特許 5989412 光モジュール及び光モジュールの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5989412

(24)【登録日】2016年8月19日

(45)【発行日】2016年9月7日

(54)【発明の名称】光モジュール及び光モジュールの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/12 20060101AFI20160825BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20160825BHJP

【ＦＩ】

   G02B6/12 301

   G02B6/42

【請求項の数】6

【全頁数】29

(21)【出願番号】特願2012-132078(P2012-132078)

(22)【出願日】2012年6月11日

(65)【公開番号】特開2013-257381(P2013-257381A)

(43)【公開日】2013年12月26日

【審査請求日】2015年5月29日

(73)【特許権者】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(72)【発明者】

【氏名】柳沢 賢司

【審査官】 野口 晃一

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００５−５３４９６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００６−５０４１３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２３２９６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１７００２４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｂ ６／１２−６／１４

６／２６−６／２７

６／３０−６／３４

６／４２−６／４３

Ｈ０１Ｓ ５／００−５／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の光学素子が固定されて収容された収容部を有するケースと、
前記各光学素子の電極端子が接続される配線パターンを有する配線基板と、
前記配線基板上に積層された光導波路と、
前記ケースの任意の点を基準にした前記各光学素子の光軸中心の平面位置に応じた位置に形成され、前記光導波路と所定の角度をなすように対向して設けられた光路変換部と、を有し、
前記光導波路は、
前記任意の点を基準にした前記各光学素子の光軸中心の平面位置に応じた位置に形成されたコア部と、
前記コア部を囲むように形成されたクラッド層と、を有し、
前記収容部は凹部状に形成され、該凹部内に前記複数の光学素子が収容され、
前記光導波路が積層された前記配線基板に前記ケースが実装されていることを特徴とする光モジュール。

【請求項2】

前記配線基板には、前記配線基板に前記ケースを実装するときに、前記任意の点を所望の位置に位置合わせするための認識マークが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。

【請求項3】

前記各光学素子は、隣接する光学素子に密着するように前記収容部内に収容されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。

【請求項4】

前記収容部には、前記複数の光学素子として発光素子と受光素子とが交互に並んで収容されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光モジュール。

【請求項5】

ケースの収容部に複数の光学素子を固定して収容する工程と、
前記ケースの任意の点を基準位置として、前記固定された各光学素子の光軸中心の平面位置を検出する工程と、
配線パターンを有する配線基板を形成する工程と、
前記任意の点に対応する認識マークを前記配線基板に形成する工程と、
前記認識マークを前記基準位置に設定したときの前記各光学素子の光軸中心の平面位置に基づいて、コア部をパターン形成する工程を含み、前記配線基板上に前記コア部とクラッド層からなる光導波路を積層する工程と、
前記認識マークを前記基準位置に設定したときの前記各光学素子の光軸中心の平面位置に基づいて、前記光導波路と所定の角度をなすように対向して設けられる光路変換部を形成する工程と、
前記任意の点を前記認識マークに位置合わせし、前記ケースに収容された前記各光学素子の電極端子を前記配線パターンに接続して前記ケースを前記配線基板上に実装する工程と、
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。

【請求項6】

前記コア部は、直描方式の露光装置によりパターン形成されることを特徴とする請求項５に記載の光モジュールの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光モジュール及び光モジュールの製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

近年、情報通信の高速化に伴い、電気信号に変えて光を情報通信の媒体として使用することが行われている。このような光通信分野においては、電気信号から光信号への変換や光信号から電気信号への変換を行う必要がある。このため、上記変換処理を行う光モジュールの開発が進められている。この種の光モジュールは種々の形態が存在するが、基本的には、光が伝搬される光導波路等の光伝搬部材上に、電気信号から光信号への変換を行う半導体レーザ等の発光素子や、光信号から電気信号への変換を行うフォトダイオード等の受光素子を設けた構造を有する（例えば、特許文献１，２参照）。

【0003】

図２１は、従来の発光素子と光導波路との光結合の一例を示している。基板９０に設けられた光導波路９１の端部には、基板９０の表面９０Ａに対し４５度の角度をなす反射ミラー９２が形成されている。発光素子９３から出射された光は反射ミラー９２で反射されて光導波路９１内に入射される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１１−２４２７０６号公報

【特許文献2】特開２００９−１７５４１８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、上記光結合を実現するためには、発光素子９３の光軸と、反射ミラー９２の反射点の位置と、反射ミラー９２からの反射光が入射される光導波路９１の位置とを精密に位置合わせする必要がある。これらの位置合わせには、例えばアクティブアライメントと呼ばれる方法が用いられる。このアクティブアライメントでは、発光素子９３から光を出力した状態で反射ミラー９２及び光導波路９１（つまり、基板９０）の位置を変化させ、光導波路９１の出力側端部から出射される光量が最大となる位置を求め、その位置で発光素子９３と基板９０を固定する。

【0006】

しかし、実際の情報通信機器や情報処理装置では、光信号が通るチャンネルの数が極めて多いため、各チャンネル毎に上記アクティブアライメントを実施すると、位置合わせのために膨大な時間がかかってしまう。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一観点によれば、複数の光学素子が固定されて収容された収容部を有するケースと、前記各光学素子の電極端子が接続される配線パターンを有する配線基板と、前記配線基板上に積層された光導波路と、前記ケースの任意の点を基準にした前記各光学素子の光軸中心の平面位置に応じた位置に形成され、前記光導波路と所定の角度をなすように対向して設けられた光路変換部と、を有し、前記光導波路は、前記任意の点を基準にした前記各光学素子の光軸中心の平面位置に応じた位置に形成されたコア部と、前記コア部を囲むように形成されたクラッド層と、を有し、前記収容部は凹部状に形成され、該凹部内に前記複数の光学素子が収容され、前記光導波路が積層された前記配線基板に前記ケースが実装されている。

【発明の効果】

【0008】

本発明の一観点によれば、光信号が通るコア部の数が増加した場合であっても、光学素子と光導波路との位置合わせを容易に行うことができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】（ａ）は、第１実施形態の光モジュールを示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールを示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＡ−Ａ線位置における光モジュールの断面構造を示している。また、（ｂ）は、（ａ）に示した光モジュールを上方から見た平面図であり、一部の部材（電子部品やアンダーフィル樹脂等）の図示を省略している。

【図2】第１実施形態のケースを示す概略斜視図。

【図3】従来の発光素子と受光素子の実装構造を説明するための説明図。

【図4】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す説明図。

【図5】（ａ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＢ−Ｂ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図6】（ａ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＣ−Ｃ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図7】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図６（ｂ）のＣ−Ｃ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図8】（ａ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す光モジュールのＤ−Ｄ概略断面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＥ−Ｅ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図9】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図８（ｂ）のＥ−Ｅ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図10】（ａ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＦ−Ｆ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図11】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図１０（ｂ）のＦ−Ｆ線位置における光モジュールの断面構造を示している。

【図12】（ａ）は、第２実施形態の光コネクタを示す概略断面図、（ｂ）は、第２実施形態の光コネクタを示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＧ−Ｇ線位置における光コネクタの断面構造を示している。また、（ｂ）は、（ａ）に示した光コネクタを下方から見た平面図である。

【図13】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態のケースを示す概略斜視図。

【図14】第２実施形態の光モジュールを示す概略断面図。

【図15】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の光コネクタの製造方法を示す説明図。

【図16】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の光コネクタの製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図１２（ｂ）のＧ−Ｇ線位置における光コネクタの断面構造を示している。

【図17】（ａ）は、第２実施形態の光コネクタの製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、第２実施形態の光コネクタの製造方法を示す概略平面図。なお、（ａ）は、（ｂ）のＨ−Ｈ線位置における光コネクタの断面構造を示している。

【図18】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の光コネクタの製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図１７（ｂ）のＨ−Ｈ線位置における光コネクタの断面構造を示している。

【図19】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の光コネクタの製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図１７（ｂ）のＨ−Ｈ線位置における光コネクタの断面構造を示している。

【図20】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の光モジュールの製造方法を示す概略断面図。

【図21】従来の発光素子と光導波路との光結合の一例を示す説明図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。

【0011】

（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図１１に従って説明する。
（光モジュールの構造）
図１に示すように、光モジュール１は、配線基板１０と、光導波路２０と、電子部品３０と、ケース４０と、そのケース４０に収容された複数の光学素子５０とを有している。ここで、光学素子５０としては、例えば面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）や発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）等の発光素子を用いることができる。また、光学素子５０としては、例えばフォトダイオード（ＰＤ）やアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）等の受光素子を用いることができる。また、上記電子部品３０としては、例えば光学素子５０（発光素子）を駆動するドライバ等のＩＣチップや、光学素子５０（受光素子）からの光出力信号を処理するＤＳＰ（Digital Signal Processor）やアンプ等を組み込んだＩＣチップを用いることができる。

【0012】

配線基板１０は、基板本体１１と、最上層の配線パターン１２と、最下層の配線パターン１３と、ソルダレジスト層１４，１５とを有している。
基板本体１１としては、最表層に配線パターン１２，１３が形成され、それら配線パターン１２，１３が基板内部を通じて相互に電気的に接続された構造を有していれば十分である。このため、基板本体１１の内部には配線層が形成されていてもよく、配線層が形成されていなくてもよい。なお、基板本体１１の内部に配線層が形成される場合には、複数の配線層が層間絶縁層を介して積層され、各配線層と各層間絶縁層に形成されたビアとによって上記配線パターン１２，１３が相互に電気的に接続される。基板本体１１としては、例えばコア基板を有するコア付きビルドアップ基板や、コア基板を有さないコアレス基板等を用いることができる。

【0013】

配線パターン１２は、電子部品３０及び光学素子５０が実装される実装面側（図１（ａ）では、上面側）に設けられている。この配線パターン１２は、電子部品３０の電極端子３１と電気的に接続される接続パッドＰ１と、光学素子５０の電極端子５１と電気的に接続される接続パッドＰ２とを有している。配線パターン１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。なお、配線パターン１２の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。

【0014】

配線パターン１３は、上記実装面とは反対側の面側（図１（ａ）では、下面側）に設けられている。この配線パターン１３は、外部接続用パッド１３Ｐを有している。配線パターン１３の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。なお、配線パターン１３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。

【0015】

ソルダレジスト層１４は、配線パターン１２を覆うように基板本体１１の上面に形成されている。このソルダレジスト層１４には、配線パターン１２の一部を上記接続パッドＰ１として露出させるための開口部１４Ｘが形成されている。この接続パッドＰ１上には、その接続パッドＰ１と電子部品３０の電極端子３１とを電気的に接続するはんだ１６が形成されている。なお、必要に応じて、上記開口部１４Ｘから露出する配線パターン１２上にＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜上に上記はんだ１６を形成するようにしてもよい。また、開口部１４Ｘから露出する配線パターン１２上に金属層を形成し、その金属層上に上記はんだ１６を形成するようにしてもよい。金属層の例としては、例えば金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）／Ａｕ層（配線パターン１２上にＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（配線パターン１２上にＮｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。

【0016】

なお、図１（ｂ）に示すように、開口部１４Ｘ及び接続パッドＰ１の平面形状は例えば円形状であり、その直径は例えば５０〜２００μｍ程度とすることができる。これら開口部１４Ｘ及び接続パッドＰ１は、平面視でＹ方向に沿って直線状に並んで配置されている。基板本体１１の上面からソルダレジスト層１４の上面までの厚さは、例えば１０〜１００μｍ程度とすることができる。このソルダレジスト層１４の材料としては、例えばエポキシ系又はアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。

【0017】

図１（ａ）に示すように、ソルダレジスト層１５は、配線パターン１３を覆うように基板本体１１の下面に形成されている。このソルダレジスト層１５には、配線パターン１３の一部を上記外部接続用パッド１３Ｐとして露出させるための開口部１５Ｘが形成されている。この外部接続用パッド１３Ｐには、当該配線基板１０をマザーボード等に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子が接続される。なお、必要に応じて、上記開口部１５Ｘから露出する配線パターン１３上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に上記外部接続端子を接続するようにしてもよい。また、上記開口部１５Ｘから露出する配線パターン１３上に金属層を形成し、その金属層に上記外部接続端子等を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層などを挙げることができる。また、上記開口部１５Ｘから露出する配線パターン１３（あるいは、配線パターン１３上にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。

【0018】

なお、開口部１５Ｘ及び外部接続用パッド１３Ｐの平面形状は例えば円形状であり、その直径は例えば２００〜３００μｍ程度とすることができる。基板本体１１の下面からソルダレジスト層１５の下面までの厚さは、例えば２０〜４０μｍ程度とすることができる。このソルダレジスト層１５の材料としては、例えばエポキシ系又はアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。

【0019】

電子部品３０は、その一方の面（図１（ａ）では、下面）に電極端子３１が形成されている。電子部品３０は、電極端子３１及びはんだ１６を介して、配線基板１０の接続パッドＰ１と電気的に接続されている。すなわち、電子部品３０は、配線基板１０にフリップチップ実装されている。なお、上記電極端子３１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）と銅の合金、錫と銀（Ａｇ）の合金、錫と銀と銅の合金などを用いることができる。

【0020】

これら配線基板１０と電子部品３０との間には、アンダーフィル樹脂１７が形成されている。このアンダーフィル樹脂１７は、電子部品３０の電極端子３１と配線基板１０の接続パッドＰ１との接続部分の接続強度を向上させるための樹脂であり、配線基板１０（ソルダレジスト層１４）の上面と電子部品３０の下面との隙間を充填するように形成されている。なお、アンダーフィル樹脂１７の材料としては、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂を用いることができる。

【0021】

光導波路２０は、配線基板１０の基板本体１１の上面であって、上記ソルダレジスト層１４が形成されていない領域に形成されている。この光導波路２０は、第１クラッド層２１と、コア部２２と、第２クラッド層２３とを有している。

【0022】

第１クラッド層２１は、ソルダレジスト層１４が形成されていない領域の基板本体１１の上面に形成されている。コア部２２は、光信号の伝搬を行うためのものであり、第１クラッド層２１上に形成されている。第２クラッド層２３は、コア部２２を覆うように第１クラッド層２１上に形成されている。このように、光導波路２０は、基板本体１１の上面に、第１クラッド層２１とコア部２２と第２クラッド層２３とがこの順番で積層された構造を有し、コア部２２が第１クラッド層２１及び第２クラッド層２３で囲まれた構造を有している。

【0023】

これら第１及び第２クラッド層２１，２３及びコア部２２の材料としては、基本的には同じ材料を用いることができる。例えば、第１及び第２クラッド層２１，２３及びコア部２２の材料としては、光学素子５０が使用する波長域において光透過性を有する樹脂材を用いることができる。具体的には、第１及び第２クラッド層２１，２３及びコア部２２の材料としては、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを用いることができる。但し、光信号の伝搬がコア部２２内でのみ行われるようにするために、コア部２２を構成する材料としては、そのコア部２２の上下両面に形成される第１及び第２クラッド層２１，２３を構成する材料よりも屈折率の高い材料が選定されている。なお、コア部２２と第１クラッド層２１及び第２クラッド層２３との屈折率の差は、特に限定されないが、例えば０．３〜５．５％程度が好ましく、０．８〜２．２％程度がより好ましい。

【0024】

図１（ｂ）に示すように、ケース４０に搭載される光学素子５０の数（具体的には、チャンネル数）に応じた数（ここでは、４個）のコア部２２がＹ方向に沿って並設されている。各コア部２２は、平面視帯状に形成され、Ｘ方向に直線状に延在されている。この各コア部２２は、ケース４０に固定された各光学素子５０の受発光部５２の位置に対応する平面位置に形成されている。具体的には、各コア部２２は、ケース４０の任意の点（ここでは、ケース４０の任意の角部Ａ１）を基準位置（例えば、原点）としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の平面位置（ＸＹ座標位置）に応じた平面位置に形成されている。より具体的には、各コア部２２は、上記角部Ａ１と位置合わせされるアライメントマークＭ１の交差点を上記基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置（平面位置）に応じた平面位置に形成されている。ここで、上記平面位置とは、光導波路２０の積層方向（厚さ方向）と直交する平面方向（図中のＸ方向及びＹ方向）における位置のことである。特に、光学素子５０の並設方向となるＹ方向における各コア部２２の形成位置が上記各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置に応じて決定される。また、上記光軸中心Ａ２は、光学素子５０が発光素子である場合には発光点となり、光学素子５０が受光素子である場合には受光エリアの中心点となる。

【0025】

なお、図１（ａ）に示した第１クラッド層２１の厚さ、具体的には配線パターン１２上に形成された第１クラッド層２１の厚さは、例えば１０〜１５μｍ程度とすることができる。コア部２２の厚さは例えば３０〜８０μｍ程度とすることができ、各コア部２２のパターン幅は例えば３００〜５００μｍ程度とすることができる。また、コア部２２のピッチは例えば１２５〜３００μｍ程度とすることができる。このコア部２２上に形成された第２クラッド層２３の厚さは、例えば３０〜８０μｍ程度とすることができる。

【0026】

光導波路２０には、コア部２２を露出する溝部２４が形成されている。溝部２４は、第２クラッド層２３の上面からコア部２２を貫通して第１クラッド層２１の厚さ方向の途中まで形成され、第２クラッド層２３及びコア部２２を分断するようにして形成される。この溝部２４は、光路を９０度変換するための傾斜面２４Ａと、その傾斜面２４Ａと交差する側壁面２４Ｂとを有している。例えば、溝部２４では、側壁面２４Ｂが光導波路２０（コア部２２）の延在方向と直交する垂直面に形成され、傾斜面２４Ａが光導波路２０（コア部２２）の延在方向に対して所定の角度（例えば４５度）傾斜して形成されている。すなわち、傾斜面２４Ａは、コア部２２を伝搬する光の進行方向に対して４５度傾斜して形成されている。このため、溝部２４の断面形状は、略直角三角形状に形成されている。なお、溝部２４の側壁面２４Ｂは垂直面である必要はなく、例えば光導波路２０の内側（図中の左側）に多少傾いた傾斜面であってもよい。すなわち、溝部２４を断面視略Ｖ字状に形成するようにしてもよい。

【0027】

上記傾斜面２４Ａには、光路を９０度変換するための反射ミラー２５が形成されている。この反射ミラー２５の材料としては、例えば良好な光反射性を有する金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）を用いることができる。

【0028】

図１（ｂ）に示すように、上記反射ミラー２５は、Ｙ方向に延在して形成され、複数のコア部２２と直交する帯状溝として形成されている。この反射ミラー２５は、当該光導波路２０上に実装された光学素子５０の受発光部５２と対向する位置に形成されている。例えば、反射ミラー２５は、ケース４０の角部Ａ１を基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置に応じた平面位置に形成されている。より具体的には、上記アライメントマークＭ１の交差点を上記基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置（平面位置）に応じた平面位置に形成されている。

【0029】

図１（ａ）に示すように、光導波路２０には、配線パターン１２の一部を上記接続パッドＰ２として露出させるための開口部２０Ｘが形成されている。この接続パッドＰ２上には、その接続パッドＰ２と光学素子５０の電極端子５１とを電気的に接続するはんだ２６が形成されている。なお、必要に応じて、上記開口部２０Ｘから露出する配線パターン１２上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜上に上記はんだ２６を形成するようにしてもよい。また、開口部２０Ｘから露出する配線パターン１２上に金属層を形成し、その金属層上に上記はんだ２６を形成するようにしてもよい。金属層の例としては、例えばＡｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層などを挙げることができる。

【0030】

ケース４０は、そのケース４０内に固定された光学素子５０が光導波路２０の積層された配線基板１０に実装されることにより、配線基板１０に搭載されている。図２に示すように、このケース４０は、平面視略矩形状に形成された板状の底壁４１と、その底壁４１の周縁部に一体的に形成され該周縁部から立設された枠状の側壁部４２とを有し、有底箱状に形成されている。ケース４０には、これら底壁４１と側壁部４２とによって凹部（収容部）４３が形成されている。この凹部４３には、複数（ここでは、４個）の光学素子５０が格納されている。例えば、各光学素子５０は、はんだペーストや接着樹脂等によって凹部４３の底面４３Ａ上に固定され、凹部４３内に収容されている。この凹部４３内、つまり各光学素子５０とケース４０との隙間に絶縁性の接着樹脂やアンダーフィル樹脂を充填するようにしてもよい。また、各光学素子５０は、電極端子５１の形成された面５３が凹部４３の開口側に露出するように凹部４３内に収容されている。各光学素子５０は、隣接する光学素子５０と密着するように収容されている。本実施形態では、１つの発光部５２Ａを有する単チャンネルの光学素子５０（発光素子５０Ａ）と、１つの受光部５２Ｂを有する単チャンネルの光学素子５０（受光素子５０Ｂ）とが２つずつ上記凹部４３内に収容されている。具体的には、単チャンネルの発光素子５０Ａと単チャンネルの受光素子５０Ｂとが交互に並んでケース４０に収容されている。これら単チャンネルの発光素子５０Ａ及び受光素子５０Ｂ（総称する場合には、「光学素子５０」という。）は、２つの電極端子５１と、１つの発光部５２Ａ又は１つの受光部５２Ｂとを有している。２つの電極端子５１は、その一方の電極端子５１が光学素子５０内のカソード電極（図示略）に接続され、他方の電極端子５１が光学素子５０内のアノード電極（図示略）に接続されている。なお、本明細書では、発光部５２Ａ及び受光部５２Ｂを総称する場合には「受発光部５２」と称する。

【0031】

上記ケース４０の材料としては、光学素子５０を収容することができる材料を用いることができる。ケース４０の材料としては、例えば３００度程度の耐熱性を有する材料であることが好ましい。例えば、ケース４０の材料としては、半導体材料やガラス材料などを用いることができる。本実施形態では、ケース４０の材料としては、光学素子５０の基材となる半導体材料（例えば、シリコン）と同一の半導体材料を用いている。これにより、ケース４０とそのケース４０に収容される光学素子５０との間の熱膨張係数の差がなくなるため、熱による応力を緩和することができる。

【0032】

なお、上記ケース４０に収容される光学素子５０としては、複数チャネルの発光部又は受光部を有する複数チャンネルの光学素子であってもよい。また、ケース４０に収容される複数の光学素子５０としては、全て発光素子を用いるようにしてもよいし、全て受光素子を用いるようにしてもよい。

【0033】

図１（ａ）に示すように、ケース４０及びそのケース４０に固定された複数の光学素子５０は、光導波路２０が積層（一体化）された配線基板１０に実装されている。具体的には、ケース４０に固定された各光学素子５０は、電極端子５１及びはんだ２６を介して、配線基板１０の接続パッドＰ２と電気的に接続されている。これにより、各光学素子５０は、電極端子５１、配線パターン１２及び電極端子３１を通じて上記電子部品３０と電気的に接続されている。なお、１つの光学素子５０に対応して１つの電子部品３０を設けるようにしてもよいし、複数の光学素子５０に対応して１つの電子部品３０を設けるようにしてもよい。

【0034】

上記配線基板１０に実装された各光学素子５０は、受発光部５２が上記反射ミラー２５に対向するように配置されている。具体的には、ケース４０に固定された各光学素子５０は、その受発光部５２が上記反射ミラー２５の真上に配置されるように配線基板１０に実装されている。

【0035】

これらケース４０及びそのケース４０に固定された複数の光学素子５０と光導波路２０及び配線基板１０との間には、アンダーフィル樹脂２７が形成されている。このアンダーフィル樹脂２７は、光学素子５０の電極端子５１と配線基板１０の接続パッドＰ２との接続部分の接続強度を向上させるための樹脂であり、光導波路２０（第２クラッド層２３）の上面と各光学素子５０の下面との隙間を充填するように形成されている。なお、アンダーフィル樹脂２７の材料としては、光学素子５０が使用する波長域において光透過性を有する樹脂材を用いることができる。具体的には、アンダーフィル樹脂２７の材料としては、第１クラッド層２１、コア部２２及び第２クラッド層２３と同一の樹脂材を好適に用いることができる。

【0036】

光学素子５０が発光素子５０Ａである場合には、発光部５２Ａの光軸中心Ａ２（発光点）から出射された光は、図中矢印で示すように、光導波路２０の開口部（溝部２４）に入射される。その溝部２４に入射された光は、その傾斜面２４Ａに形成された反射ミラー２５により光路が９０度曲げられて光導波路２０のコア部２２に入射される。そして、コア部２２に入射された光は、コア部２２で全反射を繰り返して伝搬される。一方、光学素子５０が受光素子５０Ｂである場合には、光導波路２０のコア部２２内を伝搬してきた光は、反射ミラー２５で反射されて光導波路２０の開口部（溝部２４）から出射され、受光素子５０Ｂの光軸中心Ａ２（受光部５２Ｂの中心）に入射される。

【0037】

（光モジュールの作用）
コア部２２及び反射ミラー２５は、ケース４０に固定された各光学素子５０の受発光部５２の位置に対応する平面位置に形成されている。具体的には、コア部２２及び反射ミラー２５は、ケース４０の角部Ａ１を基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置に応じた平面位置に形成されている。より具体的には、コア部２２及び反射ミラー２５は、ケース４０の角部Ａ１と位置合わせされるアライメントマークＭ１を基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置に応じた平面位置に形成されている。このように、ケース４０に固定された各光学素子５０の光軸中心Ａ２の実際の位置に対応してコア部２２が形成される。このため、ケース４０に複数の光学素子５０を搭載する際の位置合わせ精度が低い場合であっても、すなわち所望の搭載位置からずれた位置に光学素子５０が搭載される場合であっても、その位置ずれした位置に対応してコア部２２を形成することができる。また、ケース４０の形状ばらつきや光学素子５０の形状ばらつきが存在する場合であっても、それらの形状ばらつきによってずれた位置に対応してコア部２２を形成することができる。ここで、配線基板１０に実装される各光学素子５０がケース４０に固定されるため、ケース４０の角部Ａ１（基準位置）と各光学素子５０の光軸中心Ａ２との相対的な位置関係は実装前後で変わらない。このため、各光学素子５０を配線基板１０に実装する際に、ケース４０の角部Ａ１とアライメントマークＭ１の位置合わせを精度良く行うことにより、ケース４０に固定された全ての光学素子５０の光軸中心Ａ２と、反射ミラー２５の位置と、各光学素子５０に対応して形成されるコア部２２の位置とを精度良く位置合わせすることができる。すなわち、ケース４０を配線基板１０に実装する際の１回の位置合わせを精度良く行うことにより、ケース４０に搭載された多数の光学素子５０を反射ミラー２５及びコア部２２に対して精度良く位置合わせすることができる。

【0038】

また、ケース４０に収容される各光学素子５０は、隣接する光学素子５０に密着するように凹部４３内に固定される。このとき、本例のようにケース４０に発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとを混載する場合であっても、隣接する発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂを密着するように凹部４３内に固定される。そして、このようにケース４０に固定された複数の光学素子５０とケース４０とが一つの部材として配線基板１０に実装される。このため、発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとを一つの部材として配線基板１０に実装することができる。これにより、例えばケース４０を用いずに発光素子と受光素子とを個別に実装する場合に比べて実装面積を縮小することができる。

【0039】

ここでは、例えば図３に示すように、６チャンネルの発光素子６５と、６チャンネルの受光素子６６とを個別に配線基板に実装する場合について説明する。発光素子６５には、その発光素子６５に形成された６つの発光部にそれぞれ対応して６つのコア部６７が形成されている。また、受光素子６６には、その受光素子６６に形成された６つの受光部にそれぞれ対応して６つのコア部６８が形成されている。コア部６７のピッチＤ１及びコア部６８のピッチＤ１は、例えば２５０μｍである。これら発光素子６５及び受光素子６６を個別に実装する場合には、実装時の治具干渉を避けるために、発光素子６５と受光素子６６とを離間させて配置する必要がある。このため、隣接するコア部６７とコア部６８との間隔Ｄ２は、上記ピッチＤ１よりも広くなる。したがって、コア部６７，６８の全体の幅Ｄ３は、各コア部６７，６８のピッチＤ１の合計値よりも広くなる。このような問題は、単チャンネルの発光素子と単チャンネルの受光素子とを個別に実装する場合にも同様に生じる。

【0040】

これに対し、本実施形態では、発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとをケース４０に固定した状態で、そのケース４０と共に一つの部材として配線基板１０に実装することができるため、実装時の治具干渉等を考慮する必要がない。このため、ケース４０内に発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとを密着させて固定させることができ、コア部２２の全体の幅を狭くすることができる。

【0041】

（光モジュールの製造方法）
次に、上記光モジュール１の製造方法について説明する。
図４（ａ）に示す工程（第１工程）では、ケース４０の凹部４３内に複数の光学素子５０を固定して収容する。具体的には、各光学素子５０の電極端子５１及び受発光部５２の形成された面５３とは反対側の面が凹部４３の底面４３Ａと対向するように、各光学素子５０を底面４３Ａ上にはんだペーストや接着樹脂等により固定する。本例では、凹部４３の最も左側に固定される光学素子５０は、ケース４０の短手方向に延びる一方（図中の左側）の側壁部４２Ａの内壁面に密着するように固定されるとともに、ケース４０の長手方向に延びる一方（図中の上側）の側壁部４２Ｂの内壁面に密着するように固定される。また、残りの光学素子５０は、図４（ｂ）に示すように、隣接する光学素子５０に密着するように固定されるとともに、上記側壁部４２Ｂの内壁面に密着するように固定される。

【0042】

次に、図４（ｂ）に示す工程（第２工程）では、ケース４０の任意の角部Ａ１とケース４０に収容された各光学素子５０の光軸中心Ａ２との位置を画像処理等により検出し、角部Ａ１の位置を基準位置として、上記各光軸中心Ａ２の座標位置をデータ化する。例えばＣＣＤカメラなどの撮像装置６０を用いてケース４０及びそのケース４０に収容された各光学素子５０が撮像され、その撮像データが処理装置６１に出力される。ここで、処理装置６１は、図示は省略するが、例えば中央処理装置と、各種データや各種制御プログラムを格納するＲＯＭと、各種データを格納するＲＡＭとを有している。そして、この処理装置６１は、撮像データに基づいて、ケース４０の角部Ａ１の位置及び各光学素子５０の光軸中心Ａ２の位置を検出し、上記角部Ａ１の位置を基準位置（例えば、原点）にしたときの各光軸中心Ａ２の平面位置（ＸＹ座標位置）を示す座標データを生成する。また、処理装置６１では、撮像データに基づいて、上記各光軸中心Ａ２と併せて、各光学素子５０の電極端子５１の中心点Ａ３の位置を検出するようにしてもよい。この場合には、上記角部Ａ１の位置を基準位置にしたときの各中心点Ａ３の平面位置を示すデータを上記座標データに含めるようにする。

【0043】

続いて、処理装置６１は、上記座標データに基づいて光導波路２０（コア部２２）のパターンを設計した設計データを生成する。具体的には、処理装置６１は、上記角部Ａ１を基準位置として、その基準位置と各コア部２２との相対的な位置関係（つまり、形成すべき各コア部２２の平面位置）及び各コア部２２の平面形状を示す設計データを生成する。なお、上記座標データに各電極端子５１の中心点Ａ３の位置データが含まれている場合には、処理装置６１は、コア部２２のパターンと併せて、配線パターン１２のパターン（平面位置及び平面形状）を設計した設計データを生成する。

【0044】

次に、図５〜図７（ａ）に示す工程では、光導波路２０が一体化される前段階の配線基板１０を製造する。まず、図５に示す工程では、基板本体１１の両面に所要の形状にパターニングされた配線パターン１２，１３を形成する。このとき、配線パターン１３は、所要の箇所に外部接続用パッド１３Ｐが画定されるようにパターニングされる。また、図５（ｂ）に示すように、配線パターン１２は、所要の箇所に接続パッドＰ１，Ｐ２がそれぞれ画定されるようにパターニングされる。

【0045】

例えば、配線パターン１２，１３を形成する前に、基板本体１１の上面にアライメントマークＭ１，Ｍ２を形成する。これらアライメントマークＭ１，Ｍ２は、後工程においてケース４０及び光学素子５０を配線基板１０に実装する際の位置合わせに利用される。具体的には、アライメントマークＭ１は、ケース４０を配線基板１０に実装する際に、ケース４０の上記角部Ａ１と位置合わせされるマークである。また、アライメントマークＭ２は、ケース４０を配線基板１０に実装する際に、上記角部Ａ１以外のケース４０の角部と位置合わせされるマークである。ケース４０の上記角部Ａ１に対応する位置に形成され、その他のアライメントマークＭ２は、ケース４０の残りの角部に対応する位置に形成される。これらアライメントマークＭ１，Ｍ２は、例えば無電解めっき法や電解めっき法などにより所定のパターンに形成することができる。続いて、上記設計データに基づいて、アライメントマークＭ１の交差点（つまり、上記角部Ａ１に対応する点）を上記基準位置（例えば、原点）として、実装される各光学素子５０の電極端子５１の中心点Ａ３の位置に対応する箇所に接続パッドＰ２が画定されるように配線パターン１２を形成する。すなわち、配線パターン１２は、アライメントマークＭ２を基準位置としたときの上記中心点Ａ３の平面位置に基づいて、その中心点Ａ３と接続パッドＰ２とが平面視で重なるようなパターン形状で形成される。具体的には、配線パターン１２は、アライメントマークＭ２を基準位置としたときの上記中心点Ａ３の平面位置に基づいて、その中心点Ａ３と接続パッドＰ２の中心点とが一致するようなパターン形状で形成される。

【0046】

次に、図６に示す工程では、基板本体１１の上面の一部に、配線パターン１２の一部を接続パッドＰ１として露出させる開口部１４Ｘを有するソルダレジスト層１４を形成する。このソルダレジスト層１４は、例えば配線パターン１２を覆うように基板本体１１の上面にソルダレジスト層１４を形成した後、フォトリソグラフィ法によりソルダレジスト層１４を露光・現像して開口部１４Ｘ，１４Ｙを形成する。図６（ｂ）に示すように、開口部１４Ｙの形成により、光導波路２０が形成される領域に形成された基板本体１１及び配線パターン１２がソルダレジスト層１４から露出されることになる。

【0047】

また、図６（ａ）に示すように、基板本体１１の下面に、配線パターン１３の一部を外部接続用パッド１３Ｐとして露出させる開口部１５Ｘを有するソルダレジスト層１５を形成する。このソルダレジスト層１５は、例えば配線パターン１３を覆うように基板本体１１の下面にソルダレジスト層１５を形成した後、フォトリソグラフィ法によりソルダレジスト層１５を露光・現像して開口部１５Ｘを形成する。

【0048】

なお、必要に応じて、接続パッドＰ１及び外部接続用パッド１３Ｐ上に、例えばＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層を形成するようにしてもよい。この金属層は、例えば無電解めっき法により形成することができる。

【0049】

次いで、図７（ａ）に示す工程では、ソルダレジスト層１４の開口部１４Ｘから露出された接続パッドＰ１上に、はんだ１６を形成する。このはんだ１６は、例えばはんだペーストの塗布などにより形成することができる。これにより、配線基板１０が製造されたことになる。

【0050】

次に、図７（ｂ）〜図１０に従って、上記配線基板１０の実装面側に光導波路２０を積層（一体化）する。まず、図７（ｂ）に示す工程では、ソルダレジスト層１４が形成されていない基板本体１１の上面に、配線パターン１２を覆うように第１クラッド層２１を形成する。例えば、基板本体１１の上面全面に第１クラッド層２１となる感光性樹脂層（図示略）を形成し、フォトリソグラフィ法に基づいて露光・現像を行った後に、感光性樹脂層を硬化させることにより、上記第１クラッド層２１を形成する。この感光性樹脂層の形成方法としては、例えば液状の感光性樹脂を基板本体１１の上面全面に塗布するようにしてもよいし、半硬化状態の感光性樹脂シートを基板本体１１の上面全面にラミネートするようにしてもよい。ここで、感光性樹脂としては、例えば紫外線（ＵＶ）硬化型の樹脂を好適に使用することができる。ＵＶ硬化樹脂としては、例えば変性アクリレート（エポキシ樹脂やポリエステル樹脂等）をベース樹脂とし、光重合に必要な反応性アクリルモノマーと光重合開始剤及び添加剤を含んだ樹脂材を用いることができる。このようなＵＶ硬化樹脂の主反応はラジカル重合である。このようなＵＶ硬化樹脂を用いることにより、常温で処理することができ、さらに、熱硬化型の樹脂を用いる場合よりも短時間で硬化するため、作業時間を短縮することができる。なお、上記感光性樹脂層の材料等は、後述するコア層２２Ａ及び第２クラッド層２３を形成する工程においても同様である。

【0051】

次に、図７（ｃ）に示す工程では、第１クラッド層２１の上面にコア部２２となるコア層２２Ａを形成する。コア層２２Ａの形成方法としては、例えば、液状の感光性樹脂を第１クラッド層２１の上面に塗布するようにしてもよいし、半硬化状態の感光性樹脂シートを第１クラッド層２１の上面にラミネートするようにしてもよい。

【0052】

続いて、図８に示す工程（第３工程）では、上記設計データに基づいて、コア層２２Ａをパターニングして所望の形状のコア部２２を形成する。本例では、図８（ｂ）に示すように、Ｘ方向に直線状に延在された帯状のコア部２２が複数個（チャネル数と同数の４個）Ｙ方向に並設される。例えば、設計データに基づいて、コア層２２Ａの所定の位置（形成すべきコア部２２の位置）に対し、活性エネルギー光線又は電子線を選択的に照射し、所望の形状のコア部２２をパターン形成する。詳述すると、各コア部２２は、上記設計データに基づいて、実装される各光学素子５０の光軸中心Ａ２と平面視で重なるようなパターン形状で形成される。すなわち、コア部２２は、例えばＣＣＤカメラ等により検出されるアライメントマークＭ１の交差点を基準位置としたときの上記各光軸中心Ａ２の座標位置に基づいて、その各光軸中心Ａ２と各コア部２２の平面位置とが一致するようなパターン形状で形成される。具体的には、コア部２２は、各光軸中心Ａ２の座標位置に基づいて、その各光軸中心Ａ２のＹ座標位置と各コア部２２の幅方向の中心のＹ座標位置とが一致するようなパターン形状で形成される。なお、アライメントマークＭ１は光透過性を有する樹脂材からなる第１クラッド層２１及びコア層２２Ａによって覆われているため、ＣＣＤカメラ等によってその位置を検出することができる。

【0053】

また、活性エネルギー光線又は電子線の照射は、例えば直描方式（マスクレス方式）の露光装置を利用して実施することができる。すなわち、例えばレーザ光のような指向性の良い活性エネルギー光線又は電子線を、マスクを用いずにコア層２２Ａに直接照射してコア部２２を形成する。上記活性エネルギー光線としては、例えば可視光、紫外光、赤外光やレーザ光を用いることができる。また、コア層２２Ａに電子線を照射する場合には、例えば５０〜２００ＫＧｙ程度の照射量で電子線をコア層２２Ａに照射することができる。

【0054】

ここで、コア層２２Ａにおいて、活性エネルギー光線又は電子線が照射された部位は、その屈折率が変化し、活性エネルギー光線又は電子線が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。なお、コア層２２Ａの材料により、活性エネルギー光線又は電子線の照射された部位の屈折率は増大する場合も減少する場合もあるが、本例のコア層２２Ａは、活性エネルギー光線又は電子線の照射された部位の屈折率が増大する。このため、コア層２２Ａの活性エネルギー光線又は電子線が照射された部位がコア部２２となり、コア層２２Ａの活性エネルギー光線又は電子線が照射されなかった部位がクラッド部２２Ｂとなる。このため、図８（ｃ）に示すように、隣接するコア部２２間には、クラッド部２２Ｂが形成されることになる。なお、クラッド部２２Ｂの屈折率は、第１クラッド層２１及び後工程で形成されるクラッド層２３Ａの屈折率と略等しい。

【0055】

このように、コア部２２は、コア層２２Ａに対する活性エネルギー光線等の照射によってパターン形成される。このため、コア層２２Ａに対する活性エネルギー光線の照射パターン（照射位置）を、上記アライメントマークＭ１の交差点を基準位置として上記設計データに基づき設定することにより、所望の平面位置に所望の平面形状のコア部２２を形成することができる。これによれば、前工程においてケース４０に固定された各光学素子５０の光軸中心Ａ２の実際の位置に対応してコア部２２を形成することができる。このため、仮に隣接する各光学素子５０の光軸中心Ａ２のピッチＢ１，Ｂ２，Ｂ３（図８（ｂ）参照）が互いに異なる場合であっても、それらのピッチＢ１，Ｂ２，Ｂ３にそれぞれ合わせてコア部２２のピッチＣ１，Ｃ２，Ｃ３（図８（ｃ）参照）を形成することができる。

【0056】

さらに、本工程では、直描方式の露光装置によりコア部２２を形成するようにした。このような直描方式の露光装置（露光技術）を用いることにより、マスクの使用による位置ずれ等が発生しないため、コア部２２を所望の平面位置及び平面形状に精度良く形成することができる。

【0057】

次に、図９（ａ）に示す工程では、コア層２２Ａの上面に、コア部２２及びクラッド部２２Ｂの上面を被覆するようにクラッド層２３Ａを形成する。例えば、コア層２２Ａの上面にクラッド層２３Ａとなる感光性樹脂層（図示略）を形成し、フォトリソグラフィ法に基づいて露光・現像を行った後に、感光性樹脂層を硬化させることにより、上記クラッド層２３Ａを形成する。これにより、クラッド部２２Ｂ及びクラッド層２３Ａからなる第２クラッド層２３が形成される。以上の工程により、配線基板１０上に、コア部２２が第１クラッド層２１及び第２クラッド層２３で囲まれた構造の光導波路２０が形成される。

【0058】

続いて、図９（ｂ）に示す工程では、配線パターン１２の一部が上記接続パッドＰ２として露出されるように、光導波路２０の所定箇所に開口部２０Ｘを形成する。この開口部２０Ｘは、例えばＣＯ_２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、第１クラッド層２１及び第２クラッド層２３が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えばフォトリソグラフィ法により所要の開口部２０Ｘを形成するようにしてもよい。

【0059】

次いで、図９（ｃ）に示す工程では、光導波路２０の開口部２０Ｘから露出された接続パッドＰ２上に、はんだ２６を形成する。このはんだ２６は、例えばはんだペーストの塗布などにより形成することができる。

【0060】

次に、図１０に示す工程（第４工程）では、上記設計データに基づいて、光導波路２０の所要の箇所に断面視略直角三角形状の溝部２４と反射ミラー２５とを形成する。例えば、反射ミラー２５は、例えばＣＣＤカメラ等により検出される上記アライメントマークＭ１の交差点を基準位置として、実装される光学素子５０の光軸中心Ａ２と平面視で重なる位置に形成される。

【0061】

詳述すると、まず、光導波路２０の反射ミラー２５が形成される部分を例えば切削装置の回転ブレードによって厚さ方向に切削する。これにより、光導波路２０に光路を９０度変換するための傾斜面２４Ａとそれと交差する側壁面２４Ｂとを有する溝部２４が形成される。なお、溝部２４の形成方法としては、切削加工に限定されず、例えばレーザアブレーション法などの各種の加工方法を用いることができる。

【0062】

続いて、溝部２４に対応する開口部を有するマスク（図示略）を用いて、溝部２４の傾斜面２４Ａ上に光沢のある金属膜を選択的に被着することで、傾斜面２４Ａに反射ミラー２５を形成する。上記金属膜を傾斜面２４Ａに被着する方法としては、例えばスパッタリング法、蒸着法やめっき法などを用いることができる。なお、金属膜の材料としては、例えば良好な光反射性を有する金、銀やアルミニウムを用いることができる。

【0063】

次に、図１１（ａ）に示す工程では、電子部品３０の電極端子３１を配線基板１０の接続パッドＰ１上に位置決めし、はんだ１６を溶融させ、電子部品３０の電極端子３１を接続パッドＰ１に電気的に接続する。これにより、配線基板１０に電子部品３０がフリップチップ実装される。

【0064】

また、図１１（ａ）に示す工程では、ケース４０に収容された各光学素子５０の受発光部５２を下側に向けた状態で、ケース４０の角部Ａ１を上記アライメントマークＭ１（図１０参照）に位置合わせし、ケース４０の残りの角部を上記アライメントマークＭ２（図１０参照）に位置合わせする。すると、各光学素子５０の電極端子５１が配線基板１０の接続パッドＰ２上に位置決めされたことになるため、この状態ではんだ２６を溶融させ、光学素子５０の電極端子５１を接続パッドＰ２に電気的に接続する。これにより、光導波路２０の積層された配線基板１０に各光学素子５０及びケース４０が実装される。上述のようにコア部２２や反射ミラー２５の形成の際に利用したアライメントマークＭ１を基準位置としてケース４０を位置合わせして実装することで、そのケース４０に固定された各光学素子５０を所望の設計位置に精度良く配置することができる。例えば、実装後の各光学素子５０の受発光部５２が反射ミラー２５の真上に配置され、各光学素子５０の光軸中心Ａ２のＹ座標位置と各コア部２２の幅方向の中心のＹ座標位置とが略一致するように配置される。これにより、光学素子５０とコア部２２又は反射ミラー２５との間の光軸のずれが好適に抑制された状態で、光学素子５０が反射ミラー２５によって光導波路２０（コア部２２）に光結合される。したがって、光結合損失の発生を好適に抑制することができる。

【0065】

なお、上記アライメントマークＭ１，Ｍ２は光透過性を有する樹脂材からなる第１クラッド層２１及び第２クラッド層２３によって覆われているため、例えばＣＣＤカメラによってその位置を検出することができる。

【0066】

次に、図１１（ｂ）に示す工程では、配線基板１０と電子部品３０との隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂１７を形成する。また、光導波路２０の積層された配線基板１０とケース４０及び光学素子５０との隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂２７を形成する。なお、アンダーフィル樹脂２７は、溝部２４内にも充填される。

【0067】

以上の製造工程により、図１に示した光モジュール１を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）コア部２２及び反射ミラー２５を、ケース４０の角部Ａ１を基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の平面位置に応じた平面位置に形成するようにした。具体的には、コア部２２及び反射ミラー２５を、ケース４０の角部Ａ１と位置合わせされるアライメントマークＭ１を基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の平面位置に応じた平面位置に形成するようにした。そして、ケース４０及びそのケース４０に固定された複数の光学素子５０を、ケース４０の上記角部Ａ１とアライメントマークＭ１を位置合わせして配線基板１０上の所望の位置に実装するようにした。このため、ケース４０の角部Ａ１とアライメントマークＭ１の位置合わせを精度良く行うことにより、ケース４０に固定された全ての光学素子５０の光軸中心Ａ２と、反射ミラー２５の位置と、各光学素子５０に対応して形成されるコア部２２の位置とを精度良く位置合わせすることができる。すなわち、ケース４０を配線基板１０に実装する際の１回の位置合わせを精密に行うことにより、ケース４０に搭載された多数の光学素子５０を反射ミラー２５及びコア部２２に対して精度良く位置合わせすることができる。したがって、光学素子５０とコア部２２又は反射ミラー２５との間の光軸のずれが好適に抑制された状態で、光学素子５０が反射ミラー２５によって光導波路２０（コア部２２）に光結合される。この結果、光結合損失の発生を好適に抑制することができる。

【0068】

このように、本実施形態の光モジュール１では、光信号が通るチャンネル（コア部２２）の数が増加した場合であっても、光学素子５０とコア部２２及び反射ミラー２５との位置合わせを容易に行うことができる。このため、多チャンネルの光導波路２０（コア部２２）を有する光モジュール１を容易に製造することができる。

【0069】

（２）発光素子５０Ａ及び受光素子５０Ｂを、ケース４０に固定した状態でそのケース４０と共に一つの部材として配線基板１０に実装するようにした。このため、これら発光素子５０Ａ及び受光素子５０Ｂを配線基板１０に実装する際に、治具干渉等を考慮する必要がない。したがって、ケース４０内に発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとを密着させて固定させることができ、コア部２２の全体の幅を狭くすることができる。

【0070】

また、発光素子（例えば、ＶＣＳＥＬ）と受光素子（例えば、ＰＤ）とは製造プロセスが異なるため、１つの光学素子に発光素子と受光素子とを混在させることは困難である。これに対し、本実施形態では、別々に製造された発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとをケース４０に固定するようにしたため、発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとが混載されたケース４０を一括して配線基板１０に実装することができる。

【0071】

さらに、隣接する発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとを密着するように固定することができるため、異種の光学素子５０であっても等間隔に配置することができる。
（３）発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとを交互に並べてケース４０の凹部４３内に固定するようにした。これにより、発光素子５０Ａと光結合されるコア部２２の隣には、受光素子５０Ｂと光結合されるコア部２２が配置される。すなわち、発光素子５０Ａと光結合される２つのコア部２２の間には、受光素子５０Ｂと光結合されるコア部２２が配置される。このため、コア部２２のピッチＣ１，Ｃ２，Ｃ３（図８（ｃ）参照）を狭く（例えば１２５μｍ程度）しても、発光素子５０Ａと光結合されるコア部２２のピッチ（例えばＣ１＋Ｃ２）については広く（例えば２５０μｍ程度）確保することができる。したがって、コア部２２のピッチＣ１，Ｃ２，Ｃ３を狭くしても、発光素子５０Ａのチャンネル間のクロストークの増大が抑制されるとともに、受光素子５０Ｂのチャンネル間のクロストークの増大が抑制される。この結果、コア部２２を狭ピッチ化することができ、光モジュール１の小型化に貢献することができる。

【0072】

（４）ここで、例えば多チャンネル（ｎチャンネル）の光学素子５０は、歩留まりが低いことに起因してその価格が単チャンネルの光学素子のｎ個の合計金額よりも高くなる。これに対し、本実施形態では、ケース４０に単チャンネルの光学素子５０を複数個収容することにより、多チャンネルの光導波路２０（コア部２２）を有する光モジュール１を得ることができる。このため、多チャンネルのコア部２２を有する光モジュール１を製造する際の製造コストを低減することができる。

【0073】

（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１２〜図２０に従って説明する。先の図１〜図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

【0074】

（光コネクタの構造）
図１２に示すように、光コネクタ（光モジュール）２は、ケース７０と、光導波路８０と、ケース７０に収容された複数の光学素子５０とを有している。

【0075】

図１３（ａ）に示すように、ケース７０は、略直方体状に形成されている。ケース７０は、ケース部７１と、ケース部７１よりも肉厚に形成されたコネクタ部７２とを有している。なお、ケース７０（ケース部７１及びコネクタ部７２）の材料としては、上記光学素子５０が使用する波長域において光透過性を有する材料を用いることができる。例えば、ケース７０の材料としてはガラス材料を用いることができる。

【0076】

ケース部７１には、平面視略矩形状の凹部（収容部）７３が形成されている。この凹部７３の底面７３Ａには、複数（ここでは、８個のうち６個を図示）の貫通穴７３Ｘが直線状に並んで形成されている。図１３（ｂ）に示すように、凹部７３には、複数（ここでは、４個）の光学素子５０が格納されている。本実施形態では、凹部７３には、単チャンネルの発光素子５０Ａと、単チャンネルの受光素子５０Ｂとが２つずつ収容されている。具体的には、発光素子５０Ａと受光素子５０Ｂとが交互に並んでケース７０に収容されている。各光学素子５０は、隣接する光学素子５０に密着するように凹部７３内に固定されている。例えば、各光学素子５０は、絶縁性の接着樹脂やアンダーフィル樹脂等により凹部７３の底面７３Ａに固定されている。なお、凹部７３内、つまり各光学素子５０とケース７０との隙間に絶縁性の接着樹脂やアンダーフィル樹脂を充填することにより、各光学素子５０を凹部７３内に固定するようにしてもよい。

【0077】

図１２（ａ）に示すように、各光学素子５０は、電極端子５１及び受発光部５２の形成された面５３を凹部７３の底面７３Ａに対向させた状態で凹部７３内に固定される。このとき、各光学素子５０の電極端子５１は、上記凹部７３の貫通穴７３Ｘを貫通する。

【0078】

なお、上記凹部７３に収容される光学素子５０としては、複数チャネルの発光部又は受光部を有する複数チャンネルの光学素子であってもよい。また、凹部７３に収容される複数の光学素子５０としては、全て発光素子を用いるようにしてもよいし、全て受光素子を用いるようにしてもよい。

【0079】

図１３に示すように、コネクタ部７２の側面７２Ａの両端には、ガイド穴７２Ｘが形成されている。各ガイド穴７２Ｘは、コネクタ部７２の平面方向を貫通するように形成されている。これら一対のガイド穴７２Ｘには、例えば他のコネクタ（標準化されたＭＴコネクタなど）と接続する際の位置合わせのために使用されるガイドピン（図示略）が嵌合される。例えば当該光コネクタ２が上記ＭＴコネクタと接続される場合には、ガイド穴の構造（ガイド穴７２Ｘの開口径及びガイド穴７２Ｘのピッチ等）がＭＴコネクタの標準規格に合致するように形成される。なお、本例ではコネクタ部７２にガイド穴７２Ｘを形成するようにしたが、コネクタ部７２にガイドピンを形成するようにしてもよい。

【0080】

図１２（ａ）に示すように、光導波路８０は、ケース７０（ケース部７１及びコネクタ部７２）の下面７０Ａに形成されている。この光導波路８０は、第１クラッド層８１と、コア部８２と、第２クラッド層８３とを有している。

【0081】

第１クラッド層８１は、ケース７０の下面７０Ａに形成されている。コア部８２は、光信号の伝搬を行うためのものであり、第１クラッド層８１の下に形成されている。第２クラッド層８３は、コア部８２を覆うように第１クラッド層８１の下に形成されている。このように、光導波路８０は、ケース７０の下面７０Ａに、第１クラッド層８１とコア部８２と第２クラッド層８３とがこの順番で積層された構造を有し、コア部８２が第１クラッド層８１及び第２クラッド層８３で囲まれた構造を有している。

【0082】

これら第１及び第２クラッド層８１，８３及びコア部８２の材料としては、基本的には同じ材料を用いることができる。例えば、第１及び第２クラッド層８１，８３及びコア部８２の材料としては、光学素子５０が使用する波長域において光透過性を有する樹脂材を用いることができる。具体的には、第１及び第２クラッド層８１，８３及びコア部８２の材料としては、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などを用いることができる。但し、光信号の伝搬がコア部８２内でのみ行われるようにするために、コア部８２を構成する材料としては、そのコア部８２の上下両面に形成される第１及び第２クラッド層８１，８３を構成する材料よりも屈折率の高い材料が選定されている。

【0083】

図１２（ｂ）に示すように、ケース７０に搭載される光学素子５０の数（具体的には、チャンネル数）に応じた数（ここでは、４個）のコア部８２がＹ方向に沿って並設されている。各コア部８２は、隣接するコア部８２との間隔が広い第１部８２Ｃと、隣接するコア部８２との間隔が狭い第２部８２Ｄと、それら第１部８２Ｃと第２部８２Ｄとを曲線状に接続する第３部８２Ｅとを有している。すなわち、光学素子５０の受発光部５２側のコア部８２（第１部８２Ｃ）のピッチは、ケース７０の側面７２Ａ側のコア部８２（第２部８２Ｄ）のピッチよりも広くなっている。ここで、例えば当該光コネクタ２が上記ＭＴコネクタと接続される場合には、そのＭＴコネクタと接続されるコア部８２のピッチ（つまり、第２部８２Ｄにおけるコア部８２のピッチ）がＭＴコネクタの標準規格に基づいて設定される。そして、図１２（ｂ）に示すように、上記設定される第２部８２Ｄにおけるコア部８２のピッチが第１部８２Ｃにおけるコア部８２のピッチ（つまり、光学素子５０の光軸中心Ａ２のピッチ）と異なる場合には、そのピッチの違いに対応してコア部８２がパターニングされる。なお、当該光コネクタ２のガイド穴７２Ｘに上記ＭＴコネクタのガイドピンが嵌合されて両コネクタが接続されると、コア部８２の第２部８２Ｄが例えばＭＴコネクタのテープファイバと正確に対設されることになる。

【0084】

このような各コア部８２は、ケース７０に収容された各光学素子５０の受発光部５２の位置に対応する平面位置に形成されている。具体的には、各コア部８２は、ケース７０の任意の点（ここでは、ケース７０の任意の角部Ａ４）を基準位置（例えば、原点）としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置（平面位置）に応じた平面位置に形成されている。より具体的には、各コア部８２は、上記角部Ａ４を基準位置としたときの各光軸中心Ａ２のＹ座標位置と各コア部８２の第１部８２Ｃにおける幅方向の中心のＹ座標位置とが一致するように形成されている。

【0085】

なお、図１２（ａ）に示した第１クラッド層８１の厚さは、例えば１０〜１００μｍ程度とすることができる。コア部８２の厚さは例えば３０〜８０μｍ程度とすることができ、各コア部８２のパターン幅は例えば３００〜５００μｍ程度とすることができる。また、第１部８２Ｃにおけるコア部８２のピッチは例えば１００〜５００μｍ程度とすることができ、第２部８２Ｄにおけるコア部８２のピッチは例えば１２５〜３００μｍ程度とすることができる。このコア部８２上に形成された第２クラッド層８３の厚さは、例えば１０〜１００μｍ程度とすることができる。

【0086】

光導波路８０には、コア部８２を露出する溝部８４が形成されている。溝部８４は、第２クラッド層８３の下面からコア部８２を貫通して第１クラッド層８１の厚さ方向の途中まで形成され、第２クラッド層８３及びコア部８２を分断するようにして形成される。この溝部８４は、光路を９０度変換するための傾斜面８４Ａと、その傾斜面８４Ａと交差する側壁面８４Ｂとを有している。例えば、溝部８４では、側壁面８４Ｂが光導波路８０（コア部８２）の延在方向と直交する垂直面に形成され、傾斜面８４Ａが光導波路８０（コア部８２）の延在方向に対して所定の角度（例えば４５度）傾斜して形成されている。このため、溝部８４の断面形状は、略直角三角形状に形成されている。

【0087】

上記傾斜面８４Ａには、光路を９０度変換するための反射ミラー８５が形成されている。この反射ミラー８５の材料としては、例えば良好な光反射性を有する金、銀やアルミニウムを用いることができる。

【0088】

図１２（ｂ）に示すように、上記反射ミラー８５は、Ｙ方向に延在して形成され、複数のコア部８２と直交する帯状溝として形成されている。この反射ミラー８５は、当該光導波路８０上に実装された光学素子５０の受発光部５２と対向する位置に形成されている。例えば、反射ミラー８５は、ケース７０の角部Ａ４を基準位置としたときの、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の座標位置に応じた平面位置に形成されている。

【0089】

図１２（ａ）に示すように、光導波路８０には、その光導波路８０の厚さ方向を貫通して上記ケース７０の貫通穴７３Ｘに連通する開口部８０Ｘが形成されている。この開口部８０Ｘ内には、ケース７０に収容された光学素子５０の電極端子５１が挿通されている。なお、開口部８０Ｘの平面形状は、円形状に形成されている。また、開口部８０Ｘの開口径は、上記貫通穴７３Ｘの開口径よりも小径に形成されている。

【0090】

（光モジュールの構造）
次に、光モジュール１Ａの構造について説明する。
図１４に示すように、光モジュール１Ａは、配線基板１０Ａと、上述した複数の光学素子５０が実装され光導波路８０が一体化された光コネクタ２と、電子部品３０とを有している。

【0091】

配線基板１０Ａは、基板本体１１と、最上層の配線パターン１２と、最下層の配線パターン１３と、ソルダレジスト層１５，１８とを有している。
ソルダレジスト層１８は、配線パターン１２を覆うように基板本体１１の上面に形成されている。このソルダレジスト層１８には、配線パターン１２の一部を接続パッドＰ１として露出させるための開口部１８Ｘが形成されるとともに、配線パターン１２の一部を接続パッドＰ３として露出させるための開口部１８Ｙが形成されている。接続パッドＰ１上には、その接続パッドＰ１と電子部品３０の電極端子３１とを電気的に接続するはんだ１６が形成されている。また、接続パッドＰ３上には、その接続パッドＰ３と光学素子５０の電極端子５１とを電気的に接続するはんだ１９が形成されている。なお、必要に応じて、上記開口部１８Ｘ，１８Ｙから露出する配線パターン１２上にＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜上に上記はんだ１６，１９をそれぞれ形成するようにしてもよい。また、開口部１８Ｘ，１８Ｙから露出する配線パターン１２上に金属層を形成し、その金属層上に上記はんだ１６，１８をそれぞれ形成するようにしてもよい。金属層の例としては、例えばＡｕ層、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層などを挙げることができる。

【0092】

なお、開口部１８Ｘ，１８Ｙ及び接続パッドＰ１，Ｐ３の平面形状は例えば円形状であり、その直径は例えば５０〜２００μｍ程度とすることができる。基板本体１１の上面からソルダレジスト層１８の上面までの厚さは、例えば１０〜１００μｍ程度とすることができる。このソルダレジスト層１８の材料としては、例えばエポキシ系又はアクリル系の絶縁性樹脂を用いることができる。

【0093】

電子部品３０は、電極端子３１及びはんだ１６を介して、配線基板１０Ａの接続パッドＰ１と電気的に接続されている。すなわち、電子部品３０は、配線基板１０Ａにフリップチップ実装されている。

【0094】

光コネクタ２は、ケース７０に固定された各光学素子５０が、電極端子５１及びはんだ１９を介して、配線基板１０Ａの接続パッドＰ３と電気的に接続されるように、配線基板１０Ａ上に実装されている。これにより、各光学素子５０は、電極端子５１、配線パターン１２及び電極端子３１を通じて上記電子部品３０と電気的に接続されている。

【0095】

これら光コネクタ２と配線基板１０Ａとの間には、アンダーフィル樹脂２８が形成されている。このアンダーフィル樹脂２８は光学素子５０の電極端子５１と配線基板１０Ａの接続パッドＰ３との接続部分の接続強度を向上させるための樹脂であり、配線基板１０Ａ（ソルダレジスト層１８）の上面と光学素子５０（光導波路８０）の下面との隙間を充填するように形成されている。なお、アンダーフィル樹脂２８の材料としては、光学素子５０が使用する波長域において光透過性を有する樹脂材を用いることができる。具体的には、アンダーフィル樹脂２８の材料としては、第１クラッド層８１、コア部８２及び第２クラッド層８３と同一の樹脂材を好適に用いることができる。

【0096】

（光コネクタの製造方法）
次に、上記光コネクタ２の製造方法について説明する。
図１５（ａ）に示す工程では、まず、凹部７３が形成されたケース部７１と、一対のガイド穴７２Ｘが形成されたコネクタ部７２とが一体に形成されたケース７０を用意する。続いて、凹部７３内に複数の光学素子５０を収容する（第１工程）。具体的には、各光学素子５０の電極パッド５４（カソード電極又はアノード電極）及び受発光部５２の形成された面５３が凹部７３の底面７３Ａと対向するように、各光学素子５０を底面７３Ａ上に絶縁性の接着樹脂やアンダーフィル樹脂等により固定する。また、各光学素子５０は、各光学素子５０の電極パッド５４が凹部７３の貫通穴７３Ｘと対向するように、凹部７３内に収容される。なお、必要に応じて、貫通穴７３Ｘに導電性樹脂やはんだ等を充填するようにしてもよい。

【0097】

次に、図１５（ｂ）に示す工程（第２工程）では、ケース７０の任意の角部Ａ４とケース７０に収容された各光学素子５０の光軸中心Ａ２との位置を画像処理等により検出し、角部Ａ４の位置を基準位置として、上記各光軸中心Ａ２の座標位置をデータ化する。例えばＣＣＤカメラなどの撮像装置６０を用いてケース７０及びそのケース７０に収容された各光学素子５０がケース７０の下面側から撮像され、その撮像データが処理装置６１に出力される。そして、この処理装置６１は、撮像データに基づいて、ケース７０の角部Ａ４の位置及び各光学素子５０の光軸中心Ａ２の位置を検出し、上記角部Ａ４の位置を基準位置（例えば、原点）にしたときの各光軸中心Ａ２の平面位置（ＸＹ座標位置）を示す座標データを生成する。また、処理装置６１は、上記ＭＴコネクタの標準規格などによりコネクタ部７２の側面７２Ａ側（第２部８２Ｄ）におけるコア部８２のピッチや平面位置等が決まっている場合には、上記角部Ａ４の位置を基準位置にしたときの第２部８２Ｄにおけるコア部８２の平面位置を示す座標データを生成する。なお、ケース７０が光透過性を有するガラス材料からなるため、そのケース７０の下面側から撮像装置６０によって撮像することにより、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の位置を検出することができる。

【0098】

続いて、処理装置６１は、上記座標データに基づいて光導波路８０（コア部８２）のパターンを設計した設計データを生成する。具体的には、処理装置６１は、上記角部Ａ４を基準位置として、その基準位置と各コア部８２との相対的な位置関係（つまり、形成すべき各コア部８２の平面位置）及び各コア部８２の平面形状を示す設計データを生成する。

【0099】

次に、図１６（ｂ）〜図１８に従って、上記ケース７０の下面７０Ａ側に光導波路８０を積層（一体化）する。まず、図１６（ａ）に示す工程では、先の図７（ｂ）に示した工程と同様の製造工程により、ケース７０の下面７０Ａに、その下面７０Ａ全面を覆うように第１クラッド層８１を形成する。続いて、図１６（ｂ）に示す工程では、第１クラッド層８１の下面に、その下面全面を覆うようにコア部８２となるコア層８２Ａを形成する。

【0100】

続いて、図１７に示す工程（第３工程）では、先の図８に示した工程と同様の製造工程により、上記設計データに基づいて、コア層８２Ａをパターニングして所望の形状のコア部８２を形成する。本例では、図１７（ｂ）に示すように、第１部８２Ｃ、第２部８２Ｄ及び第３部８２Ｅを有する帯状のコア部８２が複数個（チャネル数と同数の４個）Ｙ方向に並設される。例えば、設計データに基づいて、コア層８２Ａの所定の位置（形成すべきコア部８２の位置）に対し、活性エネルギー光線又は電子線を選択的に照射し、所望の形状のコア部８２をパターン形成する。詳述すると、各コア部８２は、上記設計データに基づいて、実装される各光学素子５０の光軸中心Ａ２と第１部８２Ｃにおいて平面視で重なるとともに、上記ＭＴコネクタの標準規格などによって決定される位置に第２部８２Ｄが形成されるようなパターン形状で形成される。すなわち、各コア部８２は、例えばＣＣＤカメラ等によりケース７０の角部Ａ４を検出し、その角部Ａ４の位置を基準位置としたときの上記各光軸中心Ａ２の座標位置に基づいて、その各光軸中心Ａ２の平面位置と各コア部８２の平面位置とが一致するようなパターン形状で形成される。

【0101】

ここでは、コア層８２Ａの活性エネルギー光線又は電子線が照射された部位がコア部８２となり、コア層８２Ａの活性エネルギー光線又は電子線が照射されなかった部位がクラッド部８２Ｂとなる。このため、隣接するコア部８２間には、クラッド部８２Ｂが形成されることになる。

【0102】

このように、コア部８２は、コア層８２Ａに対する活性エネルギー光線等の照射によってパターン形成される。このため、コア層８２Ａに対する活性エネルギー光線の照射パターン（照射位置）を、上記角部Ａ４を基準位置として上記設計データに基づき設定することにより、所望の平面位置に所望の平面形状のコア部８２を形成することができる。

【0103】

次に、図１８（ａ）に示す工程では、コア部８２を被覆するように第２クラッド層８３を形成する。以上の工程により、ケース７０の下面７０Ａに、コア部８２が第１クラッド層８１及び第２クラッド層８３で囲まれた構造の光導波路８０が形成される。

【0104】

次に、図１８（ｂ）に示す工程（第４工程）では、先の図１０に示した工程と同様の製造工程により、上記設計データに基づいて、光導波路８０の所要の箇所に断面視略直角三角形状の溝部８４と反射ミラー８５とを形成する。例えば、反射ミラー８５は、例えばＣＣＤカメラ等により検出される上記角部Ａ４を基準位置として、実装される光学素子５０の光軸中心Ａ２と平面視で重なる位置に形成される。

【0105】

このように、コア部８２及び反射ミラー８５は、ケース７０に収容された各光学素子５０の実際の位置に応じた位置に形成される。このため、各光学素子５０に対して精度良く位置合わせした状態で、コア部８２及び反射ミラー８５を形成することができる。例えば、ケース７０に収容された各光学素子５０の受発光部５２が反射ミラー８５の真上に配置され、各光学素子５０の光軸中心Ａ２のＹ座標位置と第１部８２Ｃにおける各コア部８２の幅方向の中心のＹ座標位置とが略一致するように配置される。これにより、光学素子５０とコア部８２又は反射ミラー８５との間の光軸のずれが好適に抑制された状態で、光学素子５０が反射ミラー８５によって光導波路８０（コア部８２）に光結合される。したがって、光結合損失の発生を好適に抑制することができる。

【0106】

続いて、図１９（ａ）に示す工程では、光導波路８０を貫通して凹部７３の貫通穴７３Ｘに連通する開口部８０Ｘを形成する。この開口部８０Ｘは、例えばＣＯ_２レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、第１クラッド層８１及び第２クラッド層８３が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えばフォトリソグラフィ法により所要の開口部８０Ｘを形成するようにしてもよい。

【0107】

次いで、図１９（ｂ）に示す工程では、貫通穴７３Ｘ及び開口部８０Ｘによって露出される電極パッド５４（ここでは、図示略）上に電極端子５１を形成する。以上の製造工程により、図１２に示した光コネクタ２を製造することができる。

【0108】

（光モジュールの製造方法）
次に、光モジュール１Ａの製造方法について説明する。
図２０（ａ）に示す工程では、まず、配線基板１０Ａを用意する。この配線基板１０Ａは、例えば図５〜図７（ａ）に示す工程と同様の製造工程により製造することができる。詳述すると、まず、基板本体１１の両面に所要の形状にパターニングされた配線パターン１２，１３を形成する。続いて、配線パターン１２の一部を接続パッドＰ１，Ｐ３としてそれぞれ露出させる開口部１８Ｘを有するソルダレジスト層１８を基板本体１１の上面に形成する。また、配線パターン１３の一部を外部接続用パッド１３Ｐとして露出させる開口部１５Ｘを有するソルダレジスト層１５を基板本体１１の下面に形成する。その後、ソルダレジスト層１８の開口部１８Ｘ，１８Ｙから露出された接続パッドＰ１，Ｐ３上に、はんだ１６，１９をそれぞれ形成する。

【0109】

また、図２０（ａ）に示す工程では、電子部品３０の電極端子３１を配線基板１０Ａの接続パッドＰ１上に位置決めし、はんだ１６を溶融させ、電子部品３０の電極端子３１を接続パッドＰ１に電気的に接続する。これにより、配線基板１０Ａに電子部品３０がフリップチップ実装される。

【0110】

また、図２０（ａ）に示す工程では、ケース７０に収容された各光学素子５０の電極端子５１を配線基板１０Ａの接続パッドＰ３上に位置決めし、はんだ１９を溶融させ、各光学素子５０の電極端子５１を接続パッドＰ３に電気的に接続する。これにより、配線基板１０Ａに光コネクタ２が実装される。

【0111】

次に、図２０（ｂ）に示す工程では、配線基板１０Ａと電子部品３０との隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂１７を形成する。また、配線基板１０Ａと光コネクタ２との隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂２８を形成する。なお、アンダーフィル樹脂２８は、開口部８０Ｘ内及び溝部８４内にも充填される。

【0112】

以上の製造工程により、図１４に示した光モジュール１Ａを製造することができる。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。

【0113】

（５）複数の光学素子５０が固定されたケース７０に対して光導波路８０（コア部８２）を形成（積層）するようにした。このため、各光学素子５０の光軸中心Ａ２の位置を検出する際に使用した基準点（ここでは、ケース７０の角部Ａ４）を、コア部８２及び反射ミラー８５を形成する際の基準点としても使用することができる。これにより、光軸中心Ａ２を検出する際の基準点と、コア部８２及び反射ミラー８５を形成する際の基準点との位置ずれの発生が抑制されるため、光学素子５０とコア部８２又は反射ミラー８５との間の光軸のずれをより好適に抑制することができる。

【0114】

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態におけるアンダーフィル樹脂１７，２７，２８を省略するようにしてもよい。

【0115】

・上記各実施形態における光モジュール１，１Ａのチャンネル数は特に限定されない。
・上記第１実施形態におけるコア部２２の平面形状は、直線状に限定されず、例えば湾曲部を有する形状、分岐部や交差部を有する形状、集光部（例えば、他の部分と比べて幅が狭くなっている部分）や光拡散部（例えば、他の部分と比べて幅が広くなっている部分）を有する形状であってもよい。

【0116】

・上記各実施形態における反射ミラー２５，８５を省略するようにしてもよい。この場合には、溝部２４，８４の傾斜面２４Ａ，８４Ａ上に形成される空気層が、光路を９０度変換する光路変換部として機能する。

【0117】

・上記各実施形態では、光導波路２０，８０に傾斜面２４Ａ，８４Ａを有する溝部２４，８４を形成し、その傾斜面２４Ａ，８４Ａに反射ミラー２５，８５を形成するようにした。これに限らず、例えば基板本体１１の上面（又はケース７０の下面７０Ａ）に、反射ミラーが形成された傾斜面を有するミラー支持体を形成した後に、そのミラー支持体を覆うように光導波路を形成するようにしてもよい。

【0118】

・上記第２実施形態におけるケース７０のコネクタ部７２に形成されたガイド穴７２Ｘを省略するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、直描方式（マスクレス方式）の露光装置によって、形成すべきコア部２２，８２に対応するコア層２２Ａ，８２Ａに活性エネルギー光線又は電子線を選択的に照射するようにした。これに限らず、例えば形成すべきコア部２２，８２のパターンに対応した開口部を有するマスクを用いてコア層２２Ａ，８２Ａに対して活性エネルギー光線又は電子線を選択的に照射するようにしてもよい。

【0119】

あるいは、フォトリソグラフィ法によりコア部２２，８２を形成するようにしてもよい。すなわち、第１クラッド層２１，８１上にレジスト層を形成し、コア部２２のパターンにレジスト層を露光・現像し、現像された部分（凹部）にコア部２２を構成する材料を充填してコア部２２を形成するようにしてもよい。この場合でも、露光の際の光の照射位置の設定を、アライメントマークＭ１や角部Ａ４を基準として位置合わせすることにより、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0120】

・上記各実施形態におけるケース４０，７０の形状は特に限定されない。すなわち、ケース４０，７０の形状は、複数の光学素子を収容可能な形状であれば特に限定されない。

【符号の説明】

【0121】

１，１Ａ 光モジュール
２ 光コネクタ（光モジュール）
１０，１０Ａ 配線基板
１２ 配線パターン
２０，８０ 光導波路
２１，８１ 第１クラッド層（クラッド層）
２２，８２ コア部
２３，８３ 第２クラッド層（クラッド層）
３０ 電子部品
４０，７０ ケース
４３，７３ 凹部（収容部）
５０ 光学素子
５０Ａ 発光素子
５０Ｂ 受光素子
５１ 電極端子
Ａ１，Ａ４ 角部（任意の点）
Ａ２ 光軸中心
Ｍ１ アライメントマーク（認識マーク）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】