特許 5988644 光デバイスウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5988644

(24)【登録日】2016年8月19日

(45)【発行日】2016年9月7日

(54)【発明の名称】光デバイスウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20160825BHJP

   H01L 27/12 20060101ALI20160825BHJP

   B23K 26/38 20140101ALI20160825BHJP

   B23K 26/40 20140101ALI20160825BHJP

   H01L 21/20 20060101ALI20160825BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20160825BHJP

【ＦＩ】

   H01L27/12 B

   B23K26/38

   B23K26/40

   H01L21/02 B

   H01L21/20

   H01L33/00 Z

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-71728(P2012-71728)

(22)【出願日】2012年3月27日

(65)【公開番号】特開2013-206959(P2013-206959A)

(43)【公開日】2013年10月7日

【審査請求日】2015年2月23日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100075177

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 尚純

(74)【代理人】

【識別番号】100113217

【弁理士】

【氏名又は名称】奥貫 佐知子

(72)【発明者】

【氏名】森數 洋司

【審査官】 右田 勝則

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００５−５１６４１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３４９６２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０２８７４０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｂ２３Ｋ ２６／３８

Ｂ２３Ｋ ２６／４０

Ｈ０１Ｌ ２１／２０

Ｈ０１Ｌ ２７／１２

Ｈ０１Ｌ ３３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合した光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替える光デバイスウエーハの加工方法であって、
エピタキシー基板の裏面にレーザー光線を拡散させるための粗面を形成するための拡散処理を施す拡散処理工程と、
該拡散処理が施されたエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、
該バッファー層破壊工程を実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。

【請求項2】

該拡散処理工程は、エピタキシー基板の裏面に面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面を施す、請求項１記載の光デバイスウエーハの加工方法。

【請求項3】

該拡散処理工程は、エピタキシー基板の裏面を面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面を施したパルスレーザー光線を透過する部材で被覆する、請求項１記載の光デバイスウエーハの加工方法。

【請求項4】

該拡散処理工程は、粒径が１〜１０μmのダイヤモンド砥粒をボンド剤で固めた砥石によって研削して粗面を施す、請求項２又は３記載の光デバイスウエーハの加工方法。

【請求項5】

該バッファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長が１６０〜３００nmで平均出力が０．０５〜０．１Wに設定されている、請求項１から４のいずれかに記載の光デバイスウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、サファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板の表面にバッファー層を介してn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハにおける光デバイス層を、移設基板に移し替える光デバイスウエーハの加工方法に関する。

【0002】

光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板の表面にバッファー層を介してn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割することにより個々の光デバイスを製造している。（例えば、特許文献１参照。）

【0003】

また、光デバイスの輝度を向上させる技術として、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板や炭化珪素等のエピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層されたn型半導体層およびp型半導体層からなる光デバイス層をモリブデン(Mo)、銅(Cu)、シリコン(Si)等の移設基板を金(Au),白金(Pt),クロム(Cr),インジウム(In),パラジウム(Pd)等の接合金属層を介して接合し、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を照射することによりエピタキシー基板を剥離して、光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフと呼ばれる製造方法が下記特許文献２に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平１０−３０５４２０号公報

【特許文献2】特表２００５−５１６４１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

而して、一般に用いられている集光レンズを備えた集光器によって集光されるレーザー光線のエネルギー分布は、中心部が強く外側に行くほど弱くなるガウシアン分布をしている。従って、レーザー加工装置においてバッファー層にパルスレーザー光線を照射してバッファー層を破壊する際に、バッファー層の破壊にムラが生じて品質の低下を招くという問題がある。また、光デバイス層およびバッファー層の成長を促すためにサファイア基板の表面に凹凸が形成されている場合には、パルスレーザー光線が凹凸に遮られてバッファー層が均一に破壊されず、エピタキシー基板の剥離が困難になるという問題がある。

【0006】

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、バッファー層を均一に破壊し、エピタキシー基板を確実に剥離することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合した光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替える光デバイスウエーハの加工方法であって、
エピタキシー基板の裏面にレーザー光線を拡散させるための粗面を形成するための拡散処理を施す拡散処理工程と、
該拡散処理が施されたエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、
該バッファー層破壊工程を実施した後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。

【0008】

上記拡散処理工程は、エピタキシー基板の裏面に面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面を施す。
また、上記拡散処理工程は、エピタキシー基板の裏面を面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面を施したパルスレーザー光線を透過する部材で被覆する。
上記拡散処理工程は、粒径が１〜１０μmのダイヤモンド砥粒をボンド剤で固めた砥石によって研削して粗面を施す。
上記バッファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長が１６０〜３００nmで平均出力が０．０５〜０．１Wに設定されている。

【発明の効果】

【0009】

本発明による光デバイスウエーハの加工方法は、エピタキシー基板の裏面にレーザー光線を拡散させるための粗面を形成するための拡散処理を施す拡散処理工程を実施し後に、拡散処理が施されたエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程を実施するので、パルスレーザー光線がエピタキシー基板の裏面に施された粗面で適度に拡散され、集光点におけるパルスレーザー光線のエネルギー分布が均一化してバファー層を満遍なく破壊する。また、パルスレーザー光線が拡散するので、エピタキシー基板の表面に凹凸が形成されている場合でも、パルスレーザー光線が凹凸の壁に遮られることなくバファー層が均一に破壊される。従って、エピタキシー基板を光デバイス層から容易に且つ確実に剥離して光デバイス層を移設基板に移設することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。

【図2】図１に示す光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に移設基板を接合する移設基板接合工程の説明図。

【図3】本発明による光デバイスウエーハの加工方法における拡散処理工程を実施するための研削装置の斜視図。

【図4】本発明による光デバイスウエーハの加工方法における拡散処理工程の一実施形態を示す説明図。

【図5】本発明による光デバイスウエーハの加工方法における拡散処理工程の他の実施形態を示す説明図。

【図6】本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるバッファー層破壊工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。

【図7】本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるバッファー層破壊工程を示す説明図。

【図8】本発明による光デバイスウエーハの加工方法における光デバイス層移設工程を示す説明図。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

【0012】

図１の(a)および(b)には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。
図１の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ２は、直径が５０mmで厚みが６００μmの円板形状であるサファイア基板からなるエピタキシー基板２１の表面２１aにn型窒化ガリウム半導体層２２１およびp型窒化ガリウム半導体層２２２からなる光デバイス層２２がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシー基板２１の表面にエピタキシャル成長法によってn型窒化ガリウム半導体層２２１およびp型窒化ガリウム半導体層２２２からなる光デバイス層２２を積層する際に、エピタキシー基板２１の表面２１aと光デバイス層２２を形成するn型窒化ガリウム半導体層２２１との間には窒化ガリウム(GaN)からなる厚みが例えば１μmのバファー層２３が形成される。このように構成された光デバイスウエーハ２は、図示の実施形態においては光デバイス層２２の厚みが例えば１０μmに形成されている。なお、光デバイス層２２は、図１の(a)に示すように格子状に形成された複数のストリート２２３によって区画された複数の領域に光デバイス２２４が形成されている。

【0013】

上述したように光デバイスウエーハ２におけるエピタキシー基板２１を光デバイス層２２から剥離して移設基板に移し替えるためには、光デバイス層２２の表面２２aに移設基板を接合する移設基板接合工程を実施する。即ち、図２の(a)、(b)および(c)に示すように、光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の表面２１aに形成された光デバイス層２２の表面２２aに、厚みが１ｍmの銅基板からなる移設基板３を金錫からなる接合金属層４を介して接合する。なお、移設基板３としてはモリブデン(Mo)、シリコン(Si)等を用いることができ、また、接合金属層４を形成する接合金属としては金(Au),白金(Pt),クロム(Cr),インジウム(In),パラジウム(Pd)等を用いることができる。この移設基板接合工程は、エピタキシー基板２１の表面２１aに形成された光デバイス層２２の表面２２aまたは移設基板３の表面３aに上記接合金属を蒸着して厚みが３μm程度の接合金属層４を形成し、この接合金属層４と移設基板３の表面３aまたは光デバイス層２２の表面２２aとを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２２の表面２２aに移設基板３の表面３aを接合金属層４を介して接合して複合基板２００を形成する。

【0014】

以下、上述したように光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２２の表面２２aに移設基板３の表面３aを接合金属層４を介して接合した複合基板２００における光デバイスウエーハ２のエピタキシー基板２１を光デバイス層２２から剥離し、光デバイス層２２を移設基板３に移し替える加工方法について説明する。
先ず、エピタキシー基板２１の裏面にレーザー光線を拡散させるための拡散処理を施す拡散処理工程を実施する。この拡散処理工程は、図示の実施形態においては図３に示す研削装置５を用いて実施する。図３に示す研削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図３において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に締結ボルト５２７によって取り付けられている。なお、研削砥石５２６は、粒径が１〜１０μmのダイヤモンド砥粒をボンド剤で固めた砥石を用いることが望ましい。

【0015】

上述した研削装置５を用いて上記拡散処理工程を実施するには、図３に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に上記複合基板２００の移設基板３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に複合基板２００を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された複合基板２００は、光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の裏面２１bが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に複合基板２００を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図３において矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を図３において矢印５２４aで示す方向に例えば５００ｒｐｍで回転せしめて、図４の(a)に示すように研削砥石５２６を被処理面であるエピタキシー基板２１の裏面２１bに接触せしめ、研削ホイール５２４を図３および図４の(a)において矢印５２４bで示すように例えば０．１μm／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、図４の(b)に示すように光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の裏面２１bが研削され、エピタキシー基板２１の裏面２１bは粗面に形成される。このように粗面に形成されるエピタキシー基板２１の裏面２１bは面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面に施されることが望ましく、本発明者の実験によると、研削砥石５２６として上述したように粒径が１〜１０μmのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンド等のボンド剤で固めた砥石を用いることによって達成することができた。

【0016】

次に、拡散処理工程の他の実施形態について、図５を参照して説明する。
図５の(a)および(b)に示す実施形態は、光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の裏面２１bを面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面を施したパルスレーザー光線を透過する部材６で被覆する。パルスレーザー光線を透過する部材６は例えばサファイア基板でよく、粗面６aは上記図３および図４に示した拡散処理工程と同様に研削装置５によって実施することができる。このようにして面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面が施された部材６は、図５の(b)に示すようにエピタキシー基板２１の裏面２１bに被覆する。なお、エピタキシー基板２１の裏面２１bと部材６との間にエアーギャップが生じることを避けるために、両者間に水等の液体を介在させることが望ましい。

【0017】

なお、エピタキシー基板２１の裏面２１bおよびエピタキシー基板２１の裏面２１bを被覆する部材６に粗面を施す方法としては、上述した研削加工の他に、サンドブラスト処理やエッチング処理を用いることができる。

【0018】

上述した拡散処理工程を実施したならば、エピタキシー基板２１の裏面２１b側からバッファー層２３にエピタキシー基板２１に対しては透過性を有しバッファー層２３に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、バッファー層２３を破壊するバッファー層破壊工程を実施する。このバッファー層破壊工程は、図６に示すレーザー加工装置７を用いて実施する。図６に示すレーザー加工装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図６において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図６において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

【0019】

上記レーザー光線照射手段７２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング７２１を含んでいる。ケーシング７２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング７２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光レンズ７２２aを備えた集光器７２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段７２は、集光器７２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。

【0020】

上記レーザー加工装置７を用いてバッファー層破壊工程を実施するには、図６に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記複合基板２００の移設基板３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル７１上に複合基板２００を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル７１上に保持された複合基板２００は、光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の裏面２１bが上側となる。このようにチャックテーブル７１上に複合基板２００を吸引保持したならば、図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル７１をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、上記エピタキシー基板２１の裏面２１b（上面）側からバファー層２３にサファイアに対しては透過性を有し窒化ガリウム(GaN)に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バファー層２３を破壊するレーザー光線照射工程を実施する。このレーザー光線照射工程は、チャックテーブル７１を図７の（ａ）で示すようにレーザー光線照射手段７２の集光器７２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、一端（図７の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２の直下に位置付ける。次に、図７の（b）に示すように集光器７２２から照射するパルスレーザー光線のバファー層２３の上面におけるスポットSのスポット径を４００μmに設定する。このスポット径は、集光スポット径でも良いし、デフォーカスによるスポット径でも良い。そして、レーザー光線照射手段７２を作動して集光器７２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル７１を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図７の（c）で示すようにレーザー光線照射手段７２の集光器７２２の照射位置にエピタキシー基板２１の他端（図７の（c）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル７１の移動を停止する（レーザー光線照射工程）。このレーザー光線照射工程をバファー層２３の全面に対応する領域に実施する。この結果、バファー層２３が破壊され、バファー層２３によるエピタキシー基板２１と光デバイス層２２との結合機能が喪失する。上述したバッファー層破壊工程においては、エピタキシー基板２１の裏面２１bが面粗さRa：０．０１〜１μmの粗面に形成されているので、エピタキシー基板２１の裏面２１b側からバッファー層２３にエピタキシー基板２１に対しては透過性を有しバッファー層２３に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射すると、パルスレーザー光線が適度に拡散され、集光点におけるパルスレーザー光線のエネルギー分布が均一化してバファー層２３を満遍なく破壊する。また、パルスレーザー光線が拡散するので、エピタキシー基板２１の表面に凹凸が形成されている場合でも、パルスレーザー光線が凹凸の壁に遮られることなくバファー層２３が均一に破壊される。

【0021】

上記バッファー層破壊工程におけるレーザー光線照射工程の加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：エキシマレーザー
波長 ：２４８ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０Ｈｚ
平均出力 ：０．０８W
パルス幅 ：１０ns
スポット径 ：φ４００μｍ
加工送り速度 ：２０ｍｍ／秒

【0022】

上記バッファー層破壊工程において照射するパルスレーザー光線は、波長が１６０〜３００nmで平均出力が０．０５〜０．１Wの範囲に設定される。即ち、サファイアの吸収端が１５０ｎｍで窒化ガリウム(GaN)からなるバファー層の吸収端が３１０ｎｍであるので、サファイアに対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長としては１６０〜３００nmであることが望ましい。
なお、上記バファー層２３を破壊するレーザー光線照射工程は、集光器７２２をエピタキシー基板２１の最外周に位置付け、チャックテーブル７１を回転しつつ集光器７２２を中心に向けて移動することによりバファー層２３の全面にレーザー光線を照射し、バファー層２３を破壊してバファー層２３によるエピタキシー基板２１と光デバイス層２２との結合機能を喪失させてもよい。

【0023】

上述したバッファー層破壊工程を実施したならば、エピタキシー基板２１を光デバイス層２２から剥離して光デバイス層２２を移設基板３に移設する光デバイス層移設工程を実施する。この光デバイス層移設工程は、図８の(a)および(b)に示す移設装置８を用いて実施する。図８の(a)および(b)に示す移設装置８は、上記複合基板２００の移設基板３を保持する第1の保持手段８１と、第1の保持手段８１上において移設基板３が接合されている光デバイスウエーハ２のエピタキシー基板２１側を保持する第２の保持手段８２を具備している。第1の保持手段８１は、上面である保持面上に移設基板３を介して複合基板２００を吸引保持するように構成されている。また、第1の保持手段８１は、図示しない回転駆動機構によって回動せしめられるようになっている。第２の保持手段８２は、吸引保持パッド８３と、該吸引保持パッド８３を支持する支持軸部８４を具備している。吸引保持パッド８３は、円盤状の基台８３１とパッド８３２とからなっている。基台８３１は適宜の金属材によって構成され、その上面中央部に支持軸部８４が突出して形成されている。吸引保持パッド８３を構成する基台８３１は、下方が開放された円形状の凹部８３１aを備えている。この凹部８３１aにポーラスなセラミックス部材によって円盤状に形成されたパッド８３２が嵌合されている。このようにして基台８３１の凹部８３１aに嵌合されたパッド８３２の下面である保持面は、上記第1の保持手段８１の上面である保持面と対向するように配設される。吸引保持パッド８３を構成する基台８３１に形成された円形状の凹部８３１aは、支持軸部８４に設けられた吸引通路８４aを介して図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、吸引通路８４a、基台８３１の凹部８３１aを介してパッド８３２の下面である保持面に負圧が作用せしめられ、該パッド８３２の下面である保持面に後述するように光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１を吸引保持することができる。

【0024】

以上のように構成された第２の保持手段８２は、図８の(a)および(b)において上下方向に移動可能な分離手段８５に連結されている。この分離手段８５は、図示の実施形態においてはエアシリンダ機構からなり、そのピストンロッド８５１が第２の保持手段８２を構成する支持軸部８４に連結されている。このように構成された分離手段８５は、第２の保持手段８２を第1の保持手段８１の上側に位置付け、下降および上昇することにより、第２の保持手段８２と第1の保持手段８１とを相対的に近接および離反する方向に移動せしめる。

【0025】

上述した移設装置８を用いて光デバイス層移設工程を実施するには、図８の(a)に示すように移設装置８の第1の保持手段８１上に上述した複合基板２００の移設基板３側を載置し、図示しない吸引手段を作動して第1の保持手段８１上に複合基板２００を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、第1の保持手段８１上に保持された複合基板２００は、光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の裏面２１bが上側となる。次に、エアシリンダ機構からなる分離手段８５を作動して第２の保持手段８２を下降し、図８の(a)に示すように吸引保持パッド８３を構成するパッド８３２の下面である保持面を第1の保持手段８１に吸引保持されている複合基板２００の光デバイスウエーハ２を構成するエピタキシー基板２１の裏面２１bである上面に接触させる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、吸引保持パッド８３を構成するパッド８３２の下面である保持面にエピタキシー基板２１の裏面２１bである上面を吸引保持する。従って、移設基板３が第1の保持手段８１に吸引保持されるとともに、エピタキシー基板２１が第２の保持手段８２に吸引保持されることになる。次に、図８の(a)に示すように第1の保持手段８１を回転駆動する図示しない回転駆動機構を作動して第1の保持手段８１を矢印８１aで示す方向に所定角度回動する。このとき、バッファー層２３は上記バッファー層破壊工程において均一に破壊されているので、容易に完全破壊される。このようにバファー層２３が破壊されたならば、図８の(ｂ)に示すようにエアシリンダ機構からなる分離手段８５を作動して第２の保持手段８２を上昇させる。この結果、エピタキシー基板２１は第２の保持手段８２の吸引保持パッド８３を構成するパッド８３２の下面に吸引保持された状態で光デバイス層２２から剥離され、光デバイス層２２は移設基板３に移設される（光デバイス層移設工程）。

【0026】

２：光デバイスウエーハ
２１：エピタキシー基板
２２：光デバイス層
２３：バファー層
３：移設基板
４：接合金属層
２００：複合基板
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
５２６：研削砥石
７：レーザー加工装置
７１：レーザー加工装置のチャックテーブル
７２：レーザー光線照射手段
７２２：集光器
８：移設装置
８１：第1の保持手段
８２：第２の保持手段
８３：吸引保持パッド
８５：分離手段

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】