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学校法人関西学院

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公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7769846	半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層におけるクラックの発生を抑制する方法	2025年11月14日
特許 7769847	窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、窒化アルミニウム層におけるクラックの発生を抑制する方法	2025年11月14日
特許 7758908	半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層を形成する方法	2025年10月23日
特許 7758909	窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、窒化アルミニウム層を形成する方法	2025年10月23日
特許 7758910	炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法	2025年10月23日
特許 7751782	ＳｉＣ種結晶及びその製造方法、当該ＳｉＣ種結晶を成長させたＳｉＣインゴット及びその製造方法、並びに、当該ＳｉＣインゴットより製造されるＳｉＣウェハ、エピタキシャル膜付きＳｉＣウェハ及びこれらの製造方法	2025年10月 9日
特許 7751837	質問処理装置、質問処理方法、およびプログラム	2025年10月 9日
特許 7748604	窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、レーザー加工により窒化アルミニウム基板に導入された歪層を除去する方法	2025年10月 3日
特許 7733281	ＳｉＣ単結晶の製造方法、ＳｉＣ単結晶の製造装置及びＳｉＣ単結晶ウェハ	2025年 9月 3日
特許 7728537	多環芳香族化合物	2025年 8月25日
特許 7723235	ＳｉＣ基板の製造方法	2025年 8月14日
特許 7719469	有機電界発光素子	2025年 8月 6日
特許 7717348	フッ素置換多環芳香族化合物	2025年 8月 4日
特許 7710670	多環芳香族化合物	2025年 7月22日
特許 7705016	ＳｉＣ基板の製造方法	2025年 7月 9日

42 件中 1-15 件を表示

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7769846 7769847 7758908 7758909 7758910 7751782 7751837 7748604 7733281 7728537 7723235 7719469 7717348 7710670 7705016

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