発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、物質の線膨張率と融点とを示した図１１を参照すると、ＳｉＣの線膨張率と、Ｆｅ及びＮｉの線膨張率と、が大幅に異なっていることが分かる。そのため、Ｆｅ層やＮｉ層をＳｉＣ基板に接触させた状態で加熱等を行う場合、Ｆｅ層やＮｉ層がＳｉＣ基板から剥離してしまう可能性がある。 また、ＳｉＣ基板を用いて半導体装置を製造する場合、イオン活性化のための加熱処理が必要となる。この加熱処理の温度は、約１８００℃以上で行う必要がある。しかし、図１１に示すように、Ｆｅ及びＮｉの融点はこの加熱温度より低い。従って、Ｆｅ層やＮｉ層をＳｉＣ基板に接触させた状態では、イオン活性化のための加熱処理を行うことができない。 また、Ｎｉをオーミック電極として用いる場合、低いコンタクト抵抗を得るために、ＳｉＣ基板にオーミック電極を形成した後ショットキー電極を形成する製造方法が採用されることがある。この製造方法を採用する場合、オーミック電極面の界面層以外の余剰なＮｉやカーボン層を薬品洗浄で除去する必要があるため、ショットキー電極を形成するＳｉＣ表面の清浄度が著しく落ちることが懸念される。従って、ＳＢＤを作り込んだ完成ウエハの良品率が下がるため、高い清浄度を保つには複雑な薬品洗浄工程が必要になる。 本発明は以上の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＳｉＣ基板への密着性が高く、イオン活性化のための加熱処理を適切に行うことができるオーミック電極を提供することにある。また、本発明の更なる目的として、ショットキー電極を形成する半導体表面を洗浄する薬品（アンモニア過水、塩酸過水、王水、希ＨＦ等）に対する耐性を備えたオーミック電極を形成することで、高い良品率を保ちながら、製造工程を簡素化するとともに、十分に低いコンタクト抵抗を有する半導体装置のオーミック電極を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋