【図1】実施の形態１に係る発光装置の概略断面図である。

【図2】図１に示す半導体発光素子を示す断面図である。

【図3】ウエハから半導体発光素子チップを割断する様子を示す模式断面図である。

【図4】基板の裏面からレーザ光を照射する状態を示す模式断面図である。

【図5A】基板の厚さ方向における第一改質ラインと第二改質ラインの位置を示す模式拡大断面図である。

【図5B】変形例に係る第一改質ラインと第二改質ラインの位置を示す模式拡大断面図である。

【図6】基板中のレーザ光の照射方向を示す模式平面図である。

【図7】実施例１に係るＬＥＤの、素子分割前の基板平面側から見た顕微鏡写真を示すイメージ図である。

【図8】図７のＬＥＤの、割断後の劈開面の電子顕微鏡写真を示すイメージ図である。

【図9】比較例１に係るＬＥＤの、素子分割前の基板平面側から見た顕微鏡写真を示すイメージ図である。

【図10】図９のＬＥＤの、割断後の劈開面の電子顕微鏡写真を示すイメージ図である。

【図11】実施例１、実施例２と比較例１に係るＬＥＤの出力を比較したグラフである。

【図12】特定のサイズのＬＥＤについて歩留まりを測定した結果を示すグラフである。