(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【背景技術】
【0002】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿ってダイシングすることにより、個々の半導体デバイスを製造している。
【0003】
近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザービームを照射することにより被加工物にレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って機械的ブレーキング装置によって被加工物を割断する方法が実施されている。
【0004】
レーザー加工装置を用いて半導体ウエーハのストリートに沿ってパルスレーザービームを照射することによりウエーハにレーザー加工溝を形成すると、ウエーハへのレーザービームの照射によりデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
【0005】
従って、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザー加工溝を形成する際には、予め半導体ウエーハの表面に水溶性の保護被膜を被覆し、この保護被膜を通してレーザービームを照射するようにしているが、半導体ウエーハの表面に保護被膜を被覆する工程を追加しなければならず、生産性が悪い。また、半導体ウエーハにレーザービームを照射するとデバイスが加熱されるため、デバイスの品質を低下させるという問題もある。
【0006】
そこで、レーザービームを照射することにより発生するデブリの影響を解消するとともに、被加工物の加熱を防ぐレーザー加工方法として、被加工物に高圧の水を噴射して水柱(液柱)を形成するとともに、この水柱内を透過(導光)させたレーザービームを被加工物に照射して、所望の加工を施すレーザー加工装置が提案されている(例えば、特公平2−1621号公報、特開2001―321977号公報、特開2006−255769号公報参照)。
【0007】
これらのレーザー加工装置では、集光されたレーザービームを糸状の水柱を介して被加工物まで導くので、集光レンズの焦点位置に関係なくレーザー加工をすることができる。更に、レーザー加工時に発生する熱が水で冷却されるため、熱による被加工物の品質低下を防止できるというメリットがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
加工中に被加工物の上面は、液柱を形成して被加工物に到達した液体によって覆われる。加工中は常時液柱を構成する液体が被加工物上面に噴出されており、被加工物上面の液体は流動しているため、被加工物上面を覆う液体の厚みは均一ではない。特に、被加工物の外周縁では液体の表面張力によって被加工物上面を覆う液体の厚みが厚くなっている。
【0010】
被加工物上面を覆う液体の厚みが変化すると、液柱内に導光されているレーザービームが乱されて、その結果レーザー加工が乱れ均一な加工ができないという問題がある。
【0011】
また、加工ヘッドが固定でチャックテーブルが移動する形態のレーザー加工装置の場合には、チャックテーブルを往復働しながらレーザー加工を施すため、チャックテーブルの移動方向を変更する際、被加工物上面の液体が慣性力によって一方に寄り高波が形成される。この高波が加工点に向かって流れることで被加工物を覆う液体が乱されてレーザー加工が乱れるという問題がある。
【0012】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レーザービームの乱れを防止し、被加工物に均一なレーザー加工を施すことのできるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明によると、レーザー加工装置であって、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、レーザー発振器と加工ヘッドとから少なくともなり、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射するレーザービーム照射手段と、該チャックテーブルと該加工ヘッドとを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該加工送り方向に直交する割り出し送り方向に該チャックテーブルと該加工ヘッドとを相対的に割り出し送りする割り出し送り手段と、を具備し、該加工ヘッドは、該レーザー発振器から発信されたレーザービームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザービームが導光される液柱を形成する液柱形成手段と、該液柱の外側で該液柱と鋭角をなす方向に被加工物に向かって液体を噴出する噴出部を有し、被加工物上面の液体を該液柱から離反する方向に押し流す掃拭液体噴出手段と、を含むことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【発明の効果】
【0014】
本発明のレーザー加工装置では、掃拭液体噴出手段が液柱の外側で被加工物に向かって液体を噴出する。このとき、液柱と鋭角をなす方向に液体を噴出するため、液柱が到達する被加工物の上面の液体は厚みが薄く、被加工物に対して水面が流動しない状態を形成できる。従って、安定したレーザー加工を被加工物に施すことができる。
【0015】
また、掃拭液体噴出手段から気体ではなく液体を噴出することで、被加工物の上面が乾燥することがなく、レーザー加工によって生じる加工屑の被加工物への固着を防止できる。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1を参照すると、本発明第1実施形態のレーザー加工装置の外観斜視図が示されている。レーザー加工装置2は、静止基台4上にX軸方向に移動可能に搭載された第1スライドブロック6を含んでいる。
【0018】
第1スライドブロック6は、ボールねじ8及びパルスモータ10から構成される加工送り手段12により一対のガイドレール14に沿って加工送り方向、即ちX軸方向に移動される。
【0019】
第1スライドブロック6上には第2スライドブロック16がY軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第2スライドブロック16はボールねじ18及びパルスモータ20から構成される割り出し送り手段22により一対のガイドレール24に沿って割り出し方向、すなわちY軸方向に移動される。
【0020】
第2スライドブロック16上には円筒支持部材26を介してチャックテーブル28が搭載されており、チャックテーブル28は加工送り手段12及び割り出し送り手段22によりX軸方向及びY軸方向に移動可能である。チャックテーブル28には、チャックテーブル28に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランプ30が設けられている。
【0021】
静止基台4にはコラム32が立設されており、このコラム32にレーザービーム照射ユニット34が取り付けられている。レーザービーム照射ユニット34は、ケーシング33中に収容された
図4に示すレーザービーム発生ユニット35と、ケーシング33の先端に取り付けられた加工ヘッド36とを含んでいる。
【0022】
レーザービーム発生ユニット35は、
図2に示すように、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器62と、繰り返し周波数設定手段64と、パルス幅調整手段66と、パワー調整手段68とを含んでいる。特に図示しないが、レーザー発振器62はブリュースター窓を有しており、レーザー発振器62から出射するレーザービームは直線偏光のレーザービームである。
【0023】
ケーシング33の先端部には、加工ヘッド36とX軸方向に整列してレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット38が配設されている。撮像ユニット38は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のCCD等の撮像素子を含んでいる。
【0024】
撮像ユニット38は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線CCD等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ(制御手段)40に送信される。
【0025】
コントローラ40はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)42と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ(ROM)44と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)46と、カウンタ48と、入力インターフェイス50と、出力インターフェイス52とを備えている。
【0026】
56は案内レール14に沿って配設されたリニアスケール54と、第1スライドブロック6に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段56の検出信号はコントローラ40の入力エンターフェイス50に入力される。
【0027】
60はガイドレール24に沿って配設されたリニアスケール58と第2スライドブロック16に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段60の検出信号はコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。
【0028】
撮像ユニット38で撮像した画像信号もコントローラ40の入力インターフェイス50に入力される。一方、コントローラ40の出力インターフェイス52からはパルスモータ10、パルスモータ20、レーザービーム照射ユニット34等に制御信号が出力される。
【0029】
ケーシング33の先端には、被加工物上面の液体を加工ヘッド36から噴出される液柱から離反する方向に押し流す加工ヘッド36を挟んで配設された一対の掃拭液体供給パイプ70が取り付けられている。
【0030】
図3に示されるように、レーザービーム発生ユニット35のパワー調整手段68により所定パワーに調整されたパルスレーザービーム69は、加工ヘッド36のハウジング82に形成されたビーム導入口85から加工ヘッド36内に導入される。
【0031】
ハウジング82内には、レーザービームを反射するミラー84と、レーザービームを集光する集光レンズ86が配設されている。ハウジング82と一体的に液体噴射手段88の液体室92を画成する液体室ハウジング94が形成されている。液体室ハウジング94は、円筒状側壁96と、該側壁96の上面及び下面をそれぞれ閉塞する上壁98及び下壁100とから構成されている。
【0032】
液体室ハウジング96を構成する上壁98には透明窓104が配設されている。液体室ハウジング94を構成する下壁100の中心部には、噴射ノズル106が形成されている。尚、噴射ノズル106の下端である噴射口106aに、集光レンズ86によって集光されるレーザービーム69の集光点が位置づけられる。
【0033】
側壁96には液体室92に開口する液体導入口102が形成されており、液体導入口102は高圧液供給源90に接続されている。高圧液供給源90から高圧液体が液体室92内に供給されると、この高圧液体は噴射ノズル106の噴射口106aから噴射されて液柱108を形成する。
【0034】
液体室ハウジング94の下端部には、エア導入ハウジング110が形成されている。エア導入ハウジング110は、液体室ハウジング94の底壁100に装着された円筒壁112と、円筒壁112の下端部に一体的に形成された環状底壁114と、環状底壁114の上端部に一体的に形成された内壁116とを含んでいる。
【0035】
内壁116の中心部に貫通穴118が形成されており、この貫通穴118中にパイプ120が圧入されている。円筒壁112にはエア流入口124が形成されている。
【0036】
液柱108を挟んで配設された一対の掃拭液体供給パイプ70は、
図4に示すように、複数の液体噴出口72を有している。
図4で矢印Xはチャックテーブル28の加工送り方向を示している。
【0037】
図5に示すように、液柱108と掃拭液体供給パイプ70の液体噴出口72から噴出される掃拭液体73とのなす角度θは鋭角を形成しており、θは45度〜70度の範囲に設定される。より好ましくは、θは約60度程度である。
【0038】
例えば、液体噴出口72の直径を0.3〜1mm程度、隣接する液体噴出口72間の距離を0.3〜1mm程度に設定することにより、隣接する液体噴出口72から噴出された液体同士がくっつき、掃拭液体からなる液体カーテンを形成することができる。複数の液体噴出口72に替えて、Y軸方向に伸長する一つ或いは複数のスリットをパイプ70に形成するようにしてもよい。
【0039】
以下、このように構成された第1実施形態のレーザー加工装置2の作用について説明する。レーザービーム発生ユニット35のパワー調整手段68で所定パワーに調整されたレーザービーム69は、加工ヘッド36のビーム導入口85から加工ヘッド36内に導入され、ミラー84で反射されて集光レンズ86で液体噴射手段88の液体室ハウジング94に形成された噴射ノズル106の噴射口106aに集光される。
【0040】
一方、高圧液供給源90から供給された純水等の高圧液体が、液体噴射手段88の液体室ハウジング94に形成された液体導入口102から液体室92内に導入され、液体室ハウジング94の下壁100に形成された噴射ノズル106から噴射されて液柱108を形成する。
【0041】
この液柱108は、エア導入ハウジング110の内壁116の貫通穴118に圧入されたパイプ120を通過してチャックテーブル28に保持された被加工物Wの加工点に衝突して飛散する。
【0042】
集光レンズ86で集光されたレーザービーム69はパイプ120内を通過する液柱108に導光(案内)されて、そのビーム径が広がらずに加工点に照射されて被加工物Wにレーザー加工溝を形成する。
【0043】
レーザー加工時には、液柱108を挟むように配設された一対の掃拭液体供給パイプ70の液体噴出口72から液柱108と鋭角をなす方向に掃拭液体73を噴出する。この掃拭液体73により、液柱108が到達する被加工物Wの上面の液体は厚みが薄く、被加工物Wに対して水面が流動しない状態を形成できる。従って、安定したレーザー加工を被加工物Wに施すことができる。
【0044】
また、気体ではなく掃拭液体73を噴出するため、被加工物Wの上面が乾燥することなく、レーザー加工によって生じる加工屑の被加工物Wへの付着を防止できる。高圧液供給源90から供給される液体及び掃拭液体供給パイプ70から噴出される掃拭液体73としては、例えば純水が使用される。
【0045】
レーザー加工装置2の加工条件は、例えば次のように設定されている。
【0046】
光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YAGレーザー
波長 :532nm(YAGレーザの第2高調波)
平均出力 :30W
繰り返し周波数 :40kHz
ノズル直径 :φ50μm
液圧 :25MPa
加工送り速度 :100mm/s
掃拭液体供給量 :各1L/min(1パイプ当たりの液体量)
【0047】
尚、掃拭液体供給量については、掃拭液体供給パイプ70の長さにもよるが、被加工物上面の乱れた液体を押しのけるのに十分な量に適宜設定する。
【0048】
図6を参照すると、本発明第2実施形態に係るレーザー加工装置の要部を示す縦断面図が示されている。本実施形態のレーザー加工装置では、エア導入ハウジング110の下端に環状の掃拭液体供給部材74を取り付ける。
【0049】
掃拭液体供給部材74は、
図6及び
図7に示すように、液柱108と鋭角をなす掃拭液体77を噴出するように所定角度傾斜した複数の掃拭液体噴出口76を有している、掃拭液体77としては、例えば純水が使用される。液柱108と掃拭液体噴出口76から噴出される掃拭液体77とのなす角は45〜70度の範囲が好ましい。より好ましくは、60度前後である。
【0050】
本実施形態でも、
図3を参照して説明した第1実施形態と同様に、環状の掃拭液体噴出部材74から液柱108と鋭角をなす方向に掃拭液体77を噴出するため、液柱108が到達する被加工物Wの上面の液体は厚みが薄く、被加工物Wに対して水面が流動しない状態を形成できる。従って、安定したレーザー加工を被加工物に施すことができる。
【0051】
上述した実施形態のレーザー加工装置2は、加工ヘッド36が固定でチャックテーブル28がX軸方向及びY軸方向に移動する。レーザー加工はチャックテーブル28をX軸方向に往復働しながら、往路と復路で実施される。
【0052】
チャックテーブル28の移動方向を変更する際、被加工物Wの上面の液体が慣性力によって一方により高波が形成される。この高波が加工点に向かって流れることで被加工物Wを覆う液体が乱されてレーザー加工が乱される。
【0053】
従って、本発明は
図1に示したような加工ヘッド36が固定でチャックテーブル28が移動する形態のレーザー加工装置2に特によく有効であるが、これに限定されるものではなく、加工ヘッドが移動する形態のレーザー加工装置にも同様に適用することができる。
【0054】
掃拭液体噴出手段は、少なくとも加工送り方向において液柱108の両側から加工進行方向と加工進行方向の反対方向に掃拭液体を噴出する機構を有していればよく、上述した第1及び第2実施形態に限定されるものではない。