特許 5885736 ツインチャンバ処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5885736

(24)【登録日】2016年2月19日

(45)【発行日】2016年3月15日

(54)【発明の名称】ツインチャンバ処理システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20160301BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20160301BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20160301BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20160301BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/302 101B

   H01L21/205

   H01L21/31 C

   C23C16/455

【請求項の数】14

【全頁数】28

(21)【出願番号】特願2013-508125(P2013-508125)

(86)(22)【出願日】2011年4月25日

(65)【公表番号】特表2013-530516(P2013-530516A)

(43)【公表日】2013年7月25日

(86)【国際出願番号】US2011033777

(87)【国際公開番号】WO2011137069

(87)【国際公開日】20111103

【審査請求日】2014年4月24日

(31)【優先権主張番号】12/908,644

(32)【優先日】2010年10月20日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】61/330,156

(32)【優先日】2010年4月30日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】100101502

【弁理士】

【氏名又は名称】安齋 嘉章

(72)【発明者】

【氏名】シュウ ミング

(72)【発明者】

【氏名】ヌグエン アンドリュー

(72)【発明者】

【氏名】リー エバンス

(72)【発明者】

【氏名】リー ジャレド アフマド

(72)【発明者】

【氏名】クルーズ ジェームズ ピー

(72)【発明者】

【氏名】コッブ コリー リン

(72)【発明者】

【氏名】サリナス マーティン ジェフ

(72)【発明者】

【氏名】シェイナー アンチェル

(72)【発明者】

【氏名】ゴールド エズラ ロバート

(72)【発明者】

【氏名】レーン ジョン ダブリュー

【審査官】 杢 哲次

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０８−１２７８６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−０４９２７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００５−５０３６０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２６３２３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１７６８０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−２６３３５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−３０８３８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−２４７６７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−１９３１１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−１２５２２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−３２１０４７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｃ２３Ｃ １６／４５５

Ｈ０１Ｌ ２１／２０５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１処理チャンバの第１処理容積内を第１動作圧力に維持するための第１真空ポンプを有する第１処理チャンバであって、第１処理容積は、第１処理容積と第１真空ポンプの低圧側との間に配置された第１ゲートバルブによって選択的に分離可能である第１処理チャンバと、
第２処理チャンバの第２処理容積内を第２動作圧力に維持するための第２真空ポンプを有する第２処理チャンバであって、第２処理容積は、第２処理容積と第２真空ポンプの低圧側との間に配置された第２ゲートバルブによって選択的に分離可能である第２処理チャンバと、
前記第１及び第２ゲートバルブを開く前に各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプであって、共有真空ポンプは、第１処理チャンバ、第２処理チャンバ、第１真空ポンプ、又は第２真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプと、
１以上の処理ガスを第１及び第２処理チャンバに供給するために、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルと、
共用ガスパネルと、第１処理チャンバと、共用真空ポンプに結合された前方ラインコンジットとの間に配置された第１三方弁と、
共用ガスパネルと、第２処理チャンバと、前方ラインコンジットとの間に配置された第２三方弁と、
（ａ）第１処理チャンバ内で処理が終点に到達したときに、第１終点検出器から第１信号を受信して、第２処理チャンバ内で稼働している処理が処理の終点に到達していなかったならば、１以上の処理ガスを前方ラインコンジット内に迂回させるように第１三方弁に指示し、（ｂ）第２処理チャンバ内で処理が終点に到達したとき、第２終点検出器から第２信号を受信して、第１処理チャンバ内で稼働している処理が処理の終点に到達していなかったならば、１以上の処理ガスを前方ラインコンジット内に迂回させるように第２三方弁に指示するように構成されたコントローラを含む基板処理用ツインチャンバ処理システム。

【請求項2】

共用ガスパネルから第１及び第２処理チャンバへ所望の総ガス流を供給するためのマスフローコントローラと、
第１入口と、第１出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第１オリフィスを含み、第１入口はマスフローコントローラに結合されている第１フローコントロールマニホールドと、
第２入口と、第２出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第２オリフィスを含み、第２入口はマスフローコントローラに結合されている第２フローコントロールマニホールドを更に含み、
複数の第１オリフィス及び複数の第２オリフィスは、１以上の複数の第１オリフィス及び１以上の複数の第２オリフィスを通して１以上の処理ガスを選択可能に流すことによって、第１出口と第２出口の間で所望の流量比を提供し、マスフローコントローラと第１及び第２フローコントロールマニホールドのそれぞれの入口との間に提供されるコンジットのコンダクタンスは、第１及び第２フローコントロールマニホールドを通ってガスが流れるとき、チョーク流れの状態を提供するのに十分である請求項１記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項3】

第１出口は第１処理チャンバの第１ガス供給ゾーンに結合され、第２出口は第１処理チャンバの第２ガス供給ゾーンに結合される請求項２記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項4】

第１出口は第２処理チャンバの第１ガス供給ゾーンに更に結合され、第２出口は第２処理チャンバの第２ガス供給ゾーンに更に結合される請求項３記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項5】

第１処理チャンバ内に配置され、第１基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる１以上のチャネルを有する第１基板支持体と、
第２処理チャンバ内に配置され、第２基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる１以上のチャネルを有する第２基板支持体と、
第１基板支持体及び第２基板支持体の１以上のチャネルのそれぞれに熱伝導流体を供給するための出口と、第１基板支持体及び第２基板支持体から熱伝導流体を受け入れるための入口を有する共用熱伝導流体源を更に含む請求項１記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項6】

請求項５記載の複数のツインチャンバ処理システムが結合された搬送チャンバを更に含む請求項５記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項7】

複数のツインチャンバ処理システムの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれのマスフローメータを確認及び校正するマスフローベリファイヤーを更に含む請求項６記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項8】

複数のツインチャンバ処理システムの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれの圧力計を確認及び校正する基準圧力計を更に含む請求項７記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項9】

共通ハウジング内に配置された第１処理チャンバ及び第２処理チャンバであって、第１処理チャンバは第１処理容積を有し、第２処理チャンバは第２処理容積を有し、第１及び第２処理容積は処理中互いに分離することができる第１処理チャンバ及び第２処理チャンバと、
各処理容積内の圧力を低減させるために、第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプと、
１以上の処理ガスを第１及び第２処理チャンバに供給するために、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルと、
第１処理チャンバ内に配置された第１基板支持体及び第２処理チャンバ内に配置された第２基板支持体のそれぞれの１以上のチャネルに熱伝導流体を供給するための出口と、第１基板支持体及び第２基板支持体から熱伝導流体を受け入れるための入口とを有する共用熱伝導流体源と、
共用ガスパネルと、第１処理チャンバと、共用真空ポンプに結合された前方ラインコンジットとの間に配置された第１三方弁と、
共用ガスパネルと、第２処理チャンバと、前方ラインコンジットとの間に配置された第２三方弁と、
（ａ）第１処理チャンバ内で処理が終点に到達したときに、第１終点検出器から第１信号を受信して、第２処理チャンバ内で稼働している処理が処理の終点に到達していなかったならば、１以上の処理ガスを前方ラインコンジット内に迂回させるように第１三方弁に指示し、（ｂ）第２処理チャンバ内で処理が終点に到達したとき、第２終点検出器から第２信号を受信して、第１処理チャンバ内で稼働している処理が処理の終点に到達していなかったならば、１以上の処理ガスを前方ラインコンジット内に迂回させるように第２三方弁に指示するように構成されたコントローラを含む基板処理用ツインチャンバ処理システム。

【請求項10】

共用ガスパネルから第１及び第２処理チャンバへ所望の総ガス流を供給するためのマスフローコントローラと、
第１入口と、第１出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第１オリフィスを含み、第１入口はマスフローコントローラに結合されている第１フローコントロールマニホールドと、
第２入口と、第２出口と、それらの間で選択可能に結合される複数の第２オリフィスを含み、第２入口はマスフローコントローラに結合されている第２フローコントロールマニホールドを更に含み、
複数の第１オリフィス及び複数の第２オリフィスは、１以上の複数の第１オリフィス及び１以上の複数の第２オリフィスを通して１以上の処理ガスを選択可能に流すことによって、第１出口と第２出口の間で所望の流量比を提供し、マスフローコントローラと第１及び第２フローコントロールマニホールドのそれぞれの入口との間に提供されるコンジットのコンダクタンスは、第１及び第２フローコントロールマニホールドを通ってガスが流れるとき、チョーク流れの状態を提供するのに十分である請求項９記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項11】

第１出口は第１処理チャンバの第１ガス供給ゾーンに結合され、第２出口は第１処理チャンバの第２ガス供給ゾーンに結合され、及びオプションで、第１出口は第２処理チャンバの第１ガス供給ゾーンに更に結合され、第２出口は第２処理チャンバの第２ガス供給ゾーンに更に結合される請求項１０記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項12】

請求項９記載の複数のツインチャンバ処理システムが結合された搬送チャンバを更に含む請求項９記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項13】

複数のツインチャンバ処理システムの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれのマスフローメータを確認及び校正するマスフローベリファイヤーを更に含む請求項１２記載のツインチャンバ処理システム。

【請求項14】

複数のツインチャンバ処理システムの各処理チャンバに選択的に流体結合され、各処理チャンバに結合されたそれぞれの圧力計を確認及び校正する基準圧力計を更に含む請求項１３記載のツインチャンバ処理システム。

【発明の詳細な説明】

【分野】

【0001】

本発明の実施形態は、概して基板処理システムに関する。

【背景】

【0002】

例えば、共用の搬送チャンバに面して複数の処理チャンバを有するクラスタツール等の処理システムは、システム及び製造コストを削減し、処理のスループットを向上させるために利用されている。しかしながら、従来の処理チャンバは、内部で特定の処理を実行するのを促進するために必要な処理リソースを独立して構成している。このようなシステムは、所有と運用にコストが掛かる。

【0003】

したがって、本発明者らは、有利なことに、処理のスループットを向上させながら、同時にシステムコストを削減することができる、共用リソースを有するツインチャンバ処理システムを開発した。

【概要】

【0004】

ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が、本明細書内で開示されている。いくつかの実施形態では、本明細書内で開示される１以上のツインチャンバ処理システムは、搬送チャンバに結合することができる。いくつかの実施形態では、ツインチャンバ処理システムは、独立した処理容積を有する第１処理チャンバ及び第２処理チャンバと、第１及び第２処理チャンバ間の複数の共用リソースを含む。いくつかの実施形態では、共用リソースは、共用真空ポンプ、共用ガスパネル、又は共用熱伝達源の少なくとも１つを含む。

【0005】

いくつかの実施形態では、ツインチャンバ処理システムは、第１処理チャンバの第１処理容積内を第１動作圧力に維持するための第１真空ポンプを有し、第１処理チャンバ内に配置される第１処理チャンバであって、第１処理容積は、第１処理容積と第１真空ポンプの低圧側との間に配置された第１ゲートバルブによって選択的に分離可能であり、第１基板支持体は、第１基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる１以上のチャネルを有する第１処理チャンバと、第２処理チャンバの第２処理容積内を第２動作圧力に維持するための第２真空ポンプを有し、第２処理チャンバ内に配置される第２処理チャンバであって、第２処理容積は、第２処理容積と第２真空ポンプの低圧側との間に配置された第２ゲートバルブによって選択的に分離可能であり、第２基板支持体は、第２基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる１以上のチャネルを有する第２処理チャンバと、第１及び第２ゲートバルブを開く前に、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプであって、共有真空ポンプは、第１処理チャンバ、第２処理チャンバ、第１真空ポンプ、又は第２真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプと、１以上の処理ガスを第１及び第２処理チャンバに供給するために、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルと、共用熱伝導流体源であって、第１基板支持体及び第２基板支持体の１以上のチャネルに熱伝導流体を供給するための出口と、第１基板支持体及び第２基板支持体から熱伝導流体を受け入れるための入口を有する共用熱伝導流体源を含む。

【0006】

本発明のその他の及び更なる実施形態が、以下に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

上記に簡単に要約し、以下でより詳細に説明する本発明の実施形態は、添付の図面に示された本発明の例示的実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限されていると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。

【図1】本発明のいくつかの実施形態に係る処理システムの概略上面図を示す。

【図2A】本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの概略側面図を示す。

【図2B】本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの概略側面図を示す。

【図3】本発明のいくつかの実施形態係る例示的なガス分配システムの概略図を示す。

【図4A】〜

【図4C】本発明のいくつかの実施形態に係る図１のガス分配システムに結合されたガス供給ゾーンの概略部分図をそれぞれ示す。

【0008】

理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。図面は、比例して描かれているわけではなく、明確にするために簡素化されているかもしれない。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。

【詳細な説明】

【0009】

ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が、本明細書に開示されている。本発明のツインチャンバ処理システムは、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内で加工品質を維持しながら、システムコストを削減するために、有利なことにリソース（例えば、共用真空ポンプ、共用ガスパネル等）を兼ね備えている。更に、本発明の方法は、共用リソースがツインチャンバ処理システムの各チャンバ間で使用されるとき、例えば、減圧、通気、パージ等のチャンバ処理の動作を有利に制御する。

【0010】

本明細書に開示されるツインチャンバ処理システムは、例えば、図１に示される処理システム１００等の、いくつかのツインチャンバ処理システムを結合したクラスタツールの一部であることができる。図１を参照すると、いくつかの実施形態では、処理システム１００は、一般的に、真空気密処理プラットフォーム１０４と、ファクトリインターフェース１０２と、１以上のツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５と、システムコントローラ１４４を含むことができる。本明細書内で提供される開示に従って適切に改造可能な処理システムの例としては、カリフォルニア州サンタクララに位置するアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．）から市販されているＣＥＮＴＵＲＡ（商標名）統合処理システム、処理システムのＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標名）ラインのうちの１つ（例えば、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標名）ＧＴ（商標名））、ＡＤＶＡＮＴＥＤＧＥ（商標名）処理システムを含む。他の処理システムが（他のメーカーからのものも含めて）、本発明から恩恵を受けるように使用可能であることが理解される。

【0011】

プラットフォーム１０４は、１以上のツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５（図１には３つが示される）を含み、各ツインチャンバ処理システムは処理チャンバのうちの２つ（例えば、１１０と１１１、１１２と１３２、１２０と１２８）を含む。プラットフォームは、真空基板搬送チャンバ１３６に結合される少なくとも１つのロードロックチャンバ（図１には２つが示される）１２２を更に含む。ファクトリインターフェース１０２は、ロードロックチャンバ１２２を介して搬送チャンバ１３６に結合されている。

【0012】

各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５は互いに分離することができる独立した処理容積を含む。各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５は、後述され、図２Ａ〜２Ｂ及び図３に示されるように、ツインチャンバ処理システムの各処理チャンバ間でリソース（例えば、処理ガス供給源、真空ポンプ、熱伝導ループ等）を共用するように構成可能である。

【0013】

ファクトリインターフェース１０２は、少なくとも１つのドッキングステーション１０８と、少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット（図１には２つが示される）１１４を含むことができ、これによって基板の搬送を促進する。ドッキングステーション１０８は、１以上の（図１には２つ示される）正面開口式カセット一体型搬送・保管箱（ＦＯＵＰ）１０６Ａ〜Ｂを受け入れるように構成することができる。ファクトリインターフェースロボット１１４は、ロードロックチャンバ１２２を介して処理するために、処理プラットフォーム１０４にファクトリインターフェース１０２から基板を搬送するように構成されたロボット１１４の一端に配置されたブレード１１６を含むことができる。オプションで、１以上の計測ステーション１１８が、ＦＯＵＰ１０６Ａ〜Ｂからの基板の測定を促進するために、ファクトリインターフェース１０２の末端１１９に接続することができる。

【0014】

ロードロックチャンバ１２２の各々は、ファクトリインターフェース１０２に結合された第１ポート１２３と、搬送チャンバ１３６に結合された第２ポート１２５を含むことができる。ロードロックチャンバ１２２は、ロードロックチャンバ１２２を減圧及び通気する圧力制御システム（図示せず）に結合し、これによって搬送チャンバ１３６の真空環境とファクトリインターフェース１０２の実質的に周囲の（例えば、大気圧）環境との間で基板が通過するのを促進することができる。ツインチャンバ処理システムと共に使用することができる適切なロードロックチャンバ１２２の実施形態は、Ｊａｒｅｄ Ａｈｍａｄ Ｌｅｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ａｐｐａｒａｔｕｓ Ｆｏｒ Ｒａｄｉａｌ Ｄｅｌｉｖｅｒｙ Ｏｆ Ｇａｓ Ｔｏ Ａ Ｃｈａｍｂｅｒ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｏｆ Ｕｓｅ Ｔｈｅｒｅｏｆ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０４１号に記載されている。

【0015】

搬送チャンバ１３６は、内部に真空ロボット１３０を配置している。真空ロボット１３０は、可動アーム１３１に結合された１以上の搬送ブレード１３４（図１では２つが示される）を有することができる。例えば、図示されるようにツインチャンバ処理システムが搬送チャンバ１３６に結合されたいくつかの実施形態では、真空ロボット１３０は、ロードロックチャンバ１２２とツインチャンバ処理システムの処理チャンバ（例えば、ツインチャンバ処理システム１０１の処理チャンバ１１０、１１１）の間で、真空ロボット１３０が同時に２つの基板１２４、１２６を搬送することができるように構成された、２つの平行ブレード１３４を有することができる。

【0016】

各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５の処理チャンバ１１０、１１１又は１１２、１３２又は１２０、１２８は、例えば、基板処理に利用される処理チャンバの任意のタイプ（例えば、エッチングチャンバ、成膜チャンバ等）が可能である。いくつかの実施形態では、各ツインチャンバ処理システム（例えば、ツインチャンバ処理システム１０１）の処理チャンバ（例えば、処理チャンバ１１０、１１１）は、同じ機能（例えば、エッチング）用に構成されている。例えば、ツインチャンバ処理システムの各処理チャンバがエッチングチャンバである実施形態では、各処理チャンバは、プラズマ源（例えば、誘導又は容量結合プラズマ源、リモートプラズマ源等）を含むことができる。更に、ツインチャンバ処理システムの各処理チャンバは、内部に配置されたエッチング基板（例えば、基板１２４、１２６）をエッチングするために、例えば、（後述するように）共用ガスパネルによって供給されるハロゲン含有ガスを使用することができる。ハロゲン含有ガスの例としては、臭化水素（ＨＢｒ）、塩素（Ｃｌ_２）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を含む。例えば、基板１２４、１２６をエッチングした後、ハロゲン含有残留物が、基板表面上に残る場合がある。ハロゲン含有残留物は、ロードロックチャンバ１２２内における熱処理処理によって、又は他の適当な手段によって除去することができる。

【0017】

更に、システム１００は、流量コントローラ、圧力計を確認（点検）するために、又は搬送チャンバ１３６及び任意の１以上の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２０、１２８のいずれか一方又は両方に結合された圧力計の寿命を延ばすために利用することができる様々な装置を含むことができる。例えば、選択的に搬送チャンバ１３６及び任意の１以上の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２０、１２８のいずれか一方又は両方に基準圧力計１５０を選択的に結合することができる（図１ではチャンバ１１２、１３２との結合のみが示されている）。基準圧力計１５０は、各処理チャンバに結合された任意の１以上の個々の圧力計（例えば、処理チャンバ１１２、１３２にそれぞれ結合された圧力計１１３、１３３）を確認するために使用可能である。基板処理システム（例えば、基板処理システム１００）で使用することができる圧力計を校正するための方法及び装置の好適な実施形態の例が、Ｊａｍｅｓ Ｐ． Ｃｒｕｓｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ｆｏｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｎｇ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｇａｕｇｅｓ Ｉｎ Ａ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０５８号に記載されている。圧力計（例えば、圧力計１１３、１３３）の寿命を延ばすために適した方法及び装置の例が、Ｊａｍｅｓ Ｐ． Ｃｒｕｓｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｆｏｒ Ｌｉｍｉｔｉｎｇ Ｔｈｅ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ Ｏｆ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｇａｕｇｅｓ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｔｏ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒｓ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０２７号に記載されている。

【0018】

搬送チャンバ１３６及び任意の１以上の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２０、１２８のいずれか又は両方に結合可能な他の装置は、流量コントローラからの流量を検証するマスフローベリファイヤー（質量流量検証装置）１５５、又は任意の１以上の処理チャンバ及び搬送チャンバ１３６への処理ガスの流れを測定するオリフィス等を含むことができる。例えば、マスフローベリファイヤー１５５は、ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５又はそれらの個々のチャンバのいずれかのフローシステムに結合することができる。マスフローベリファイヤー１５５は、処理チャンバ１１０、１１１に結合されるように図１では示されるが、これらは例示の目的のためだけであり、マスフローベリファイヤー１５５は、システム１００内のすべての処理チャンバに結合することができる。マスフローベリファイヤー１５５のための方法及び装置の好適な実施形態の例が、２０１０年４月３０日にＪａｍｅｓ Ｐ． Ｃｒｕｓｅによって出願された「Ｍｅｔｈｏｄｓ Ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ Ｆｏｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｎｇ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒｓ Ｉｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０５６号に記載されている。

【0019】

図２Ａは、本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システム（例えば、ツインチャンバ処理システム１０１）の概略側面図を示している。図２Ａに示されるように、ツインチャンバ処理システム１０１は、リソースを共用する（例えば、共用真空ポンプ２０２及び共用ガスパネル２０４をもつ）処理チャンバ１１０、１１１を含む。いくつかの実施形態では、処理システム１００に結合された各ツインチャンバ処理システムは、同様に構成することができる。

【0020】

処理チャンバ１１０（例えば、第１処理チャンバ）は、第１基板２２７を支持するために内部に配置された第１基板支持体２０１を含む第１処理容積２０８を有する。処理チャンバ１１０は、第１処理容積２０８内において第１動作圧力を維持するための第１真空ポンプ２０６を更に含む。第１真空ポンプ２０６は、例えば、ターボ分子ポンプ等が可能である。第１真空ポンプ２０６は、第１処理容積２０８に隣接した低圧側２０５と、後述するように、共用真空ポンプ２０２に選択的に結合可能な高圧側２０７を含むことができる。第１真空ポンプ２０６は、第１処理容積２０８と第１真空ポンプ２０６の間に配置された第１ゲートバルブ２１０（例えば、第１真空ポンプ２０６の低圧側２０５に隣接する）によって、第１処理容積２０８から選択的に分離することができる。

【0021】

ツインチャンバ処理システム１０１の処理チャンバ１１１（例えば、第２処理チャンバ）は、第２基板２３１を支持するために内部に配置された第２基板支持体２０３を有する第２処理容積２１４を含む。処理チャンバ１１１は、第２処理容積２１４の第２動作圧力を維持するための第２真空ポンプ２１２を更に含む。第２真空ポンプ２１２は、例えば、ターボ分子ポンプ等が可能である。第２真空ポンプ２１２は、第２処理容積２１４に隣接した低圧側２１１と、後述するように、共用真空ポンプ２０２に選択的に結合可能な高圧側２１３を含むことができる。第２真空ポンプ２１２は、第２処理容積２１４と第２真空ポンプ２１２の間に配置された第２ゲートバルブ２１６（例えば、第２真空ポンプ２１２の低圧側２１１に隣接する）によって、第２処理容積２１４から選択的に分離することができる。

【0022】

第１及び第２処理容積２０８、２１４は互いに分離することができ、これによって各処理チャンバ１１０、１１１内で、それぞれの基板処理を実質的に独立して行うことを促進する。ツインチャンバ処理システム内の処理チャンバの分離された処理容積は、有利なことに、処理容積が処理中に流体結合されるマルチ基板処理システムのために発生する可能性のある処理の問題を低減又は排除する。しかしながら、ツインチャンバ処理システムは、更に有利なことに、高い基板のスループットを促進すると同時に、システムの設置面積、ハードウェア費用、ユーティリティの使用量とコスト、メンテナンス等の削減を促進する共用リソースを利用している。例えば、共用ハードウェアは、１以上の処理前方ラインと粗動ポンプ、ＡＣ配電とＤＣ電源、冷却水の分配、チラー、マルチチャンネルサーモコントローラ、ガスパネル、コントローラ等を含むことができる。

【0023】

共用真空ポンプ２０２は、第１及び第２処理容積２０８、２１４又は第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２のいずれかに結合させることができ、及びそれらから選択的に分離することができる。例えば、共用真空ポンプ２０２は、第１及び第２ゲートバルブ２１０、２１６を開く前に、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減するために、第１及び第２処理容積２０８、２１４に結合することができる。例えば、臨界圧力レベルは、それぞれ第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２によって提供される第１及び第２動作圧力のいずれか一方よりも高い圧力であってもよい。しかしながら、臨界圧力レベルは、第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２が動作を開始するのに必要な場合がある。

【0024】

第１処理容積２０８と共用真空ポンプ２０２の間に配置された第１粗動バルブ２１８によって第１真空ポンプ２０６を迂回しながら、共用真空ポンプ２０２は、第１処理容積２０８に選択的に結合することができる。例えば、以下の方法で説明されるように、第１処理容積２０８の圧力が、（例えば、第１真空ポンプ２０６の動作に適した）臨界圧力レベル未満に低下している間、第１真空ポンプ２０６は、第１ゲートバルブ２１０によって第１処理容積２０８から分離することができる。第１真空ポンプ２０６を迂回可能な追加の実施形態が、以下にも説明される。

【0025】

同様に、第２処理容積２１４と共用真空ポンプ２０２の間に配置された第２粗動バルブ２２０によって第２真空ポンプ２１２を迂回しながら、共用真空ポンプ２０２は、第２処理容積２１４に選択的に結合することができる。例えば、以下の方法で説明されるように、第２処理容積２１４の圧力が、（例えば、第２真空ポンプ２１２の動作に適した）臨界圧力レベル未満に低下している間、第２真空ポンプ２１２は、第２ゲートバルブ２１６によって第２処理容積２１４から分離することができる。第２真空ポンプ２１２を迂回可能な追加の方法の実施形態が、以下にも説明される。

【0026】

共用真空ポンプ２０２は、第１分離バルブ２２２によって第１真空ポンプ２０６に選択的に結合させることができる。例えば、第１分離バルブ２２２は、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７と共用真空ポンプ２０２の間に配置できる。いくつかの実施形態では、例えば、第１真空ポンプ２０６が動作しているとき、第１分離バルブを開き、第１真空ポンプ２０６によって第１処理容積２０８から除去されたガス等を、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７から共用真空ポンプ２０２へ排出することができる。

【0027】

同様に、共用真空ポンプ２０２は、第２分離バルブ２２４によって第２真空ポンプ２１２に選択的に結合させることができる。例えば、第２分離バルブ２２４は、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３と共用真空ポンプ２０２の間に配置できる。いくつかの実施形態では、例えば、第２真空ポンプ２１２が動作しているとき、第２分離バルブを開き、第２真空ポンプ２１２によって第２処理容積２１４から除去されたガス等を、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３から共用真空ポンプ２０２へ排出することができる。

【0028】

共用ガスパネル２０４は、第１及び第２処理容積２０８、２１４に１以上の処理ガスを供給するために、処理チャンバ１１０、１１１の各々に結合することができる。例えば、共用ガスパネルは、各ガス源から各処理チャンバへ流れ出たガスが１以上の流量コントローラ（例えば、マスフローコントローラ、流量比コントローラ等）によって測定される１以上のガス源（図示せず）を含む。各ガス源は、各処理容積に独立に提供することができ、又は例えば、両方の処理チャンバ１１０、１１１内で同時に同じ処理を実行するために、両方の処理容積に同時に提供することができる。本明細書中で使用される場合、「同時に」は、２つの処理容積内で実行している処理が、少なくとも部分的に重なり合う、両方の基板が２つの処理容積へ運ばれた後に開始する、及び２つの処理容積のいずれか一方からいずれか一方の基板が除去される前に終了することを意味する。

【0029】

第１三方弁２２６は、共用ガスパネルと処理チャンバ１１０の第１処理容積２０８の間に配置して、処理ガスを共用ガスパネル２０４から第１処理容積２０８へ供給することができる。例えば、処理ガスは、第１シャワーヘッド２２８又は処理チャンバに処理ガスを供給するために使用される任意の適当なガス導入口において、処理チャンバ１１０に入れることができる。更に、第１三方弁２２６は、共用ガスパネル２０４から（例えば、第１処理容積２０８をバイパスして）共用真空ポンプ２０２に結合された前方ラインコンジット２３０内へ処理ガスを迂回させることができる。更に、図示されるように、前方ラインコンジット２３０は、共用真空ポンプ２０２を第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７に結合し、共用真空ポンプ２０２を直接第１処理容積２０８に結合することができる。

【0030】

第１シャワーヘッド２２８は、例えば、処理ガスから第１処理容積２０８内でプラズマを発生させるための第１ＲＦ電源２２９が結合した電極を含む。あるいはまた、第１ＲＦ電源２２９は、第１シャワーヘッド２２８から独立した電極（図示せず）に結合することができ、又は第１処理容積２０８の外側に配置された１以上の誘導コイル（図示せず）に結合することができる。

【0031】

第２三方弁２３２を、共用ガスパネルと処理チャンバ１１１の第２処理容積２０８との間に配置し、これによって処理ガスを共用ガスパネル２０４から第２処理容積２０８へ供給することができる。例えば、処理ガスは、第２シャワーヘッド２３４又は処理チャンバに処理ガスを供給するために使用される任意の適当なガス導入口において、処理チャンバ１１１に入れることができる。更に、第２三方弁２３２は、共用ガスパネル２０４から（例えば、第２処理容積２１４をバイパスして）共用真空ポンプ２０２に結合された前方ラインコンジット２３０内へ処理ガスを迂回させることができる。更に、図示されるように、前方ラインコンジット２３０は、共用真空ポンプ２０２を第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３に結合し、共用真空ポンプ２０２を直接第２処理容積２１４に結合することができる。

【0032】

第２シャワーヘッド２３４は、例えば、処理ガスから第２処理容積２１４内でプラズマを発生させるための第２ＲＦ電源２３５が結合した電極を含む。あるいはまた、第２ＲＦ電源２３５は、第２シャワーヘッド２３４から独立した電極（図示せず）に結合することができ、又は第２処理容積２１４の外側に配置された１以上の誘導コイル（図示せず）に結合することができる。

【0033】

第１及び第２三方弁２２６、２３２は、例えば、処理チャンバ１１０内で処理の終点を検出するための第１終点検出器２３６によって、及び処理チャンバ１１１内で処理の終点を検出するための第２終点検出器２３８によって検出された処理の終点にしたがって操作することができる。例えば、コントローラ（例えば、システムコントローラ１４４又はツインチャンバ処理システム１０１の１以上のコンポーネントに結合した個々のコントローラ（図示せず）等）は、処理チャンバ１１０内で処理が終点に到達したときに、第１終点検出器２３６から第１信号を受信して、処理チャンバ１１１内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを前方ラインコンジット２３０内に迂回させるように第１三方弁２２６に指示するように構成することができる。例えば、処理は最初、各処理チャンバ１１０、１１１内で同期されるかもしれないが、例えば、各処理チャンバ１１０、１１１における被処理基板内の小さな変動、基板温度、プラズマ密度又はフラックス等のため、処理は各処理チャンバ１１０、１１１で異なる時間に終了するかもしれない。同様に、コントローラは、処理チャンバ１１１内で処理が終点に到達したときに、第２終点検出器から第２信号を受信して、処理チャンバ１１０内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを前方ラインコンジット２３０内に迂回させるように第２三方弁２３２に指示するように構成することができる。

【0034】

あるいはまた、例えば、コントローラは、処理チャンバ１１０内において基板上で実行される処理が終点に到達した第１信号を第１終点検出器２３６から受信すると、第１処理容積２０８内でプラズマを終了させるためにＲＦ電源２２９の電力をオフにすることができる。更に、処理ガスは、処理の終点に達したときにＲＦ電源２２９をオフにした後で、三方弁２２６によって迂回される代わりに、第１処理容積２０８に流入し続けることができる。第２終点検出器２３８から第２信号を受信したとき、同様の代替的な実施形態が処理チャンバ１１１内で実行可能である。更に、信号を第１又は第２終点検出器２３６、２３８のいずれか一方から受信した場合、コントローラは、いくつかの実施形態では、両方のチャンバ内で処理終点が検出されるかどうかにかかわらず、両方のチャンバ内の処理を終了することができる。例えば、処理の終点が処理チャンバ１１０に達したという第１信号を第１終点検出器２３６から受信した場合、たとえ第２終点検出器２３８から第２信号を受信していなくても、コントローラは両方のチャンバ１１０、１１１内の処理を終了することができる。あるいはまた、処理チャンバ１１０で処理終点に達したことを知らせる第１信号を受信した場合、処理チャンバ１１１でも処理終点に達したことを知らせる第２信号を受信するまで、コントローラは、処理チャンバ１１０、１１１のいずれにも何の動作も引き起こさないことができる。

【0035】

あるいはまた、処理は、両方の処理チャンバ１１０、１１１内において正確に同期させる必要はなく、例えば、基板が適切な処理温度又は他の同様な処理条件に到達したときに、各チャンバ内で開始させることができる。したがって、あるチャンバ内で処理の終点に到達すると、チャンバ１１０、１１１から基板を取り除く前に、又は更なる処理工程を開始する前に、隣接したチャンバが処理の終点に到達するまで、処理ガスは三方弁によって前方ラインコンジット２３０内へ迂回される。ツインチャンバ処理システム内における同期及び／又は終点検出の方法の更なる実施形態が、Ｊａｍｅｓ Ｐ． Ｃｒｕｓｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｍｅｔｈｏｄ Ｆｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ Ｉｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｈａｒｅｄ Ｐｒｓｏｕｒｃｅｓ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０２１号に記載されている。

【0036】

共用ガスパネルは、処理チャンバ１１０、１１１をパージするためのガスを更に供給することができる。例えば、通気ライン２４０は、直接（図示される）又は第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２のそれぞれの高圧側２０７、２１３を経由して（図示せず）、第１及び第２処理容積２０８、２１４の各々に選択的に結合可能である。例えば、パージガスは、窒素（Ｎ_２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を含むことができる。パージガスは、共用ガスパネル２０４と第１処理容積２０８の間に配置された第１パージバルブ２４２を介して第１処理容積２０８に選択的に供給することができる。同様に、パージガスは、共用ガスパネル２０４と第２処理容積２１４の間に配置された第２パージバルブ２４４を介して第２処理容積２１４に選択的に供給することができる。更に、パージガスが各処理チャンバ１１０、１１１を大気へ通気するために使用されるアプリケーションでは、各チャンバ１１０、１１１が互いに独立して大気に通気できるように、通気口（図示せず）（例えば、バルブ等）を各チャンバ１１０、１１１に提供することができる。

【0037】

図１に戻って、システムコントローラ１４４は、処理システム１００に結合されている。システムコントローラ１４４は、システム１００の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２８、１２０の直接制御を利用して、あるいはまた、処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２８、１２０及び／又は各ツインチャンバ処理システム１０１１０３、１０５及びシステム１００と結合したコントローラ（図示せず）を制御することによって、システム１００の動作を制御する。動作中、システムコントローラ１４４は、データの収集及びフィードバックが、システム１００のパフォーマンスを最適化することを可能にする。

【0038】

システムコントローラ１４４は、一般に中央処理装置（ＣＰＵ）１３８、メモリ１４０、及びサポート回路１４２を含む。ＣＰＵ１３８は、工業環境で使用可能な汎用コンピュータプロセッサのいずれかの形態のうちの１つでもよい。サポート回路１４２は、従来はＣＰＵ１３８に結合され、キャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源等を含むことができる。ＣＰＵ１３８によって実行されるとき、ソフトウェアルーチン（例えば、１以上のチャンバ処理を制御するために以下で説明される方法３００、４００、又は５００、例えば、圧力を低減させる、ツインチャンバ処理システムの各チャンバを通気する又はパージする）は、特定の目的のコンピュータ（コントローラ）１４４にＣＰＵ１３８を変える。ソフトウェアルーチンはまた、システム１００から遠隔に位置する第２コントローラ（図示せず）によって格納され及び／又は実行されてもよい。

【0039】

ツインチャンバ処理システム（例えば、図２に示されるツインチャンバ処理システム１０１）の処理チャンバの様々なチャンバ処理を制御するための方法は、Ｍｉｎｇ Ｘｕによって２０１０年４月３０日に出願された、「Ｔｗｉｎ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ Ｗｉｔｈ Ｓｈａｒｅｄ Ｖａｃｕｕｍ Ｐｕｍｐ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，１０５号に記載されている。
ツインチャンバ処理システム内の共用熱伝導流体源

【0040】

ツインチャンバ処理システム内の共用熱伝導流体源の実施形態が、以下で説明され、図２Ｂに示されている。図２Ａ〜図２Ｂに示される実施形態は、１つのツインチャンバ処理システムに組み込むことができ、例えば、共用真空ポンプ及びガスパネル（図２Ａ）と共用熱伝達源（図２Ｂ）を含む。図の簡略化の目的のために、共用真空ポンプ及びガスパネル（図２Ａ）と共用熱伝達源（図２Ｂ）は別々に示されている。必要に応じて共通の番号付けは、図２Ａ〜図２Ｂの各々では、適切な共通の番号付けが使用され、図２Ａ〜図２Ｂの各々の中で同じ要素を記述するために使用される場合がある。

【0041】

図２Ｂは、本発明のいくつかの実施形態に係る１以上の共用リソースと組み合わせて使用するのに適した２つの例示的な処理チャンバ１１０、１１１を示している。処理チャンバ１１０、１１１は、任意のタイプの処理チャンバ（例えば、図１に関して上述したような処理チャンバ等）であることができる。処理の各チャンバ１１０、１１１の各々は、同じタイプの処理チャンバが可能であり、いくつかの実施形態では、ツインチャンバ処理システム（例えば、図１に図示されるツインチャンバ処理システム１０１等）の一部であることができる。いくつかの実施形態では、各処理チャンバは、エッチングチャンバであり、ツインチャンバ処理システムの一部である。

【0042】

いくつかの実施形態では、各処理チャンバ１１０、１１１は、一般的に処理容積２０８、２１４を含むことができる内部容積を画定するチャンバ本体を含むことができる。処理容積２０８は、２１４は、例えば、処理中に基板２２７、２３１を上に載せて支えるために、処理チャンバ１１０、１１１内に配置された基板支持台座２０１、２０３と、１以上のガス入口（例えば、シャワーヘッド２２８、２３４及び／又は所望の位置に設けられたノズル）との間に画定することができる。

【0043】

いくつかの実施形態では、基板支持台座２０１、２０３は、基板支持台座２０１、２０３の表面２４３、２４５上に基板２２７、２３１を保持又は支持する機構（例えば、静電チャック、真空チャック、基板保持クランプ等）を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、基板支持台座２０１、２０３は、静電チャック２４６、２４８内に配置されたチャッキング電極２２３、２２５を含むことができる。チャッキング電極２２３、２２５は、１以上のチャッキング電源（チャンバ毎に１つのチャッキング電源２１５、２１７が図示される）に、１以上のそれぞれの整合ネットワーク（図示せず）を介して結合することができる。１以上のチャッキング電源２１５、２１７は、約２ＭＨｚ又は約１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚの周波数で、１２，０００Ｗまで生成可能であるかもしれない。いくつかの実施形態では、１以上のチャッキング電源２１５、２１７は、連続又はパルス電力のいずれかを供給可能である。いくつかの実施形態では、チャッキング電源は、ＤＣ電源又はパルスＤＣ電源であることができる。

【0044】

いくつかの実施形態では、基板支持体２０１、２０３は、基板支持面２４３、２４５及び載置された基板２２７、２３１の温度を制御するための１以上の機構を含むことができる。例えば、基板支持面２４３、２４５の下に、熱伝導流体を流すための１以上の流路を画定するために、１以上のチャネル２３９、２４１を提供することができる。１以上のチャネル２３９、２４１は、処理中に、基板支持面２４３、２４５及び載置された基板２２７、２３１の全域に亘る温度プロファイルの適切な制御を提供するのに適した任意の方法で構成することができる。いくつかの実施形態では、１以上のチャネル２３９、２４１は、冷却プレート２１９、２２１内に配置することができる。いくつかの実施形態では、冷却プレート２１９、２２１は、静電チャック２４６、２４８の下に配置することができる。

【0045】

熱伝導流体は、基板２２７、２３１へ又は基板２２７、２３１からの熱の適切な伝達を提供するのに適した任意の流体を含むことができる。例えば、熱伝導流体は、ヘリウム（Ｈｅ）、酸素（０_２）等の気体、又は水、不凍剤、アルコール（例えば、グリセロール、エチレングリセロール、プロピレン、メタノール）等の液体が可能である。

【0046】

共用熱伝導流体源２５０は、各処理チャンバ１１０、１１１の１以上のチャネル２３９、２４１に熱伝導流体を同時に供給することができる。いくつかの実施形態では、共用熱伝導流体源２５０は、各処理チャンバ１１０、１１１に並列に結合することができる。例えば、共用熱伝導流体源２５０は、熱伝導流体をそれぞれの処理チャンバ１１０、１１１の各々の１以上のチャネル２３９、２４１に供給するために、１以上の供給コンジット（チャンバ毎に１つが図示される）２５６、２６０に結合された少なくとも１つの出口２５２を含む。いくつかの実施形態では、供給コンジット２５６、２６０の各々は、実質的に同様の流体コンダクタンスを有することができる。本明細書中で使用される場合、実質的に同様の流体コンダクタンスは、±１０％以内を意味する。例えば、いくつかの実施形態では、供給コンジット２５６、２６０の各々は、実質的に同様の断面積及び軸方向長さを有し、これによって実質的に同様の流体コンダクタンスを提供することができる。あるいはまた、いくつかの実施形態では、供給コンジット２５６、２６０の各々は、異なる寸法（例えば、異なる断面積及び／又は軸方向長さ等）を含み、これによって各々が異なる流体コンダクタンスを提供することができる。このような実施形態では、供給コンジット２５６、２６０の各々の異なった寸法は、処理チャンバ１１０、１１１の各々の１以上のチャネル２３９、２４１の各々に熱伝導流体の異なる流量を提供することができる。

【0047】

更に、共用熱伝導流体源２５０は、１以上のリターンコンジット（回収導管）（チャンバ毎に１つが図示される）２５８、２６２に結合された少なくとも１つの入口２５４を含み、これによってそれぞれの処理チャンバ１１０、１１１の各々の１以上のチャネル２３９、２４１から熱伝導流体を受け入れることができる。いくつかの実施形態では、供給リターンコンジット２５８、２６２の各々は、実質的に同様の流体コンダクタンスを有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、リターンコンジット２５８、２６２の各々は、実質的に同様の断面積及び軸方向長さを含むことができる。あるいはまた、いくつかの実施形態では、リターンコンジット２５８、２６２の各々は、異なる寸法（例えば、異なる断面積及び／又は軸方向長さ等）を含むことができる。

【0048】

共用熱伝導流体源２５０は、熱伝導流体の温度を制御するために、温度制御機（例えば、チラー及び／又はヒータ）を含むことができる。処理チャンバ１１０、１１１の各々への熱伝導流体の流量を独立して制御するために、コントローラ（図示せず）は、１以上のバルブ及び／又は共用熱伝導流体源２５０の動作を制御することができる。

【0049】

運転中、共用熱伝導流体源２５０は、供給コンジット２５６、２６０を介して、処理チャンバ１１０、１１１の各々の１以上のチャネル２３９、２４１の各々に、所定の温度で熱伝導流体を供給することができる。熱伝導流体は、基板支持体２０１、２０３の１以上のチャネル２３９、２４１を通って流れるので、熱伝導流体は基板支持体２０１、２０３に熱を供給する、又は基板支持体２０１、２０３から熱を除去し、したがって基板支持面２４３、２４５及び載置された基板２２７、２３１に熱を供給し、又は基板支持面２４３、２４５及び載置された基板２２７、２３１から熱を除去する。その後、熱伝導流体は、１以上のチャネル２３９、２４１からリターンコンジット２５８、２６２を介して共用熱伝導流体源２５０へ流れて戻り、ここで熱伝導流体は、共用熱伝導流体源２５０の温度制御機構を介して所定の温度まで加熱又は冷却される。

【0050】

いくつかの実施形態は、１以上のヒータ（チャンバ毎に１つ図示される）２６４、２６６が、基板支持体２０１、２０３に近接して配置され、基板支持面２４３、２４５の温度制御を更に促進することができる。１以上のヒータ２６４、２６６は、基板温度の制御を提供するのに適した任意のタイプのヒータが可能である。例えば、１以上のヒータ２６４、２６６は、１以上の抵抗ヒータであってもよい。そのような実施形態では、１以上のヒータ２６４、２６６を加熱するのを促進するための電力を、１以上のヒータ２６４、２６６に提供するように構成された電源２６８、２７０に、１以上のヒータ２６４、２６６を結合することができる。いくつかの実施形態では、ヒータは基板支持面２４３、２４５の上又はヒータは基板支持面２４３、２４５に近接して配置することができる。その代わりに、又はそれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、ヒータは、基板支持体２０１、２０３又は静電チャック２４６、２４８内に埋設可能である。１以上のヒータの数及び配置は、基板２２７、２３１の温度範囲に付加的な制御を提供するために変化させることができる。例えば、複数のヒータが利用されている実施形態では、ヒータを複数のゾーンに配置し、これによって基板２２７、２３１全体に亘る温度制御を促進し、向上した温度制御を提供することができる。

【0051】

基板２２７、２３１は、処理チャンバ１１０、１１１の壁内の開口部２７２、２７４を介して処理チャンバ１１０、１１１に入ることができる。開口部２７２、２７４は、スリットバルブ２７６、２７８又は開口部２７２、２７４を介してチャンバの内部へのアクセスを選択的に提供する他の機構を介して選択的に密閉することができる。基板支持台座２０１、２０３は、開口部２７２、２７４を介してチャンバの内外に基板を搬送するのに適した下方位置と、処理に適した選択可能な上方位置との間で、基板支持台座２０１、２０３の位置を制御することができる昇降機構（図示せず）に結合することができる。処理位置は、特定の処理に対して処理の均一性を最大化するように選択することができる。上昇した処理位置の少なくとも１つにあるとき、基板支持台座２０１、２０３は開口部２７２、２７４の上方に配置され、対称的な処理領域を提供することができる。

【0052】

１以上のガス導入口（例えば、シャワーヘッド２２８、２３４）は、処理チャンバ１１０、１１１の処理容積２０８、２１４に１以上の処理ガスを供給するための独立した又は共用のガス供給源（共用ガス供給源２０４が図示されている）に結合することができる。図２Ｂには、シャワーヘッド２２８、２３４が示されているが、追加又は代替ガス導入口（例えば、処理チャンバ１１０、１１１の天井又は側壁に、又は処理チャンバ１１０、１１１にとって望ましいようなガスを供給するのに適した他の場所（例えば、処理チャンバの土台、基板支持台座の周辺等）に配置されたノズル又は入口）を提供してもよい。

【0053】

いくつかの実施形態では、処理チャンバ１１０、１１１は、プラズマ処理用に容量結合ＲＦ電力を利用することができるが、処理チャンバ１１０、１１１は、プラズマ処理用にＲＦ電力の誘導結合もまた、又はその代わりに使用することもできる。例えば、基板支持体２０１、２０３は、電極２８０、２８２を内部に配置することができ、又は基板支持体２０１、２０３の導電部を電極として使用することができる。電極は、１以上のプラズマ電源（処理チャンバ毎に１つのＲＦ電源２８４、２８６が示される）に、１以上のそれぞれの整合ネットワーク（図示せず）を介して結合することができる。いくつかの実施形態では、例えば、基板支持体２０１、２０３が導電性材料（例えば、アルミニウム等の金属）から製造される場合、基板支持体２０１、２０３全体は電極として機能することができ、これによって別の電極２８０、２８２の必要性を排除することができる。１以上のプラズマ電源は、約２ＭＨｚ及び又は約１３．５６ＭＨｚ又は高周波（例えば、２７ＭＨｚ及び／又は６０ＭＨｚ）の周波数で約５，０００Ｗ数まで生成可能であるかもしれない。

【0054】

いくつかの実施形態では、終点検出システム２８８、２９０は、処理チャンバ１１０、１１１の各々に結合することができ、各チャンバ内で処理の所望の終点に到達したときを判定するために使用できる。例えば、終点検出システム２８８、２９０は、１以上の光学分光器、質量分析計、又は処理容積２０８、２１４内で実行されている処理の終点を判定するのに適した任意の検出システムのうちの１以上であることができる。いくつかの実施形態では、終点検出システム２８８、２９０は、処理チャンバ１１０、１１１のコントローラ２９２に結合することができる。１つのコントローラ２９２が、（ツインチャンバ処理システムで使用される可能性のあるような）処理チャンバ１１０、１１１用に図示されているが、その代わりに各処理チャンバ１１０、１１１用に個々のコントローラを使用してもよい。あるいはまた、（図１に関して上述した）コントローラ１４４、又は他のいくつかのコントローラを使用することもできる。

【0055】

真空ポンプ２０６、２１２は、処理チャンバ１１０、１１１から排気ガスを排気するための排気ポートを経由して、排気プレナムに結合させることができる。適切な排気処理装置にとって必要な排気をルーティングするための排気口に、真空ポンプ２０６、２１２を流体結合することができる。ゲートバルブ等のバルブ（例えば、図２Ａに示されるゲートバルブ２１０、２１６）が排気プレナム内に配置され、真空ポンプ２０６、２１２の操作と組み合わせて排気ガスの流量の制御を促進することができる（共用真空ポンプ２０２及びゲートバルブ２１０、２１６等の関連装置は、分かりやすくするために、図２Ｂから省略されている）。

【0056】

処理チャンバ１１０、１１１の制御を促進するために、コントローラ２９２は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業環境で使用することができる汎用コンピュータプロセッサのいずれかの形態の１つであることができる。ＣＰＵ２９６のメモリ又はコンピュータ可読媒体２９４は、手軽に利用可能なメモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク、又は任意の他の形態のローカル又はリモートのデジタルストレージ）のうちの１以上であることができる。サポート回路２９８は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ２９６に結合されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステム等を含む。共用熱伝導源に関連する方法及び装置の更なる実施形態は、Ｊａｒｅｄ Ａｈｍａｄ Ｌｅｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｈａｒｅｄ Ｒｅｓｏｕｒｃｅｓ Ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｏｆ Ｕｓｅ Ｔｈｅｒｅｏｆ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０１４号に記載されている。
ツインチャンバ処理システム用ガス分配システム

【0057】

本発明の実施形態は、通過して流れるガスを所望の流量比に受動的に分割するガス分配システムを提供する。本装置は、オリフィスを通る流れが、断面積に直接比例するという基本的な原理に基づいている。一方が他方の２倍の（断面積の）大きさである２つのオリフィス間において、ガス流が分割される場合、流れの比率は２：１となるであろう。しかしながら、この原理は、両方のオリフィスが同じ上流側及び下流側圧力を有していることに依存している。本発明では、装置に結合された異なるガス供給ゾーン（例えば、シャワーヘッド又は異なる処理チャンバ等のゾーン）が、異なるコンダクタンス又は流れ抵抗を有する可能性があり、したがって、下流側圧力は同じではない。いくつかの実施形態では、本発明者らは、常にチョーク流れの状態で動作するように装置を設計することによって（例えば、上流側圧力を下流側圧力の少なくとも２倍にする）、この問題を排除している。流れが閉塞（チョーク）されている場合、流れは単なる上流側圧力の関数となる。

【0058】

上記図２Ａ〜２Ｂと同様に、図３〜４は、図１及び図２Ａ〜Ｂに関して上述したものと実質的に同じ図３内の要素を記述するために、共通の番号を使用することができる。図３は、本発明のいくつかの実施形態に係る例示的なガス分配システム３００の概略図を示している。図３に示すシステムは、主に２つのガス供給ゾーン（例えば、３２６、３２８）にガスの流れを供給することに関するが、本システムは、追加のガス供給ゾーン（例えば、３４２、点線で示される）にガスの流れを供給するために、本明細書内で開示される原理に従って、システムを拡張することができる。ガス分配システム３００は、一般的に、１以上のマスフローコントローラ（１つのマスフローコントローラ３０４が示される）と、第１フローコントロールマニホールド３０６と、第２フローコントロールマニホールド３０８を含む（明細書内の記載と同様に構成される追加のフローコントロールマニホールドが、点線内において符号３４０によって図示されるように提供されてもよい）。マスフローコントローラ３０４は、典型的には、１以上のガス又はガス混合物（本明細書全体及び特許請求の範囲内ではガスと呼ぶ）を供給するガス分配パネル２０４に結合されている。マスフローコントローラ３０４は、ガス分配装置３００を通過するガスの総流量を制御し、そのそれぞれの入口で、第１及び第２フローコントロールマニホールド３０６、３０８の両方に結合されている。１つのマスフローコントローラ３０４が図示されているが、複数のマスフローコントローラがガス分配パネル２０４に結合され、ガス分配パネル２０４からのそれぞれの処理ガスを測定することができる。１以上のマスフローコントローラ３０４の出力は、一般的には、各フローコントロールマニホールド（例えば、３０６、３０８）に分割してルーティングされる前に結合される（例えば、それらの共通のコンジット、ミキサー、プレナム等、又はそれらの組み合わせに供給される）。

【0059】

第１フローコントロールマニホールド３０６は、第１フローコントロールマニホールド３０６の入口３１４と出口３１６の間に結合された複数の第１オリフィス３１０及び複数の第１コントロールバルブ３１２を含む。複数の第１コントロールバルブ３１２は、１以上の複数の第１オリフィス３１０をマスフローコントローラ３０４の出口に選択的に結合するために（例えば、マスフローコントローラ１０４から選択された第１オリフィス３１０を通ってガスが流れるのを可能にするために）、選択的に開閉することができる。

【0060】

同様に、第２フローコントロールマニホールド３０８は、第２フローコントロールマニホールド３０８の入口３２２と出口３２４の間に結合された複数の第２オリフィス３１８及び複数の第２コントロールバルブ３２０を含む。複数の第２コントロールバルブ３２０は、１以上の複数の第２オリフィス３１８をマスフローコントローラ３０４に選択的に結合するために（例えば、選択された第１オリフィス３１０を通ってガスが流れるのを可能にするために）、選択的に開閉することができる。同様に、追加のフローコントロールマニホールド（例えば、３４０等）は、追加のガス供給ゾーン（例えば、３４２等）に所望の流量比でガスを供給するために提供することができる。

【0061】

第１及び第２コントロールバルブ３１２、３２０は、工業環境又は半導体製造環境での使用に適した任意のコントロールバルブであることができる。いくつかの実施形態では、第１及び第２コントロールバルブ３１２、３２０は、空気圧バルブが可能である。いくつかの実施形態では、第１及び第２コントロールバルブ３１２、３２０は、基板（図示せず）に搭載され、各コントロールバルブ用のシールは、シールの構造内に組み込まれた精密オリフィスを有することができる。いくつかの実施形態では、オリフィスがコントロールバルブの本体内に組み込まれることができる。いくつかの実施形態では、独立したコントロールバルブとオリフィスを提供することができる。

【0062】

図３に示される実施形態では、６つの第１オリフィス３１０と６つの第２オリフィス３１８が図示され、各々が第１コントロールバルブ３１２のそれぞれと第２コントロールバルブ３２０のそれぞれに結合されている。しかしながら、各フローコントロールマニホールドは、オリフィスの数が同じである必要はないが、同じ数及び構成のオリフィスを有することによって、比が第１と第２ガス供給ゾーン３２６、３２８の間であるか、第２と第１ガス供給ゾーン３２８、３２６の間であるかに関わらず、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６、３２８間に同じ流量比を容易に提供することができる。更に、各ゾーンは、６つよりも少ない又は多くのオリフィスを有することができる。一般的に言えば、より少ないオリフィスは、より少ない流量比を提供することができ、より多くのオリフィスは、より多くの流量比を提供することができるが、コスト及び複雑性がより大きくなる。このように、提供されるオリフィスの数は、特定のアプリケーションに必要な所望の処理の柔軟性に基づいて選択することができる。

【0063】

ガス分配システム３００の構成は、特定のアプリケーションのための予想される動作条件及び出力要件に基づいて決定することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ガス分配システム１００は、ガス供給ゾーン３２６，３２８の間で、１：１〜６：１の間の流量比を０．５の比率の増分で提供することができ（すなわち、１／１、１．５／１、２／１、２．５／１ ．．． ６／１）、及び完全に逆も可能（すなわち、１／１、１／１．５、１／２、１／２．５．．． １／６）でなければならない。いくつかの実施形態では、ガスの流れの分割の精度は５％以内であってもよく、これによって例えば、既存の機器の性能を一致させることができる。いくつかの実施形態では、ガス分配システム１００は、ガス供給ゾーン３２６、３２８毎に５０〜５００ｓｃｃｍの窒素に相当するガス流に対して適切な比に設計することができ、すべての処理ガスと互換性がある。いくつかの実施形態では、ガス分配システム３００の上流側圧力（又は背圧）は、ガス供給システム３００の応答時間を短縮するために最小限に抑えることができる。更に、いくつかの低蒸気圧ガス（例えば、四塩化ケイ素、ＳｉＣｌ_４）の望ましくない結露を防ぐために、ガス分配システム３００の上流側圧力（又は背圧）を制限又は最小化することができる。このように、いくつかの実施形態では、制限された上流側圧力は、低蒸気圧ガスの凝縮を防止するのに十分に低い。例えば、第１及び第２フローコントロールマニホールドは、使用温度での蒸気圧がオリフィスの上流側圧力に近付くことができる任意の半導体処理化学薬品の結露を防ぐために、オリフィスの上流側圧力を最小限に抑えながら、チョーク流れを維持するのに十分な圧力降下を提供することができる。低蒸気圧ガスは、動作圧力及び温度で気相を離れる（すなわち、液化する）ガスを含む。非限定的な例としては、ＳｉＣｌ_４に対して約１５０Ｔｏｒｒ、ＣｅＦ_６に対して約１００Ｔｏｒｒ、Ｃ_４Ｆ_８に対して約５ｐｓｉｇ等を含む。いくつかの実施形態では、最大許容制限上流側圧力は、室温でＳｉＣｌ_４の蒸気圧になるように、又は１５５Ｔｏｒｒに設計された。

【0064】

一般に、上流側圧力は、システムの応答時間を最小限に抑えるために最小化することができる。例えば、特定の流量で、フローコントローラとオリフィス間の容積が、所望の圧力に到達し、定常状態の流れを提供するためには、ある程度の時間がかかる。したがって、より高い圧力は、この容積をより高い圧力に満たすためにより長い時間を必要とするので、定常状態の流れを達成するためにより長い時間がかかる。いくつかの実施形態では、フローコントローラとオリフィス間の容積は、応答時間を最小限に抑えるために最小化することができる。しかしながら、いくつかの実施形態では、制限された上流側圧力は、システムの応答時間を最適化するように、例えば、他のシステムと一致するように特定の応答時間に制御するように制御することができる。このように、いくつかの実施形態では、第１及び第２フローコントロールマニホールドは、システムの応答時間を制御するオリフィスの上流側圧力を制御しながら、チョーク流れを維持するのに十分な圧力降下を提供することができる。このような制御は、例えば、フローコントローラとオリフィス間の容積を制御する、より高い背圧を作るために意図的により制限されたオリフィスを選択する等によって、提供することができる。異なるアプリケーション及び／又は処理は、実行されている特定の処理（例えば、エッチング、化学蒸着法、原子層堆積、物理蒸着法等）に基づいて、異なる所望の応答時間（例えば、最適化された応答時間）を有するかもしれない。いくつかの実施形態では、所望の応答時間は、２秒以下、又は５秒以下、又は１０秒以下、又は１５秒以下とすることができる。

【0065】

いくつかの実施形態では、エッチング処理の要件を満たすために、第１及び第２フローコントロールマニホールド３０６、３０８の各々に対して、第１及び第２オリフィス３１０、３１８の所望のサイズを選択するために、フローモデリングソフトウェア（例えばＭａｃｒｏｆｌｏｗ等）を使用することができる。例えば、いくつかの実施形態では、これは、最小の所望の処理ガスの流れに対して、依然としてチョーク流れが得られるであろう最大のオリフィスを見つけることによって決定することができる。いくつかの実施形態では、オリフィスのサイズを、１、１．５、２、４、８、１２と増加させて（例えば、乗算倍数）、ゾーン毎に６つのオリフィスを設けてもよい。いくつかの実施形態では、最小オリフィス径は、（例えば、最小の所望の流量でチョーク流れを提供するために）０．００９０”が可能であり、すべてのオリフィス径は最小オリフィス径の倍数である。いくつかの実施形態では、オリフィスの直径は、０．００９、０．０１１、０．０１３、０．０１８、０．０２５、及び０．０３１インチであってもよい。これらの直径を有するオリフィスは、市販のオリフィス径であり、再現性と再生産性が正確な比率よりも重要である費用対効果の高いソリューションを提供するために、断面積の正確な比率を提供するであろう直径よりもむしろ、これらの市販のオリフィスを選択してもよい。例えば、モデリングでは、この構成によって、すべての比及びゾーン毎の１０〜１２００ｓｃｃｍの窒素に相当するすべての流れは、チョーク流れと最大背圧の両方の要件を満たすことができることを示した。

【0066】

いくつかの実施形態では、上記のオリフィス径を使用して、ガス供給システム３００は、１：１の流量比で約１６ｓｃｃｍ〜約２３００ｓｃｃｍのガス流、及び４：１の流量比で約４０ｓｃｃｍ〜約１７５０ｓｃｃｍのガス流を供給することができるかもしれない。以下により詳細に説明されるように、これらの流量範囲は、窒素相当ガス流に関して表現されている。

【0067】

第１及び第２フローコントロールマニホールド３０６、３０８の出口３１６、３２４は、第１ガス供給ゾーン３２６及び第２ガス供給ゾーン３２８にそれぞれ結合することができる。このように各ガス供給ゾーン３２６、３２８は、第１オリフィス３１０及び第２オリフィス３１８の選択的な結合によって課せられた望ましい流量比に基づいて、マスフローコントローラ１０４によって供給される総ガス流量の所望の割合を受け取ることができる。ガス供給ゾーン３２６、３２８は、一般的にはガス流量比制御が望まれているいずれのゾーンであってもよい。

【0068】

例えば、いくつかの実施形態では、図４Ａに示されるように、第１ガス供給ゾーン３２６は、第１ゾーン４０２（例えば、シャワーヘッド４０４が設置されている処理チャンバへガスを供給するシャワーヘッド４０４の内側ゾーン）に対応することができる。第２ガス供給ゾーン３２８は、第２ゾーン４０６（例えば、シャワーヘッド４０４の外側ゾーン）に対応することができる。

【0069】

いくつかの実施形態では、図４Ｂに示されるように、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６，３２８は、上で基板Ｓを支持するための基板支持体４１６を有する処理チャンバ４１４の、シャワーヘッド４１０及び１以上のガス導入口４１２にそれぞれ供給される。

【0070】

いくつかの実施形態では、図４Ｃの上部に示されるように、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６、３２８は、上でそれぞれの基板２２７、２３１を支持するための基板支持体２０１、２０３を有する処理チャンバ１１０、１１１のシャワーヘッド２２８、２３４（及び／又は他のガス導入口）にそれぞれ供給することができる。あるいはまた、図４Ｃの下部に示されるように、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６、３２８は、異なる処理チャンバ１１０、１１１のシャワーヘッド２２８、２３４（及び／又は他のガス導入口）の両方に供給することができる。例えば、第１ガス供給ゾーン３２６は、各シャワーヘッド２２８、２３４内で第１ゾーン（例えば、図４Ａに示されるようなシャワーヘッド４０４の第１ゾーン４０２）に対応することができ、第２ガス供給ゾーン３２８は、各シャワーヘッド２２８、２３４内で第２ゾーン（例えば、図４Ａに示されるようなシャワーヘッド４０４の第２ゾーン４０６）に対応することができる。

【0071】

更に、図４Ｃには図示されていないが、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６、３２８は、２つのシャワーヘッドに供給されることに限定される必要はなく、複数の処理チャンバ内の任意の適切な複数のシャワーヘッドに供給することができる。例えば、第１ガス供給ゾーン３２６は、複数の処理チャンバの複数のシャワーヘッド内の第１ゾーンに対応することができ、第２ガス供給ゾーン３２８は、複数の処理チャンバの複数のシャワーヘッド内の第２ゾーンに対応することができる。

【0072】

図３に戻って、ガス分配装置１００の所望の位置での圧力を監視するために、１以上の圧力計を提供することができる。例えば、ガス分配装置３００の上流側の圧力を監視するために、圧力計３３２を提供することができる。いくつかの実施形態では、マスフローコントローラ３０４と、第１及び第２フローコントロールマニホールド３０６、３０８との間に結合されたガスライン内に、圧力計３３２を配置してもよい。ガス分配装置３００の下流側の圧力をそれぞれ監視するために、圧力計３３４、３３６を提供することができる。いくつかの実施形態では、第１及び第２フローコントロールマニホールド３０６、３０８と、第１及び第２ガス供給ゾーン３２６、３２８との間にそれぞれ結合されたガスライン内に、圧力計３３４、３３６をそれぞれ配置してもよい。

【0073】

コントローラ３３０は、システムのコンポーネントを制御するために、ガス分配システム３００に提供され、結合されることができる。例えば、コントローラ３３０は、供給する１以上の処理ガスを選択するためのガス分配パネル２０４に結合され、所望の流量を設定するためのマスフローコントローラ３０４に結合され、及び、所望の流量を提供するために、どちらのコントロールバルブ３１２、３２０を開くかを制御するための第１及び第２フローコントロールマニホールド３０６、３０８の各々に（又は内部に含まれる第１及び第２コントロールバルブ３１２、３２０の各々に）結合することができる。コントローラは、更にチョーク流れ及び最小限の背圧に対する圧力要件を満たしているかを確認するために、圧力計３３２、３３４、３３６に結合することができる。

【0074】

コントローラ３３０は、任意の適切なコントローラが可能であり、ガス分配システム１００が結合される処理チャンバ又は処理ツール用の処理コントローラ、又は他のいくつかのコントローラが可能である。コントローラ３３０は、一般的に、中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、及びサポート回路を含む。ＣＰＵは、工業環境で使用できる汎用コンピュータプロセッサのいずれかの形態のうちの１つが可能である。サポート回路はＣＰＵに結合され、キャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源等を含むことができる。ソフトウェアルーチン（例えば、図３〜４に関して、本明細書内で記載されるガス分配システム３００を動作させるための方法等）は、コントローラ３３０のメモリ内に格納することができる。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵによって実行されると、特定の目的のコンピュータ（コントローラ）３３０にＣＰＵを変換する。ソフトウェアルーチンは、コントローラ３３０から離れて位置する第２コントローラ（図示せず）によって格納及び／又は実行されることもできる。あるいはまた、上述した実施形態と同様に、ガス分配システム３３０は、コントローラ１４４（図１）又は上述の他のコントローラのいずれかによって制御することができる。

【0075】

ガス分配システム３００の実施形態は、所望の流量比、いくつかの流量、及び複数のガスを使用した範囲にわたって、本発明者らによってテストされた。ガス分配システム３００は、５０〜５００ｓｃｃｍのガス流でエッチング処理のためのすべての精度要件を満たした。ガス分配システム３００の再現性は１％以内であることが判明した。ガス分配システム３００に関連する方法及び装置の更なる実施形態は、Ｊａｍｅｓ Ｐ． Ｃｒｕｓｅによって２０１０年４月３０日に出願された「Ｍｅｔｈｏｄｓ Ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ Ｆｏｒ Ｒｅｄｕｃｉｎｇ Ｆｌｏｗ Ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ Ｅｒｒｏｒｓ Ｕｓｉｎｇ Ｏｒｉｆｉｃｅ Ｒａｔｉｏ Ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ」と題される米国仮特許出願第６１／３３０，０４７号に記載されている。

【0076】

このように、ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が提供された。本発明のツインチャンバ処理システムは、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内で加工品質を維持しながら、システムコストを削減するために、有利なことにリソース（例えば、共用真空ポンプ、共用ガスパネル等）を兼ね備えている。更に、本発明の方法は、共用リソースがツインチャンバ処理システムの各チャンバ間で使用されるとき、例えば、減圧、通気、パージ等のチャンバ処理の動作を有利に制御する。

【0077】

上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができる。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】