特許 6021362 板状物の研削方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6021362

(24)【登録日】2016年10月14日

(45)【発行日】2016年11月9日

(54)【発明の名称】板状物の研削方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20161027BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 622J

【請求項の数】1

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-52856(P2012-52856)

(22)【出願日】2012年3月9日

(65)【公開番号】特開2013-187453(P2013-187453A)

(43)【公開日】2013年9月19日

【審査請求日】2015年2月17日

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100121083

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 宏義

(74)【代理人】

【識別番号】100138391

【弁理士】

【氏名又は名称】天田 昌行

(74)【代理人】

【識別番号】100132067

【弁理士】

【氏名又は名称】岡田 喜雅

(74)【代理人】

【識別番号】100137903

【弁理士】

【氏名又は名称】菅野 亨

(74)【代理人】

【識別番号】100150304

【弁理士】

【氏名又は名称】溝口 勉

(72)【発明者】

【氏名】下谷 誠

【審査官】 内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−０２９４５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−０７６１０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２４３９０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−１８３４４４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持部材上に貼着された板状物の裏面を研削して所定厚みへ薄化する板状物の研削方法であって、
外部からの力により湾曲可能な厚さに形成された金属製の支持部材の表面及び前記板状物の表面の少なくとも一方に光硬化樹脂を塗布し、前記支持部材の表面に前記板状物の表面を対面させ前記板状物を前記光硬化樹脂に埋没させて前記板状物の外周全周に渡って光硬化樹脂が前記板状物の裏面まで隆起するまで前記板状物を押圧して載置する板状物載置工程と、
前記板状物載置工程を実施した後、前記光硬化樹脂に前記板状物を介して紫外線を照射して前記支持部材上に板状物を固定する板状物固定工程と、
前記板状物固定工程を実施した後、前記支持部材側を保持テーブルで保持して板状物の裏面を研削し前記所定厚みへと薄化する薄化工程と、
前記薄化工程を実施した後、前記光硬化樹脂を加熱または加水して軟化させ、前記板状物の研削面を保持し、前記板状物から前記支持部材及び光硬化樹脂を湾曲させて剥離する除去工程と、
を備え、前記支持部材の光硬化樹脂が塗布される面の表面粗さは、板状物の貼着面の表面粗さより粗く形成され、剥離時には光硬化樹脂は前記支持部材と共に剥離されることを特徴とする板状物の研削方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光デバイスウェーハなどの板状物を研削する研削方法に関し、特に、支持部材に貼着された板状物を研削して所定の厚みへと加工する板状物の研削方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、小型軽量な光デバイスを実現するために、光デバイスウェーハを薄化することが求められている。光デバイスウェーハは、表面の分割予定ラインで区画される各領域に光デバイスが形成された後、裏面を研削されることで薄化される。光デバイスを保護するため、薄化の際には光デバイスウェーハの表面に保護テープを貼着させるのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

ところで、光デバイスウェーハの剛性は、薄化されるにつれて著しく低下する。このため、光デバイスウェーハは、研削処理が進行されるにつれて大きく反らされるようになり、割れやクラックなどの発生する可能性が高まる。また、光デバイスウェーハの外周部がナイフエッジ化されて薄くなると、外周部においてクラックや割れ、欠けなどを生じる恐れもある。

【0004】

研削に伴う上述の問題を解消するため、剛体の支持部材に被加工物である光デバイスウェーハを貼着して研削する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、剛体でなる支持部材で光デバイスウェーハを支持することにより光デバイスウェーハは補強されるので、研削時における光デバイスウェーハの反りなどを抑制して破損を防止できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平５−１９８５４２号公報

【特許文献2】特開２００４−２０７６０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上述の研削方法において、被加工物である光デバイスウェーハは、例えば、固定剤となる樹脂を介して支持部材の表面に固定され、所定の厚みまで研削される。研削後の光デバイスウェーハは、樹脂を軟化させた上で物理的に引き剥がすようにして支持部材と分離される。ところが、薄化後の光デバイスウェーハの剛性は極めて低くなっているので、支持部材を剥離させる際に光デバイスウェーハは破損される恐れがある。

【0007】

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、薄く研削された板状物から支持部材を剥離させる際の板状物の破損を抑制できる板状物の研削方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の板状物の研削方法は、支持部材上に貼着された板状物の裏面を研削して所定厚みへ薄化する板状物の研削方法であって、外部からの力により湾曲可能な厚さに形成された金属製の支持部材の表面及び前記板状物の表面の少なくとも一方に光硬化樹脂を塗布し、前記支持部材の表面に前記板状物の表面を対面させ前記板状物を前記光硬化樹脂に埋没させて前記板状物の外周全周に渡って光硬化樹脂が前記板状物の裏面まで隆起するまで前記板状物を押圧して載置する板状物載置工程と、前記板状物載置工程を実施した後、前記光硬化樹脂に前記板状物を介して紫外線を照射して前記支持部材上に板状物を固定する板状物固定工程と、前記板状物固定工程を実施した後、前記支持部材側を保持テーブルで保持して板状物の裏面を研削し前記所定厚みへと薄化する薄化工程と、前記薄化工程を実施した後、前記光硬化樹脂を加熱または加水して軟化させ、前記板状物の研削面を保持し、前記板状物から前記支持部材及び光硬化樹脂を湾曲させて剥離する除去工程と、を備え、前記支持部材の光硬化樹脂が塗布される面の表面粗さは、板状物の貼着面の表面粗さより粗く形成され、剥離時には光硬化樹脂は前記支持部材と共に剥離されることを特徴とする。

【0009】

この構成によれば、金属製の支持部材で板状物を支持させるので、研削時の板状物の撓みは抑制されて板状物を薄く研削できる。また、金属製の支持部材は、外部からの力により湾曲可能な厚さに形成されているので、剥離時に支持部材を湾曲させて、板状物と支持部材との剥離性を高めることができる。よって、薄く研削された板状物から支持部材を剥離させる際の板状物の破損を抑制できる。また、支持部材の光硬化樹脂が塗布される面の表面粗さは、板状物の貼着面の表面粗さより粗く形成されているので、板状物と光硬化樹脂との密着性と比較して、支持部材と光硬化樹脂との密着性は高められる。これにより、支持部材及び光硬化樹脂を板状物から容易に剥離させることができる。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、薄く研削された板状物から支持部材を剥離させる際の板状物の破損を抑制できる板状物の研削方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本実施の形態の載置工程において支持基板に光硬化樹脂が塗布される様子を示す図である。

【図2】本実施の形態の載置工程において光デバイスウェーハが押圧される様子を示す図である。

【図3】本実施の形態の固定工程において光硬化樹脂に紫外光が照射される様子を示す図である。

【図4】本実施の形態の薄化工程において光デバイスウェーハが研削される様子を示す図である。

【図5】本実施の形態の除去工程において光デバイスウェーハから支持基板及び光硬化樹脂が剥離される様子を示す図である。

【図6】本実施の形態に係る光デバイスウェーハの研削方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る光デバイスウェーハ（板状物）の研削方法は、支持基板（支持部材）に光デバイスウェーハを載置する載置工程（板状物載置工程）、光デバイスウェーハを支持基板に固定する固定工程（板状物固定工程）、光デバイスウェーハを研削して薄化する薄化工程、及び光デバイスウェーハから支持基板を剥離する除去工程を含む。

【0014】

載置工程では、光硬化樹脂の塗布された金属製の支持基板に光デバイスウェーハを押圧して載置する。固定工程では、紫外光（紫外線）を照射して光硬化樹脂を硬化させることで光デバイスウェーハを支持基板に固定する。薄化工程では、光デバイスウェーハの裏面側を研削して光デバイスウェーハを薄化する。除去工程では、光硬化樹脂を軟化させた後に支持基板を湾曲させて光デバイスウェーハから光硬化樹脂と共に支持基板を剥離する。

【0015】

本実施の形態で用いられる金属製の支持基板は、薄化工程における高い支持性と、除去工程における高い剥離性とを併せ備えている。このため、本実施の形態に係る光デバイスウェーハの研削方法により、光デバイスウェーハを薄く研削した上で支持基板を容易に剥離させることができる。以下、本実施の形態に係る光デバイスウェーハの研削方法の詳細について説明する。

【0016】

図１及び図２を参照して載置工程について説明する。図１は、載置工程において光硬化樹脂が塗布される様子を示す図であり、図２は、載置工程において光デバイスウェーハが押圧される様子を示す図である。

【0017】

図１Ａに示すように、まず、樹脂塗布装置１において、支持基板Ｓの表面Ｓ１に光硬化樹脂Ｒを塗布する。樹脂塗布装置１は、下方に向けて液状物を吐出可能なノズル１１を備えており、このノズル１１から、光デバイスウェーハＷを支持基板Ｓに固定するための固定剤となる光硬化樹脂Ｒが吐出される。光硬化樹脂Ｒを塗布された後には、図１Ｂに示すように、支持基板Ｓの上方に光デバイスウェーハＷが位置付けられる。そして、光デバイスウェーハＷと支持基板Ｓとで光硬化樹脂Ｒが挟まれるように、支持基板Ｓにおいて光硬化樹脂Ｒの塗布された領域上に光デバイスウェーハＷを重ねる。

【0018】

被加工物（板状物）である光デバイスウェーハＷは、略円盤形状を有するサファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された構造を備えている。光デバイスウェーハＷの表面Ｗ１（図１において不図示、図２等参照）には、格子状の分割予定ライン（不図示）が設けられており、この分割予定ラインで区画された各領域には光デバイス（不図示）が形成されている。

【0019】

支持基板Ｓは、外力により湾曲可能な厚さに形成された略円盤形状を有するアルミニウム板である。この支持基板Ｓは、光デバイスウェーハＷの全体を支持可能なように、光デバイスウェーハＷより大面積に構成されている。支持基板Ｓの表面Ｓ１の表面粗さは、光デバイスウェーハＷの表面Ｗ１の表面粗さより粗くなっている。このため、支持基板Ｓと光硬化樹脂Ｒとの接触面積は、光デバイスウェーハＷと光硬化樹脂Ｒとの接触面積より広くなり、光硬化樹脂Ｒは支持基板Ｓ側に強固に密着される。表面粗さは、例えば、サンドブラストや粗い研削処理などで粗くできる。

【0020】

光硬化樹脂Ｒは、紫外光を照射されることで硬化される無溶剤の光硬化樹脂（光硬化性樹脂）である。この光硬化樹脂Ｒは、図１Ａに示すように、樹脂塗布装置１のノズル１１から支持基板Ｓの表面Ｓ１の中央付近に滴下されるようにして塗布される。なお、本実施の形態では、無溶剤の光硬化樹脂Ｒを用いる例を示しているが、光デバイスウェーハＷを支持基板Ｓに固定できれば他の固定剤を用いても良い。例えば、熱硬化樹脂（熱硬化性樹脂）などを用いることもできる。

【0021】

支持基板Ｓ上に光デバイスウェーハＷを重ねた後には、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、プレス装置２で光デバイスウェーハＷを支持基板Ｓに押圧させる。プレス装置２は、ポーラスセラミック材による吸着面を有するチャックテーブル２１を備えている。チャックテーブル２１において支持基板Ｓの裏面Ｓ２を吸着させることで、支持基板Ｓはチャックテーブル２１上に保持される。チャックテーブル２１の上方には、光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２を押圧する押圧部２２が上下動可能に設けられている。

【0022】

図２Ａに示すように、押圧部２２と光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２とを接触させて押圧部２２で下向きの力を加えることで、光デバイスウェーハＷは下向きに押圧される。光デバイスウェーハＷが下向きに押圧されると、光デバイスウェーハＷと支持基板Ｓとの間隔は狭められて、矢印Ａで示すように、光硬化樹脂Ｒは放射状に広がる。

【0023】

押圧部２２の押圧力をさらに強めると、図２Ｂに示すように、光デバイスウェーハＷは光硬化樹脂Ｒに埋没される。このように光デバイスウェーハＷを光硬化樹脂Ｒに埋没させると、光デバイスウェーハＷの外周全周において光硬化樹脂Ｒは隆起された状態になり、光硬化樹脂Ｒは光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２側にまで回り込む。隆起されて裏面Ｗ２側まで回り込んだ状態で光硬化樹脂Ｒを硬化させることで、光デバイスウェーハＷを支持基板Ｓに強固に固定できる。

【0024】

次に、図３を参照して固定工程について説明する。図３は、固定工程において光硬化樹脂Ｒに紫外光ＵＶが照射される様子を示す図である。上述の載置工程において光デバイスウェーハＷの載置された支持基板Ｓは、紫外光照射装置３に搬送されて紫外光ＵＶを照射される。紫外光照射装置３は、支持基板Ｓの配置されるステージ３１と、ステージ３１の上方の紫外光源３２とを備えている。

【0025】

図３に示すように、固定工程では、支持基板Ｓをステージ３１に配置し、紫外光源３２から光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２側に紫外光ＵＶを照射する。光デバイスウェーハＷは、所定波長の紫外光ＵＶを透過させるサファイア基板で構成されており、照射された紫外光ＵＶは光デバイスウェーハＷを透過して光硬化樹脂Ｒに到達される。光デバイスウェーハＷを介して紫外光ＵＶの照射された光硬化樹脂Ｒは化学反応により硬化され、光デバイスウェーハＷは支持基板Ｓに固定される。なお、硬化された光硬化樹脂Ｒは、後の薄化工程で光デバイスウェーハＷと共に研削できる。

【0026】

次に、図４を参照して薄化工程について説明する。図４は、薄化工程において光デバイスウェーハＷが研削される様子を示す図である。固定工程で光デバイスウェーハＷの固定された支持基板Ｓは、研削装置４で光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２側を研削される。研削装置４は、ポーラスセラミック材による吸着面を有するチャックテーブル（保持テーブル）４１を備えている。チャックテーブル４１の下方には不図示の回転機構が設けられており、チャックテーブル４１は回転軸Ｃ１の周りに回転される。支持基板Ｓは、このチャックテーブル４１により裏面Ｓ２を吸着されて保持される。

【0027】

チャックテーブル４１の上方には、研削ホイール４２が上下動可能に設けられている。研削ホイール４２の上方には不図示の回転機構が設けられており、研削ホイール４２は回転軸Ｃ２の周りに回転される。研削ホイール４２の下部には研削砥石４３が配置されている。図４Ａに示すように、研削砥石４３を光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２に接触させた状態でチャックテーブル４１と研削ホイール４２とを相対回転させることで、光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２側は研削される。この時、外周部において隆起された光硬化樹脂Ｒも同時に研削される。なお、研削ホイール４２は、チャックテーブル４１より高速に回転される。

【0028】

チャックテーブル４１の近傍にはハイトゲージ（不図示）が設けられており、光デバイスウェーハＷの厚さを測定できるようになっている。このハイトゲージにより光デバイスウェーハＷの厚さを測定しながら研削することで、図４Ｂに示すように、光デバイスウェーハＷは所定厚みへと薄化される。光デバイスウェーハＷの外周部は、光硬化樹脂Ｒにより補強されているので、ナイフエッジ化によるクラックや割れ、欠けなどは防止される。薄化後の光デバイスウェーハＷにおいては、研削による研削面Ｗ３が表出される。

【0029】

図５を参照して除去工程について説明する。図５は、除去工程において光デバイスウェーハＷから支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒが剥離される様子を示す図である。この除去工程ではピーリング装置５により、薄化された光デバイスウェーハＷから支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒを剥離させる。ピーリング装置５は、ポーラスセラミック材による吸着面を有するチャックテーブル５１を備えている。このチャックテーブル５１により、薄化工程で表出された光デバイスウェーハＷの研削面Ｗ３は吸着される。チャックテーブル５１には光硬化樹脂Ｒを軟化させるためのヒータ（不図示）が設けられている。

【0030】

除去工程においては、まず、チャックテーブル５１に光デバイスウェーハＷの研削面Ｗ３を吸着させてヒータで加熱し、光硬化樹脂Ｒを軟化させる。この軟化は、加水処理によって行うようにしても良い。加水処理で光硬化樹脂Ｒを膨潤させることにより、光硬化樹脂Ｒは軟化される。次に、図５Ａに示すように、支持基板Ｓの一端部Ｓ３を斜め上方に引き上げるようにして支持基板Ｓを湾曲させ、支持基板Ｓを光デバイスウェーハＷの一端部Ｗ４から剥離させる。

【0031】

支持基板Ｓの表面Ｓ１の表面粗さは、光デバイスウェーハＷの表面Ｗ１の表面粗さより粗くなっているので、光硬化樹脂Ｒは、光デバイスウェーハＷ側よりも支持基板Ｓ側に強固に密着される。このため、光硬化樹脂Ｒは、光デバイスウェーハＷではなく、支持基板Ｓに密着した状態で剥離される。つまり、支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒは、光デバイスウェーハＷから一体に剥離される。

【0032】

支持基板Ｓは湾曲可能な厚さに形成されているので、一端部Ｓ３を斜め上方に引き上げるようにすれば支持基板Ｓは湾曲され、一端部Ｓ３（一端部Ｗ４）側から徐々に剥離される。一端部Ｓ３（一端部Ｗ４）側において剥離された後には、図５Ｂに示すように、支持基板Ｓの一端部Ｓ３をさらに斜め上方に引き上げるようにして支持基板Ｓを湾曲させる。これにより、光デバイスウェーハＷと、支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒとの剥離が進行し、最終的には、支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒは、光デバイスウェーハＷから完全に剥離される。

【0033】

図６は、本実施の形態に係る光デバイスウェーハＷの研削方法を示すフローチャートである。図６に示すように、まず、載置工程（ステップＳＴ１）において、支持基板Ｓの表面Ｓ１に光硬化樹脂Ｒを塗布し、支持基板Ｓ上に光デバイスウェーハＷを重ねる。そして、光デバイスウェーハＷが光硬化樹脂Ｒに埋没されるように光デバイスウェーハＷを押圧させる。この押圧により、光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２側にまで光硬化樹脂Ｒが回り込み、光デバイスウェーハＷの外周全周において光硬化樹脂Ｒは隆起される。

【0034】

次に、固定工程（ステップＳＴ２）において、紫外光ＵＶを照射させて光硬化樹脂Ｒを硬化させる。これにより、光デバイスウェーハＷは支持基板Ｓに固定される。なお、他の固定剤を用いる場合には、固定剤に応じた硬化処理（固定処理）を適用すれば良い。例えば、熱硬化樹脂を用いる場合には、加熱によって熱硬化樹脂を硬化させて光デバイスウェーハＷを支持基板Ｓに固定させる。

【0035】

その後、薄化工程（ステップＳＴ３）において、光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２側を研削させて、光デバイスウェーハＷを所定厚みへと薄化させる。本実施の形態では剛性の高い金属製の支持基板Ｓを用いているため、研削に伴う光デバイスウェーハＷの剛性の低下を支持基板Ｓで補うことができる。これにより、研削によって薄化する際の光デバイスウェーハＷの破損を抑制できる。

【0036】

そして、除去工程（ステップＳＴ４）において、光硬化樹脂Ｒを軟化させ、薄化された光デバイスウェーハＷから支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒを剥離させる。本実施の形態では湾曲可能な厚さに形成された金属製の支持基板Ｓを用いているので、金属製の支持基板Ｓを湾曲させることで除去工程における剥離性を高め、剥離の際の光デバイスウェーハＷの破損を抑制できる。また、支持基板Ｓの表面Ｓ１の表面粗さは、光デバイスウェーハＷの表面Ｗ１の表面粗さより粗くなっているので、光デバイスウェーハＷから支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒを一体に剥離させることができる。

【0037】

このように、本実施の形態で用いられる金属製の支持基板Ｓは、薄化工程における高い支持性と、除去工程における高い剥離性とを併せ備えている。このため、光デバイスウェーハを薄く研削した上で支持部材を容易に剥離させることができる。

【0038】

以下、実施例及び比較例に基づいて、上記実施の形態に係る研削方法の効果を検証する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。

【0039】

（実施例）
本実施例では、上記実施の形態で示す各工程に従って、光デバイスウェーハを想定したサファイア基板を６０μｍの厚さまで薄化した後、支持基板を剥離した。サファイア基板として、径が４インチで厚さが０．７ｍｍのものを用いた。支持基板として、径が８インチで厚さが０．３ｍｍのアルミニウム板を用いた。このアルミニウム板は、外力によって湾曲可能な厚みに構成されている。光硬化樹脂として、電気化学工業株式会社社製のＴＥＭＰＬＯＣを用いた。

【0040】

研削後のサファイア基板につき、外周での光硬化樹脂の剥がれの有無、割れの有無、クラックの有無を確認した。また、上記実施の形態の除去工程に従って、サファイア基板を破損させること無くアルミニウム板を剥離できるか否かを確認した。確認結果を下記の表１に示す。表１は、５回の試行結果を示している。丸印は、光硬化樹脂の剥がれ、割れの発生、クラックの発生、剥離の際のサファイア基板の破損が、１回も発生しなかったことを示し、罰印は、それぞれの不具合が１回以上発生したことを示す。

【0041】

（比較例）
比較例として、実施例とは異なる支持基板を用いる場合について、外周での光硬化樹脂の剥がれの有無、割れの有無、クラックの有無を確認すると共に、サファイア基板を破損させること無く支持基板を剥離できるか否かを確認した。支持基板として、比較例１では、厚さが０．７ｍｍのシリコン基板を用い、比較例２では、厚さが１．０ｍｍのガラス基板を用い、比較例３では、厚さが０．３ｍｍのＰＥＴ板を用いた。他の条件などは、実施例と同様にした。比較例の確認結果を下記の表１に示す。表１は、各５回の試行結果を示しており、評価基準は実施例と同様である。

【表1】

【0042】

表１から、剛性の低いＰＥＴ板を用いる場合には、薄化工程において割れ及びクラックが発生し、剛性の高いアルミニウム板、シリコン基板、ガラス基板を用いる場合には、薄化工程において割れ及びクラックは発生しないのが分かる。剛性の低いＰＥＴ板で割れ及びクラックが発生するのは、研削時の負荷でＰＥＴ板が撓んでしまい、研削中のサファイア基板に反りなどが発生するためと考えられる。これに対し、アルミニウム板、シリコン基板、ガラス基板といった剛性の高い支持基板は、研削時の負荷で撓みにくく、サファイア基板を好適に支持できる。

【0043】

また、表１から、ＰＥＴ板、又はアルミニウム板を用いる場合には、除去工程において支持基板を適切に剥離でき、シリコン基板、又はガラス基板を用いる場合には、除去工程において支持基板を適切に剥離できないのが分かる。これは、ＰＥＴ板、又はアルミニウム板は湾曲可能に構成されているため、湾曲によりサファイア基板と光硬化樹脂との密着部分に適切な力を作用させて端部から徐々に剥離させることができるためと考えられる。これに対し、シリコン基板、又はガラス基板は、湾曲させることができないため、剥離時に過大な力が加わり易く、サファイア基板を破損させる可能性が高い。

【0044】

以上のように、本実施の形態に係る研削方法によれば、金属製の支持基板（支持部材）Ｓで光デバイスウェーハ（板状物）Ｗを支持させるので、研削時の光デバイスウェーハＷの撓みは抑制されて薄く研削できる。また、金属製の支持基板Ｓは、外部からの力により湾曲可能な厚さに形成されているので、剥離時に支持基板Ｓを湾曲させて、光デバイスウェーハＷと支持基板Ｓとの剥離性を高めることができる。よって、薄く研削された光デバイスウェーハＷから支持基板Ｓを剥離させる際の光デバイスウェーハＷの破損を抑制できる。

【0045】

また、本実施の形態に係る研削方法では、支持基板Ｓの光硬化樹脂Ｒが塗布される面の表面粗さは、光デバイスウェーハＷの貼着面の表面粗さより粗く形成されているので、光デバイスウェーハＷと光硬化樹脂Ｒとの密着性より、支持基板Ｓと光硬化樹脂Ｒとの密着性は高められる。これにより、支持基板Ｓ及び光硬化樹脂Ｒを光デバイスウェーハＷから容易に剥離させることができる。

【0046】

なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、支持基板（支持部材）側に光硬化樹脂を塗布する方法を例示しているが、光デバイスウェーハ（板状物）側に光硬化樹脂を塗布するようにしても良い。この場合、支持基板の表面には、光デバイスウェーハの表面に塗布された光硬化樹脂が間接的に塗布されることになる。

【0047】

また、上記実施の形態では、チャックテーブルに光デバイスウェーハの研削面を直接吸着させてヒータで加熱する方法を例示しているが、光デバイスウェーハの研削面に保護テープを貼着させた後にチャックテーブルで吸着させるようにしても良い。この場合、加熱で変質しない保護テープを用いることが望ましい。また、上記実施の形態では、ピーリング装置を用いて光デバイスウェーハから支持基板及び光硬化樹脂を剥離させる方法を例示しているが、オペレータの手作業によって剥離させるようにしても良い。

【0048】

また、上記実施の形態では、薄化される被加工物（板状物）としてサファイア基板からなる光デバイスウェーハを用いる場合を例示しているが、被加工物はこれに限られない。例えば、シリコンからなる半導体ウェーハ、ガリウム砒素（GaAs）基板、シリコンカーバイド（SiC）基板、化合物半導体基板などの各種基板を用いることもできる。

【0049】

また、上記実施の形態では、支持基板としてアルミニウム板を用いる場合を例示しているが、支持基板はこれに限られない。薄化工程における高い支持性と、除去工程における高い剥離性とを併せ備えていれば、どのような基板を用いても良い。例えば、高い剛性を備えるステンレス板や銅板などを適切な厚さに加工して用いることが可能である。また、支持基板の形状も円盤形状であることに限定されず、任意の形状とすることができる。

【0050】

その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

【産業上の利用可能性】

【0051】

本発明は、光デバイスウェーハなどの板状物を研削して所定の厚みへと加工する際に有用である。

【符号の説明】

【0052】

１ 樹脂塗布装置
２ プレス装置
３ 紫外光照射装置
４ 研削装置
５ ピーリング装置
１１ ノズル
２１ チャックテーブル
２２ 押圧部
３１ ステージ
３２ 紫外光源
４１ チャックテーブル（保持テーブル）
４２ 研削ホイール
４３ 研削砥石
５１ チャックテーブル
Ｃ１，Ｃ２ 回転軸
Ｒ 光硬化樹脂
Ｓ 支持基板（支持部材）
Ｓ１，Ｗ１ 表面
Ｓ２，Ｗ２ 裏面
Ｓ３，Ｗ４ 一端部
ＵＶ 紫外光（紫外線）
Ｗ 光デバイスウェーハ（板状物）
Ｗ３ 研削面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】