(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上述のブレーキング装置を用いる分割方法において、ウェーハは、所定の方向(以下、第1方向)に延びる複数の分割起点溝に沿って押圧刃で力を加えられ、短冊状に分割される。第1方向に延びる全ての分割起点溝でウェーハが分割された後には、分割された複数のウェーハ片は、互いの位置関係を維持した状態で鉛直軸周りに90°回転される。そして、複数のウェーハ片は、第1方向に直交する方向(以下、第2方向)に延びる複数の分割起点溝に沿って押圧刃で力を加えられ、各チップに分割される。
【0006】
しかしながら、この分割方法では、第1方向に延びる分割起点溝で分割された複数のウェーハ片は、第2方向に延びる分割起点溝で分割されるまでの間に動いてしまい、ウェーハ片の相互の位置関係が変わってしまうことがある。ウェーハ片の位置関係が変わってしまうと、第2方向に延びる分割起点溝の位置もずれてしまい、押圧刃により力を加える方法でウェーハ片を適切に分割するのは困難になる。この問題は、ウェーハを小チップ(例えば、1mm角以下)に分割する場合には特に深刻である。
【0007】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、分割予定ラインに沿ってウェーハを適切に分割可能なウェーハの分割方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明のウェーハの分割方法は、表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの分割方法であって、該表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ貼着工程を実施した後に、該保護テープを保持手段に保持しウェーハの裏面から該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し分割する起点となる分割起点領域を形成するレーザー光線照射工程と、該レーザー光線照射工程を実施した後に、ウェーハの露呈する裏面側から、外部刺激を与えることにより硬化する液状樹脂を供給しウェーハの外周全周に渡って該樹脂が該保護テープに至りウェーハ全体が該樹脂に埋没するまで樹脂を塗布し、該樹脂に外部刺激を与えて硬化させウェーハを樹脂で被覆する樹脂被覆工程と、樹脂被覆工程の後に、押圧手段により該樹脂側から押圧することにより該分割予定ラインに沿って外力を付与しウェーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後に、ウェーハから該樹脂を剥離する樹脂除去工程と、を備えることを特徴とする。
【0009】
この構成によれば、ウェーハ全体を埋没させるようにウェーハの裏面側から樹脂を塗布して硬化させるので、ウェーハは、裏面全面及び外周全周を樹脂で被覆された状態で保護テープに固定される。これにより、後の分割工程において分割されたウェーハ片の相対位置がずれてしまうことはないので、分割予定ラインに沿ってウェーハを適切に分割可能となる。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、分割予定ラインに沿ってウェーハを適切に分割可能なウェーハの分割方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの分割方法について説明する。
図1は、本実施の形態に係る分割方法の対象となるウェーハの全体図である。
図1Aは、ウェーハの斜視図を示し、
図1Bは、ウェーハの中心線に沿う断面図を示す。
図1に示すように、ウェーハWは、略円板状の外形形状を有しており、表面W1に配列された格子状の分割予定ライン(不図示)で複数の領域に区画されている。ウェーハWにおいて分割予定ラインで区画された各領域には、デバイスDが形成されている。
【0013】
このウェーハWは、保護テープ貼着工程、レーザー光線照射工程、樹脂被覆工程、分割工程、樹脂除去工程を含む分割方法で分割される。保護テープ貼着工程では、デバイスDの形成されたウェーハWの表面W1側に保護テープTを貼着する(
図1B参照)。レーザー光線照射工程では、分割予定ラインに沿ってウェーハWの裏面W2側にレーザー光線を照射し、分割の起点となる改質層(分割起点領域)Aを形成する(
図2参照)。
【0014】
樹脂被覆工程では、ウェーハW全体を埋没させるようにウェーハWの裏面W2側から液状の樹脂Rを塗布して硬化させ、ウェーハWの裏面W2全面及び外周W3全周を樹脂Rで被覆する(
図3、
図4参照)。分割工程では、ウェーハWの裏面W2側から分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウェーハWをデバイスDに対応する複数のチップCに分割する(
図5参照)。樹脂除去工程では、分割されたウェーハWから樹脂Rを剥離して除去する(
図6参照)。
【0015】
本実施の形態では、樹脂被覆工程においてウェーハWの裏面W2側からウェーハW全体を埋没させるように樹脂Rを塗布するので、ウェーハWは、裏面W2全面及び外周W3全周を樹脂Rで被覆された状態で保護テープTに固定される。これにより、後の分割工程での位置ずれを防止して、分割予定ラインに沿ってウェーハWを適切に分割できるようになる。以下、本実施の形態に係るウェーハの分割方法の詳細について説明する。
【0016】
図1Bに示すように、まず、保護テープ貼着工程において、環状のフレームFに張られた保護テープTをウェーハWの表面W1側に貼着させる。後のレーザー光線照射工程や分割工程などにおいて、ウェーハWは、表面W1側を支持された状態で処理される。このため、ウェーハWの表面W1側に保護テープTを貼着させることで、表面W1側のデバイスDを保護テープTによって保護する。
【0017】
保護テープ貼着工程の後には、レーザー光線照射工程が実施される。
図2は、レーザー光線照射工程においてウェーハに改質層(分割起点領域)が形成される様子を示す図である。レーザー光線照射工程では、
図2に示すように、レーザー加工装置1により分割の起点となる改質層(分割起点領域)Aが形成される。レーザー加工装置1は、ポーラスセラミック材による吸着面を有する保持テーブル(保持手段)11と、保持テーブル11の上方の加工ヘッド12とを備えている。
【0018】
ウェーハWは、表面W1に貼着された保護テープTを介して保持テーブル11に保持される。また、加工ヘッド12の射出口がウェーハWの分割予定ラインに位置付けられ、ウェーハWの裏面W2側に向けてレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウェーハWに対して透過性を有する波長であり、ウェーハWの内部に集光するように調整されている。レーザー光線の集光点が調整された状態で、ウェーハWに対して加工ヘッド12が相対移動されることで、ウェーハWの内部に分割予定ラインに沿う改質層Aが形成される。
【0019】
具体的には、まず、ウェーハWの表面W1(下面)付近に集光点が調整され、全ての分割予定ラインの表面W1近傍に改質層Aを形成するようにレーザー光線が照射される。次に、集光点の高さが裏面W2側(上方)に移動され、再び分割予定ラインに沿ってレーザー光線が照射される。このように、レーザー光線の照射と集光点の移動とが繰り返されることで、ウェーハWの内部に所定の厚さの改質層Aが形成される。この改質層Aは、例えば、レーザー光線の照射によってウェーハWの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態に改質された領域である。
【0020】
なお、本実施の形態では、分割の起点となる分割起点領域として改質層Aを形成しているが、本発明のレーザー光線照射工程で形成される分割起点領域は改質層に限定されない。例えば、分割起点領域として、レーザーアブレーションによる分割起点溝を形成しても良い。
【0021】
レーザー光線照射工程の後には、樹脂被覆工程が実施される。
図3は、樹脂被覆工程においてウェーハに樹脂が塗布される様子を示す図である。
図4は、樹脂被覆工程においてウェーハに塗布された樹脂が硬化される様子を示す図である。
【0022】
図3Aに示すように、樹脂被覆工程では、まず、樹脂塗布装置2においてウェーハWの裏面W2側に液状の樹脂Rが塗布される。樹脂塗布装置2は、下方に向けて液状物を吐出可能なノズル21を備えており、このノズル21から、ウェーハWを被覆する樹脂Rが吐出される。ノズル21から裏面W2の中央付近に滴下された樹脂Rは、スピンテーブル(不図示)などによりウェーハWを回転させることで放射状に広がる。そして、
図3B及び
図4に示すように、ウェーハWの裏面W2及び外周W3は、樹脂Rで覆われる。
【0023】
この樹脂被覆工程では、ウェーハWの外周W3を覆う樹脂Rが、外周W3全周に渡って保護テープTにまで至るように、樹脂Rの滴下量は調節される。このように、ウェーハWの全体を樹脂Rに埋没させて樹脂Rを硬化させることで、ウェーハWを保護テープTに強固に固定できる。その結果、後の分割工程におけるウェーハWの位置ずれを防止して、適切な分割が可能になる。
【0024】
ウェーハWに塗布される樹脂Rは、例えば、紫外光を照射されることで硬化される無溶剤の光硬化樹脂(光硬化性樹脂)である。ただし、外部刺激により硬化する樹脂Rであれば、光硬化樹脂でなくとも良い。例えば、樹脂Rとして、熱硬化樹脂(熱硬化性樹脂)などを用いることもできる。
【0025】
ウェーハWに樹脂Rを塗布した後には、
図4に示すように、紫外光照射装置3で樹脂Rに紫外光UVを照射する。紫外光照射装置3は、保護テープTを介してウェーハWを保持する保持テーブル31と、保持テーブル31の上方の紫外光源32とを備えている。この保持テーブル31にウェーハWを保持させ、紫外光源32から紫外光UVを照射させることで、ウェーハWの裏面W2及び外周W3に塗布された樹脂Rは硬化される。樹脂Rが硬化されると、樹脂被覆工程は終了する。
【0026】
樹脂被覆工程の後には、分割工程が実施される。
図5は、分割工程においてウェーハが分割される様子を示す図である。
図5に示すように、本実施の形態の分割工程では、ウェーハWは、ブレーキング装置4で分割される。ブレーキング装置4は、ウェーハWの載置される一対の支持刃41(41a,41b)と、支持刃41の上方に設けられた押圧刃(押圧手段)42と、支持刃41の下方においてウェーハWを撮像するカメラ43とを備える。押圧刃42は、支持刃41aと支持刃41bとの間に位置付けられており、押圧機構(不図示)で上下動される。
【0027】
分割工程では、まず、保護テープTを介してウェーハWを支持刃41上に載置させ、カメラ43でウェーハWの表面W1側を撮像させる。改質層Aは、レーザー光線の照射により改質された領域であり、ウェーハWの他の領域とは異なる透過率及び反射率を有している。このため、カメラ43で撮像される画像(撮像画像)に基づいて、改質層Aの位置を認識できる。
【0028】
カメラ43でウェーハWの表面W1側を撮像させた後には、撮像画像に基づきウェーハWを支持刃41に対して相対移動させ、改質層Aを支持刃41aと支持刃41bとの間に位置付ける。すなわち、
図5Aに示すように、改質層Aを押圧刃42の直下に位置付ける。
【0029】
その後、
図5Bに示すように、押圧刃42を降下させてウェーハWを樹脂R側から押圧させる。ウェーハWは、支持刃41によって改質層Aの両側を下方から支持されている。また、樹脂Rは、押圧刃42の押圧で撓む程度の弾性を有している。このため、押圧刃42が降下されると、ウェーハWの改質層Aには、押圧刃42による下向きの曲げ応力が加えられる。このように、分割予定ラインに沿って形成された改質層Aに曲げ応力が加えられることで、ウェーハWは分割予定ラインに沿って分割される。
【0030】
具体的には、まず、第1方向に延びる分割予定ラインの改質層Aに沿って押圧刃42で力を加え、ウェーハWを短冊状のウェーハ片(不図示)に分割する。第1方向に延びる全ての分割予定ラインでウェーハWを分割した後には、複数のウェーハ片を支持刃41及び押圧刃42に対して90°回転させる。そして、第1方向に直交する第2方向に延びる分割予定ラインに沿って押圧刃42で力を加え、複数のウェーハ片を個々のデバイスDに対応するチップCに分割する(
図5A、
図5B)。
【0031】
この分割工程において、ウェーハWは、樹脂Rに埋没された状態で分割されるので、分割後のウェーハ片の水平方向の動きは樹脂Rによって抑制される。また、ウェーハWは、樹脂Rと保護テープTとで上下を挟み込まれるように保持されているので、分割後のウェーハ片の鉛直方向の動きも抑制される。これにより、分割されたウェーハ片の相対位置がずれてしまうことはなくなるので、ウェーハWは、分割予定ラインに沿って適切に分割される。
【0032】
分割工程の後には、樹脂除去工程が実施される。
図6は、樹脂除去工程においてウェーハから樹脂が除去される様子を示す図である。樹脂除去工程では、まず、樹脂Rをヒーター(不図示)で加熱し、軟化させる。樹脂Rの軟化は、加水処理などで樹脂Rを膨潤させるようにして行っても良い。次に、
図6に示すように、樹脂Rの一端を把持し、中心を挟んで対称な他端側に向けて樹脂Rを引っ張る。その結果、樹脂RはウェーハWから剥離されるように除去される。樹脂除去工程は、例えば、剥離装置(不図示)によって行われるが、オペレータの手作業により行われても良い。
【0033】
以上のように、本実施の形態に係るウェーハの分割方法によれば、ウェーハW全体を埋没させるようにウェーハWの裏面W2側から樹脂Rを塗布して硬化させるので、ウェーハWは、裏面W2全面及び外周W3全周を樹脂Rで被覆された状態で保護テープTに固定される。つまり、ウェーハWは、樹脂Rと保護テープTとで上下を挟み込まれると共に、樹脂Rで外周W3全周を覆われているので、分割工程で分割されたウェーハ片の水平方向の動き及び鉛直方向の動きはいずれも抑制される。これにより、分割されたウェーハ片の相対位置がずれてしまうことはなくなるので、分割予定ラインに沿ってウェーハWを適切に分割できる。
【0034】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、ウェーハの裏面全面及び外周全周に樹脂を塗布する方法を示しているが、分割されたウェーハ片の位置ずれを防止できれば、樹脂は部分的に塗布されても良い。
【0035】
また、本発明の分割方法の対象となるウェーハの種類は特に限定されない。例えば、シリコンウェーハ、ガリウム砒素(GaAs)基板、シリコンカーバイド(SiC)基板、窒化ガリウム(GaN)基板などの各種半導体基板、セラミック基板、ガラス基板、サファイア基板などの各種絶縁体基板を適宜用いることができる。
【0036】
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。