技術分野
半導体ウエハマッピング方法に関するものであり、特に、半導体製造装置において半導体ウエハを切断して半導体チップ(半導体素子)を製造するダイシング技術に適用して有効な半導体ウエハマッピング方法及び半導体ウエハのレーザ加工方法に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
上述したように、特許文献1記載の測定方法を用いた加工技術では、特に半導体ウエハの外側の位置から半導体ウエハの領域内に入るとき、半導体ウエハの端部で測定の値に大きな乱れが生じ、集光レンズの焦点が整合状態に戻るまでに時間がかかる。このため、オートフォーカス特性が悪く、加工品質に問題点があった。また、その測定値の大きな乱れで、集光レンズの焦点調整が機能するか否かは、レーザ加工が開始されるまで判断ができないという不都合があった。
一方、特許文献2記載の加工技術のように、半導体ウエハを吸引保持したチャック台を回転させて測定する方法では、チャック台を回転させることにより、半導体ウエハの反りやうねりだけでなく、チャック台及びチャック台を回転させているモータ軸のうねり等の影響も拾う。このため、正確な測定ができないという問題点があった。特に、今日では半導体ウエハの口径が大形化し、これに伴って半導体ウエハが載置されるチャック台の大きさも大形化している。したがって、その半導体ウエハの反りやうねり、及びチャック台並びにモータ軸のうねり等の影響も大きくなる。
そこで、半導体製造装置において半導体ウエハを切断して半導体チップを製造する準備
段階として、半導体ウエハ周辺部の反りやうねり等を事前に高精度で測定して、ダイシング加工をスムーズに行うことができるようにするための半導体ウエハマッピング方法を提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、所定の回路が縦横に整列されて配置形成された半導体ウエハを縦横に切断して半導体チップを製造するレーザ加工機における半導体ウエハマッピング方法において、チャック台上に前記半導体ウエハを吸引保持して前記半導体ウエハを回転させることなく該半導体ウエハの表面に測定光を照射し、かつ該半導体ウエハ表面で反射された反射光を検出して該・・・ 続きを
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【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、半導体ウエハの外周辺部の反りやうねり等を事前にほぼ全周に亘って測定し、その半導体ウエハ表面Z方向の測定値(プロファイルデータ)をマップとして取得し、次のステップにおけるレーザ光によるダイシング加工に使用することができるので、ダイシング加工をスムーズに行うことができる効果が期待できる。また、この測定では、従来のターンテーブルを回転させて測定する方法で問題になった、チャック台の回転による反りやうねり、及びチャック台を回転させるためのモータのうねり等の影響を全く受けることなく、半導体ウエハの外周辺部の反りやうねり等を事前に、高精度で、かつ高速度で測定することができる。さらに、半導体ウエハをチャック台に吸引保持したまま、次のレーザ光によるダイシング加工の作業に入ることもできるので、作業性が更に向上する。
そして、半導体ウエハの表面全体を1回の走査で広範囲に亘って測定することができるので、更に高精度に測定することができる。
請求項
2 記載の発明は、連続して測定を行うので、請求項
1記 載の発明の効果に加えて、更にスループットが良くなり、作業性が更に向上する。
請求項
3 記載の発明は、加工ラインの半導体ウエハ外周付近におけるレーザ加工精度が安定するので、高精度のレーザ加工が期待できる。また、加工ラインの半導体ウエハの外周部における加工時における集光レンズの焦点の乱れを減少させることができるので、スループットが向上し、生産性の向上に寄与する。また、レーザ加工時における合焦データとマップとを比較することにより、レーザ加工における合焦が正確に行われているか否かをリアルタイムに測定することができると共に、レーザ加工における合焦が正確に行われていない場合には、マップデータを使用して動作を継続させることができるので、更に生産性の向上に寄与できる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】 本発明に係る半導体ウエハマッピング方法を実施するためのレーザ加工装置の一例を測定動作状態で示す概略構成図である。
【図2】 半導体ウエハの表面測定及びレーザ加工方法を説明する図で、(a)及び(b)は測定位置の軌跡を説明する図、(c)はレーザ加工方法を説明する図である。
【図3】 半導体ウエハの一例を示す図で、(a)はその表面側より見た平面図、(b)はその側面図である。
【図4】 従来における半導体ウエハの表面測定方法の一例を説明する図である。
1a1〜1an、1b1〜1bn 半導体ウエハの端
2a1〜2an 加工ライン
3 半導体チップ
4 ダイシングフィルム
10 レーザ加工装置
11 静止基台
12 移動テーブル
13 表面高さ測定器
14 支持アーム
15 制御部
15a CPU
15b メモリ
15c I/Oインターフェース
16 X方向滑動ブロック
17 Y方向滑動ブロック
18 チャック台
19 測定位置の軌跡(軌跡ライン)
A 測定開始点
S 半導体ウエハ
S1 半導体ウエハの外周
X1、Y1 測定開始点
Xa、Ya 加工開始位置
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