発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、炭化珪素基板を用いた半導体デバイスでは、上述したようにゲート絶縁膜形成後に高温の熱処理が必須であり、この熱処理の条件（温度や雰囲気など）によって半導体デバイスの特性が変化してしまう。このため、ゲート絶縁膜の形成条件に加えて、ゲート絶縁膜形成後に行う熱処理の条件も併せて検討する必要がある。例えば、半導体デバイスは、ゲートに信号が入力されていない状態のときにオフ状態（以下、ノーマリオフとする）であることが望ましい。すなわち、半導体デバイスのしきい値電圧は正の値であることが望ましい。 しきい値電圧はフラットバンド電圧を引数とする関数で表され、しきい値電圧を正の値とするには、フラットバンド電圧が正の値であることが望ましい。しかしながら、上述したゲート絶縁膜の形成方法、すなわち炭化珪素基板の（０００−１）面や（１１−２０）面を亜酸化窒素や一酸化窒素などの窒素を含むガス雰囲気中で熱酸化し、さらに水素を含む雰囲気のアニールを行うことでゲート酸化膜と炭化珪素基板との接合界面での界面準位密度を低減させる方法では、フラットバンド電圧は負の値となり、ゲートに信号が入力されていない状態のときに半導体デバイスがオン状態（ノーマリオン）となってしまう。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ノーマリオフ特性を示し、かつ界面準位密度を低減させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、ノーマリオフ特性を示し、かつ界面準位密度を低減させることができるという効果を奏する。