特許6040769IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

発光素子及びその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、p層と電極との間に透光性絶縁膜を介在させた構造では、透光性絶縁膜とp層との密着性が悪く、製造工程の途中で透光性絶縁膜が剥がれ、歩留まりが低下するという懸念がある。 本発明は、課題に鑑みなされたものであり、半導体層と電極を構成する透光性導電層との間に透光性絶縁層を介在させることにより、光取り出し効率の向上を図りながら、歩留まりの低下を軽減できる発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は以下の発明を含む。 半導体層及び 前記半導体層と電気的に接続された透光性導電層と、該透光性導電層上の一部に設けられた金属部材と、前記半導体層と透光性導電層との間であって、前記半導体層に接して設けられた第1透光性絶縁層と、該第1透光性絶縁層上に設けられ、かつ平面視において、前記金属部材と重なる位置に配置された第2透光性絶縁層とを有する電極構造体を備え、 前記第1透光性絶縁層・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、光取り出し効率に優れた発光素子を得ることができるとともに、歩留まりの低下を軽減することができる発光素子の製造方法を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】本実施形態1に係る発光素子の構造を説明するための概略平面図である。

【図1B】本実施形態1に係る発光素子の構造を説明するための図1AのA−A’線の概略断面図である。

【図2A】本実施形態2に係る発光素子の構造を説明するための概略平面図である。

【図2B】本実施形態2に係る発光素子の構造を説明するための図2AのA−A’線の概略断面図である。

【図3】本発光素子の製造方法を説明するための概略断面工程図である。

10、40 発光素子   11 基板   12 第1半導体層   13 発光層   14 第2半導体層   14a ダメージ領域   15、65 第2透光性絶縁層   16、66 第1透光性絶縁層   17 保護膜   20 第2電極   30 第1電極   21、31、51 透光性導電層   22、32、52 金属部材   23、33 電極構造体   24 半導体層

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