特許5941463IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

EUV(極端紫外光)リソグラフィ投影型露光システムにおいて、50nmより小さい波長範囲の光を反射するための反射型光学素子に関する。さらに、本発明はEUVリソグラフィ投影型露光システムのEUV投影レンズおよびEUV投影レンズを構成する方法

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】照明システムおよびEUV投影レンズを備える、簡略化したEUVリソグラフィ投影型露光システムを概略的に示す。EUV投影レンズは4つの鏡を備える。

【図2a】様々な素材の線形膨張係数(CTE)を温度の関数として示す。素材は線形膨張係数がゼロとなるゼロクロス温度を有する。(出典:Critical Reviews of Optical Science and Technology、 Vol. CR43、 p 183、 article from S.F.Jacobs 「Variable in invariables−dimensional instability with time and temperature」;ISBN 0−8194−0953−7;1992)

【図2b】様々なゼロデュア(登録商標)素材の線形膨張係数を温度の関数として示す。素材は線形膨張係数がゼロとなるゼロクロス温度を有する。(出典:Critical Reviews of Optical Science and Technology、 Vol. CR43、 p 186、 article from S.F.Jacobs 「Variable in invariables−dimensional instability with time and temperature」;ISBN 0−8194−0953−7;1992)

【図3a】2つの異なる温度での鏡などの反射型光学素子の側面図を概略的に示す。

【図3b】温度変動による、鏡のx軸に沿った鏡面の変形を概略的に示す。

【図3c】ゼロデュア(登録商標)およびULE(登録商標)の本体の長さΔL/L0の相対的な変化を、長さL0を温度の関数としてppb単位で概略的に示す。

【図3d】図6のEUV投影レンズの第4の鏡の温度分布を鏡の大きさと共に示す。

【図3e】図3dの鏡の温度プロファイルをx方向に沿って最高温度まで示す。基準温度に対する温度差を示す。

【図3f】図3dの鏡の温度プロファイルをy方向に沿って最高温度まで示す。基準温度に対する温度差を示す。

【図3g】図3dから図3fの鏡M4のゼルニケ係数の値を相対的単位で示す。

【図3h】図6のEUV投影レンズの第6の鏡の温度分布を鏡の大きさと共に示す。

【図3i】図3hの鏡の温度プロファイルをx方向に沿って最高温度まで示す。基準温度に対する温度差を示す。

【図3k】図3hの鏡の温度プロファイルをy方向に沿ってx軸の最低温度の間の最低温度まで示す。基準温度に対する温度差を示す。

【図3l】図3hから図3kの鏡M6のゼルニケ係数の値を相対的単位で示す。

【図4】たとえば、国際公開第2005/026801号に記載する、EUVリソグラフィ投影型露光システムの投影レンズで用いる鏡を備える、鏡取り付け台アセンブリを概略的に示す。

【図5】鏡を加熱するためのヒータと、鏡の温度を制御するための温度制御システムとを備える、図4の鏡取り付け台アセンブリを概略的に示す。

【図6】6つの鏡と、ヒータと、第6の鏡のための温度または収差制御システムとを備えるEUV投影レンズを概略的に示す。

【図7】図6に示す投影レンズの6つの鏡がレチクルM後に16Wの出力を有するEUV投影光線に曝される場合に、投影レンズの6つの鏡を加温するための例を示す。

【図8】ゼルニケ係数Z5で表す、図6の投影レンズの各鏡の収差を示す。投影レンズの各鏡が図7に記載する安定状態にあるとき、ゼロクロス温度の関数として、Z5をRMS値(実効値)から得る。

【図9】最適化ゼロクロス温度を、図6のEUVレンズが投影プロセス中に曝される、レチクルM後のEUV光出力Pの関数として示す。。

【図10】図4および図6に示すEUV投影レンズの、鏡などの反射型光学素子Mkの側面図を概略的に示す。さらに、支持素子によって支持される鏡の近くに、ヒータおよびクーラを配置する。

【図11】図10に示す反射型光学素子の側面図を概略的に示すが、ヒータは用いない。反射型光学素子または鏡Mk、421の温度を、反射素子または鏡の直接的な周囲面積または体積内の圧力を圧力制御することによって、制御する。

【図12a】5mmおよび25mmの伝達経路に対するゼロデュア(登録商標)の伝達を示す。

【図12b】反射型光学素子または鏡Mk421を概略的に示す。反射型光学素子または鏡Mk421はほとんど全体の表面を被膜Cで被膜され、鏡を赤外線放射で加熱可能にする。

【図12c】反射型光学素子または鏡Mk421を概略的に示す。反射型光学素子または鏡Mk421は少なくとも部分的に表面を被膜C2で被膜され、鏡を加熱可能にする。一定の電気抵抗を有するように、被膜C2を選択する。

【図12d】反射型光学素子または鏡Mk421を概略的に示す。反射型光学素子または鏡Mk421は少なくとも部分的に、反射面MSkの近くに配置されるマルチゾーンワイヤグリッド1050で加熱される。

【図13】ヒータまたは焼き戻し手段300の複数の実施形態を反射素子または鏡Mk421と関連して概略的に示す。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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