発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、炭化珪素基板の主表面にアライメントマークを形成した後にエピタキシャル層を成長させた場合、アライメントマークの輪郭がエピタキシャル層成長前後で変化してしまうという問題がある。その理由は、次のとおりである。図３は、従来のアライメントマークのエピタキシャル層形成後の状態を示す断面図である。図４は、従来のアライメントマークのエピタキシャル層形成後の平面形状を模式的に示す平面図である。以下、＜１１−２０＞方向のうち、結晶相が成長していく方向を下流側、結晶相が成長していく方向に対して反対側の方向を上流側とする。 図３に示すように、炭化珪素基板１０１の主表面に、炭化珪素基板１０１のエッチング部であるアライメントマーク１０４の側壁および底面に沿ってエピタキシャル層１２１を形成する。このとき、アライメントマーク１０４の＜１１−２０＞方向の上流側の側壁を覆うエピタキシャル層１２１により新たに形成されたアライメントマーク１０４ａの側壁の上方１２１ａの位置はほとんど変化しない。一方、アライメントマーク１０４の＜１１−２０＞方向の下流側では、アライメントマーク１０４の側壁の上方１２１ｂ付近におけるエピタキシャル成長が進まず、エピタキシャル層１２１の厚さが他の部分よりも薄くなる。これにより、新たに形成されるアライメントマーク１０４ａの側壁の上方１２１ｃの位置が大きく下流方向にずれる。 したがって、図４に示すように、長手方向が＜１１−２０＞方向に平行な矩形と、長手方向が＜１−１００＞方向に平行な矩形とが直交した十字状の平面形状を有する従来のアライメントマークの輪郭は、エピタキシャル層１２１形成前（図４（ａ））とエピタキシャル層１２１形成後（図４（ｂ））とで変化する。このようにアライメントマークの輪郭が変化した場合、露光装置の画像認識において、アライメントマーク１０４形成後でエピタキシャル層１２１形成前に行う工程でのアライメントマーク１０４の位置と、エピタキシャル層１２１成長後に行う工程でのアライメントマーク１０４ａの位置とが異なってしまう。 また、エピタキシャル層１２１成長後に新たに形成されるアライメントマーク１０４ａの位置のずれ量（以下、単にアライメントマークのずれ量とする）は、エピタキシャル層１２１の膜厚に依存し、一定しないことが本発明者の鋭意研究により確認されている。アライメントマークのずれ量が一定しないため、アライメントマークのずれ量を考慮した素子設計とした場合、素子の微細化が難しくなりオン抵抗を低減することができないという問題がある。または、素子の微細化を図ったとしても素子が正常動作しないなどの問題がある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、素子の微細化を図ることができる炭化珪素半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体素子の製造方法によれば、素子の微細化を図ることができるという効果を奏する。