発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面をＨ₂ＯとＯ₂を含んだガス中でウェット酸化し、水素ＰＯＡ（Ｐｏｓｔ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）としてＨ₂を含んだ雰囲気で熱処理することで、界面準位密度が低減されるのは、水素あるいは水酸基が界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手（ダングリングボンド）を終端するためであるといわれている。 炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面に乾燥酸素のみの雰囲気でドライ酸化した場合の界面準位密度は非常に大きく、悪いＭＯＳ界面特性となる。また、ドライ酸化の後に水素ＰＯＡを実施すると、界面準位密度は低減されるものの、ウェット酸化と水素ＰＯＡを組み合わせた界面特性には及ばない。 このため、炭化ケイ素基板の（０００−１）面、（１１−２０）面上へのゲート絶縁膜形成のためのゲート酸化において、界面準位密度の低減にＯ₂を用いることは有効ではなく、Ｈ₂ＯとＨ₂を用いることが有効である。 ここで、ゲート酸化およびＰＯＡで導入される水素あるいは水酸基は、界面準位を形成している炭化ケイ素基板表面のシリコン原子の未結合手を効率的に終端するため、また、ゲート絶縁膜中に存在すると電子トラップの要因となるため、ＭＯＳ界面を含む狭い領域に偏析していることが望ましい。 本発明は、課題に鑑み、炭化ケイ素半導体の（０００−１）面あるいは（１１−２０）面の界面準位密度をより効果的に低減することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、炭化ケイ素半導体の（０００−１）面あるいは（１１−２０）面の界面準位密度をより効果的に低減できるという効果を奏する。