特許第5979478号(P5979478)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許59794783層構造積層ダイヤモンド系基板、パワー半導体モジュール用放熱実装基板およびそれらの製造方法
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  • 特許5979478-3層構造積層ダイヤモンド系基板、パワー半導体モジュール用放熱実装基板およびそれらの製造方法 図000002
  • 特許5979478-3層構造積層ダイヤモンド系基板、パワー半導体モジュール用放熱実装基板およびそれらの製造方法 図000003
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