチニル等のアリールアルキニル基、
２−エチニル−２フェニル等のアルキニルアリール基
からなる群から選ばれた少なくとも一種を挙げることができる。
【0019】
特に好ましくは、水素原子または炭素数１〜４の飽和炭化水素基であり、具体的には水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、シクロブチルである。中でも、メチル、エチル、ｉ−プロピルがとりわけ好ましい。
【0020】
上記一般式（１）おいてｎは、ｎは１乃至１０の整数を表す。好ましくは、有機窒化ケイ素化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、ｎが１〜６の整数である。特に好ましくは、ｎが１〜４の整数である。とりわけｎ＝１，２が好ましい。
【0021】
上記一般式（１）の例としては、前述の一般式（２）で示される鎖状化合物を挙げることができる。
【0022】
上記一般式（２）おいて、Ｒ２とＲ４は、上記のＲ１と同様の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、環状構造を有する飽和または不飽和炭化水素基を用いることができる。Ｒ３とＲ５は、上記のＲ１と同様の水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、環状構造を有する飽和または不飽和炭化水素基を用いることができる。また、Ｒ２とＲ４、Ｒ３とＲ５どうしが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。化学気相成長法装置での安定的使用を考慮した場合、有機窒化ケイ素化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、Ｒ２〜Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜４の飽和炭化水素基が更に好ましく、具体的にはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、シクロブチルである。特にＲ２〜Ｒ５はメチル、エチル、ｉ−プロピルが好ましい。
【0023】
Ｒ２とＲ４、Ｒ３とＲ５どうしは同一であっても異なっても良い。
【0024】
上記一般式（２）おいてｘは、１乃至１０の整数を表す。好ましくは、有機窒化ケイ素化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、ｘが１〜６の整数である。特に好ましくは、ｘが１〜４の整数である。とりわけｘ＝１，２が好ましい。
【0025】
一般式（２）で示される化合物の具体例としては、１−メチルジシラザン、１，１−ジメチルジシラザン、１，３−ジメチルジシラザン、１，１，３−トリメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラメチルジシラザン
１−メチルトリシラザン、３−メチルトリシラザン、１，３−ジメチルトリシラザン、１，５−ジメチルトリシラザン、１，１，３−トリメチルトリシラザン、１，３，５−トリメチルトリシラザン、１，１，３，５−テトラメチルトリシラザン、１，１，５，５−テトラメチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタメチルトリシラザン、
１−メチルテトラシラザン、３−メチルテトラシラザン、１，１−ジメチルテトラシラザン、１，３−ジメチルテトラシラザン、１，５−ジメチルテトラシラザン、１，７−ジメチルテトラシラザン、１，１，３−トリメチルテトラシラザン、１，１，５−トリメチルテトラシラザン、１，１，７−トリメチルテトラシラザン、１，３，５−トリメチルテトラシラザン、１，３，７−トリメチルテトラシラザン、１，１，３，５−テトラメチルテトラシラザン、１，１，３，７−テトラメチルテトラシラザン、１，１，７，７−テトラメチルテトラシラザン、１，３，５，７−テトラメチルテトラシラザン、１，１，３，５，７−ペンタメチルテトラシラザン、１，１，３，７，７−ペンタメチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサメチルテトラシラザンがあげられる。
【0026】
また１−メチルペンタシラザン、３−メチルペンタシラザン、５−メチルペンタシラザン、１，１−ジメチルペンタシラザン、１，３−ジメチルペンタシラザン、１，５−ジメチルペンタシラザン、１，７−ジメチルペンタシラザン、１，９−ジメチルペンタシラザン、１，１，３−トリメチルペンタシラザン、１，１，５−トリメチルペンタシラザン、１，１，７−トリメチルペンタシラザン、１，１，９−トリメチルペンタシラザン、１，３，５−トリメチルペンタシラザン、１，３，７−トリメチルペンタシラザン、１，３，９−トリメチルペンタシラザン、３，５，９−トリメチルペンタシラザン、１，１，３，５−テトラメチルペンタシラザン、１，１，３，７−テトラメチルペンタシラザン、１，１，３，９−テトラメチルペンタシラザン、１，１，５，７−テトラメチルペンタシラザン、１，１，５，９−テトラメチルペンタシラザン、１，１，７，９−テトラメチルペンタシラザン、１，３，５，７−テトラメチルペンタシラザン、１，３，５，９−テトラメチルペンタシラザン、１，５，７，９−テトラメチルペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタメチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９−ヘキサメチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタメチルペンタシラザンがあげられる。
【0027】
また１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタメチルヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタメチルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナメチルヘプタシラザン、
１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタメチルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカメチルオクタシラザン、
１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナメチルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカメチルノナシラザン、
１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカメチルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカメチルデカシラザン、１，３−ジエチルジシラザン、１，３−ジエチル−１，３−ジメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラエチルジシラザン、１，３，５−トリエチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタエチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラエチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサエチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタエチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタエチルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサエチルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタエチルヘキサシラザンがあげられる。
【0028】
また１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタエチルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナエチルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタエチルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカエチルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナエチルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカエチルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカエチルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカエチルデカシラザン、１，３−ジｎ−プロピルジシラザン、１，１，３，３−テトラｎ−プロピルジシラザン、１，３，５−トリｎ−プロピルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｎ−プロピルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−プロピルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｎ−プロピルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−プロピルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｎ−プロピルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−プロピルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタｎ−プロピルヘキサシラザンがあげられる。
【0029】
また１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｎ−プロピルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナｎ−プロピルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｎ−プロピルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカｎ−プロピルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｎ−プロピルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカｎ−プロピルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｎ−プロピルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカｎ−プロピルデカシラザン、１，３−ジイソプロピルジシラザン、１，３−ジイソプロピル−１，３−ジメチルジシラザン、１，３−ジイソプロピル−１，３−ジエチルジシラザン、１，１，３，３−テトライソプロピルジシラザン、１，３，５−トリイソプロピルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタイソプロピルトリシラザン、１，３，５，７−テトライソプロピルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサイソプロピルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタイソプロピルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサイソプロピルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタイソプロピルヘキサシラザンがあげられる。
【0030】
また１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタイソプロピルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナイソプロピルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタイソプロピルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカイソプロピルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナイソプロピルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカイソプロピルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカイソプロピルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカイソプロピルデカシラザン、１，３−ジｎ−ブチルジシラザン、１，１，３，３−テトラｎ−ブチルジシラザン、１，３，５−トリｎ−ブチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｎ−ブチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ブチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｎ−ブチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ブチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｎ−ブチルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−ブチルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタｎ−ブチルヘキサシラザンがあげられる。
【0031】
また１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｎ−ブチルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナｎ−ブチルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｎ−ブチルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカｎ−ブチルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｎ−ブチルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカｎ−ブチルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｎ−ブチルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカｎ−ブチルデカシラザン、１，３−ジイソブチルジシラザン、１，１，３，３−テトライソブチルジシラザン、１，３，５−トリイソブチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタイソブチルトリシラザン、１，３，５，７−テトライソブチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサイソブチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ブチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタイソブチルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサイソブチルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタイソブチルヘキサシラザンがあげられる。
【0032】
また１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタイソブチルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナイソブチルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタイソブチルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカイソブチルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナイソブチルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカイソブチルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカイソブチルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカイソブチルデカシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチルジシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチル−１，３−ジメチルジシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチル−１，３−ジエチルジシラザン、１，１，３，３−テトラｓｅｃ．−ブチルジシラザン、１，３，５−トリｓｅｃ．−ブチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｓｅｃ．−ブチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ．−ブチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｓｅｃ．−ブチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ．−ブチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｓｅｃ．−ブチルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｓｅｃ．−ブチルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタｓｅｃ．−ブチルヘキサシラザンがあげられる。
【0033】
また１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｓｅｃ．−ブチルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナｓｅｃ．−ブチルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｓｅｃ．−ブチルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカｓｅｃ．−ブチルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｓｅｃ．−ブチルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカｓｅｃ．−ブチルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｓｅｃ．−ブチルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカｓｅｃ．−ブチルデカシラザンがあげられる。
【0034】
また、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチルジシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチル−１，３−ジメチルジシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチル−１，３−ジエチルジシラザン、１，１，３，３−テトラｔｅｒｔ．−ブチルジシラザン、１，３，５−トリｔｅｒｔ．−ブチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｔｅｒｔ．−ブチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｔｅｒｔ．−ブチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｔｅｒｔ．−ブチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｔｅｒｔ．−ブチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｔｅｒｔ．−ブチルペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｔｅｒｔ．−ブチルヘキサシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１１−オクタｔｅｒｔ．−ブチルヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｔｅｒｔ．−ブチルヘプタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１３−ノナｔｅｒｔ．−ブチルヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｔｅｒｔ．−ブチルオクタシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１５−デカｔｅｒｔ．−ブチルオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｔｅｒｔ．−ブチルノナシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１７−ウンデカｔｅｒｔ．−ブチルノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｔｅｒｔ．−ブチルデカシラザン、１，１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９，１９−ドデカｔｅｒｔ．−ブチルデカシラザンがあげられる。
【0035】
また１，３−ジｎ−ペンチルジシラザン、１，１，３，３−テトラｎ−ペンチルジシラザン、１，３，５−トリｎ−ペンチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｎ−ペンチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ペンチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｎ−ペンチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ペンチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｎ−ペンチルペンタシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−アミルジシラザン、１，１，３，３−テトラｔｅｒｔ．−アミルジシラザン、１，３，５−トリｔｅｒｔ．−アミルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｔｅｒｔ．−アミルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｔｅｒｔ．−アミルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｔｅｒｔ．−アミルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｔｅｒｔ．−アミルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｔｅｒｔ．−アミルペンタシラザン、
１，３−ジシクロペンチルジシラザン、１，１，３，３−テトラシクロペンチルジシラザン、１，３，５−トリシクロペンチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタシクロペンチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラシクロペンチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサシクロペンチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタシクロペンチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタシクロペンチルペンタシラザンがあげられる。
【0036】
また１，３−ジｎ−ヘキシルジシラザン、１，１，３，３−テトラｎ−ヘキシルジシラザン、１，３，５−トリｎ−ヘキシルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｎ−ヘキシルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ヘキシルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｎ−ヘキシルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ヘキシルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｎ−ヘキシルペンタシラザン、１，３−ジシクロヘキシルジシラザン、１，３−ジシクロヘキシル−１，３−ジメチルジシラザン、１，３−ジシクロヘキシル−１，３−ジエチルジシラザン、１，１，３，３−テトラシクロヘキシルジシラザン、１，３，５−トリシクロヘキシルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタシクロヘキシルトリシラザン、１，３，５，７−テトラシクロヘキシルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサシクロヘキシルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタシクロヘキシルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタシクロヘキシルペンタシラザン、
１，３−ジｎ−ヘプチルジシラザン、１，１，３，３−テトラｎ−へプチルジシラザン、１，３，５−トリｎ−へプチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタｎ−へプチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−へプチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサｎ−へプチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−へプチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタｎ−へプチルペンタシラザンがあげられる。
【0037】
また１，３−ジアダマンチルジシラザン、１，１，３，３−テトラアダマンチルジシラザン、１，３，５−トリアダマンチルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタアダマンチルトリシラザン、１，３，５，７−テトラアダマンチルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサアダマンチルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタアダマンチルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタアダマンチルペンタシラザン、１，３−ジビニルジシラザン、１，３−ジビニル−１，３−ジメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラビニルジシラザン、１，３，５−トリビニルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタビニルトリシラザン、１，３，５，７−テトラビニルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサビニルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタビニルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタビニルペンタシラザンがあげられる。
【0038】
また１，３−ジフェニルジシラザン、１，３−ジフェニル−１，３−ジメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラフェニルジシラザン、１，３，５−トリフェニルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタフェニルトリシラザン、１，３，５，７−テトラフェニルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサフェニルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタフェニルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタフェニルペンタシラザン、１，３，５−トリトルイルトリシラザン、１，１，３，５，５−ペンタトルイルトリシラザン、１，３，５，７−テトラトルイルテトラシラザン、１，１，３，５，７，７−ヘキサトルイルテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタトルイルペンタシラザン、１，１，３，５，７，９，９−ヘプタトルイルペンタシラザン、
を挙げることができる。
【0039】
一般式（２）で表される化合物としては、高蒸気圧及び生成薄膜の炭素含有量の低減の観点から、好ましくは上記のジシラザン類及びトリシラザン類であり、更に好ましくは、１，１−ジメチルジシラザン、１，３−ジメチルジシラザン、１，１，３−トリメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラメチルジシラザンである。
【0040】
更に上記一般式（１）の例としては、前述の一般式（３）で示される環状化合物を挙げることができる。
【0041】
上記一般式（３）おいて、Ｒ６は、上記のＲ１と同様の水素原子または炭素数１〜２０の直鎖状、分岐鎖状、環状構造を有する飽和または不飽和炭化水素基を用いることができる。また、Ｒ６どうしが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。ＣＶＤ装置での安定的使用を考慮した場合、有機窒化ケイ素化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜４の飽和炭化水素基がさらに好ましく、具体的にはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、シクロブチルである。特にＲ６はメチル、エチル、またはｉ−プロピルが好ましい。
【0042】
Ｒ６どうしは同一であっても異なっても良い。
【0043】
上記一般式（３）おいてｙは、２乃至１０の整数を表す。好ましくは、有機窒化ケイ素化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、ｙが２〜６の整数である。特に好ましくは、ｙが３，４である。
【0044】
一般式（３）で示される化合物の具体例としては、１−メチルシクロジシラザン、１，３−ジメチルシクロジシラザン、１−メチルシクロトリシラザン、１，３−ジメチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリメチルシクロトリシラザン、１−メチルシクロテトラシラザン、１，３−ジメチルシクロテトラシラザン、１，５−ジメチルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリメチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザン、１，３−ジメチルシクロペンタシラザン、１，５−ジメチルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリメチルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリメチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトラメチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシラザン、
１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタメチルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタメチルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナメチルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカメチルシクロデカシラザンがあげられる。
【0045】
また１−エチルシクロジシラザン、１，３−ジエチルシクロジシラザン、１−エチルシクロトリシラザン、１，３−ジエチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリエチルシクロトリシラザン、１−エチルシクロテトラシラザン、１，３−ジエチルシクロテトラシラザン、１，５−ジエチルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリエチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラエチルシクロテトラシラザン、１，３−ジエチルシクロペンタシラザン、１，５−ジエチルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリエチルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリエチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトラエチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタエチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサエチルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタエチルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタエチルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナエチルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカエチルシクロデカシラザンがあげられる。
【0046】
また１−ｎ−プロピルシクロジシラザン、１，３−ジｎ−プロピルシクロジシラザン、１−ｎ−プロピルシクロトリシラザン、１，３−ジｎ−プロピルシクロトリシラザン、１，３，５−トリｎ−プロピルシクロトリシラザン、１−ｎ−プロピルシクロテトラシラザン、１，３−ジｎ−プロピルシクロテトラシラザン、１，５−ジｎ−プロピルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリｎ−プロピルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−プロピルシクロテトラシラザン、１，３−ジｎ−プロピルシクロペンタシラザン、１，５−ジｎ−プロピルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリｎ−プロピルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリｎ−プロピルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−プロピルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−プロピルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−プロピルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｎ−プロピルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｎ−プロピルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｎ−プロピルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｎ−プロピルシクロデカシラザンがあげられる。
【0047】
また１−イソプロピルシクロジシラザン、１，３−ジイソプロピルシクロジシラザン、１−イソプロピルシクロトリシラザン、１，３−ジイソプロピルシクロトリシラザン、１，３，５−トリイソプロピルシクロトリシラザン、１−イソプロピルシクロテトラシラザン、１，３−ジイソプロピルシクロテトラシラザン、１，５−ジイソプロピルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリイソプロピルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトライソプロピルシクロテトラシラザン、１，３−ジイソプロピルシクロペンタシラザン、１，５−ジイソプロピルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリイソプロピルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリイソプロピルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトライソプロピルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサイソプロピルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタイソプロピルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタイソプロピルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナイソプロピルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカイソプロピルシクロデカシラザンがあげられる。
【0048】
また１−ｎ−ブチルシクロジシラザン、１，３−ジｎ−ブチルシクロジシラザン、１−ｎ−ブチルシクロトリシラザン、１，３−ジｎ−ブチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリｎ−ブチルシクロトリシラザン、１−ｎ−ブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジｎ−ブチルシクロテトラシラザン、１，５−ジｎ−ブチルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリｎ−ブチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジｎ−ブチルシクロペンタシラザン、１，５−ジｎ−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリｎ−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリｎ−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−ブチルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｎ−ブチルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｎ−ブチルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｎ−ブチルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｎ−ブチルシクロデカシラザンがあげられる。
【0049】
また１−イソブチルシクロジシラザン、１，３−ジイソブチルシクロジシラザン、１−イソブチルシクロトリシラザン、１，３−ジイソブチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリイソブチルシクロトリシラザン、１−イソブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジイソブチルシクロテトラシラザン、１，５−ジイソブチルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリイソブチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトライソブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジイソブチルシクロペンタシラザン、１，５−ジイソブチルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリイソブチルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリイソブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトライソブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタイソブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサイソブチルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタイソブチルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタイソブチルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナイソブチルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカイソブチルシクロデカシラザンがあげられる。
【0050】
また１−ｓｅｃ．−ブチルシクロジシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチルシクロジシラザン、１−ｓｅｃ．−ブチルシクロトリシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリｓｅｃ．−ブチルシクロトリシラザン、１−ｓｅｃ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，５−ジｓｅｃ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリｓｅｃ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジｓｅｃ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，５−ジｓｅｃ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリｓｅｃ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリｓｅｃ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトラｓｅｃ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｓｅｃ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｓｅｃ．−ブチルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｓｅｃ．−ブチルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｓｅｃ．−ブチルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｓｅｃ．−ブチルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｓｅｃ．−ブチルシクロデカシラザンがあげられる。
【0051】
また１−ｔｅｒｔ．−ブチルシクロジシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチルシクロジシラザン、１−ｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシラザン、１−ｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，５−ジｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３，５−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシラザン、１，３−ジｔｅｒｔ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，５−ジｔｅｒｔ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，７−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｔｅｒｔ．−ブチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｔｅｒｔ．−ブチルシクロヘキサシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタｔｅｒｔ．−ブチルシクロヘプタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタｔｅｒｔ．−ブチルシクロオクタシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７−ノナｔｅｒｔ．−ブチルシクロノナシラザン、１，３，５，７，９，１１，１３，１５，１７，１９−デカｔｅｒｔ．−ブチルシクロデカシラザンがあげられる。
【0052】
また１，３−ジｎ−ペンチルシクロジシラザン、１，３，５−トリｎ−ペンチルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ペンチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ペンチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−ペンチルシクロヘキサシラザン、１，３−ジシクロペンチルシクロジシラザン、１，３，５−トリシクロペンチルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラシクロペンチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタシクロペンチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサシクロペンチルシクロヘキサシラザン、
１，３−ジｔｅｒｔ．−アミルシクロジシラザン、１，３，５−トリｔｅｒｔ．−アミルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラｔｅｒｔ．−アミルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｔｅｒｔ．−アミルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｔｅｒｔ．−アミルシクロヘキサシラザンがあげられる。
【0053】
また１，３−ジｎ−ヘキシルシクロジシラザン、１，３，５−トリｎ−ヘキシルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ヘキシルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ヘキシルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−ヘキシルシクロヘキサシラザン、１，３−ジシクロヘキシルシクロジシラザン、１，３，５−トリシクロヘキシルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラシクロヘキシルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタシクロヘキシルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサシクロヘキシルシクロヘキサシラザン、
１，３−ジｎ−ヘプチルシクロジシラザン、１，３，５−トリｎ−ヘプチルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラｎ−ヘプチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタｎ−ヘプチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサｎ−ヘプチルシクロヘキサシラザン、
１，３−ジアダマンチルシクロジシラザン、１，３，５−トリアダマンチルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラアダマンチチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタアダマンチルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサアダマンチルシクロヘキサシラザンがあげられる。
【0054】
また１，３−ジビニルシクロジシラザン、１，３，５−トリビニルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサビニルシクロヘキサシラザン、１，３−ジフェニルシクロジシラザン、１，３，５−トリフェニルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサフェニルシクロヘキサシラザン、
１，３−ジトルイルシクロジシラザン、１，３，５−トリトルイルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラトルイニルシクロテトラシラザン、１，３，５，７，９−ペンタトルイルシクロペンタシラザン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサトルイルシクロヘキサシラザン
を挙げることができる。
【0055】
一般式（３）で表される化合物としては、高蒸気圧及び生成薄膜の炭素含有量の低減の観点から、好ましくは上記のシクロトリサラザン類、シクロテトラシラザン類であり、更に好ましくは１，３，５−トリメチルシクロトリシラザン、１，３，５，７−テトラメチルシクロペンタシラザンである。
【0056】
上記一般式（１）〜（３）の有機窒化ケイ素化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば、水素原子、炭化水素基置換ハロゲン化シラン化合物とアンモニアガスとを反応させ製造する方法、ハロゲン化シラン化合物と金属アミドとを反応させ製造する方法等を用いることができる。
【0057】
この際、ハロゲン化シラン化合物それ自身を反応媒体としてもよいが、不活性溶媒を反応媒体として用いることもできる。使用できる反応溶媒は、当該技術分野で使用されるものであれば特に限定されるものでなく、例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−デカン等の飽和炭化水素類、トルエン、キシレン、デセン−１等の不飽和炭化水素類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ｔｅｒｔ．−ブチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類を使用することができる。
【0058】
製造の際の反応の温度については、通常、工業的に使用されている温度である−１００〜２００℃の範囲、好ましくは、−８５〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応の圧力条件は、加圧下、常圧下、減圧下いずれであっても可能である。
【0059】
合成した有機窒化ケイ素化合物の精製法については、ガラスフィルター、焼結多孔体等を用いた濾過、常圧もしくは減圧蒸留又はシリカ、アルミナ、高分子ゲルを用いたカラム分離等の精製手段を用いることができる。この際、必要に応じてこれらの手段を組合わせて使用してもよい。
【0060】
製造に際しては、当該有機金属化合物合成分野での方法に従う。すなわち、脱水及び脱酸素された窒素又はアルゴン雰囲気下で行い、使用する溶媒及び精製用のカラム充填剤等は、予め脱水操作を施しておくことが好ましい。また、金属残渣及びパーティクル等の不純物も除去しておくことが好ましい。
【0061】
本発明において、一般式（１）〜（３）で示される鎖状または環状構造を有する化合物は、ＣＶＤ法用の封止膜材料として用いることができる。
【0062】
本発明では、有機窒化ケイ素化合物はＣＶＤ法により成膜され、封止膜として用いることができる。封止膜としては、ケイ素、炭素および窒素を含有し、表面の組成が原子比でケイ素１．０に対し、窒素含有量が０．２以上１．３３以下、炭素含有量が０以上１．０以下であり、かつ赤外吸収スペクトルの１２００〜１３００ｃｍ−１及び２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収が実質的に検出限界以下である膜を得ることができる。このとき、膜の表面の組成は、ＸＰＳ等で測定することができる。
【0063】
または赤外吸収スペクトルにおいて、１２００〜１３００ｃｍ−１の吸収は、Ｓｉ−メチルの結合に由来するものであり、また２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収は、結合末端の炭化水素基の存在を示すものであるから、それらがいずれも実質的に検出限界以下であるということは、膜中の炭化水素基はすべて架橋に関与していて、結合末端として検出されるほど存在していないことを意味するものである。
【0064】
なお本発明において、赤外吸収スペクトルの特定領域の吸収が実質的に検出限界以下であるとは、赤外吸収スペクトルのチャートを目視したときに、その吸収が観察されないことを示すものである。
【0065】
さらに本発明によれば、水透過性が５．０×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下という、水透過性の極めて低い封止膜を得ることができる。
【0066】
本発明で成膜に用いられるＣＶＤ法としては、例えばＰＥＣＶＤ法または触媒化学気相成長法（Ｃａｔ．ＣＶＤ法）が挙げられる。ＰＥＣＶＤ法の種類及び用いる装置は特に限定されるものではないが、このＰＥＣＶＤ法は半導体製造分野、液晶ディスプレイ製造分野、ロールツーロール方式高分子フィルムの表面処理分野等の当該技術分野で一般的に用いられるものが使用される。
【0067】
本発明では、ＰＥＣＶＤ装置において、有機窒化ケイ素化合物を気化器により気化させて成膜チャンバー内に導入し、高周波電源により成膜チャンバー内の電極に印加しプラズマを発生させ、成膜チャンバー内のシリコン基板等にＰＥＣＶＤ薄膜を形成させることができる。この際、プラズマを発生させる目的で、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノン等の不活性ガス、窒化炭素の窒素含有量を向上させる目的でアンモニア、ヒドラジン、窒素等の窒素系ガスを有機窒化ケイ素化合物と共に導入することも本発明の範囲に入る。
【0068】
ＰＥＣＶＤ装置のプラズマ発生方法については特に限定されず、当該技術で使用されている誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができる。またプラズマ発生源としては平行平板型、アンテナ型等の種々のものが使用でき、大気圧ＰＥＣＶＤ、減圧ＰＥＣＶＤ、加圧ＰＥＣＶＤ等いずれの圧力条件下のＰＥＣＶＤでも用いることができる。
【0069】
この際のＰＥＣＶＤ条件としては特に限定はないが、１．０Ｗ〜１００００Ｗが好ましく、１．０Ｗ〜２０００Ｗの範囲で行うことが更に好ましい。
【0070】
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図１の１に平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示す。図１に示す平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー内にシャワーヘッド上部電極と基板の温度制御が可能な下部電極、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
【0071】
ＰＥＣＶＤ装置１は、ＰＥＣＶＤチャンバー２、原料化合物をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッドを有する上部電極３、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板５を設置する為の温度制御装置８を有する下部電極４、原料化合物を気化させるための気化装置９〜１５、プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置１６から成る。１７，１８は、アースである。
【0072】
プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７は上部電極３に接続され、放電によりプラズマを発生させる。ＲＦ電源７の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【0073】
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【0074】
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物１３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管１５を備えている容器１２、液体である原料化合物１３の流量を制御する液体流量制御装置１０、液体である原料化合物１３を気化させる気化器９、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管１４とその流量を制御する気体流量制御装置１１からなる。本気化装置は、気化器９からシャワーヘッドを備えた上部電極３に配管接続されている。
【0075】
原料化合物のチャンバー内への気化供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。また上記不活性ガスの供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
【0076】
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図２の１９に誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示す。図２に示す誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー上部の石英の周りにコイル状に巻かれたプラズマ発生部、温度制御が可能な基板設置部、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
【0077】
ＰＥＣＶＤ装置１９は、ＰＥＣＶＤチャンバー２０、プラズマ発生部であるコイル２１と石英管２２、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板２４を設置する為のヒーター部２３と温度制御装置２７、原料化合物を気化させるための気化装置２８〜３５、プラズマ発生源であるマッチング回路２５とＲＦ電源２６、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置３６から成る。３７はアースである。
【0078】
プラズマ発生部である石英周りのコイルはマッチング回路２５に接続され、石英管中にＲＦ電流によるアンテナ電流磁界で放電させ、プラズマを発生させる。ＲＦ電源２６の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【0079】
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【0080】
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物３３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管３５を備えている容器３２、液体である原料化合物３３の流量を制御する液体流量制御装置２９、液体である原料化合物３３を気化させる気化器２８、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管３４とその流量を制御する気体流量制御装置３０と不活性ガスとガス化した原料化合物３３をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド３１から成る。
【0081】
原料化合物のチャンバー内への気化供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。また、上記不活性ガスの供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
【0082】
原料化合物は、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、ＲＦ電源による放電によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
【0083】
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図３の３８にマイクロ波ＰＥＣＶＤ装置を示す。石英製チャンバー３９、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板４０を設置する為のヒーター部４１と温度制御装置４２、原料化合物を気化させるための気化装置４３〜５０、マイクロ波発生源であるマッチング回路５１とマイクロ波発信器５２、及びマイクロ波反射板５３、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置５４から成る。
【0084】
マイクロ波発生源であるマッチング回路５１とマイクロ波発信器５２は、石英チャンバーに接続され、マイクロ波を石英チャンバー内に照射することでプラズマを発生させる。マイクロ波の周波数については特に限定されないが、当該技術分野で使用される周波数１ＭＨｚ〜５０ＧＨｚ、好ましくは０．５ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ、特に好ましくは１ＧＨｚ〜５ＭＨｚのマイクロ波を用いることができる。また、そのマイクロ波出力については、０．１Ｗ〜２００００Ｗ、好ましくは１Ｗ〜１００００Ｗを用いることができる。
【0085】
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【0086】
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物４８を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管５０を備えている容器４７、液体である原料化合物４８の流量を制御する液体流量制御装置４４、液体である原料化合物４８を気化させる気化器４３、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管４９とその流量を制御する気体流量制御装置４５と不活性ガスとガス化した原料化合物４８をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド４６から成る。
【0087】
原料化合物のチャンバー内への気化供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。また上記不活性ガスの供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
【0088】
原料化合物は、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、マイクロ波の照射によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
【0089】
本発明では、上述の有機窒化ケイ素化合物から得られる封止膜を、熱処理、紫外線照射処理、電子線処理することすることにより、緻密化もしくは機械的強度が向上した封止膜を得ることができる場合があり、本処理で得られた膜はガスバリア膜として好適なものとなる場合がある。
【0090】
本発明の封止膜は、ガスバリア層として用いることができ、ガスバリア部材として有用である。また、本発明の封止膜を含んでなるＦＰＤデバイスまたは半導体デバイスも好適に使用できる。
【発明の効果】
【0091】
本発明によれば、少なくとも一つの水素原子がケイ素原子に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物を原料としてＣＶＤ法により得られる膜は封止膜として用いることができ、ガスバリアフィルム、ガスバリア基板用のガスバリア層として緻密かつ高機械的強度の材料を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0092】
【図1】平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
【図2】誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
【図3】マイクロ波ＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
【実施例】
【0093】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0094】
膜厚測定は、株式会社アルバック製の触針式表面形状測定器デックタック（Ｄｅｋｔａｋ）６Ｍを用いた。酸素透過性は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１法により、水透過性は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９Ａ法、又はＪＩＳ Ｋ ７１２９ Ｃ法により測定した。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７３６１−１法により測定した。線膨張係数は、オーブン中で無荷重状態のフィルムサンプルを室温から２４０℃まで５ｄｅｇ．／ｍｉｎ．で昇温し、この間のフィルム長さの変化をＣＣＤカメラにより測定することで算出した。表面粗さは、Ｖｅｅｃｏｏ社製走査型プローブ顕微鏡 ＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩａを用い、タッピングモードＡＦＭにて測定した。また、イエローインデックスは、日本電色社製ＺＥ２０００を用い、ＪＩＳ Ｚ−８７２２に準拠し、測定した。
【0095】
実施例１（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，１，３，３−テトラメチルジシラザンを用いた封止膜の成膜）図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，１，３，３−テトラメチルジシラザンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で５分間成膜した。
【0096】
結果は、膜厚３１９０ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．７０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．１２ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は９１．７％、線膨張係数は１２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．５ｎｍであった。また、イエローインデクスは、１．０であった。
【0097】
実施例２（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，１，３，３−テトラメチルジシラザンを用いた封止膜の成膜）実施例１においてヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍに変えてヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、酸素５０ｓｃｃｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして封止膜を成膜した。
【0098】
結果は、膜厚４３６０ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．３５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は９１．８％、線膨張係数は１１ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．６ｎｍであった。また、イエローインデクスは、０．４であった。
【0099】
実施例３（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，１，３，３−テトラメチルジシラザンを用いた封止膜の成膜）実施例１においてヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍに変えて酸素１００ｓｃｃｍとし、０．５分間成膜たこと以外は、実施例１と同様にして封止膜を成膜した。
【0100】
結果は、膜厚３８５ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．００６０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は９２．０％、線膨張係数は１１ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．４ｎｍであった。また、イエローインデクスは、０．４であった。
【0101】
また、形成された封止膜の組成をＸＰＳにより測定したところ、Ｓｉ＝２４ａｔｏｍ％、Ｏ＝５３ａｔｏｍ％、Ｃ＝１８ａｔｏｍ％、Ｎ＝５ａｔｏｍ％であった。また、赤外吸収スペクトル分析で１２００〜１３００ｃｍ−１および２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収が実質的に検出限界以下であることを確認した。
【0102】
比較例１（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるヘキサメチルジシラザンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたヘキサメチルジシラザンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。結果は、膜厚１３７０ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性２．７３ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性１．７７ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８３．５％、線膨張係数は３０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１０ｎｍであった。また、イエローインデクスは、１１．５であった。
【0103】
また、形成された封止膜の組成をＸＰＳにより測定したところ、Ｓｉ＝３２ａｔｏｍ％、Ｃ＝６４ａｔｏｍ％、Ｎ＝４ａｔｏｍ％であった。また、赤外吸収スペクトル分析で１２００〜１３００ｃｍ−１および２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収が存在することを確認した。
【0104】
比較例２（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるテトラメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメトキシシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
【0105】
結果は、膜厚１３６ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性１．７５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性１．６７ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．４％、線膨張係数は３２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは２６ｎｍであった。また、イエローインデクスは、２．４であった。
【0106】
比較例３使用したポリエチレンナフタレートフィルム基板のガス透過性、全光線透過率、線膨張係数を測定したところ、酸素透過性２１．０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性６．７０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．９％、線膨張係数は３５ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．４ｎｍであった。イエローインデクスは、０．４であった。
実施例４（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンを用いた封止膜の成膜）
図１に示した容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で2分間成膜した。
【0107】
結果は、膜厚５７５ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０２ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．００４８ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は９１．７％、線膨張係数は１１ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．５ｎｍであった。また、イエローインデクスは、１．０であった。
【0108】
実施例５（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンを用いた封止膜の成膜）実施例４においてヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍに変えてヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、酸素５０ｓｃｃｍとしたこと以外は、実施例４と同様にして封止膜を成膜した。
【0109】
結果は、膜厚４２８ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．００３５ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は９１．９％、線膨張係数は１０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．４ｎｍであった。また、イエローインデクスは、０．３であった。
【0110】
実施例６（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンを用いた封止膜の成膜）実施例４においてヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍに変えて酸素１００ｓｃｃｍとし、０．５分間成膜したこと以外は、実施例４と同様にして封止膜を成膜した。
【0111】
結果は、膜厚４２８ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．００２６ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は９２．０％、線膨張係数は１０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．４ｎｍであった。また、イエローインデクスは、０．３であった。
【0112】
また、形成された封止膜の組成をＸＰＳにより測定したところ、Ｓｉ＝２４ａｔｏｍ％、Ｏ＝４９ａｔｏｍ％、Ｃ＝１８ａｔｏｍ％、Ｎ＝９ａｔｏｍ％であった。また、赤外吸収スペクトル分析で１２００〜１３００ｃｍ−１および２８００〜３２００ｃｍ−１の吸収が実質的に検出限界以下であることを確認した。
【0113】
参考例１（１，１，３，３−テトラメチルジシラザンの合成）窒素気流下、攪拌装置を備えた５Ｌの四つ口フラスコに反応器にジエチルエーテル４．３Ｌ、ジメチルクロロシラン５８５ｇ（６．１９ｍｏｌ）を仕込み、０℃に冷却した。これに内温を0℃に保ちつつ、アンモニアガスの２７７Ｌ（１２．４ｍｏｌ）を９時間かけてバブリング供給し、反応させた。アンモニア供給が終了した後、室温にて1５時間攪拌した。
【0114】
得られた反応溶液スラリーから副生する塩化アンモニウムを濾別し、１，１，３，３−テトラメチルジシラザンを含む無色透明のジエチルエーテル溶液を得た。得られたジエチルエーテル溶液を濃縮し、減圧蒸留により精製して目的物である１，１，３，３−テトラメチルジシラザン２８５．２ｇ（２．１８ｍｏｌ）を得た。原料であるジメチルクロロシランの目的物への転換率は、７０．３％であった。
【0115】
参考例２（１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンの合成）窒素気流下、攪拌装置を備えた５Ｌの四つ口フラスコに反応器にジエチルエーテル３．６Ｌ、メチルジクロロシラン３６０ｇ（３．１３ｍｏｌ）を仕込み、０℃に冷却した。これに内温を0℃に保ちつつ、アンモニアガスの２７０Ｌ（１２．１ｍｏｌ）を９時間かけてバブリング供給し、反応させた。アンモニア供給が終了した後、室温にて1５時間攪拌した。
【0116】
得られた反応溶液スラリーから副生する塩化アンモニウムを濾別し、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザンを含む無色透明のジエチルエーテル溶液を得た。得られたジエチルエーテル溶液を濃縮し、減圧蒸留により精製して目的物である１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザン１１５．６ｇ（０．４９０ｍｏｌ）を得た。原料であるメチルジクロロシランの目的物への転換率は、６２．６％であった。
【符号の説明】
【0117】
１ 平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置２ ＰＥＣＶＤチャンバー
３ シャワーヘッドを有する上部電極
４ 下部電極
５ 薄膜形成用基板
６ マッチング回路
７ ＲＦ電源
８ 温度制御装置
９ 気化器
１０ 液体流量制御装置
１１ 気体流量制御装置
１２ 容器
１３ 原料化合物
１４ 不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
１５ 不活性ガスにより加圧する配管
１６ 排気装置
１７ アース
１８ アース
１９ 誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置
２０ ＰＥＣＶＤチャンバー
２１ コイル
２２ 石英管
２３ ヒーター部
２４ 薄膜形成用基板
２５ マッチング回路
２６ ＲＦ電源
２７ 温度制御装置
２８ 気化器
２９ 液体流量制御装置
３０ 気体流量制御装置
３１ シャワーヘッド
３２ 容器
３３ 原料化合物
３４ 不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
３５ 不活性ガスにより加圧する配管
３６ 排気装置
３７ アース
３８ マイクロ波ＰＥＣＶＤ装置
３９ 石英製チャンバー
４０ 薄膜形成用基板
４１ ヒーター部
４２ 温度制御装置
４３ 気化器
４４ 液体流量制御装置
４５ 気体流量制御装置
４６ シャワーヘッド
４７ 容器
４８ 原料化合物
４９ 不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
５０ 不活性ガスにより加圧する配管
５１ マッチング回路
５２ マイクロ波発信器
５３ マイクロ波反射板
５４ 排気装置