特許 6034228 有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6034228

(24)【登録日】2016年11月4日

(45)【発行日】2016年11月30日

(54)【発明の名称】有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20161121BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20161121BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20161121BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/14 A

   C23C14/50 D

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2013-71214(P2013-71214)

(22)【出願日】2013年3月29日

(65)【公開番号】特開2014-194896(P2014-194896A)

(43)【公開日】2014年10月9日

【審査請求日】2016年1月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】000231464

【氏名又は名称】株式会社アルバック

(74)【代理人】

【識別番号】100102875

【弁理士】

【氏名又は名称】石島 茂男

(74)【代理人】

【識別番号】100106666

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 英樹

(72)【発明者】

【氏名】深尾 万里

(72)【発明者】

【氏名】上野 充

(72)【発明者】

【氏名】清水 美穂

(72)【発明者】

【氏名】倉田 敬臣

(72)【発明者】

【氏名】村本 孝紀

【審査官】 本田 博幸

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−２７４３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−００１７６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０８７８０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１４０９０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０４０５６５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０ − ５１／５６

Ｃ２３Ｃ １４／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板保持板の表面に基板貼付剤で基板の裏面を貼付し、
露出する前記基板の表面に、第一の真空雰囲気中で有機ＥＬ薄膜を形成した後、
前記基板貼付剤を３０℃以下の低温範囲又は４５℃以上の高温範囲のうちいずれか一方の温度範囲にし、第二の真空雰囲気中で前記基板と前記基板保持板との間に剥離力を加えて、前記基板に前記有機ＥＬ薄膜が形成された有機ＥＬ薄膜形成基板を前記基板貼付剤から剥離させる有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法。

【請求項2】

前記第二の真空雰囲気は、前記第一の真空雰囲気と同じ圧力にする請求項１記載の有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法。

【請求項3】

前記第一の真空雰囲気と、前記第二の真空雰囲気とを、１．０×１０^-4Ｐａ未満の圧力にする請求項２記載の有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法。

【請求項4】

前記基板には、除電装置によって前記基板を除電しながら、前記剥離力を加えて前記基板貼付剤から剥離させる請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法。

【請求項5】

前記基板保持板の裏面側から前記基板保持板に対してピンを移動させ、前記基板保持板に形成された貫通孔に前記ピンを挿通して前記ピンの先端を前記基板の裏面に当接させた後、更に前記ピンを前記基板保持板に対して１ｍｍ／秒以下の相対速度で移動させ、前記基板を押圧して前記基板に剥離力を加える請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

低分子タイプの有機ＥＬ素子の製造には、有機ＥＬ薄膜を形成するために、一般的に真空蒸着法が用いられている。真空蒸着法では、有機ＥＬ薄膜を形成するガラス基板の成膜面を下に向けた状態で成膜する方法（デポアップ）と、成膜面を横に向けた状態で横方向から成膜する方法（サイドデポ）とがある。

【0003】

近年、有機ＥＬ薄膜形成基板を製造する有機ＥＬ薄膜形成基板の製造装置で処理するガラス基板の基板サイズは大型化してきている。ガラス基板に有機ＥＬ薄膜を形成する際には、ガラス基板を蒸着マスクと高精度で位置決めした後、真空蒸着法により、ガラス基板上に有機ＥＬ薄膜を形成する。

【0004】

このとき、大型のガラス基板（Ｇ５以上）では、その自重によって撓みが発生する。ガラス基板の撓みは、ガラス基板と蒸着マスクとの位置合わせ（アライメント）や真空蒸着により形成する膜の厚さの均一性を得ることに対して悪影響を及ぼす。

【0005】

ガラス基板の撓みを小さくするために、ガラス基板を粘着性シートや静電チャックを使って、平坦な保持板に貼り付ける方法がある。
基板撓みに関連した先行技術は、下記文献に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００６−１７６８０９号公報

【特許文献2】特開２００５−２４８２４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

粘着シートで基板を保持板に貼り付けて有機ＥＬ薄膜の形成を行った後、基板を装置から取り出す必要がある。このとき、真空中で粘着性シートから基板を剥離すると、基板は帯電し、基板の帯電量が大きくなると、基板は放電する。有機ＥＬ薄膜が形成された後に放電し、有機ＥＬ薄膜に放電電流が流れると、有機ＥＬ薄膜の発光特性が劣化し、この有機ＥＬ薄膜を用いて製造された有機ＥＬ素子は不良品となる。
本発明は、基板の帯電による不良品の発生を減少させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するために本発明は、基板保持板の表面に基板貼付剤で基板の裏面を貼付し、露出する前記基板の表面に、第一の真空雰囲気中で有機ＥＬ薄膜を形成した後、前記基板貼付剤を３０℃以下の低温範囲又は４５℃以上の高温範囲のうちいずれか一方の温度範囲にし、第二の真空雰囲気中で前記基板と前記基板保持板との間に剥離力を加えて、前記基板に前記有機ＥＬ薄膜が形成された有機ＥＬ薄膜形成基板を前記基板貼付剤から剥離させる有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法である。
本発明は、前記第二の真空雰囲気は、前記第一の真空雰囲気と同じ圧力にする有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法である。
本発明は、前記第一の真空雰囲気と、前記第二の真空雰囲気とを、１．０×１０^-4Ｐａ未満の圧力にする有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法である。
本発明は、前記基板には、除電装置によって前記基板を除電しながら、前記剥離力を加えて前記基板貼付剤から剥離させる有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法である。
本発明は、前記基板保持板の裏面側から前記基板保持板に対してピンを移動させ、前記基板保持板に形成された貫通孔に前記ピンを挿通して前記ピンの先端を前記基板の裏面に当接させた後、更に前記ピンを前記基板保持板に対して１ｍｍ／秒以下の相対速度で移動させ、前記基板を押圧して前記基板に剥離力を加える有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法である。

【発明の効果】

【0009】

基板の帯電量を小さくすることができる。また、基板を保持板から剥離する工程を真空雰囲気中で行うため、基板及び有機ＥＬ薄膜の汚染を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明に用いる有機ＥＬ薄膜基板の製造装置を説明するための図

【図2】（ａ）：基板保持板と基板とを説明するための図 （ｂ）：成膜対象物を説明するための図

【図3】搬送対象物を説明するための図

【図4】有機ＥＬ薄膜の付着された搬送対象物を説明するための図

【図5】（ａ）：温度調節機構の温度調節板とピン昇降装置とを説明するための図 （ｂ）：成膜対象物の載置された温度調節板とピン昇降装置とを説明するための図 （ｃ）：基板を基板保持板から剥離した状態を説明するための図

【図6】基板貼付剤の温度と基板貼付剤の粘着力との関係を示すグラフ

【図7】基板貼付剤の温度と基板の帯電量との関係を示すグラフ

【発明を実施するための形態】

【0011】

図１は、本発明の有機ＥＬ薄膜形成基板の製造方法に用いる有機ＥＬ薄膜形成基板の製造装置２を示している。図１に示すように、この製造装置２は、前室１６と、基板貼付室１１と、第一反転室１７と、マスク貼合室１８と、成膜室１３と、マスク分離室１９と、第二反転室２５と、基板剥離室１４と、受渡室２６と、後室１５とを有している。各室１１，１３〜１９，２５，２６の間は、ゲートバルブ２１を介して接続されている。各室１１，１３〜１９，２５，２６から各室に続く室１１，１３〜１９，２５，２６へ基板を搬入するときは、各室１１，１３〜１９，２５，２６の間に設けられたゲートバルブ２１を開けて各室に続く室１１，１３〜１９，２５，２６に基板を搬入し、ゲートバルブ２１を閉じるが、以下、基板を移動する際のゲートバルブ２１の開閉の説明は省略する。

【0012】

各室１１，１３〜１９，２５，２６は、それぞれ真空排気装置２２に接続され、各ゲートバルブ２１が閉じられた状態では、各室１１，１３〜１９，２５，２６を、真空排気装置２２によって、それぞれ個別に真空排気できるようになっている。

【0013】

予め、各ゲートバルブ２１を閉じて、各室１１，１３〜１９，２５，２６をそれぞれ真空排気しておく。
有機ＥＬ薄膜を形成する際には、前室１６から基板貼付室１１に有機ＥＬ薄膜を形成する基板を搬入する。
基板貼付室１１には、基板保持板３２が配置されている。

【0014】

基板保持板３２は、金属(例えばアルミニウム)等の硬い材質から成る板状の部材であり、基板保持板３２には、図２（ａ）に示すように、保持板貫通孔３６が複数設けられている。

【0015】

基板保持板３２の片面を基板貼付面３４とし、その反対側の面を裏面５４とすると、保持板貫通孔３６の、基板貼付面３４表面に位置する開口部と開口部との間の部分には、基板貼付剤３３が貼付されている。基板貼付剤３３は、ここでは、粘着性を有するシート状又は平板状の物質である。基板保持板３２は、基板貼付面３４が上方を向けられて配置されており、搬入された基板３１が、有機ＥＬ薄膜を形成する成膜面３７を上方に向け、その反対側の非成膜面３８が基板貼付剤３３に貼付され、基板保持板３２と、基板貼付剤３３と、基板３１とで、図２（ｂ）に示す成膜対象物４０が構成され、基板貼付室１１から第一反転室１７に移動され、第一反転室１７内で上下が反転され、成膜面３７を鉛直下方に向けた状態で、マスク貼合室１８に移動される。

【0016】

マスク貼合室１８には、マスク８０が配置されており、マスク貼合室１８内で、基板３１とマスク８０との位置合わせがされ、図３に示すように、成膜対象物４０の成膜面３７上にマスク８０が配置され、マスク８０は成膜対象物４０に固定される。
マスク８０には、貫通孔である窓部８１が形成されており、窓部８１の底面には、成膜面３７が露出されている。

【0017】

マスク８０と成膜対象物４０とを、搬送対象物４４と呼ぶと、搬送対象物４４は、マスク貼合室１８から成膜室１３に移動され、成膜室１３内に設けられた基板搬送装置４１に配置され、成膜面３７を下方に向けさせた状態で成膜室１３の内部を移動される。

【0018】

成膜室１３の内部の底面側には、蒸気放出装置４３が複数台(ここでは１０〜１５台)設けられている。各蒸気放出装置４３は、蒸気を放出する蒸気放出口（図示せず）を有しており、蒸気放出口から成膜室１３の内部に、有機ＥＬ薄膜材料の有機化合物蒸気を放出できるようにされている。

【0019】

少なくとも搬送対象物４４が成膜室１３の内部を移動する間は、成膜室１３内部は継続して真空排気されており、成膜室１３の内部の雰囲気は、所定圧力範囲の第一の真空雰囲気にされており、各蒸気放出装置４３の蒸気放出口から、上方に向けて有機化合物蒸気が放出された状態で、成膜面３７が各蒸気放出装置４３の蒸気放出口と順番に対面し、窓部８１底面に露出する成膜面３７に、有機化合物蒸気が順番に到達すると、図４に示すように、窓部８１の底面に露出する成膜面３７上には、有機ＥＬ薄膜３９が形成される。（このとき、マスク８０の表面上にも、有機ＥＬ薄膜が形成される。）
有機ＥＬ薄膜３９を形成する際には搬送対象物４４に熱が流入し、基板３１の温度と基板貼付剤３３の温度とは、有機ＥＬ薄膜３９を形成する直前に比べ、有機ＥＬ薄膜３９を形成した直後が３０℃を超えて高くなる。

【0020】

基板貼付剤３３の接着力は温度が高くなると弱くなるため、基板３１と基板貼付剤３３との間の粘着力が、基板３１が落下しない強さを維持させる為に、４５℃より低い温度範囲になるように、成膜室１３内に設けた冷却機構３５(図１)によって、基板３１と基板貼付剤３３とを冷却しながら、有機ＥＬ薄膜３９を形成している。

【0021】

この製造装置２では、冷却機構３５は、成膜室１３の天井や、蒸気放出装置４３の間に配置されている。
有機ＥＬ薄膜３９が形成された基板３１を有する搬送対象物４４は、成膜室１３からマスク分離室１９に移動される。

【0022】

マスク分離室１９内では、搬送対象物４４からマスク８０と成膜対象物４０とが分離され、分離されたマスク８０は、真空雰囲気中を移動して、マスク貼合室１８に戻され、成膜対象物４０は、マスク分離室１９から第二反転室２５に移動される。

【0023】

第二反転室２５内では、移動された成膜対象物４０の上下は反転され、有機ＥＬ薄膜３９の形成された基板３１の成膜面３７は、上方に向けられ、基板保持板３２は下方に向けられた状態で、第二反転室２５から基板剥離室１４内に移動される。

【0024】

基板剥離室１４の内部は継続して真空排気されており、基板剥離室１４の内部の雰囲気である第二の真空雰囲気は、第一の真空雰囲気と同じ圧力にされている。ここでは、第一の真空雰囲気と第二の真空雰囲気とは、１×１０^-4Ｐａ未満の圧力である。

【0025】

基板剥離室１４の内部には、図１に示すように、底面上にはステージ５５が配置され、天井側には、温度調節機構６０が有する板状の温度調節板６３が配置されている。
温度調節板６３の内部には、熱媒体６２が流れる媒体流路６５が設けられている。

【0026】

基板剥離室１４の外部には、温度制御装置６７が配置されており、媒体流路６５は、温度制御装置６７から熱媒体６２が供給され、媒体流路６５を流れた熱媒体６２は、温度制御装置６７に戻るように構成されている。

【0027】

温度制御装置６７は、熱媒体６２を加熱又は冷却して熱媒体６２の温度を制御する加熱冷却装置を有しており、温度制御装置６７に戻った熱媒体６２は、加熱冷却装置によって、温度が制御され、媒体流路６５に供給されるようになっている。

【0028】

ステージ５５の一面は、平坦な載置面５６にされており、ステージ５５にはピン５２の昇降用の移動孔が形成されており、図５(ａ)は、移動孔に挿通された複数のピン５２の上端が、載置面５６上に突き出された状態である。

【0029】

各ピン５２は、ピン昇降装置５３（図１）に取り付けられており、ピン昇降装置５３によってピン５２は載置面５６の下方に降下された後、基板剥離室１４の内部に搬入された成膜対象物４０は、ステージ５５と温度調節板６３の間に挿入され、ピン５２の上方に保持板貫通孔３６が位置するように位置合わせがされた後、降下されて、図５(ｂ)に示すように、成膜面３７が上方を向けられた状態で、載置面５６上に乗せられる。

【0030】

その状態では、保持板貫通孔３６は移動孔と連通している。成膜面３７は、温度調節板６３と平行に、近接して対面するようにされており、温度調節板６３は、基板３１に放射熱を入射させ、又は、基板３１の放射熱を吸収して、基板３１を昇温又は冷却するようになっており、熱媒体６２の温度を制御することによって基板３１と基板貼付剤３３との温度を制御することができる。
基板剥離室１４内に搬入されたときの、基板３１及び基板貼付剤３３の温度は３０℃より高く４５℃より低い温度範囲になっている。

【0031】

ステージ５５に載置されたその温度範囲の基板貼付剤３３を温度調節板６３によって温度制御する場合は、基板貼付剤３３の温度３０℃以下の低温範囲又は４５℃以上の高温範囲のいずれかの温度範囲内にする熱媒体６２の温度と、対面させる時間とが、予め求められており、ステージ５５に載置された成膜対象物４０は、温度制御装置６７が供給する熱媒体６２によって温度制御されて、基板貼付剤３３の温度が、低温範囲又は高温範囲にされる。

【0032】

低温範囲の場合は、室温(２０℃)以上の温度範囲であることが普通であり、高温範囲の場合は、基板３１に形成されている薄膜にダメージを与えないことから、８０℃以下にすることが普通である。
低温範囲又は高温範囲になったところで、ピン５２が上昇される。

【0033】

ピン５２の上方には、基板３１の非成膜面３８が露出されている。基板保持板３２はステージ５５に固定されており、上昇するピン５２の先端は、非成膜面３８に当接し、更に上昇しようとすると、基板３１には下方から押圧力が加わり、その押圧力が剥離力となる。剥離力が接触力よりも大きいと、基板３１は基板貼付剤３３から剥離する。

【0034】

基板剥離室１４の内部のステージ５５の側方位置には、除電装置（ここでは紫外線ランプ７２）が配置されており、基板剥離室１４の外部には、ランプ用電源７３が配置されている。
ランプ用電源７３が起動すると紫外線ランプ７２に通電され、紫外線ランプ７２は点灯し、紫外線ランプ７２から載置面５６上の空間に向けて紫外線が放射されるようになっている。
紫外線ランプ７２は、基板３１が基板貼付剤３３から剥離される際には、点灯させておき、非成膜面３８に紫外線が照射されるようにする。

【0035】

基板３１が剥離される際には、基板貼付剤３３の温度は、低温範囲又は高温範囲にされており、帯電量が小さくなるようにされている。また、非成膜面３８に紫外線が照射されることで、基板３１の帯電が小さくなるようにされている。

【0036】

ピン昇降装置は、ピン５２を所望の速度で上昇させることができるように構成されており、ここでは、ピン５２が非成膜面３８に当接した後、ピン５２は、０．１ｍｍ／秒以上１ｍｍ／秒以下の速度で上昇されており、その速度は、従来のピン移動速度よりも遅くされ、帯電が少なくなるようにされている。

【0037】

図５（ｃ）は、基板保持板３２から剥離された基板３１を示している。
なお、上述した基板３１の剥離方法では、基板３１にピン５２を押し付け、押圧力によって基板３１を基板保持板３２から剥離したが、基板３１を牽引する引張力によって、基板３１を基板貼付剤３３から剥離しても良い。

【0038】

また、剥離の際に、基板剥離室１４に不活性ガスを導入して第二の真空雰囲気を、１×１０^-4Ｐａ以上の圧力にしてもよいし、除電装置は、紫外線ランプ７２でなくても良い。また、基板剥離室１４の内部に除電装置を設けなくてもよい。

【0039】

また、複数のピン５２は、それぞれ同速度で上昇してもよいし、ピン５２とピン５２との間で、異なる速度で上昇するようにしてもよい。

【0040】

また、温度調節機構６０の温度調節板６３は、成膜対象物４０の基板３１と対面する位置に、成膜対象物４０と離間して設けられていたが、ステージ５５の内部に媒体流路６５を設け、熱媒体６２を媒体流路６５に供給して循環させることによって、ステージ５５を温度調節板６３とし、温度調節板６３を成膜対象物４０と接触するようにして配置しても良い。

【0041】

ピン５２を上昇させ、有機ＥＬ薄膜が形成された基板３１を基板貼付剤３３から剥離して、基板保持板３２と基板貼付剤３３とから分離させた後、基板保持板３２は、真空雰囲気中を移動して、基板貼付室１１に戻され、分離された基板３１は、後室１５の内部に移動され、基板３１には、次の処理が行われる。
なお、上記基板３１はガラス基板であったが、本発明には、ガラス基板以外の誘電体の基板を用いることができる。

【実施例】

【0042】

［基板貼付剤の温度と基板貼付剤の粘着力及び基板の帯電量との関係］
本実施例では、基板貼付剤３３にはブタジエンゴムを使用し、基板保持板３２にはアルミニウムを使用した。また、試料基板には、約５０ｍｍ角の正方形の未成膜のガラス基板を使用した。基板貼付剤３３を基板保持板３２に貼付し、試料基板を基板貼付剤３３上に載置し、上方から２０Ｎの力で押圧して試料基板を基板貼付剤３３に貼付して固定し、成膜対象物のサンプルを得た。ここでは、成膜対象物のサンプルを複数枚作成し、各成膜対象物からそれぞれ試料基板を剥離させたときの、基板貼付剤３３の温度と基板貼付剤３３の粘着力との関係と、基板貼付剤３３の温度と基板３１の帯電量との関係をそれぞれ測定した。

【0043】

温度と、粘着力の測定結果の平均値との関係を表１に示し、温度と、帯電量の測定結果の平均値の規格値との関係を表２に示す。表２に示した規格値は、基板貼付剤３３が３０℃のときに剥離した際の帯電量（７６０．９Ｖ）を１としたときの規格値である。

【0044】

【表1】

【0045】

【表2】

【0046】

表１に示した温度と粘着力との関係を図６に示し、表２に示した温度と帯電量との関係を図７に示す。図６、図７に示すグラフの横軸は、基板貼付剤３３の温度を、図６の縦軸は粘着力の測定結果の平均値を、図７の縦軸は帯電量の測定結果の平均値の規格値を示している。

【0047】

粘着力と帯電量とを測定した際には、基板貼付剤３３の温度に加え、その基板貼付剤３３に貼付された基板３１の温度も測定しており、表１、表２には、基板３１と基板貼付剤３３との測定温度を記載した。

【0048】

表１と図６とから、ブタジエンゴムを用いた基板貼付剤３３は、２３℃以上６０℃以下の温度範囲内では、高温の基板貼付剤３３の粘着力の方が、低温の基板貼付剤３３の粘着力よりも小さくなっている。
従って、低温範囲よりも高温範囲の方が、剥離力は小さくて済む。

【0049】

他方、表２と図７とから、基板貼付剤３３の温度が、２３℃以上３５℃以下の温度範囲内では、基板貼付剤３３の温度が高い方が低い方よりも帯電量が大きくなっており、３５℃以上６０℃以下の温度範囲内では、基板貼付剤３３の温度が高い方が低い方よりも帯電量は小さくなっており、その結果、基板貼付剤３３の温度が３５℃のときに試料基板の帯電量は最も大きくなっている。

【0050】

以上の結果より、基板貼付剤の温度を、３５℃よりも低い温度にするほど、又は３５℃よりも高い温度にするほど、帯電の放電による有機ＥＬ薄膜３９の破壊は起こり難くなることがわかる。基板貼付剤３３の温度を３５℃よりも低い２０℃〜３０℃の低温領域又は、３５℃よりも高い４５℃〜８０℃の高温領域にして、基板貼付剤３３から基板３１を剥離すると、有機ＥＬ薄膜３９の劣化によるデバイス不良の問題が起こらないことが確認されている。

【0051】

［ピンの移動速度と基板の帯電量との関係］
本実施例では、基板貼付剤３３にはブタジエンゴムを使用し、基板保持板３２にはアルミニウムを使用した。また、試料基板は、３００ｍｍ×４００ｍｍの長方形の未成膜のガラス基板を用いた。基板貼付剤３３を基板保持板３２に貼付し、試料基板を基板貼付剤３３上に載置し、上方から押圧して試料基板を基板貼付剤３３に貼付して固定し、成膜対象物のサンプルを得た。基板貼付剤３３の温度を２４℃としたときに、成膜対象物のサンプルから試料基板を剥離させたときの、ピン５２の移動速度と試料基板の帯電量との関係を測定した。測定結果を下記表３に示す。下記表３に示した値は、ピンの移動速度が２ｍｍ／秒であるときの試料基板の帯電量（９２００Ｖ）を１としたときの規格値である。

【0052】

【表3】

【0053】

表３の数値から、ピン５２の移動速度が、２ｍｍ／秒、１ｍｍ／秒、０．１ｍｍ／秒であるときの基板３１の帯電量の規格値は、それぞれ１．００、０．３９、０．３４であり、移動速度が０．１ｍｍ／秒以上２ｍｍ／秒以下の範囲では、ピン５２の移動速度が遅い方が速い方よりも試料基板の帯電量は小さくなることが分かる。
表３から、移動速度は１ｍｍ／秒以下が望ましいことが分かる。

【符号の説明】

【0054】

２……有機ＥＬ薄膜形成基板の製造装置
１１……基板貼付室
１３……成膜室
１４……基板剥離室
２２……真空排気装置
３１……基板
３９……有機ＥＬ薄膜
３２……基板保持板
３３……基板貼付剤
３４……基板貼付面
３６……保持板貫通孔
４０……成膜対象物
４４……搬送対象物
４１……基板搬送装置
４３……蒸気放出装置
５３……ピン昇降装置
５５……ステージ
５６……載置面
６０……温度調節機構
６５……媒体流路
６３……温度調節板
６７……温度制御装置
７１……紫外線照射装置
７２……紫外線ランプ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】