特許 5991373 ガラス積層体および電子デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5991373

(24)【登録日】2016年8月26日

(45)【発行日】2016年9月14日

(54)【発明の名称】ガラス積層体および電子デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   B32B 9/00 20060101AFI20160901BHJP

   C03C 27/10 20060101ALI20160901BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20160901BHJP

【ＦＩ】

   B32B9/00 A

   C03C27/10 A

   G02F1/1333 500

【請求項の数】7

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2014-518372(P2014-518372)

(86)(22)【出願日】2013年5月13日

(86)【国際出願番号】JP2013063312

(87)【国際公開番号】WO2013179881

(87)【国際公開日】20131205

【審査請求日】2016年2月19日

(31)【優先権主張番号】特願2012-122492(P2012-122492)

(32)【優先日】2012年5月29日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000000044

【氏名又は名称】旭硝子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100080159

【弁理士】

【氏名又は名称】渡辺 望稔

(74)【代理人】

【識別番号】100090217

【弁理士】

【氏名又は名称】三和 晴子

(74)【代理人】

【識別番号】100121393

【弁理士】

【氏名又は名称】竹本 洋一

(72)【発明者】

【氏名】秋田 陽介

(72)【発明者】

【氏名】松山 祥孝

(72)【発明者】

【氏名】江畑 研一

(72)【発明者】

【氏名】内田 大輔

【審査官】 小石 真弓

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−１５３７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１２−５３００２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平５−２２１６９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平８−８６９９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２０３２２０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ３２Ｂ １／００−４３／００

Ｃ０３Ｃ １５／００−２３／００

Ｇ０２Ｆ １／１３

１／１３３

１／１３３３

１／１３３４

１／１３３７

１／１３３９

１／１３４１

１／１３４７

１／１３７

１／１４１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持基板および前記支持基板上に配置されたメタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する無機層を備える無機層付き支持基板と、
前記無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を備えるガラス積層体。

【請求項2】

前記メタルシリサイドが、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含み、
前記窒化物が、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、
前記炭化物および前記炭窒化物が、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、およびＮｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む、請求項１に記載のガラス積層体。

【請求項3】

前記無機層が、タングステンシリサイド、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ケイ素、および炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載のガラス積層体。

【請求項4】

前記無機層が、窒化ケイ素および／または炭化ケイ素を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラス積層体。

【請求項5】

前記支持基板がガラス基板である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラス積層体。

【請求項6】

６００℃で１時間加熱処理を施した後も前記無機層付き支持基板と前記ガラス基板とが剥離可能である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラス積層体。

【請求項7】

請求項１〜６のいずれか一項に記載のガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から前記無機層付き支持基板を剥離し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ガラス基板を用いて液晶表示体、有機ＥＬ表示体などの電子デバイスを製造する際に使用されるガラス基板と支持基板との積層体であるガラス積層体、およびそれを用いた電子デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などの電子デバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらの電子デバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

【0003】

そこで、最近では、上記の課題に対応するため、無機薄膜付き支持ガラスの無機薄膜上にガラス基板を積層した積層体を用意し、積層体のガラス基板上に素子の製造処理を施した後、積層体からガラス基板を分離する方法が提案されている（特許文献１）。この方法によれば、ガラス基板の取扱い性を向上させ、適切な位置決めを可能とすると共に、所定の処理後に素子が配置されたガラス基板を積層体から容易に剥離することができる旨が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】日本国特開２０１１−１８４２８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

一方、近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイスの製造の際により高温条件下（例えば、３５０℃以上）での処理の実施が望まれている。
本発明者らは、特許文献１で具体的に記載される金属酸化物で構成された無機薄膜付き支持ガラスの無機薄膜上にガラス基板が配置された積層体を用いて、高温条件下（例えば、３５０℃、１時間）での加熱処理を施したところ、処理後に積層体からガラス基板を剥離することができなかった。該態様では、高温条件下でのデバイス製造後に、素子が形成されたガラス基板を積層体から剥離することができないという問題が生じる。

【0006】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、高温条件下の長時間処理の後であっても、ガラス基板を容易に剥離することができるガラス積層体、および、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、ガラス基板上に所定の成分の無機層を形成することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の第１の態様は、支持基板および支持基板上に配置されたメタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する無機層を備える無機層付き支持基板と、無機層上に剥離可能に積層されたガラス基板と、を備えるガラス積層体である。

【0008】

第１の態様において、メタルシリサイドが、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含み、窒化物が、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、炭化物および炭窒化物が、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、およびＮｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。
第１の態様において、無機層が、タングステンシリサイド、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ケイ素、および炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
第１の態様において、無機層が、窒化ケイ素および／または炭化ケイ素を含むことが好ましい。
第１の態様において、支持基板がガラス基板であることが好ましい。
第１の態様において、６００℃で１時間加熱処理を施した後も無機層付き支持基板とガラス基板とが剥離可能であることが好ましい。

【0009】

また、本発明の第２の態様は、第１の態様であるガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
電子デバイス用部材付き積層体から無機層付き支持基板を剥離し、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、高温条件下の長時間処理の後であっても、ガラス基板を容易に剥離することができるガラス積層体、および、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。

【図2】図２（Ａ）及び２（Ｂ）は、本発明に係る電子デバイスの製造方法の工程図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明のガラス積層体および電子デバイスの製造方法の好適形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。

【0013】

本発明のガラス積層体においては、支持基板とガラス基板との間にメタルシリサイド、窒化物、炭化物および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含む無機層を介在させることを特徴の一つとする。所定の成分の無機層を介在させることにより、高温条件下におけるガラス基板の支持基板への接着を抑制することができ、所定の処理後において容易にガラス基板を剥離することができる。特に、これらの無機層ではその表面上に水酸基などの量が少なく、加熱処理時においても無機層とその上に積層されるガラス基板との間で化学結合が形成されにくくなるため、結果として高温処理後においても両者を容易に剥離できるようになったと推測される。一方、特許文献１で具体的に記載される金属酸化物の層表面上には多くの水酸基が存在し、加熱処理時にガラス基板との間で数多くの化学結合が形成されてしまい、ガラス基板の剥離性が低下したものと推測される。
以下においては、まず、ガラス積層体の好適態様について詳述し、その後、このガラス積層体を使用した電子デバイスの製造方法の好適態様について詳述する。

【0014】

＜ガラス積層体＞
図１は、本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基板１２および無機層１４からなる無機層付き支持基板１６と、ガラス基板１８とを有する。ガラス積層体１０中において、無機層付き支持基板１６の無機層１４の第１主面１４ａ（支持基板１２側とは反対側の表面）と、ガラス基板１８の第１主面１８ａとを積層面として、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とが剥離可能に積層している。つまり、無機層１４は、その一方の面が支持基板１２の層に固定されると共に、その他方の面がガラス基板１８の第１主面１８ａに接し、無機層１４とガラス基板１８との界面は剥離可能に密着されている。言い換えると、無機層１４は、ガラス基板１８の第１主面１８ａに対して易剥離性を具備している。

【0015】

また、このガラス積層体１０は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体１０は、そのガラス基板１８の第２主面１８ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、無機層付き支持基板１６の層は、ガラス基板１８の層との界面で剥離され、無機層付き支持基板１６の層は電子デバイスを構成する部材とはならない。分離された無機層付き支持基板１６は新たなガラス基板１８と積層され、新たなガラス積層体１０として再利用することができる。

【0016】

本発明において、上記固定と（剥離可能な）密着は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。具体的には、無機層１４と支持基板１２との界面の剥離強度が、ガラス積層体１０中の無機層１４とガラス基板１８との界面の剥離強度よりも大きくなる。
また、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。つまり、本発明のガラス積層体１０において、ガラス基板１８と支持基板１２とを分離する操作を行った場合、密着された面（無機層１４とガラス基板１８との界面）で剥離し、固定された面では剥離しないことを意味する。したがって、ガラス積層体１０をガラス基板１８と支持基板１２とに分離する操作を行うと、ガラス積層体１０はガラス基板１８と無機層付き支持基板１６との２つに分離される。

【0017】

以下では、まず、ガラス積層体１０を構成する無機層付き支持基板１６およびガラス基板１８について詳述し、その後ガラス積層体１０の製造の手順について詳述する。

【0018】

［無機層付き支持基板］
無機層付き支持基板１６は、支持基板１２と、その表面上に配置（固定）される無機層１４とを備える。無機層１４は、後述するガラス基板１８と剥離可能に密着するように、無機層付き支持基板１６中の最外側に配置される。
以下に、支持基板１２、および、無機層１４の態様について詳述する。

【0019】

（支持基板）
支持基板１２は、第１主面と第２主面とを有し、第１主面上に配置された無機層１４と協働して、ガラス基板１８を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１８の変形、傷付き、破損などを防止する基板である。
支持基板１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。支持基板１２は、部材形成工程が熱処理を伴う場合、ガラス基板１８との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１８と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１８と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

【0020】

支持基板１２の厚さは、後述するガラス基板１８よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１８の厚さ、無機層１４の厚さ、および後述するガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１８の厚さおよび無機層１４の厚さの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

【0021】

支持基板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

【0022】

支持基板１２とガラス基板１８との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反るおそれがある。ガラス基板１８の材料と支持基板１２の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

【0023】

（無機層）
無機層１４は、支持基板１２の主面上に配置（固定）され、ガラス基板１８の第１主面１８ａと接触する層である。無機層１４を支持基板１２上に設けることにより、高温条件下の長時間処理後においても、ガラス基板１８の接着を抑制することができる。

【0024】

無機層１４は、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する。なかでも、ガラス基板１８の無機層１４に対する剥離性がより優れる点で、タングステンシリサイド、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化ケイ素、および炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。なかでも、窒化ケイ素および／または炭化ケイ素を含むことがより好ましい。上記の成分が好ましい理由としては、メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物中に含まれる、Ｓｉ、ＮまたはＣと、それら元素と組み合わされる元素との間の電気陰性度の差の大きさが起因していると推測される。電気陰性度の差が小さいと、分極が小さく、水との反応で水酸基を生成し難いため、ガラス基板の無機層１４に対する剥離性がより良好となる。より具体的には、ＳｉＮにおいてはＳｉ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．１４で、ＡｌＮにおいてはＡｌ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．４３であり、ＴｉＮにおいてはＴｉ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．５０である。３つを比較すると、ＳｉＮが電気陰性度の差が最も小さく、ガラス基板１８の無機層１４に対する剥離性もより優れる。
なお、無機層１４には、上記成分が２種以上含まれていてもよい。

【0025】

メタルシリサイドの組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。さらに、上記金属／シリコン元素比を変化させることによって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。
また、窒化物の組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂ、Ｃｒ、ＭｏおよびＢａからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。さらに、上記金属／窒素元素比を変化させることによって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。
また、炭化物および炭窒化物の組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、およびＮｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。さらに、上記金属／炭素元素比を変化させることによって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。

【0026】

また、無機層１４は、その一部が酸化されていてもよい。つまり、無機層１４には、酸素原子（酸素元素）（Ｏ）が含まれていてもよい。
なお、上記メタルシリサイド、窒化物、炭化物および炭窒化物においては、酸素原子の添加量によって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。

【0027】

より具体的には、メタルシリサイドとしては、例えば、ＷＳｉ、ＦｅＳｉ、ＭｎＳｉ、ＭｇＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｒＳｉ、ＲｕＳｉ、ＲｅＳｉ、ＣｏＳｉ、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉ、ＴｉＳｉ、ＺｒＳｉ、ＢａＳｉなどが挙げられる。
窒化物としては、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＣｒＮ、ＢＮ、ＭｏＮ、ＡｌＮ、ＺｒＮなどが挙げられる。
炭化物としては、例えば、ＴｉＣ、ＷＣ、ＳｉＣ、ＮｂＣ、ＺｒＣなどが挙げられる。
炭窒化物としては、例えば、ＴｉＣＮ、ＷＣＮ、ＳｉＣＮ、ＮｂＣＮ、ＺｒＣＮなどが挙げられる。

【0028】

無機層１４の平均線膨張係数は特に制限されないが、支持基板１２としてガラス板を使用する場合は、その平均線膨張係数は１０×１０^-7〜２００×１０^-7／℃が好ましい。該範囲であれば、ガラス板（ＳｉＯ₂）との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下におけるガラス基板１８と無機層付き支持基板１６との位置ずれをより抑制することができる。

【0029】

無機層１４は、上記メタルシリサイド、窒化物、炭化物、および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種が主成分として含まれていることが好ましい。ここで、主成分とは、これらの総含有量が、無機層１４全量に対して、９０質量％以上であることを意味し、９８質量％以上であることが好ましく、９９質量％以上であることがより好ましく、９９．９９９質量％以上であることが特に好ましい。

【0030】

無機層１４の厚みは特に制限されないが、耐擦傷性を維持する点では、５〜５０００ｎｍが好ましく、１０〜５００ｎｍがより好ましい。
無機層１４は、図１において単層として記載されているが、２層以上の積層であってもよい。２層以上の積層の場合、各層ごとが異なる組成であってもよい。

【0031】

無機層１４は、通常、図１に示すように支持基板１２の一方の主面全体に設けられるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板１２表面上の一部に設けられていてもよい。例えば、無機層１４が、支持基板１２表面上に、島状や、ストライプ状に設けられていてもよい。

【0032】

さらに、無機層１４のガラス基板１８に接した面（すなわち、無機層１４の第１主面１４ａ）の表面粗さ（Ｒａ）は２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。下限値は特に制限されないが、０が最も好ましい。上記範囲であれば、ガラス基板１８との密着性がより良好となり、ガラス基板１８の位置ずれなどをより抑制することができると共に、ガラス基板１８の剥離性にも優れる。
ＲａはＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１年改正）に従って測定される。

【0033】

無機層１４は、優れた耐熱性を示す。そのため、ガラス積層体１０を高温条件に曝しても層自体の化学変化が起きにくく、後述するガラス基板１８との間でも化学結合を生じにくく、重剥離化によるガラス基板１８の無機層１４への付着が生じにくい。
上記重剥離化とは、無機層１４とガラス基板１８との界面の剥離強度が、支持基板１２と無機層１４との界面の剥離強度、および、無機層１４の材料自体の強度（バルク強度）のいずれかよりも大きくなることをいう。無機層１４とガラス基板１８との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板１８表面に無機層１４の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板１８表面への無機層１４の付着とは、無機層１４全体がガラス基板１８表面に付着すること、および、無機層１４表面が損傷し無機層１４表面の成分の一部がガラス基板１８表面に付着すること、などを意味する。

【0034】

（無機層付き支持基板の製造方法）
無機層付き支持基板１６の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法、または、ＣＶＤ法により、支持基板１２上に所定の成分からなる無機層１４を設ける方法が挙げられる。
製造条件は、使用される材料に応じて、適宜最適な条件が選択される。
なお、必要に応じて、支持基板１２上に形成された無機層１４の表面性状（例えば、表面粗さＲａ）を制御するために、無機層１４の表面を削る処理を施してもよい。該処理としては、例えば、イオンスパッタリング法などが挙げられる。

【0035】

［ガラス基板］
ガラス基板１８は、第１主面１８ａが無機層１４と密着し、無機層１４側とは反対側の第２主面１８ｂに後述する電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１８の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１８は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

【0036】

ガラス基板１８は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

【0037】

ガラス基板１８のガラスは、特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

【0038】

ガラス基板１８のガラスとしては、デバイスの種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１８のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

【0039】

ガラス基板１８の厚さは、特に限定されないが、ガラス基板１８の薄型化および／または軽量化の観点から、通常０．８ｍｍ以下であり、好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ超の場合、ガラス基板１８の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１８に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１８をロール状に巻き取ることが可能である。また、ガラス基板１８の厚さは、ガラス基板１８の製造が容易であること、ガラス基板１８の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

【0040】

なお、ガラス基板１８は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

【0041】

ガラス基板１８の第１主面１８ａ上には、さらに無機薄膜層が積層されていてもよい。
無機薄膜層がガラス基板１８上に配置（固定）される場合、ガラス積層体中においては、無機層付き支持基板１６の無機層１４と無機薄膜層とが接触する。無機薄膜層をガラス基板１８上に設けることにより、高温条件下の長時間処理後においても、ガラス基板１８と無機層付き支持基板１６との接着をより抑制することができる。
無機薄膜層の態様は特に限定されないが、好ましくは、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、金属珪化物および金属弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含む。なかでも、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、金属酸化物を含むことが好ましい。なかでも、酸化インジウムスズがより好ましい。

【0042】

金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、ＩｎおよびＢａから選ばれる１種類以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。より具体的には、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。

【0043】

金属炭化物、金属炭窒化物としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物が挙げられる。金属珪化物としては、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。金属弗化物としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。

【0044】

＜ガラス積層体およびその製造方法＞
本発明のガラス積層体１０は、上述した無機層付き支持基板１６において無機層１４の第１主面１４ａとガラス基板１８の第１主面１８ａとを積層面として、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを剥離可能に積層してなる積層体である。言い換えると、支持基板１２とガラス基板１８との間に、無機層１４が介在する積層体である。
本発明のガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、具体的には、常圧環境下で無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

【0045】

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が好ましく行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

【0046】

無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを剥離可能に密着させる際には、無機層１４およびガラス基板１８の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほどその平坦性は良好となるので好ましい。
洗浄の方法は特に制限されないが、例えば、無機層１４またはガラス基板１８の表面をアルカリ水溶液で洗浄した後、さらに水を用いて洗浄する方法が挙げられる。

【0047】

本発明のガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、３５０℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。

【0048】

＜電子デバイスおよびその製造方法＞
次に、電子デバイスおよびその製造方法の好適実施態様について詳述する。
図２は、本発明の電子デバイスの製造方法の好適実施態様における各製造工程を順に示す模式的断面図である。本発明の電子デバイスの好適実施態様は、部材形成工程および分離工程を備える。
以下に、図２を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、部材形成工程について詳述する。

【0049】

［部材形成工程］
部材形成工程は、ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する工程である。
より具体的には、図２（Ａ）に示すように、本工程において、ガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に電子デバイス用部材２０が形成され、電子デバイス用部材付き積層体２２が製造される。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

【0050】

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材２０は、ガラス積層体１０中のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。

【0051】

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用部材としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

【0052】

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂの表面上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
なお、電子デバイス用部材２０は、ガラス基板１８の第２主面１８ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。また、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１主面）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて電子デバイスを組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。

【0053】

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂの表面上に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

【0054】

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法は、ガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ付きデバイス基板とＣＦ付きデバイス基板とを積層する貼り合わせ工程等の各種工程を有する。

【0055】

ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板１８の第２主面１８ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板１８の第２主面１８ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。

【0056】

貼り合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体と、ＣＦ付き積層体との間に液晶材を注入して積層する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

【0057】

［分離工程］
分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイス用部材２０およびガラス基板１８を含む電子デバイス２４（電子デバイス用部材付きガラス基板）を得る工程である。つまり、電子デバイス用部材付き積層体２２を、無機層付き支持基板１６と電子デバイス用部材付きガラス基板２４とに分離する工程である。
剥離時のガラス基板１８上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１８上に形成することもできる。

【0058】

無機層１４の第１主面１４ａとガラス基板１８の第１主面１８ａとを剥離（分離）する方法は、特に限定されない。例えば、無機層１４とガラス基板１８との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２の支持基板１２が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物を無機層１４−ガラス基板１８界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板１２側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると無機層１４とガラス基板１８との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面の全面に広がり、無機層付き支持基板１６を容易に剥離することができる。

【0059】

上記工程によって得られた電子デバイス２４は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

【実施例】

【0060】

以下に、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．３ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦７２０ｍｍ、横６００ｍｍ、板厚０．４ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

【0061】

＜実施例１＞
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＴｉＮ（窒化チタン）層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。

【0062】

次に、ガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。無機層付き支持基板の無機層の露出表面とガラス基板の清浄化した表面とに、アルカリ水溶液による洗浄および水による洗浄を施した後、清浄化された両面を室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａ１を得た。
得られたガラス積層体Ａ１においては、無機層付き支持基板とガラス基板は、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

【0063】

ガラス積層体Ａ１に対して、大気雰囲気にて、３５０℃で１時間加熱処理を施した。
次に、剥離試験を行った。具体的には、まず、ガラス積層体Ａ１におけるガラス基板の第２主面を固定台上に固定し、支持基板の第２主面を吸着パッドで吸着した。次に、ガラス積層体Ａ１が有する４つの角部のうちの１つであって無機層とガラス基板との界面に、厚さ０．４ｍｍのナイフを挿入して、ガラス基板を僅かに剥離し、剥離のきっかけを与えた。次に、吸着パッドを固定台から離れる方向へ移動させて、無機層付き支持基板とガラス基板とを剥離した。剥離されたガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。
なお、該結果より、無機層と支持基板の層との界面の剥離強度が、無機層とガラス基板との界面の剥離強度よりも大きいことが確認された。

【0064】

＜実施例２＞
ＴｉＮ層を形成する代わりに、以下の手順に従ってＡｌＮ（窒化アルミニウム）層を作製した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａ２を製造した。

【0065】

（ＡｌＮ層の作製手順）
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＡｌＮ層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。

【0066】

ガラス積層体Ａ１の代わりに、ガラス積層体Ａ２を使用して、実施例１と同様の手順でガラス基板の剥離を実施したところ、無機層付き支持基板とガラス基板とに剥離（分離）できた。剥離されたガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。

【0067】

＜実施例３＞
ＴｉＮ層を形成する代わりに、以下の手順に従ってＷＳｉ（タングステンシリサイド）層を作製した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａ３を製造した。

【0068】

（ＷＳｉ層の作製手順）
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（室温、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＷＳｉ層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。

【0069】

ガラス積層体Ａ１の代わりに、ガラス積層体Ａ３を使用して、実施例１と同様の手順でガラス基板の剥離を実施したところ、無機層付き支持基板とガラス基板とに剥離（分離）できた。剥離されたガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。

【0070】

＜実施例４＞
ガラス基板の代わりに、後述する無機薄膜層付きガラス基板を使用した以外は、実施例３と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａ４を製造した。なお、ガラス積層体Ａ４においては、無機層と無機薄膜層とが接触している。

【0071】

（無機薄膜層付きガラス基板）
ガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ層（無機薄膜層に該当）を形成し、無機薄膜層付きガラス基板を得た。ＩＴＯ層の表面粗さＲａは、０．８５ｎｍであった。

【0072】

ガラス積層体Ａ１の代わりにガラス積層体Ａ４を使用し、加熱温度を３５０℃から４５０℃に変更した以外は、実施例１と同様の手順でガラス基板の剥離を実施したところ、無機層付き支持基板と無機薄膜層付きガラス基板とに剥離（分離）できた。剥離された無機薄膜層付きガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。

【0073】

＜実施例５＞
ＷＳｉ層を形成する代わりに、以下の手順に従ってＳｉＣ（炭化ケイ素）層を作製した以外は、実施例４と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａ５を製造した。

【0074】

（ＳｉＣ層の作製手順）
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（室温、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＳｉＣ層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。

【0075】

ガラス積層体Ａ１の代わりに、ガラス積層体Ａ５を使用し、加熱温度を３５０℃から６００℃に変更した以外は、実施例１と同様の手順でガラス基板の剥離を実施したところ、無機層付き支持基板と無機薄膜層付きガラス基板とに剥離（分離）できた。剥離された無機薄膜層付きガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。

【0076】

＜実施例６＞
ＴｉＮ層を形成する代わりに、以下の手順に従ってＳｉＮ（窒化ケイ素）層を作製した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａ６を製造した。

【0077】

（ＳｉＮ層の作製手順）
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＳｉＮ層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。

【0078】

ガラス積層体Ａ１の代わりにガラス積層体Ａ６を使用し、加熱温度を３５０℃から６００℃に変更した以外は、実施例１と同様の手順でガラス基板の剥離を実施したところ、無機層付き支持基板とガラス基板とに剥離（分離）できた。剥離されたガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。

【0079】

＜実施例７＞
ＴｉＮ層を形成する代わりに、以下の手順に従ってＳｉＣ（炭化ケイ素）層を作製した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａ７を製造した。

【0080】

（ＳｉＣ層の作製手順）
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（室温、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ２０ｎｍのＳｉＣ層（無機層に該当）を形成し、無機層付き支持基板を得た。

【0081】

ガラス積層体Ａ１の代わりにガラス積層体Ａ７を使用し、加熱温度を３５０℃から６００℃に変更した以外は、実施例１と同様の手順でガラス基板の剥離を実施したところ、無機層付き支持基板とガラス基板とに剥離（分離）できた。剥離されたガラス基板の面上には、無機層の残渣はなかった。

【0082】

＜比較例１＞
支持基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。さらに、清浄化した面に、マグネトロンスパッタリング法（加熱温度３００℃、成膜圧力５ｍＴｏｒｒ、パワー密度４．９Ｗ／ｃｍ²）により、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ層（酸化インジウムスズ層）を形成し、ＩＴＯ層付き支持基板を得た。ＩＴＯ層の表面粗さＲａは、０．８５ｎｍであった。

【0083】

次に、ガラス基板の一方の主面を純水洗浄し、その後ＵＶ洗浄して清浄化した。ガラス基板の清浄化した面とＩＴＯ層付き支持基板のＩＴＯ層の露出表面とをアルカリ水溶液による洗浄および水による洗浄を施した後、清浄化された両面を室温下で真空プレスにより張り合わせ、ガラス積層体Ｂ１を得た。
得られたガラス積層体Ｂ１においては、ＩＴＯ層付き支持基板とガラス基板は、気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなく、平滑性も良好であった。

【0084】

ガラス積層体Ｂ１に対して、大気雰囲気にて、３５０℃で１時間加熱処理を施した。
次に、実施例１と同様の手順に従って、ＩＴＯ層付き支持基板の無機層とガラス基板との界面に、ナイフを挿入してガラス基板の剥離を試みたが、ガラス基板を剥離することはできなかった。

【0085】

上記実施例１〜７および比較例１の結果を以下の表１にまとめて示す。
なお、実施例２〜７においては、実施例１と同様に、上記ガラス基板の剥離の結果より、無機層と支持基板の層との界面の剥離強度が、無機層とガラス基板との界面の剥離強度よりも大きいことが確認された。
また、表１中、「無機層」欄は、支持基板上に配置（固定）された無機層の種類を示す。「無機薄膜層」欄は、ガラス基板上に配置（固定）された無機薄膜層の種類を示す。「加熱温度（℃）」欄は、ガラス積層体を加熱した際の温度を示す。「剥離性評価」欄は、加熱処理後にガラス基板と支持基板との剥離ができた場合を「Ａ」、剥離ができなかった場合を「Ｂ」として示す。

【0086】

【表1】

【0087】

表１に示すように、実施例１〜７で得られたガラス積層体は、高温条件下の処理の後であっても、ガラス基板を容易に剥離することができた。
なかでも、実施例３と４との比較より、ガラス基板の表面上に無機薄膜層を設けた場合、より高温（４５０℃）においてもガラス基板の剥離ができることが確認された。
また、実施例１〜２と実施例６〜７との比較より、無機層としてＳｉＮまたはＳｉＣを使用した場合、より高温（６００℃）においてもガラス基板の剥離ができることが確認された。
一方、特許文献１で具体的に使用されている金属酸化物であるＩＴＯを使用した比較例１においては、３５０℃の加熱条件においてもガラス基板の剥離ができないことが確認された。

【0088】

＜実施例８＞
本例では、実施例１で製造された、ガラス積層体を用いてＯＬＥＤを作製した。
より具体的には、ガラス積層体におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜して、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
続いて、ガラス基板の第２主面側に、さらに蒸着法により正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン、発光層として８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したもの、電子輸送層としてＡｌｑ₃をこの順に成膜した。次に、ガラス基板の第２主面側にスパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、対向電極を形成したガラス基板の第２主面上に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって得られた、ガラス基板上に有機ＥＬ構造体を有するガラス積層体は、電子デバイス用部材付き積層体に該当する。
続いて、得られたガラス積層体の封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス積層体のコーナー部の無機層とガラス基板との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス積層体から無機層付き支持基板を分離して、ＯＬＥＤパネル（電子デバイスに該当。以下パネルＡという）を得た。作製したパネルＡにＩＣドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。

【0089】

＜実施例９＞
本例では、実施例１で製造された、ガラス積層体を用いてＬＣＤを作製した。
ガラス積層体を２枚用意し、まず、片方のガラス積層体におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２主面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成したガラス基板の第２主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られたガラス積層体を、ガラス積層体Ｘ１と呼ぶ。
次に、もう片方のガラス積層体におけるガラス基板の第２主面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けたガラス基板の第２主面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、ガラス基板の第２主面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けたガラス基板の第２主面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成したガラス基板の第２主面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、ガラス基板の第２主面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述したガラス積層体Ｘ１を用いて、２枚のガラス積層体のガラス基板の第２主面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりＬＣＤパネルを有する積層体を得た。ここでのＬＣＤパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体Ｘ２という。
次に、実施例１と同様にパネル付き積層体Ｘ２から両面の無機層付き支持基板を剥離し、ＴＦＴアレイを形成した基板およびカラーフィルタを形成した基板からなるＬＣＤパネルＢ（電子デバイスに該当）を得た。
作製したＬＣＤパネルＢにＩＣドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。

【0090】

本出願は、２０１２年５月２９日出願の日本特許出願２０１２−１２２４９２に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

【符号の説明】

【0091】

１０ ガラス積層体
１２ 支持基板
１４ 無機層
１６ 無機層付き支持基板
１８ ガラス基板
２０ 電子デバイス用部材
２２ 電子デバイス用部材付き積層体
２４ 電子デバイス（電子デバイス用部材付きガラス基板）

【図1】

【図2】