【図1】本発明の一実施形態である半導体レーザ素子を示す模式的断面図である。

【図2】図１の半導体レーザ素子における光吸収層の積層構造を示す模式断面図である。

【図3】ウエハの外観写真である。

【図4】ウエハのＣＬ像である。

【図5】実施例１及び比較例１に係る半導体レーザ素子の発光状態の端面写真である。

【図6】実施例１及び比較例１に係る半導体レーザ素子のＦＦＰ_⊥のビーム形状を示すグラフである。

【図7】実施例１及び比較例１に係る半導体レーザ素子のＩ−Ｌ特性を示すグラフである。

【図8】実施例１及び比較例１に係る半導体レーザ素子のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。

【図9】実施例１及び比較例１に係る半導体レーザ素子の偏光特性を示すグラフである。

【図10】実施例２及び比較例２に係る半導体レーザ素子の端面写真である。

【図11】実施例２及び比較例２に係る半導体レーザ素子のＦＦＰ_⊥のビーム形状を示すグラフである。

【図12】実施例２及び比較例２に係る半導体レーザ素子のＩ−Ｌ特性を示すグラフである。

【図13】実施例２及び比較例２に係る半導体レーザ素子のＩ−Ｌ特性を示すグラフである。

【図14】実施例２及び比較例２に係る半導体レーザ素子のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。

【図15】実施例２及び比較例２に係る半導体レーザ素子の偏光特性を示すグラフである。